JPS61207006A - パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS61207006A JPS61207006A JP4743985A JP4743985A JPS61207006A JP S61207006 A JPS61207006 A JP S61207006A JP 4743985 A JP4743985 A JP 4743985A JP 4743985 A JP4743985 A JP 4743985A JP S61207006 A JPS61207006 A JP S61207006A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［利用分野］
本発明は、パーマロイ薄膜及び該パーマロイ薄膜を低保
磁力層とすると共に膜面に垂直方向の磁化容易軸を有す
る垂直磁化層を磁気記録層とした垂直磁気記録媒体の改
良に関する。
磁力層とすると共に膜面に垂直方向の磁化容易軸を有す
る垂直磁化層を磁気記録層とした垂直磁気記録媒体の改
良に関する。
［従来技術］
上述の低保磁力層と垂直磁化層とからなる二層膜の磁気
記録媒体は、垂直磁気記録方式において単極型ヘッドに
よって効率良く記録できる垂直磁気記録媒体として特公
昭５８−９１号公報、特公昭５８−１０７６４公報等に
提案されている。この提案された二層膜構成の垂直磁気
記録媒体（以下“二層膜媒体”という）は、具体的には
ＲＦ２極スパッタ法で作成され、低保磁力層をパーマロ
イで垂直磁化層をＧｏ （コバルト）−Ｃｒ（クロム
）合金膜で構成したものであり、高い記録感度と大なる
再生出力を得られる優れたものであるが、記録感度面。
記録媒体は、垂直磁気記録方式において単極型ヘッドに
よって効率良く記録できる垂直磁気記録媒体として特公
昭５８−９１号公報、特公昭５８−１０７６４公報等に
提案されている。この提案された二層膜構成の垂直磁気
記録媒体（以下“二層膜媒体”という）は、具体的には
ＲＦ２極スパッタ法で作成され、低保磁力層をパーマロ
イで垂直磁化層をＧｏ （コバルト）−Ｃｒ（クロム
）合金膜で構成したものであり、高い記録感度と大なる
再生出力を得られる優れたものであるが、記録感度面。
再生出力面等でより一層の改善が望まれている。
［発明の目的］
本発明は上述の二層膜媒体の特性が低保磁力層すなわち
Ｎｉ にッケル）、Ｆｅ（鉄）を主成分とするパーマ
ロイ薄膜の特性に左右されることに着目しなさ机たもの
で、電磁変換特性、とくにモジュレーションの小さいパ
ーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体を目的としたもので
ある。
Ｎｉ にッケル）、Ｆｅ（鉄）を主成分とするパーマ
ロイ薄膜の特性に左右されることに着目しなさ机たもの
で、電磁変換特性、とくにモジュレーションの小さいパ
ーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体を目的としたもので
ある。
［発明の構成１作用効果］
上述の目的は、以下の本発明により達成される。
すなわち本発明は、前述のパーマロイ薄膜において、ス
パッタリング法により結晶粒度番号が３以下のターゲッ
トを用いて形成したパーマロイ薄膜を第一発明とし、第
一発明のパーマロイ薄膜を低保磁力層とした二層膜構成
の垂直磁気記録媒体を第二発明とするものである。
パッタリング法により結晶粒度番号が３以下のターゲッ
トを用いて形成したパーマロイ薄膜を第一発明とし、第
一発明のパーマロイ薄膜を低保磁力層とした二層膜構成
の垂直磁気記録媒体を第二発明とするものである。
上述の本発明は、以下のようにしてなされたものである
。二層膜媒体の低保磁力層の保磁力は小さい程記録感度
等の面で有利と云われている。そこで５０ｅ （エルス
テッド）以下の小さな保磁力のパーマロイ薄膜を低保磁
力層とした磁気記録媒体でディスクを作成し評価したと
ころ、その再生出力のエンベロープが変化して、安定な
再生という点からは、結局その最低点に制約され、再生
出力はあまり向上しない問題に遭遇し、種々検討の結果
、その原因が低保磁力層を構成するパーマロイ薄膜の面
内磁気異方性にあることを見出しなされたものである。
。二層膜媒体の低保磁力層の保磁力は小さい程記録感度
