JPS61207095A - 薄型icカ−ド用プリント配線基板 - Google Patents

薄型icカ−ド用プリント配線基板

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JPS61207095A
JPS61207095A JP60047987A JP4798785A JPS61207095A JP S61207095 A JPS61207095 A JP S61207095A JP 60047987 A JP60047987 A JP 60047987A JP 4798785 A JP4798785 A JP 4798785A JP S61207095 A JPS61207095 A JP S61207095A
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JP
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land
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card
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中川 吉明
均 伊藤
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄型ICカード用プリント配線基板に関し、特
に本発明は半導体等の電子部品を搭載する薄型化した多
層のICカード用プリント配線基板に関する。
ICカード用プリント配線基板は、CDカードと称され
る現金引出カード、IDカードと称される認識カード、
MCカードと称さnる医療用カルテ、TCと称されるテ
レホンカードなど各種の用途に使用されろものである。
〔従来の技術〕
従来のICカード用プリント配線基板は、平滑な水平面
状の基板上に形成された導電回路と同一レベルの水平面
状の基板に半導体等の電子部品を搭載し、ワイヤーボン
デングして電気的に接続されるものであっtこ。
そのため、半導体の製品厚さの分だけ突出があり、IC
カード用プリント配線基板のように薄型化し、カード表
面を平滑な水平面としなければならない要請に反し、製
品表面の凹凸化は避けることができなかっ1こ。
一部、ICカード用プリント配線基板に多機能をも1こ
せて高密度化するに当り、導電回路の一部や導通スルホ
ール部分の導電メッキの厚さは通常、銅メッキ、ニッケ
ルメッキ及び金メッキなどの各種メッキ層の形成により
最大50μmから最小16μmで位の膜厚となり、この
ランドの導電メッキの厚さもICカード表面の平滑化を
阻害し、また製品の薄型化を困難としている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述のように、従来のICカード用プリント配線基板は
、多層化に当りランドのメッキ厚さが基板の数だけ加算
されることになり、特に多l−回路板全体を導通するフ
ンタクトスルホールの端部に設けられるランドはICカ
ードの裏面側に突出することになる。
しかしながら、ICカードは一定の細い隙き間を通過さ
せる必要があるためコンタクトスルホールの端部に設け
られるランド部分は突出していると電気的接触などの面
で不都合を生じる。
そこで本発明は、前記従来のICカード用プリント配線
基板のコンタクトスルホール等のランド部分の突出を何
らかの方法で吸収してその他の部分と同一水平面を形成
するよう特許請求の範囲に記載の通りの「表面層には、
金属メッキ層が形成されており、少なくとも6つ又は、
8つのコンタクトスルーホールを有し、中間層には、複
数のスルーホールが形成されており、かつ前記コンタク
トスルーホールを有し、中間層には、複数のスルーホー
ルが形成さnており、かつ前記コンタクトスルーホール
の端部にランドを有し、このランドと接触する裏面層が
前記ランドの突出を吸収した形態をなし、前記中間層に
は、半導体搭載用凹部が形成さ口ており、前記裏面層に
は、これと一体となって、封止用樹脂流出防止用四部が
形成されてなる薄型ICカード用プリント配線基板」を
提供することにより、従来のICカード用プリント配線
基板の欠点を除去・改善することを目的とするものであ
る。
それゆえ、本発明によれば少なくともコンタクトスルホ
ールの端部に設けられるランドのメッキ厚さが突出しな
いように吸収され、その厚さだけは薄型化することがで
き、また半導体等のチップm子部品が基板内の凹部(キ
ャビティー内)に収納され、封止用の樹脂が凹部外局に
流出しないような形態のICカード用プリント配線基板
を提供することができる。
〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明のI
Cカード用プリント配線基板を具体的に説明するに当り
、図面に基づいて詳細に説明する。
第1図は本発明の薄型ICカード用プリント配線基板の
斜視図、第2図はこれにほぼ対応する縦断面図である。
1はプリント配線用基板であり、最も代表的なものは、
ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板、紙フエノール樹脂基
板、紙エポキシ樹脂基板、ガラスポリイミド樹脂基板、
ガラストリアジン樹脂基板などである。そしてこれらの
基板の両面には予め銅箔(10)等の銅被膜が形成され
ていなければならない。
IAは前記1の基板のうち表面層であり、主として金属
メッキ層(2人)が形成される。
1Bは前記lの基板のうち中間層であり、主として複数
