JPH04948B2 - - Google Patents
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- JPH04948B2 JPH04948B2 JP60053277A JP5327785A JPH04948B2 JP H04948 B2 JPH04948 B2 JP H04948B2 JP 60053277 A JP60053277 A JP 60053277A JP 5327785 A JP5327785 A JP 5327785A JP H04948 B2 JPH04948 B2 JP H04948B2
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- Ceramic Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
本発明はスパツタリングにより保護膜を形成す
る場合等に使用される窒化ケイ素ターゲツトの製
法に関する。 (従来の技術) 従来、窒化ケイ素ターケツトは焼結して製造さ
れるが、焼結性を持たせるためにイツトリアや酸
化マグネシウムを数%添加して焼結することを一
般としている。 (発明が解決しようとする問題点) 前記のようにイツトリア等を添加したターゲツ
トをスパツタリングして基板に保護膜を形成する
に使用すると、保護膜が色彩を帯びたり或は密着
性が不良になる欠点が発生する。またイツトリア
は高価であり安価な窒化ケイ素ターゲツトを得ら
れない欠点がある。 こうした欠点の改善のために反応焼結法により
該ターゲツトを製造することも提案されたが、未
反応のケイ素が保護膜の形成を阻害する欠点がな
お存する。 本発明はこうした欠点を解決し安価で成膜性の
良い窒化ケイ素ターゲツトを得る製法を提供する
ことを目的とするものである。 (問題点を解決するための手段) 本発明では、窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末
を、重量比で70:30乃至95:5の割合で混合した
のち焼成するようにした。 (作用) 窒化ケイ素と共通の元素(シリコン)を有する
二酸化ケイ素はバインダーとして作用し、両者を
70:30乃至95:5の割合で混合して焼成して得ら
れた窒化ケイ素ターゲツトは、窒化ケイ素にイツ
トリア又は酸化マグネシウムを添加して焼成した
従来のターゲツトよりも密度は低いが反応焼結法
によるターゲツトとほぼ同等の密度が得られ比較
的焼結性が良好であつた。また本発明による窒化
ケイ素ターゲツトはスパツタ電力も十分にとれ、
スパツタリングレートも満足するものであつた。
さらに形成された薄膜は着色がなく、保護膜とし
ての性能も従来のイツトリア等を混入したターゲ
ツトによるものと変りがなかつた。 (実施例) 本発明の実施例は次の通りである。 実施例 1 窒化ケイ素粉末70部に対し二酸化ケイ素粉末30
部を混合し、これを金型に入れて焼結成形した。
これによつて得たテストピースについて密度を測
定した結果、表1に示すように2.3g/cm3で、後
記の比較例1による従来の製法によるテストピー
スよりも密度は小さいが比較例2による従来の製
法によるテストピースの密度と略同等であつた。 さらに直径4インチ、厚さ6mmのターゲツトに
ついて、一定条件下でメタルボンデングを行なつ
た後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性、着色
の具合を肉眼で観察した結果、表2に示すように
膜形成率は0.4(μm/h)/(V・A/cm2)で密
着性も良く無色の保護膜が得られた。 実施例 2 窒化ケイ素粉末80部に対し、二酸化ケイ素粉末
20部を混合し、これを金型に入れ焼結成形した。
これによつて得たテストピースの密度を測定した
結果、表1に示すように2.2g/cm3で後記の比較
例2の場合と余り変わりがなかつた。さらに直径
4インチ厚さ6mmのターゲツトについて一定条件
下でのメタルボンテイングを行なつた後、膜形成
率を測定し、形成膜の密着性及び着色の具合を肉
眼で観察したところ表2に示すように実施例1と
同様であつた。 実施例 3 窒化ケイ素粉末95部に対し、二酸化ケイ素粉末
5部を混合し、金型に入れ焼結成形した。これに
よつて得たテストピースについての密度の測定の
結果は表1の如くであり、直径4インチ、厚さ6
mmのターゲツトについて一定条件下でメタルボン
デイングを行なつた後、膜形成率を測定し、密着
性、着色の具合を肉眼で観察した結果は表2の通
り実施例1と同様であつた。 比較例 1 窒化ケイ素粉末95部酸化マグネシウム粉末3部
イツトリア粉末2部を混合し、金型に入れ焼結成
形する従来の製法によりテストピースを形成し、
これの密度を測定した結果を表1に示す。さらに
直径4インチ、厚さ6mmのターゲツトについて、
一定条件下でのメタルボンデイングを行なつた
後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性や着色の
具合を肉眼で観察した結果は表2の通りである。 比較例 2 金属ケイ素粉末を金型に入れ、高温条件下で窒
素ガスを反応させる従来高知の反応焼結法により
製作したテストピースの密度は表1に示すように
2.4g/cm3であり、比較例1と同様に直径4イン
チ、厚さ6mmのターゲツトを製作してこれを一定
条件下でメタルボンデイングを行なつた後、膜形
成率を測定し、形成膜の密着性、着色の具合を肉
眼で観察した結果は表2の通りである。
る場合等に使用される窒化ケイ素ターゲツトの製