等の面で有利と云われている。そこで５０ｅ （エルス
テッド）以下の小さな保磁力のパーマロイ薄膜を低保磁
力層とした磁気記録媒体でディスクを作成し評価したと
ころ、その再生出力のエンベロープが変化して、安定な
再生という点からは、結局その最低点に制約され、再生
出力はあまり向上しない問題に遭遇し、種々検討の結果
、その原因が低保磁力層を構成するパーマロイ薄膜の面
内磁気異方性にあることを見出しなされたものである。
すなわち、パーマロイ薄膜を低保磁力層とした上述の磁
気記録媒体は、パーマロイ［１の磁化困難軸の方向に走
行させて記録・再生した時の方が磁化容易軸の方向の時
に比べて、再生出力が大きく、特に高密度記録の高周波
領域で良好な特性を −示す。
気記録媒体は、パーマロイ［１の磁化困難軸の方向に走
行させて記録・再生した時の方が磁化容易軸の方向の時
に比べて、再生出力が大きく、特に高密度記録の高周波
領域で良好な特性を −示す。
すなわち、面内の再生出力を一様にするためには、いい
かえればモジュレーションを小さくするためには低保磁
力層全体としての面内磁気異方性を減少させ、再生出力
の最低点を上昇させエンベロープを面内で一様とするこ
とが必要であると考えられていた。その結果記録密度が
高く、記録再生特性が面内で一様なディスク方式に適し
た磁気記録媒体が得られる。
かえればモジュレーションを小さくするためには低保磁
力層全体としての面内磁気異方性を減少させ、再生出力
の最低点を上昇させエンベロープを面内で一様とするこ
とが必要であると考えられていた。その結果記録密度が
高く、記録再生特性が面内で一様なディスク方式に適し
た磁気記録媒体が得られる。
なお、面内磁気異方性とは膜面に平行な面内での磁気異
方性のことである。
方性のことである。
しかしながら、面内の磁気異方性を一様にすることは通
常の方法では困難であり、とくに基板を一方向に移送し
て低保磁力層を形成するような場合には異方性が大きく
発現するのが普通であった。
常の方法では困難であり、とくに基板を一方向に移送し
て低保磁力層を形成するような場合には異方性が大きく
発現するのが普通であった。
本発明者らは以上の知見にもとづき鋭意研究した結果、
前記パーマロイ薄膜の形成を結晶粒度番号が３以下のタ
ーゲットを用いて行えば、磁気異方性が必ずしも一様に
ならなくてもモジュレーションが小さくなることを見出
し本発明に想到した。
前記パーマロイ薄膜の形成を結晶粒度番号が３以下のタ
ーゲットを用いて行えば、磁気異方性が必ずしも一様に
ならなくてもモジュレーションが小さくなることを見出
し本発明に想到した。
本発明のパーマロイ薄膜においては、その保磁力は結晶
粒度番号が大きいターゲットを用いた場合に比べて若干
大きくなるのが普通であるが、モジュレーションが面内
で一様な優れた軟磁性膜が得られる。
粒度番号が大きいターゲットを用いた場合に比べて若干
大きくなるのが普通であるが、モジュレーションが面内
で一様な優れた軟磁性膜が得られる。
上述の点から本発明の第２発明の垂直磁気記録媒体は、
その低保磁力層が、上述の結晶粒度番号が３以下と小さ
いターゲットを用いて形成したパーマロイ（ＭＯ（モリ
ブデン）、Ｃｕ（銅）等の第３成分を含んで良い）ＩＷ
Ａであるので、保磁力の小さい領域でも面内磁気異方性
が小さく、ディスクの場合にモジューレーションが小さ
く、再生出力が比較的大きいという大きな効果を奏する
。
その低保磁力層が、上述の結晶粒度番号が３以下と小さ
いターゲットを用いて形成したパーマロイ（ＭＯ（モリ
ブデン）、Ｃｕ（銅）等の第３成分を含んで良い）ＩＷ
Ａであるので、保磁力の小さい領域でも面内磁気異方性
が小さく、ディスクの場合にモジューレーションが小さ
く、再生出力が比較的大きいという大きな効果を奏する
。
なお、パーマロイ薄膜の透磁率については大きいものが
記録感度・再生出力面から好ましく用いられる。
記録感度・再生出力面から好ましく用いられる。
また、磁気記録層としては実施例のＧｏ −Ｏｒ合金膜
らなる垂直磁化層は勿論、Ｗ（タングステン）Ｔａ（タ
ンタル）等の第３元素を添加したＣ０−Ｃｒ合金、その
他公知の垂直磁化層が適用できることは本発明の趣旨か
ら明らかである。
らなる垂直磁化層は勿論、Ｗ（タングステン）Ｔａ（タ
ンタル）等の第３元素を添加したＣ０−Ｃｒ合金、その
