JPS61205236A - 含フツ素アルコ−ル及びその製造方法 - Google Patents
含フツ素アルコ−ル及びその製造方法Info
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- JPS61205236A JPS61205236A JP4682185A JP4682185A JPS61205236A JP S61205236 A JPS61205236 A JP S61205236A JP 4682185 A JP4682185 A JP 4682185A JP 4682185 A JP4682185 A JP 4682185A JP S61205236 A JPS61205236 A JP S61205236A
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- aliphatic
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は含フッ素アルコール及びその製造方法に関する
ものである。
ものである。
口、従来技術
近年、含フッ素化合物は医薬、農薬、各種表面処理剤等
として様々な分野で非常に注目されている。 しかしな
がら、１つの重大な問題点として、どのようにしてフッ
素を分子内の目的とする位置へ選択的に導入するかであ
る。
として様々な分野で非常に注目されている。 しかしな
がら、１つの重大な問題点として、どのようにしてフッ
素を分子内の目的とする位置へ選択的に導入するかであ
る。
ハ、発明の目的
本発明の目的は、所定位置に含フッ素基を有する有用な
アルコールと、その効果的な製造方法を提供することに
ある。
アルコールと、その効果的な製造方法を提供することに
ある。
二、発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明による含フッ素アルコールは、一般式：
〔但し、Ｒｉは含フッ素脂肪族基、Ｗは脂肪族基５化芳
香族１・Ｒ″１１０ 又は−ＳＲ′（Ｒ″は脂肪族基、ぼけ芳香族若しくは脂
肪族基）で表わされる基である。〕で表わされる含フッ
素アル；−ルである。
香族１・Ｒ″１１０ 又は−ＳＲ′（Ｒ″は脂肪族基、ぼけ芳香族若しくは脂
肪族基）で表わされる基である。〕で表わされる含フッ
素アル；−ルである。
この含フッ素アルコールは、分子内の所定位置にＲｆ基
を有したアルコールであるから、含フッ素溶剤としての
みならず、抗生物質（例えばβ−ラクタム系）の修飾剤
として有用である。
を有したアルコールであるから、含フッ素溶剤としての
みならず、抗生物質（例えばβ−ラクタム系）の修飾剤
として有用である。
また、本発明は、上記含フッ素アルコールを効果的に得
る方法として、 一般式： 〔但し、Ｒｆは含フッ素脂肪族基、ビはは芳香族若しく
は脂肪族基）で表わされる基、ぼけ脂肪族基である。〕 で表わされる含フッ素ビニルシランと、一般式： （但し、Ｗは脂肪族若しくは芳香族基である。） で表わされるアルデヒドとを触媒量のテトラアルキルア
ンモニウムフルオライドの存在下で反応させることによ
って、 一般式： （但し、町、Ｗ及びＲ′は前記したものと同じである。
る方法として、 一般式： 〔但し、Ｒｆは含フッ素脂肪族基、ビはは芳香族若しく