法に関する。 (従来の技術) 従来、窒化ケイ素ターケツトは焼結して製造さ
れるが、焼結性を持たせるためにイツトリアや酸
化マグネシウムを数%添加して焼結することを一
般としている。 (発明が解決しようとする問題点) 前記のようにイツトリア等を添加したターゲツ
トをスパツタリングして基板に保護膜を形成する
に使用すると、保護膜が色彩を帯びたり或は密着
性が不良になる欠点が発生する。またイツトリア
は高価であり安価な窒化ケイ素ターゲツトを得ら
れない欠点がある。 こうした欠点の改善のために反応焼結法により
該ターゲツトを製造することも提案されたが、未
反応のケイ素が保護膜の形成を阻害する欠点がな
お存する。 本発明はこうした欠点を解決し安価で成膜性の
良い窒化ケイ素ターゲツトを得る製法を提供する
ことを目的とするものである。 (問題点を解決するための手段) 本発明では、窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末
を、重量比で70:30乃至95:5の割合で混合した
のち焼成するようにした。 (作用) 窒化ケイ素と共通の元素(シリコン)を有する
二酸化ケイ素はバインダーとして作用し、両者を
70:30乃至95:5の割合で混合して焼成して得ら
れた窒化ケイ素ターゲツトは、窒化ケイ素にイツ
トリア又は酸化マグネシウムを添加して焼成した
従来のターゲツトよりも密度は低いが反応焼結法
によるターゲツトとほぼ同等の密度が得られ比較
的焼結性が良好であつた。また本発明による窒化
ケイ素ターゲツトはスパツタ電力も十分にとれ、
スパツタリングレートも満足するものであつた。
さらに形成された薄膜は着色がなく、保護膜とし
ての性能も従来のイツトリア等を混入したターゲ
ツトによるものと変りがなかつた。 (実施例) 本発明の実施例は次の通りである。 実施例 1 窒化ケイ素粉末70部に対し二酸化ケイ素粉末30
部を混合し、これを金型に入れて焼結成形した。
これによつて得たテストピースについて密度を測
定した結果、表1に示すように2.3g/cm3で、後
記の比較例1による従来の製法によるテストピー
スよりも密度は小さいが比較例2による従来の製
法によるテストピースの密度と略同等であつた。 さらに直径4インチ、厚さ6mmのターゲツトに
ついて、一定条件下でメタルボンデングを行なつ
た後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性、着色
の具合を肉眼で観察した結果、表2に示すように
膜形成率は0.4(μm/h)/(V・A/cm2)で密
着性も良く無色の保護膜が得られた。 実施例 2 窒化ケイ素粉末80部に対し、二酸化ケイ素粉末
20部を混合し、これを金型に入れ焼結成形した。
これによつて得たテストピースの密度を測定した
結果、表1に示すように2.2g/cm3で後記の比較
例2の場合と余り変わりがなかつた。さらに直径
4インチ厚さ6mmのターゲツトについて一定条件
下でのメタルボンテイングを行なつた後、膜形成
率を測定し、形成膜の密着性及び着色の具合を肉
眼で観察したところ表2に示すように実施例1と
同様であつた。 実施例 3 窒化ケイ素粉末95部に対し、二酸化ケイ素粉末
5部を混合し、金型に入れ焼結成形した。これに
よつて得たテストピースについての密度の測定の
結果は表1の如くであり、直径4インチ、厚さ6
mmのターゲツトについて一定条件下でメタルボン
デイングを行なつた後、膜形成率を測定し、密着
性、着色の具合を肉眼で観察した結果は表2の通
り実施例1と同様であつた。 比較例 1 窒化ケイ素粉末95部酸化マグネシウム粉末3部
イツトリア粉末2部を混合し、金型に入れ焼結成
形する従来の製法によりテストピースを形成し、
これの密度を測定した結果を表1に示す。さらに
直径4インチ、厚さ6mmのターゲツトについて、
一定条件下でのメタルボンデイングを行なつた
後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性や着色の
具合を肉眼で観察した結果は表2の通りである。 比較例 2 金属ケイ素粉末を金型に入れ、高温条件下で窒
素ガスを反応させる従来高知の反応焼結法により
製作したテストピースの密度は表1に示すように
2.4g/cm3であり、比較例1と同様に直径4イン
チ、厚さ6mmのターゲツトを製作してこれを一定
条件下でメタルボンデイングを行なつた後、膜形
成率を測定し、形成膜の密着性、着色の具合を肉
眼で観察した結果は表2の通りである。
【表】
【表】
(発明の効果)
このように本発明に於ては、窒化ケイ素と二酸
化ケイ素の粉末を重量比で70:3乃至95:5の割
合で混合したのち焼成してスパツタリング用窒化
ケイ素ターゲツトを製作するようにしたので、安
価で焼結性の良いターゲツトが得られ、これを使
用して形成した保護膜は無色で遊離ケイ素の突起
などが無く、さらに膜形成率も良く、良好な保護
膜を迅速に形成出来る等の効果がある。
化ケイ素の粉末を重量比で70:3乃至95:5の割
合で混合したのち焼成してスパツタリング用窒化
ケイ素ターゲツトを製作するようにしたので、安
価で焼結性の良いターゲツトが得られ、これを使
用して形成した保護膜は無色で遊離ケイ素の突起
などが無く、さらに膜形成率も良く、良好な保護
膜を迅速に形成出来る等の効果がある。
Claims (1)
- 1 窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末を、重量比
で70:30乃至95:5の割合で混合したのち焼成す
ることを特徴とするスパツタリング用窒化ケイ素