他公知の垂直磁化層が適用できることは本発明の趣旨か
ら明らかである。
ここでターゲットの結晶粒度番号とはＪＩＳＧＯ５５１
−１９７７、ＧＯ５５２−１９７７で規定されている鋼
の結晶粒度試験方法を準用して以下のように測定したも
のとする。すなわち、塩酸１重量部に過酸化水素水４重
量部を混合した溶液で測定するパーマロイターゲットの
表面を腐蝕させ、露出した新しい表面を前記ＪＩＳ規定
の判定方法に従って顕微鏡で観察し、その表１の粒度番
号で表示したものである。
−１９７７、ＧＯ５５２−１９７７で規定されている鋼
の結晶粒度試験方法を準用して以下のように測定したも
のとする。すなわち、塩酸１重量部に過酸化水素水４重
量部を混合した溶液で測定するパーマロイターゲットの
表面を腐蝕させ、露出した新しい表面を前記ＪＩＳ規定
の判定方法に従って顕微鏡で観察し、その表１の粒度番
号で表示したものである。
またターゲットの結晶粒度番号は、ターゲット作成時の
条件、例えば鍛造比、アニール条件（温度９時間等）、
少量の不純物（Ｓ、Ｍｎ 、・・・）を“添加すること
によって制御できる。
条件、例えば鍛造比、アニール条件（温度９時間等）、
少量の不純物（Ｓ、Ｍｎ 、・・・）を“添加すること
によって制御できる。
パーマロイターゲットは組成が同じであれば磁気特性も
ほぼ同じであるが、スパッタリングで形成されたパーマ
ロイ膜の特性は驚くべきことにはターゲットの結晶粒度
により前述の如くその磁気特性が異る。
ほぼ同じであるが、スパッタリングで形成されたパーマ
ロイ膜の特性は驚くべきことにはターゲットの結晶粒度
により前述の如くその磁気特性が異る。
またスパッタリングのパーマロイターゲットの表面はほ
ぼ結晶粒度番号の大きさに対応し、粒度番号の大きいも
のほど、すなわち結晶粒が細いものほど清らかであり、
粒度番号の小さいもの、すなわち結晶粒の大きいものは
粗である。又スパッタリングの進行とともにこの差は顕
著となり、粒度番号が小さい（結晶粒が大きい）ターゲ
ットの表面はかなりの凹凸を示すようになる。
ぼ結晶粒度番号の大きさに対応し、粒度番号の大きいも
のほど、すなわち結晶粒が細いものほど清らかであり、
粒度番号の小さいもの、すなわち結晶粒の大きいものは
粗である。又スパッタリングの進行とともにこの差は顕
著となり、粒度番号が小さい（結晶粒が大きい）ターゲ
ットの表面はかなりの凹凸を示すようになる。
かかるパーマロイターゲットの表面の凹凸とスパッタリ
ングにより得られたパーマロイ膜の磁気特性は対応する
が、スパッタされた粒子がターゲット時代の記憶を保持
したまま膜形成に寄与する理由については今のところ明
らかでない。
ングにより得られたパーマロイ膜の磁気特性は対応する
が、スパッタされた粒子がターゲット時代の記憶を保持
したまま膜形成に寄与する理由については今のところ明
らかでない。
以下、上述の本発明の詳細を実施例に基いて説明する。
なお、この発明は、対向ターゲット式スパッタ法により
なされたものであるが、発明の主旨からして、明らかに
他のスパッタリング法にも適用で′きることは明らかで
ある。
なされたものであるが、発明の主旨からして、明らかに
他のスパッタリング法にも適用で′きることは明らかで
ある。
なお、上述の対向ターゲット式スパッタ法は、特開昭５
７−１５８３８０号公報等で公知のスパッタ法で、一対
の対向配置されたターゲットの側方に基板を配し、ター
ゲット間に垂直方向にプラズマ捕捉用の磁界を印加して
スパッタし、基板上に膜を形成するスパッタ法を云う。
７−１５８３８０号公報等で公知のスパッタ法で、一対
の対向配置されたターゲットの側方に基板を配し、ター
ゲット間に垂直方向にプラズマ捕捉用の磁界を印加して
スパッタし、基板上に膜を形成するスパッタ法を云う。
第１図は本発明の実施に用いた対向ターゲット式スパッ
タ装置の構造図である。
タ装置の構造図である。
図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭５７゜−１
５８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スパッタ装
置と基本的に同じ構成となっている。
５８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スパッタ装
