JPH04948B2 - - Google Patents
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- JPH04948B2 JPH04948B2 JP60053277A JP5327785A JPH04948B2 JP H04948 B2 JPH04948 B2 JP H04948B2 JP 60053277 A JP60053277 A JP 60053277A JP 5327785 A JP5327785 A JP 5327785A JP H04948 B2 JPH04948 B2 JP H04948B2
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- silicon nitride
- silicon
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- Ceramic Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明はスパツタリングにより保護膜を形成す
る場合等に使用される窒化ケイ素ターゲツトの製
法に関する。 （従来の技術） 従来、窒化ケイ素ターケツトは焼結して製造さ
れるが、焼結性を持たせるためにイツトリアや酸
化マグネシウムを数％添加して焼結することを一
般としている。 （発明が解決しようとする問題点） 前記のようにイツトリア等を添加したターゲツ
トをスパツタリングして基板に保護膜を形成する
に使用すると、保護膜が色彩を帯びたり或は密着
性が不良になる欠点が発生する。またイツトリア
は高価であり安価な窒化ケイ素ターゲツトを得ら
れない欠点がある。 こうした欠点の改善のために反応焼結法により
該ターゲツトを製造することも提案されたが、未
反応のケイ素が保護膜の形成を阻害する欠点がな
お存する。 本発明はこうした欠点を解決し安価で成膜性の
良い窒化ケイ素ターゲツトを得る製法を提供する
ことを目的とするものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明では、窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末
を、重量比で70：30乃至95：５の割合で混合した
のち焼成するようにした。 （作用） 窒化ケイ素と共通の元素（シリコン）を有する
二酸化ケイ素はバインダーとして作用し、両者を
70：30乃至95：５の割合で混合して焼成して得ら
れた窒化ケイ素ターゲツトは、窒化ケイ素にイツ
トリア又は酸化マグネシウムを添加して焼成した
従来のターゲツトよりも密度は低いが反応焼結法
によるターゲツトとほぼ同等の密度が得られ比較
的焼結性が良好であつた。また本発明による窒化
ケイ素ターゲツトはスパツタ電力も十分にとれ、
スパツタリングレートも満足するものであつた。
さらに形成された薄膜は着色がなく、保護膜とし
ての性能も従来のイツトリア等を混入したターゲ
ツトによるものと変りがなかつた。 （実施例） 本発明の実施例は次の通りである。 実施例 １ 窒化ケイ素粉末70部に対し二酸化ケイ素粉末30
部を混合し、これを金型に入れて焼結成形した。
これによつて得たテストピースについて密度を測
定した結果、表１に示すように2.3ｇ／cm3で、後
記の比較例１による従来の製法によるテストピー
スよりも密度は小さいが比較例２による従来の製
法によるテストピースの密度と略同等であつた。 さらに直径４インチ、厚さ６mmのターゲツトに
ついて、一定条件下でメタルボンデングを行なつ
た後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性、着色
の具合を肉眼で観察した結果、表２に示すように
膜形成率は0.4（μｍ／ｈ）／（Ｖ・Ａ／cm2）で密
着性も良く無色の保護膜が得られた。 実施例 ２ 窒化ケイ素粉末80部に対し、二酸化ケイ素粉末
20部を混合し、これを金型に入れ焼結成形した。
これによつて得たテストピースの密度を測定した
結果、表１に示すように2.2ｇ／cm3で後記の比較
例２の場合と余り変わりがなかつた。さらに直径
４インチ厚さ６mmのターゲツトについて一定条件
下でのメタルボンテイングを行なつた後、膜形成
率を測定し、形成膜の密着性及び着色の具合を肉
眼で観察したところ表２に示すように実施例１と
同様であつた。 実施例 ３ 窒化ケイ素粉末95部に対し、二酸化ケイ素粉末
５部を混合し、金型に入れ焼結成形した。これに
よつて得たテストピースについての密度の測定の
結果は表１の如くであり、直径４インチ、厚さ６
mmのターゲツトについて一定条件下でメタルボン
デイングを行なつた後、膜形成率を測定し、密着
性、着色の具合を肉眼で観察した結果は表２の通
り実施例１と同様であつた。 比較例 １ 窒化ケイ素粉末95部酸化マグネシウム粉末３部
イツトリア粉末２部を混合し、金型に入れ焼結成
形する従来の製法によりテストピースを形成し、
これの密度を測定した結果を表１に示す。さらに
直径４インチ、厚さ６mmのターゲツトについて、
一定条件下でのメタルボンデイングを行なつた
後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性や着色の
具合を肉眼で観察した結果は表２の通りである。 比較例 ２ 金属ケイ素粉末を金型に入れ、高温条件下で窒
素ガスを反応させる従来高知の反応焼結法により
製作したテストピースの密度は表１に示すように
2.4ｇ／cm3であり、比較例１と同様に直径４イン
チ、厚さ６mmのターゲツトを製作してこれを一定
条件下でメタルボンデイングを行なつた後、膜形
成率を測定し、形成膜の密着性、着色の具合を肉