ターゲツトの製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60053277A JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60053277A JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61215259A JPS61215259A (ja) | 1986-09-25 |
JPH04948B2 true JPH04948B2 (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=12938241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60053277A Granted JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61215259A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283261A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタリング用窒化珪素系ターゲット材料 |
JP5206111B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2013-06-12 | 大日本印刷株式会社 | イオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シートの製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54123110A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of siliconee ceramics |
JPS56141153A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Toshiba Corp | Target for x-ray tube |
JPS56169773A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Sharp Corp | Target for spattering by plenar magnetron |
JPS5774177A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
JPS5874585A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高速切削用表面被覆窒化けい素基焼結部材 |
JPS58118273A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
JPS58161975A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
JPS58204451A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-29 | Seiko Epson Corp | X線発生装置 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP60053277A patent/JPS61215259A/ja active Granted
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54123110A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of siliconee ceramics |
JPS56141153A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Toshiba Corp | Target for x-ray tube |
JPS56169773A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Sharp Corp | Target for spattering by plenar magnetron |
JPS5774177A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
JPS5874585A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高速切削用表面被覆窒化けい素基焼結部材 |
JPS58118273A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
JPS58161975A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
JPS58204451A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-29 | Seiko Epson Corp | X線発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61215259A (ja) | 1986-09-25 |
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