置と基本的に同じ構成となっている。
すなわち、図において１０は真空槽、２０は真空槽１０
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を１
０−１〜１０→Ｔ Ｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設定
するガス導入系である。
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を１
０−１〜１０→Ｔ Ｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設定
するガス導入系である。
そして、真空槽１０内には、図示の如く真空槽１０の側
板１１．１２に絶縁部材１３．１４を介して固着された
ターゲットホルダー１５．１６により１対のターゲット
Ｔ＋ 、Ｔ２が、そのスパッタされる面Ｔ ＋ｓ ｒＴ
２Ｓを空間を隔てて平行に対面するように配設しである
。そして、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２を取着するターゲッ
トホルダーＩｓ、 １６は、冷水パイプ１５１゜１６１
を介して冷却水が循環し、ターゲットＴ＋。
板１１．１２に絶縁部材１３．１４を介して固着された
ターゲットホルダー１５．１６により１対のターゲット
Ｔ＋ 、Ｔ２が、そのスパッタされる面Ｔ ＋ｓ ｒＴ
２Ｓを空間を隔てて平行に対面するように配設しである
。そして、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２を取着するターゲッ
トホルダーＩｓ、 １６は、冷水パイプ１５１゜１６１
を介して冷却水が循環し、ターゲットＴ＋。
Ｔ２、永久磁石１５２，１６２が冷却される。磁石１５
２゜１６２はターゲットＴ＋ 、Ｔ２を介してＮ極、Ｓ
極が対向するように設けてあり、従って磁界はターゲッ
トＴ＋ 、Ｔ２に垂直な方向に、かつターゲット間のみ
に形成される。なお、１７．１８は、絶縁部材１３．１
４及びターゲットホルダー１５．１６をスパッタリング
時のプラズマ粒子から保護するためとターゲット表面以
外の部分の異常放電を防止するためのシールドである。
２゜１６２はターゲットＴ＋ 、Ｔ２を介してＮ極、Ｓ
極が対向するように設けてあり、従って磁界はターゲッ
トＴ＋ 、Ｔ２に垂直な方向に、かつターゲット間のみ
に形成される。なお、１７．１８は、絶縁部材１３．１
４及びターゲットホルダー１５．１６をスパッタリング
時のプラズマ粒子から保護するためとターゲット表面以
外の部分の異常放電を防止するためのシールドである。
また、磁性薄膜が形成される基板４０を保持する基板保
持手段４１は、真空槽１０内のターゲットＴ＋。
持手段４１は、真空槽１０内のターゲットＴ＋。
Ｔ２の側方に設けである。基板保持手段４１は、図示省
略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互いに軸
平行に支持された繰り出しロール４１ａ。
略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互いに軸
平行に支持された繰り出しロール４１ａ。
支持ロール４１ｂ９巻取ロール４１Ｃの３個のＯ−ルか
らなり、基板４０をターゲラ）Ｔ＋、Ｔｚ間の空間に対
面するようにスパッタ面ＴＩＳ、Ｔ２！３に対して略直
角方向に保持するように配置しである。従って基板４０
は基板保持手段４１によりスパッタ面ＴＩＳ、Ｔ２Ｓに
対して直角方向に移動可能である。
らなり、基板４０をターゲラ）Ｔ＋、Ｔｚ間の空間に対
面するようにスパッタ面ＴＩＳ、Ｔ２！３に対して略直
角方向に保持するように配置しである。従って基板４０
は基板保持手段４１によりスパッタ面ＴＩＳ、Ｔ２Ｓに
対して直角方向に移動可能である。
なお、支持ロール４１ｂはその表面温度が調節可能とな
っている。
っている。
一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２に夫々接続する。従りて電力供給手段
５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲラｈＴ＋ 、Ｔ２をカソードとして、アノード、カ