眼で観察した結果は表２の通りである。
る場合等に使用される窒化ケイ素ターゲツトの製
法に関する。 （従来の技術） 従来、窒化ケイ素ターケツトは焼結して製造さ
れるが、焼結性を持たせるためにイツトリアや酸
化マグネシウムを数％添加して焼結することを一
般としている。 （発明が解決しようとする問題点） 前記のようにイツトリア等を添加したターゲツ
トをスパツタリングして基板に保護膜を形成する
に使用すると、保護膜が色彩を帯びたり或は密着
性が不良になる欠点が発生する。またイツトリア
は高価であり安価な窒化ケイ素ターゲツトを得ら
れない欠点がある。 こうした欠点の改善のために反応焼結法により
該ターゲツトを製造することも提案されたが、未
反応のケイ素が保護膜の形成を阻害する欠点がな
お存する。 本発明はこうした欠点を解決し安価で成膜性の
良い窒化ケイ素ターゲツトを得る製法を提供する
ことを目的とするものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明では、窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末
を、重量比で70：30乃至95：５の割合で混合した
のち焼成するようにした。 （作用） 窒化ケイ素と共通の元素（シリコン）を有する
二酸化ケイ素はバインダーとして作用し、両者を
70：30乃至95：５の割合で混合して焼成して得ら
れた窒化ケイ素ターゲツトは、窒化ケイ素にイツ
トリア又は酸化マグネシウムを添加して焼成した
従来のターゲツトよりも密度は低いが反応焼結法
によるターゲツトとほぼ同等の密度が得られ比較
的焼結性が良好であつた。また本発明による窒化
ケイ素ターゲツトはスパツタ電力も十分にとれ、
スパツタリングレートも満足するものであつた。
さらに形成された薄膜は着色がなく、保護膜とし
ての性能も従来のイツトリア等を混入したターゲ
ツトによるものと変りがなかつた。 （実施例） 本発明の実施例は次の通りである。 実施例 １ 窒化ケイ素粉末70部に対し二酸化ケイ素粉末30
部を混合し、これを金型に入れて焼結成形した。
これによつて得たテストピースについて密度を測
定した結果、表１に示すように2.3ｇ／cm3で、後
記の比較例１による従来の製法によるテストピー
スよりも密度は小さいが比較例２による従来の製
法によるテストピースの密度と略同等であつた。 さらに直径４インチ、厚さ６mmのターゲツトに
ついて、一定条件下でメタルボンデングを行なつ
た後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性、着色
の具合を肉眼で観察した結果、表２に示すように
膜形成率は0.4（μｍ／ｈ）／（Ｖ・Ａ／cm2）で密
着性も良く無色の保護膜が得られた。 実施例 ２ 窒化ケイ素粉末80部に対し、二酸化ケイ素粉末
20部を混合し、これを金型に入れ焼結成形した。
これによつて得たテストピースの密度を測定した
結果、表１に示すように2.2ｇ／cm3で後記の比較
例２の場合と余り変わりがなかつた。さらに直径
４インチ厚さ６mmのターゲツトについて一定条件
下でのメタルボンテイングを行なつた後、膜形成
率を測定し、形成膜の密着性及び着色の具合を肉
眼で観察したところ表２に示すように実施例１と
同様であつた。 実施例 ３ 窒化ケイ素粉末95部に対し、二酸化ケイ素粉末
５部を混合し、金型に入れ焼結成形した。これに
よつて得たテストピースについての密度の測定の
結果は表１の如くであり、直径４インチ、厚さ６
mmのターゲツトについて一定条件下でメタルボン
デイングを行なつた後、膜形成率を測定し、密着
性、着色の具合を肉眼で観察した結果は表２の通
り実施例１と同様であつた。 比較例 １ 窒化ケイ素粉末95部酸化マグネシウム粉末３部
イツトリア粉末２部を混合し、金型に入れ焼結成
形する従来の製法によりテストピースを形成し、
これの密度を測定した結果を表１に示す。さらに
直径４インチ、厚さ６mmのターゲツトについて、
一定条件下でのメタルボンデイングを行なつた
後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性や着色の
具合を肉眼で観察した結果は表２の通りである。 比較例 ２ 金属ケイ素粉末を金型に入れ、高温条件下で窒
素ガスを反応させる従来高知の反応焼結法により
製作したテストピースの密度は表１に示すように
2.4ｇ／cm3であり、比較例１と同様に直径４イン
チ、厚さ６mmのターゲツトを製作してこれを一定
条件下でメタルボンデイングを行なつた後、膜形
成率を測定し、形成膜の密着性、着色の具合を肉
眼で観察した結果は表２の通りである。
【表】
【表】
（発明の効果）
このように本発明に於ては、窒化ケイ素と二酸
化ケイ素の粉末を重量比で70：３乃至95：５の割
合で混合したのち焼成してスパツタリング用窒化
ケイ素ターゲツトを製作するようにしたので、安
価で焼結性の良いターゲツトが得られ、これを使
用して形成した保護膜は無色で遊離ケイ素の突起
などが無く、さらに膜形成率も良く、良好な保護
膜を迅速に形成出来る等の効果がある。
化ケイ素の粉末を重量比で70：３乃至95：５の割
合で混合したのち焼成してスパツタリング用窒化
ケイ素ターゲツトを製作するようにしたので、安
価で焼結性の良いターゲツトが得られ、これを使
用して形成した保護膜は無色で遊離ケイ素の突起
などが無く、さらに膜形成率も良く、良好な保護
膜を迅速に形成出来る等の効果がある。
Claims (1)
- １ 窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末を、重量比
で70：30乃至95：５の割合で混合したのち焼成す