のスルーホール(3A)及び半導体搭載用凹部(lD)
が形成される。
ICは前記1の基板のうち裏面層であり、主として封止
用樹脂流出防止用凹部(IE)及びランド厚さ吸収用の
凹部又は穴が形成される。
また、前記中間層(IB)に設けられる封止用樹脂流出
防止用凹部(IE)の一部には半導体をボンデング接続
するための導体回路(2B)が形成され、中間層(IB
)と表面!(LA)とを導通スロコンタクトスルホール
(3B)が形成され、その一端にランド(4)が形成さ
れる。
5は前記基板同志を接合するための接着層である。
前記接着層(段としては未硬化のエポキシ樹脂含浸のガ
ラスクロス又は耐熱性の接着シート又は液状の樹脂など
であり、接着性、耐熱性、耐久性などの緒特性が高い接
着層が好ましい。
なお、本発明の薄型ICカード用プリント配線基板は基
本的には前述のように表面層と中間層と裏面層とから構
成されるが、ICカードの柵類、用途によっては多機能
及び高密度化が要求されることから、中間層を2層以上
の複数層に増加したり、表面層に形成される金属メッキ
層や裏面層に形成される封止用樹脂流化防止用凹部又は
穴の数や形状は適宜変更することができる。
次に、本発明の基板の最大の特徴セあるランド(4)の
厚さ、すなわちメッキ厚さである16〜50μm位の各
種金属メッキの厚さく1)を吸収するための手段を列挙
すると大別して3通りの方法がある。
その1は、第3図の縦断面図に示すようにランド(荀の
突出する厚さく1)よりも深く、ランドの大きさよりも
大きい凹部(6)を形成する方法である。
その2は、第4図の縦断面図に示すように、ランド(4
)の突出部の基板にランド厚さよりも深くランドの大き
さよりも大きい凹部又は穴を設けておき、この部分には
接着層(5)を形成しないよう他の部分のみで基板相互
を接合する方法である。
その3は、第5図の縦断面図に示すように、ランド(5
)の突出部を中間層(IB)円に高温高圧プレスのフラ
ッシュ加工によって嵌め込む方法である。
以上のようにして本発明のICカード用プリント配線基
板を製造することができるが、これらの方法以外にもラ
ンド突出部を吸収できる方法、例えば前記3つの方法の
組み合せるなどによっても製造することができる。すな
わち、 (イ)前記裏面層がランドの突出を吸収する形態として
は、裏面層にランドの大きさより大きいランド厚さ吸収
用の凹部又は、穴が形成されたものと、(ロ)前記裏面
層がランドの突出を吸収する形態としては、中間層との
接着層の被膜の厚さを部分的に薄くするか、もしくは除
却したものと、(ハ)前記裏面層がランドの突出を吸収
する形態としては、ランド部分を中間層およびまたは裏
面層にフラッシュ加工により押し込んだものとの任意の
組み合せの方法もある。
次に本発明の実施例の最も代表的なものについて説明す
る。
実施例1 中間層は、0.1fi厚さく以下n厚さのことをtと記
す)のプリント配線基板を用いて両面プリント配線基板
と同様に、穴あけ、銅スルーホールメッキ、パターン形
成、エツチング、8.R印刷、電解ニッケル、電解金メ
ッキを経て、ボンディング面と反対側の面に接着剤層を
仮接着した後、半導体搭載用部分を打抜(。表面層裏面
は0.065 tのプリント配線基板を用いて、片面プ
リント配線基板と同様に、穴あけ、パターン形成、エツ
チング、電解ニッケル、電解金メッキを施す。この面は
、半導体搭載面となる。次に、前記、中間層と表面層を
熱圧カブレスにより接着した後、6つ又は、8つのコン
タクトスルーホール用の穴あけを実施し、銅スルーホー
ルメッキ、パターン形成、エツチング、電解ニッケル、
電解金メッキを施す。
この時、前記ボンディング面のコンタクトスルーホール
部分のうンドには、2回の銅メッキ、電解ニッケルメッ
キ、電解金メッキが施され、このランド部分は、ボンデ
ィング端子の厚みより、約40μ程度厚くなる。
裏面層は、0.2tのプリント配線基板を用いて、(銅
箔を全て除去したプリント配線基板)前記、コンタクト
スルーホール部と接触する部分に、そのランドより大き
い、逆ザグリ加工を施して凹部の逆のランド厚さ吸収部
分を形成した後、この部分に接着剤を仮接着し、封止用
樹脂流出防止用凹部を打抜く。
次に、前記、中間層、表面層と裏面層を熱圧力プレスに
より接着した後、希望形状に打抜くことにより、第3囚
に示すような本発明のICカード用プリント配線基板を
得た。
実施例2 中間1−は、0.1tのプリント配線基板を用いて両面
プリント配線基板と同様に穴あけ、銅スルーホールメッ
キ、パターン形成、エツチング、S、R印刷、fR解ニ
ッケル、電解金メッキを経て、ボンディング面と反対側
の面に接着剤層を仮接着した後、半導体搭載用部分を打
抜く。表面層裏面は、0.065 tのプリント配線基
板を用いて、片面プリント配線基板と同様に、穴あけ、
パターン形成、エツチング、電解ニッケル、電解金メッ
キを施す。
この面は、半導体搭載面となる。次に、前記、中間11
と表面層を熱圧カブレスにより接着した後、6つ又は、
8つのコンタクトスルーホール用の穴あけを実施し、銅
スルーホールメッキ、パターン形成、エツチング、電解
ニッケル、電解金メッキを施す。この時、前記ボンディ
ング面のコンタクトスルーホール部分のランドには、2
回の銅メッキ、電解ニッケルメッキ、電解金メッキが施
され、このランド部分は、ボンディング端子の厚みより
、約40μ程度厚くなる。
裏面層は、0゜2tのプリント配線基板を用いて、(銅
箔を全て除去したプリント配線基板)前記、コンタクト
スルーホール部と接触する部分に、そのランドより大き