ンード間に供給される。
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２に夫々接続する。従りて電力供給手段
５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲラｈＴ＋ 、Ｔ２をカソードとして、アノード、カ
ンード間に供給される。
なお、プレスパッタ時基板４０を保護するため、基板４
０とターゲットＴ＋ 、Ｔ２との間に出入するシャッタ
ー（図示省略）が設けである。
０とターゲットＴ＋ 、Ｔ２との間に出入するシャッタ
ー（図示省略）が設けである。
以上の通り、前述の特開昭５７−１５８３８０号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ＋ 、
Ｔ２ ｆｉｎの空間に、磁界の作用によりスパッタガ
スイオン、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛さ
れ高密度プラズマが形成される。
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ＋ 、
Ｔ２ ｆｉｎの空間に、磁界の作用によりスパッタガ
スイオン、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛さ
れ高密度プラズマが形成される。
従って、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２のスパッタが促進され
て前記空間より析出鏝が増大し、基板４０上への堆積速
度が増し高度スパッタが出来る上、基板４０がターゲッ
トＴ＋ 、Ｔ２の側方にあるので低温スパッタも出来る
。
て前記空間より析出鏝が増大し、基板４０上への堆積速
度が増し高度スパッタが出来る上、基板４０がターゲッ
トＴ＋ 、Ｔ２の側方にあるので低温スパッタも出来る
。
なお、本発明の対向ターゲット式スパッタ法は、前述の
装置の゛ものに限定されるものでなく、前述の通り一対
の対面させたターゲットの側方に基板を配し、ターゲッ
ト間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基板上に
膜を形成するスパッタ法を云う。従って、磁界発生手段
も永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また、磁界
もターゲット間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従ってターゲット全面でなく、ターゲット周
囲のみに発生させた場合も含む。
装置の゛ものに限定されるものでなく、前述の通り一対
の対面させたターゲットの側方に基板を配し、ターゲッ
ト間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基板上に
膜を形成するスパッタ法を云う。従って、磁界発生手段
も永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また、磁界
もターゲット間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従ってターゲット全面でなく、ターゲット周
囲のみに発生させた場合も含む。
次に上述の対向ターゲット式スパッタ装置により実施し
た本発明に係わるパーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体
の実施例を説明する。
た本発明に係わるパーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体
の実施例を説明する。
なお、得られた合金膜の結晶構造は理学電機製計数Ｘ１
ａ回析装置を用いて同定し、垂直配向性は六方最密構、
造かつ（００２）面ビークのロッキングカーブを前記Ｘ
線回折装置で求め、その半値幅Δθ団で評価した。
ａ回析装置を用いて同定し、垂直配向性は六方最密構、
造かつ（００２）面ビークのロッキングカーブを前記Ｘ
線回折装置で求め、その半値幅Δθ団で評価した。
膜厚及び組成については、螢光Ｘ線装置を用いて予め較
正した曲線から求めた。
正した曲線から求めた。