ることを特徴とするスパツタリング用窒化ケイ素
ターゲツトの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053277A JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053277A JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61215259A JPS61215259A (ja) | 1986-09-25 |
| JPH04948B2 true JPH04948B2 (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=12938241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60053277A Granted JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61215259A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283261A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタリング用窒化珪素系ターゲット材料 |
| JP5206111B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2013-06-12 | 大日本印刷株式会社 | イオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シートの製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54123110A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of siliconee ceramics |
| JPS56141153A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Toshiba Corp | Target for x-ray tube |
| JPS56169773A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Sharp Corp | Target for spattering by plenar magnetron |
| JPS5774177A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
| JPS5874585A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高速切削用表面被覆窒化けい素基焼結部材 |
| JPS58118273A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
| JPS58161975A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
| JPS58204451A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-29 | Seiko Epson Corp | Ｘ線発生装置 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP60053277A patent/JPS61215259A/ja active Granted
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54123110A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of siliconee ceramics |
| JPS56141153A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Toshiba Corp | Target for x-ray tube |
| JPS56169773A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Sharp Corp | Target for spattering by plenar magnetron |
| JPS5774177A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
| JPS5874585A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高速切削用表面被覆窒化けい素基焼結部材 |
| JPS58118273A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
| JPS58161975A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
| JPS58204451A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-29 | Seiko Epson Corp | Ｘ線発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61215259A (ja) | 1986-09-25 |
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