JPS61208769A

JPS61208769A - 正抵抗温度係数抵抗体

Info

Publication number: JPS61208769A
Application number: JP4901485A
Authority: JP
Inventors: 伸幸平井; 正博雨宮
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1985-03-12
Filing date: 1985-03-12
Publication date: 1986-09-17

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、暖房器具等に用いられる自己温度制御ヒータ
に使用される抵抗体に関するものである。

従来の技術従来のこの種の正抵抗温度係数抵抗体は、ポリエチレン
等の結晶性樹脂とカーボン・ブラック等の導電性粒子と
から構成されていた。

発明が解決しようとする問題点この種の正抵抗温度抵抗体を用いてヒータとした場合の
構成を第２図に示す。第２図に示すように、一対の電極
１．２の周囲に配置された正抵抗温度係数抵抗体３によ
り構成されている。ここで、この種の正抵抗温度係数抵
抗体の抵抗温度特性を第３図に示す。第３図に示すよう
に、抵抗温度特性は結晶性樹脂の軟化点Ｔｖ　で急激に
立ち上がる傾向がある。ここで、このヒータにおいて、
一対の電極間に電圧を印加した場合、放熱特性によシミ
極１．２間の中心部分が最も温度が高くなる。

ゆえに、電極１．２間の中心部分が増々抵抗が高くなり
、これによって、電極１．２間に、低抵抗、高抵抗、低
抵抗の抵抗体が電極的に直列につながった状態と等価な
る。このため、電ｆＭｌ、２間に電圧を印加をしても、
電極１．２間の中心部分に集中して電圧が印加された状
態となシ、増々正抵抗温度係数抵抗体３内部の温度分布
が大きくなるという問題点を有していた。この状態を第
４図に示す。ただし、ｌは電極１，２間の距離を、Ｘは
測定位置と電極１との距離をあられしている。また、こ
の温度分布のために、正抵抗温度係数抵抗体３を構成し
ている結晶性樹脂が、位置によシ劣化速度が灰なるとい
う問題点も同時に有していた。

本発明はかかる従来の問題を解消するもので、正抵抗温
度係数抵抗体３内部の電圧集中を少なくし、均一な発熱
をする抵抗体を提供することを目的とする。

問題点を解決するだめの手段上記問題点を解決するために、本発明の正抵抗温度係数
抵抗体は結晶性樹脂と、導電性粒子と、非線形半導体粒
子とから成るものである。

作　　　用本発明はと記の構成によって、正抵抗温度係数抵抗体内
に非線形半導体粒子が分散されているために、電圧が集
中した場合、非線形半導体粒子がバリスター的役目を果
し、電圧を正抵抗温度抵抗体内に均一に分散させる。

実施例以下、本発明の詳細な説明する。結晶性樹脂としてポリ
エチレン（１００重量部）に、導電性粒子としてカーボ
ン・ブラック（２０重量部）と、非線形半導体粒子とし
て酸化亜鉛を主成分とし、副成分として酸化ビスマスを
含んだ焼結体（１５重量部、平均粒子径１１１ｍ）とを
分散して構成される。

上記構成における抵抗温度特性は、従来例の抵抗温度特
性である、第３図とほとんど変わりはない。

しかし、電圧を１００ｖ印加し、その温度分布をみると
、第１図に示すように、放熱により生じる温度分布以外
の特異な分布はみられず、均一な発熱する効果がある。

これは、上記焼結体が、バリスター的役目を果し、均一
な電圧印加がなされたためと思われる。また、ポリエチ
レンに比べ酸化亜鉛は１００倍熱伝導度をもち、これに
よっても温変分布を少なくさせる効果もあわせてもって
いる。

なお、上記実施例では、非線形半導体粒子の副成分とし
て酸化ビスマスを用いたが、コバルト、マンガン、バリ
ウム、プロトマクチニウム、プラセオジム、ランタン、
タングステン等の酸化物のうち少なくとも１つ用いても
同様な結果が得られる。

なお、上記実施例では、結晶性樹脂として、ポリエチレ
ンヲ用いたが、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共
重合体を用いても、抵抗温度特性の抵抗値の立ち上がシ
温度に差はあるものの、同様な効果が得られるのは明ら
かである。

なお、上記実施例では、導電性粒子にカーボン・ブラッ
クを用いたが、金属粒子、導電性金属酸化物粒子を用い
ても同様な効果が得られるのは明らかである。

発明の効果以とのように、本発明の正抵抗温度係数抵抗体によれば
、次の効果が得られる。

（１）正抵抗温度係数抵抗体内に分散した非線形半導体
粒子がバリスター的役目を果して電圧の集中を防止し、
正抵抗温度係数抵抗体内の電圧が均一になるために、均
一な発熱を得ることができる。

（２）均一な発熱のために、正抵抗温度係数抵抗体の主
成分である結晶性樹脂の劣化速度が位置により異ならず
、減速される。

第２図は同正抵抗温度係数抵抗体を用いたヒータの一部
切欠斜視図、第３図は従来の正抵抗温度係数抵抗体の抵
抗温度特性図、第４図は従来の正抵抗温度係数抵抗体の
温度分布図である。

１．２・・・・・・１対の電極、３・・・・・・正抵抗
温度係数抵抗体。

代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図第２図　　　　　　／、？、、、化極第３図ｖ温浸［′Ｃ〕

Claims

【特許請求の範囲】

（１）結晶性樹脂と、導電性粒子と、非線形半導体粒子
とから成る正抵抗温度係数抵抗体。
（２）結晶性樹脂がポリエチレン、ポリプロピレン、エ
チレン酢酸ビニル共重合体の少なくとも１つを含む特許
請求の範囲第１項記載の正抵抗温度係数抵抗体。
（３）導電性粒子がカーボン・ブラックである特許請求
の範囲第１項記載の正抵抗温度係数抵抗体。
（４）非線形半導体粒子が酸化亜鉛を主成分とし、副組
成物として、ビスマス、コバルト、マンガン、バリウム
、プロトアクチニウム、プラセオジム、ランタン、タン
グステン等の酸化物が少なくとも１つ含まれる特許請求
の範囲第１項記載の正抵抗温度係数抵抗体。
（５）非線形半導体粒子の粒子径が０．３μｍから２０
μｍの範囲である特許請求の範囲第１項または第４項記
載の正抵抗温度係数抵抗体。
（６）非線形半導体粒子が結晶性樹脂１００重量部に対
して５重量部から３０重量部の範囲で含まれる特許請求
の範囲第１項または第４項記載の正抵抗温度係数抵抗体
。
（７）カーボン・ブラックが結晶性樹脂１００重量部に
対して１０重量部から３５重量部の範囲で含まれる特許
請求の範囲第３項記載の正抵抗温度係数抵抗体。