媒体の磁気特性は振動試料型磁力計で測定して求めた。
二１ｌｌＩＩ媒体の記録・再生特性は、前述の特公昭５
８−９１号公報等で公知のものと同様な垂直型磁気ヘッ
ドを用いて評価した。
８−９１号公報等で公知のものと同様な垂直型磁気ヘッ
ドを用いて評価した。
［実施例１〜４および比較例１．２］
下記条件により基板上にパーマロイ薄膜をターゲットの
結晶粒度番号を変えて作成し、その磁気異方性を評価す
ると共に、夫々のパーマロイ薄膜上にＣｏ−Ｑｒからな
る垂直磁化層を順次形成して二層膜媒体を作成し、その
再生特性を評価した。
結晶粒度番号を変えて作成し、その磁気異方性を評価す
ると共に、夫々のパーマロイ薄膜上にＣｏ−Ｑｒからな
る垂直磁化層を順次形成して二層膜媒体を作成し、その
再生特性を評価した。
Ａ、装置条件
Ａ−１，低保磁力層
ａ、ターゲットＴ＋ 、Ｔｚ材：Ｔ１．Ｔ２共ＭＯ−４
Ｗ【％、 Ｎ＋ −７８ｗｔ％、 Ｆｅ −１８ｗｔ％
のパーマロイ（但、結晶粒度番号は８例で異る）ｂ、基
板４Ｇ：５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレ゛ −ト
（ＰＥＴ）フィルム Ｃ，ターゲットＴ＋ 、Ｔ２間隔：１２０履ｄ、ターゲ
ット表面の磁界：１００〜２００ガウスｅ、ターゲット
Ｔ＋ 、Ｔ２形状 ：１００履しＸ １５０ｉｍＷＸ１２ｍｓ＋ｔの矩形ｔ
、基板４０とターゲットＴ＋ 、Ｔｚ端部の距離： ２
０ａｗ＋ Ａ−２，Ｃ＠−Ｃｒ垂直磁化日 ａ、ターゲット材：Ｔ＋ 、Ｔ２共にＧｏ −８０ｗｔ
％。
Ｗ【％、 Ｎ＋ −７８ｗｔ％、 Ｆｅ −１８ｗｔ％
のパーマロイ（但、結晶粒度番号は８例で異る）ｂ、基
板４Ｇ：５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレ゛ −ト
（ＰＥＴ）フィルム Ｃ，ターゲットＴ＋ 、Ｔ２間隔：１２０履ｄ、ターゲ
ット表面の磁界：１００〜２００ガウスｅ、ターゲット
Ｔ＋ 、Ｔ２形状 ：１００履しＸ １５０ｉｍＷＸ１２ｍｓ＋ｔの矩形ｔ
、基板４０とターゲットＴ＋ 、Ｔｚ端部の距離： ２
０ａｗ＋ Ａ−２，Ｃ＠−Ｃｒ垂直磁化日 ａ、ターゲット材：Ｔ＋ 、Ｔ２共にＧｏ −８０ｗｔ
％。
ＣｒＣｒ−２ｏ％の合金ターゲット
ｂ、ターゲットＴＩ、’Ｔ２間隔： １６０ｊｗ＋Ｃ
，ターゲット表面の磁界：１００〜２００ガウスｄ、タ
ーゲットＴ＋ 、Ｔ２形状 ： １Ｇ０ｓ Ｌ Ｘ １５０ａｗ ＷＸ １２ａｗ
ｔの矩形ｅ、基板４０とターゲットＴ＋、Ｔｚ端部の
距離： ２０ａｍ Ｂ、操作手順 Ａ−１，Ａ−２の条件のもとて順次次の如く行なった。
，ターゲット表面の磁界：１００〜２００ガウスｄ、タ
ーゲットＴ＋ 、Ｔ２形状 ： １Ｇ０ｓ Ｌ Ｘ １５０ａｗ ＷＸ １２ａｗ
ｔの矩形ｅ、基板４０とターゲットＴ＋、Ｔｚ端部の
距離： ２０ａｍ Ｂ、操作手順 Ａ−１，Ａ−２の条件のもとて順次次の如く行なった。
ａ、基板を設置後、真空槽１０内を到達真空度が１ ｘ
１０’ Ｔ ｏｒｒ以下まで排気する。
１０’ Ｔ ｏｒｒ以下まで排気する。
ｂ、ガスを所定の圧力まで導入し、３〜５分間のプレス
パツタを行ない、シャッターを開き、基板４０を図示の
通りターゲラｈＴ＋ 、Ｔ２の対向方向に移送しつつ膜
形成を行なった。なお、スパッタ時のガス圧は４ Ｘ
１Ｇ−３Ｔ ｏｒｒとした。
パツタを行ない、シャッターを開き、基板４０を図示の
通りターゲラｈＴ＋ 、Ｔ２の対向方向に移送しつつ膜
形成を行なった。なお、スパッタ時のガス圧は４ Ｘ
１Ｇ−３Ｔ ｏｒｒとした。
ガスはＡｒ （アルゴン）１００％を用いた。
Ｃ，スパッタ時投入電力はＡ−１，Ａ−２ともに３ＫＷ
で行なった。
で行なった。
Ｃ８実施結果
第２図に比較例のパーマロイＩＩＩの特徴的な磁化特性
を示す。基板の走行方向（ＭＤ力方向と基板の幅方向（
ＴＤ力方向それぞれの磁化特性が異なり、面内で磁気異
方性が生じており、ＭＤ力方向磁化容易軸、ＴＤ力方向
磁化困難軸であった。
を示す。基板の走行方向（ＭＤ力方向と基板の幅方向（
ＴＤ力方向それぞれの磁化特性が異なり、面内で磁気異
方性が生じており、ＭＤ力方向磁化容易軸、ＴＤ力方向
磁化困難軸であった。
なお、第２図でＨは印加磁界の強さを示し、Ｂは低保磁
力層の磁化を示す。
力層の磁化を示す。
得られた各パーマロイＷＩｍの保磁力の測定結果を表−