い、ザグリ加工及び穴あけを施した後、この部分を除去
した接着剤を仮接着し、封止用樹脂流出防止用凹部を打
抜く。
次に、前記、中間層、表面層と裏面層を熱圧カブレスに
より接着しtこ後、希望形状に打抜くことにより、第4
13に示すような本発明のICカード用プリント配線基
板を得た。
実施例3 中間層は、0.1tのプリント配線基板を用いて両面プ
リント配線基板と同様に穴あけ、銅スルーホールメッキ
、パターン形成、エツチング、 S、R印刷、電解ニッ
ケル、電解金メッキを経て、ボンディング面と反対側の
面に接着剤層を仮接着した後、半導体搭載用部分を打抜
く。表面層裏面は。
0.065 tのプリント配線基板を用いて、片面プリ
ント配線基板と同様に、穴あけ、パターン形成、エツチ
ング、電解ニッケル、電解金メッキを施す。
この面は、半導体搭載面となる。次に、前記、中間層と
表面層を熱圧カブレスにより接着した後、6つ又は、8
つのコンタクトスルーホール用の穴あけを実施し、銅ス
ルーホールメッキ、パターン形成、エツチング、電解ニ
ッケル、電解金メッキを施す。この時、前記ボンディン
グ面のフンタクトスルーホール部分のランドには、2回
の銅メッキ、電解ニッケルメッキ、電解金メッキが施さ
れ。
このランド部分は、ボンディング端子の厚ミより、約4
0μ程度厚くなる。この状態において、基板表面の導体
部及びランド部を温度が180”Cで圧力が100 k
QMのフラッシュ加工を約30分間施して、基材の中に
押し込み基板表面をフラットにする。
裏面層は、接着剤を仮接着し、封止用樹脂流出防止用凹
部を打抜く。
次に、前記、中間層、表面層と裏面層を熱圧カブレスに
より接着した後、希望形状に打抜くことにより、第5図
に示すような厚さが0.56aの本発明のICカード用
のプリント配線基板を得た。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明のICカード用プリント配線基板
は、少なくともランド部分の厚さだけは各種の方法で薄
形化し、また半導体の搭載部分には凹部を形成して半導
体が基板表面上に突出しない構造とし、さらには半導体
の樹脂封止部分にも段付き凹部を前記半導体搭載部分の
凹部と連結して形成し封止用の樹脂の流出を防止できる
形状で、しかも樹脂層の厚さが表面に突出して厚くなら
ない構造にすると共に、ランド部分や回路部分が裏表面
のいずれにも直接露出しない構造として、プリント配線
基板全体の厚さを極力薄くし、ICカード用基板として
最適の構造とするものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のICカード用プリント配線基板の斜視
図、第2図は本発明の薄型ICカード用プリント配線基
板の一部の縦断面図、第3図〜第5図は本発明の薄型I
Cカード用プリント配線基板のランド厚さ吸収の実施態
様を示す縦断面図である。 上記図面において、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、表面層には、金属メッキ層が形成されており、少な
    くとも6つ又は、8つのコンタクトスルーホールを有し
    、中間層には、複数のスルーホールが形成されており、
    かつ前記コンタクトスルーホールの端部にランドを有し
    、このランドと接触する裏面層が前記ランドの突出を吸
    収した形態をなし、前記中間層には、半導体搭載用凹部
    が形成されており、前記裏面層には、これと一体となっ
    て、封止用樹脂流出防止用凹部が形成されてなる薄型I
    Cカード用プリント配線基板。 2、前記裏面層がランドの突出を吸収する形態としては
    、裏面層にランドの大きさより大きいランド厚さ吸収用
    の凹部又は、穴が形成されたものであることを、特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の薄型ICカード用プリ
    ント配線基板。 3、前記裏面層がランドの突出を吸収する形態としては
    、中間層との接着層の被膜の厚さを部分的に薄くするか
    、もしくは、除却したものであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の薄型ICカード用プリント配線
    基板。 4、前記裏面層がランドの突出を吸収する形態としては
    、ランド部分を中間層およびまたは、裏面層にフラッシ
    ュ加工により押し込んだものであることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の薄型ICカード用プリント配
    線基板。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5231672A (en) * 1975-09-05 1977-03-10 Hitachi Ltd Ceramic package
JPS5586197A (en) * 1978-12-25 1980-06-28 Sharp Kk Method of fabricating multilayer circuit board
JPS57159269U (ja) * 1981-03-31 1982-10-06
JPS61189697A (ja) * 1985-02-19 1986-08-23 イビデン株式会社 電子部品搭載用基板およびその製造方法

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