１に示す。
１に示す。
なお、表−１でＨＣＥ、ＨＣＨは磁化容易軸、磁化困難
軸方向のそれぞれの保磁力である。
軸方向のそれぞれの保磁力である。
又、垂直磁気記録媒体を得るために表−１の特性を有す
る各パーマロイ薄膜上にＡ−２の条件で形成されたＧｏ
−Ｃｒ層からなる垂直磁化層の特性を表−２に示す。
る各パーマロイ薄膜上にＡ−２の条件で形成されたＧｏ
−Ｃｒ層からなる垂直磁化層の特性を表−２に示す。
表−１パーマロイ薄膜の特性 ゛
表−２垂直磁化層の特性
表−２において保磁力の垂直とは媒体膜面と垂直方向の
保磁力を、水平とは媒体膜面と平行方向の保磁力を示す
。なお、保磁力の測定は二層膜媒体の低保磁力層を分離
して行った。半値幅Δθ団は、二層膜媒体のまま測定し
た。
保磁力を、水平とは媒体膜面と平行方向の保磁力を示す
。なお、保磁力の測定は二層膜媒体の低保磁力層を分離
して行った。半値幅Δθ団は、二層膜媒体のまま測定し
た。
Ｄ、電磁変換特性
表−１の特性を有する各パーマロイ薄膜を低保磁力層と
する前述の二層膜媒体について、第３因に示すように、
ＭＤ力方向ＴＤ力方向長方形のサンプルを切り出して、
記録密度５０ＫＦＲＰＩにおいてそれぞれの電磁変換特
性を評価した。
する前述の二層膜媒体について、第３因に示すように、
ＭＤ力方向ＴＤ力方向長方形のサンプルを切り出して、
記録密度５０ＫＦＲＰＩにおいてそれぞれの電磁変換特
性を評価した。
表−３及び第４図に測定結果を示す。
なお、電磁変換特性は記録時にはテープ走行を４．７５
α／秒、再生時には９，５．７秒で行なった。
α／秒、再生時には９，５．７秒で行なった。
又、測定値は実施例１を基準とした相対値で示しである
。
。
表−３及び第４図の実施例１〜４に示したように結晶粒
度番号が小さいターゲットを用いてスパッタして形成し
たパーマロイ薄膜を低保磁力層としてもつ二層媒体は磁
化容易軸方向および磁化困離軸方向の再生出力の大きさ
の比が１に近く、したがってフロッピーディスク形状に
したとぎにモジュレーションが比較例に比べて大巾に改
良されていることが判る。
度番号が小さいターゲットを用いてスパッタして形成し
たパーマロイ薄膜を低保磁力層としてもつ二層媒体は磁
化容易軸方向および磁化困離軸方向の再生出力の大きさ
の比が１に近く、したがってフロッピーディスク形状に
したとぎにモジュレーションが比較例に比べて大巾に改
良されていることが判る。
（以下余白）
表−３電磁変換特性 （相対値）
（以下余白）
また、表−１１表−３よりパーマロイｓｌＩ形成時のタ
ーゲットの結晶粒度番号の増加に伴ない再生出力比が低
下することがわかる。従って、前記結晶粒度番号は再生
出力比が大巾に低下しない範囲、実用的には３以下であ
ることが好ましく、更には、再生出力比が０．９５以上
となり、モジュレーションのＪＩＳ規格を十分満足する
２以下とすることが好ましい。
ーゲットの結晶粒度番号の増加に伴ない再生出力比が低
下することがわかる。従って、前記結晶粒度番号は再生
出力比が大巾に低下しない範囲、実用的には３以下であ
ることが好ましく、更には、再生出力比が０．９５以上
となり、モジュレーションのＪＩＳ規格を十分満足する
２以下とすることが好ましい。
第１図は本発明の実施に用いた対向ターゲット式スパッ
タ装置の説明図、第２図は比較例の磁気特性の説明図、
第３図はサンプル切り出しの説明図、第４図はパーマロ
イターゲットの結晶粒度番号と再生出力のＭＯ力方向Ｔ
Ｄ右方向比を示すグラフである。 Ｔ＋ 、Ｔ２ ：ターゲット １０：真空槽２０：
排気系 ３０：ガス導入系 ４０：基板 ５０ニスバッタ電源才＋呪
タ装置の説明図、第２図は比較例の磁気特性の説明図、
第３図はサンプル切り出しの説明図、第４図はパーマロ
イターゲットの結晶粒度番号と再生出力のＭＯ力方向Ｔ
Ｄ右方向比を示すグラフである。 Ｔ＋ 、Ｔ２ ：ターゲット １０：真空槽２０：
排気系 ３０：ガス導入系 ４０：基板 ５０ニスバッタ電源才＋呪
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）Ｎｉ、Ｆｅを主成分とし、スパッタリング法により
形成されたパーマロイ薄膜において、結晶粒度番号が３
以下のターゲットを用いて形成したことを特徴とするパ
ーマロイ薄膜。 ２）前記スパッタリング法が対向ターゲット式スパッタ
リング法である特許請求の範囲第１項記載のパーマロイ
薄膜。 ３）非磁性の基板上にパーマロイ薄膜からなる低保磁力
層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有する磁気記録層を
有する垂直磁気記録媒体において、前記低保磁力層のパ
ーマロイ薄膜が、結晶粒度番号３以下のターゲットを用
いたスパッタリング法により形成されたパーマロイ薄膜
であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ４）前記パーマロイ薄膜が対向ターゲット式スパッタ法
により形成された特許請求の範囲第３項記載の垂直磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4743985A JPS61207006A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4743985A JPS61207006A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207006A true JPS61207006A (ja) | 1986-09-13 |
| JPH0370889B2 JPH0370889B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12775181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4743985A Granted JPS61207006A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | パーマロイ薄膜及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207006A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289862A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッター用ターゲット部材およびその製造方法 |
| WO2004001779A1 (en) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Seagate Technology Llc | Method of producing nife alloy films having magnetic anisotropy and magnetic storage media including such films |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933629A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP4743985A patent/JPS61207006A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933629A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289862A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッター用ターゲット部材およびその製造方法 |
| WO2004001779A1 (en) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Seagate Technology Llc | Method of producing nife alloy films having magnetic anisotropy and magnetic storage media including such films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0370889B2 (ja) | 1991-11-11 |
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