は脂肪族基）で表わされる基、ぼけ脂肪族基である。〕 で表わされる含フッ素ビニルシランと、一般式： （但し、Ｗは脂肪族若しくは芳香族基である。） で表わされるアルデヒドとを触媒量のテトラアルキルア
ンモニウムフルオライドの存在下で反応させることによ
って、 一般式： （但し、町、Ｗ及びＲ′は前記したものと同じである。
）
で表わされる含フッ素アルコールを得る含フッ素アルコ
ールの製造方法も提供するものである。
ールの製造方法も提供するものである。
この製造方法によれば、上記含フッ素ビニルシランと上
記アルデヒドとの反応に際し、触媒量、特に含フッ素ビ
ニルシランに対し数モル％〜１５モルチのテトラアルキ
ルアンモニウムフルオライドを使用するだけで、目的と
する生成物を収率良く得ることができるが、これは後述
の理由から本発明者がはじめて見出したことである。
記アルデヒドとの反応に際し、触媒量、特に含フッ素ビ
ニルシランに対し数モル％〜１５モルチのテトラアルキ
ルアンモニウムフルオライドを使用するだけで、目的と
する生成物を収率良く得ることができるが、これは後述
の理由から本発明者がはじめて見出したことである。
上記した一般式で表わされる本発明による含フッ素アル
コールにおいて、適用可能なＲ，（含フッ素脂肪族基）
としては、一般式： ＯＦ、 （ＣＦ、） −又はＣＣ
Ｆ、）、ＣＦ（ＣＦ、）。−で表わされる含フッ素脂肪
族基が挙げられる。 これには、ＣＦ、 −１ＣＦ、Ｃ
Ｆ、 −１ＣＦ、 （ＣＦ、）、−１ＣＦ、 （ＣＦ、
）、 −１Ｃ夙（ＣＦ、）、−１ＣＦ、 （ＣＦ、）、
−１（ＣＦ、）、ＣＦ−１（ＣＦ、）、ＣＦＣＦ、−１
（ＣＦ’ｓ ）ｔ ｃＦ’ （ＣＦ’ｔ ）ｔ −１（
ＣＦ、 ）、 ＣＦ （Ｃｒｔ ）ｓ−等がある。 こ
れらのアルキル基以外にも不飽和基、特にアルケニル基
、例えばＣＦ、＝ＣＦ−ＯＦ、−１ＣＦ、−ＣＦ＝ＣＦ
−等も適用可能である。 但、適用する含フッ素脂肪族
基の炭素原子数は、溶媒に対する溶解性を考慮すれば１
０以下であるのが望ましい。 また、上記含フッ素脂肪
族基は、上記に列記したペルフルオロアルキル基又はア
ルケニル基だけでなく、分子鎖の一部に水素原子が結合
された例えばＣＦ。
コールにおいて、適用可能なＲ，（含フッ素脂肪族基）
としては、一般式： ＯＦ、 （ＣＦ、） −又はＣＣ
Ｆ、）、ＣＦ（ＣＦ、）。−で表わされる含フッ素脂肪
族基が挙げられる。 これには、ＣＦ、 −１ＣＦ、Ｃ
Ｆ、 −１ＣＦ、 （ＣＦ、）、−１ＣＦ、 （ＣＦ、
）、 −１Ｃ夙（ＣＦ、）、−１ＣＦ、 （ＣＦ、）、
−１（ＣＦ、）、ＣＦ−１（ＣＦ、）、ＣＦＣＦ、−１
（ＣＦ’ｓ ）ｔ ｃＦ’ （ＣＦ’ｔ ）ｔ −１（
ＣＦ、 ）、 ＣＦ （Ｃｒｔ ）ｓ−等がある。 こ
れらのアルキル基以外にも不飽和基、特にアルケニル基
、例えばＣＦ、＝ＣＦ−ＯＦ、−１ＣＦ、−ＣＦ＝ＣＦ
−等も適用可能である。 但、適用する含フッ素脂肪族
基の炭素原子数は、溶媒に対する溶解性を考慮すれば１
０以下であるのが望ましい。 また、上記含フッ素脂肪
族基は、上記に列記したペルフルオロアルキル基又はア
ルケニル基だけでなく、分子鎖の一部に水素原子が結合
された例えばＣＦ。
（ＣＦ、）、Ｃ’ｆ’ＫＣＦ、−も適用可能である。
更に、上記Ｒ４として上記以外にも、芳香族基置換物、
例えばＣ，Ｈ，−ＣＦ、 −１Ｃ，Ｈ，−（ＣＦ、）、
−等も使用してよい。
更に、上記Ｒ４として上記以外にも、芳香族基置換物、
例えばＣ，Ｈ，−ＣＦ、 −１Ｃ，Ｈ，−（ＣＦ、）、
−等も使用してよい。
また、上記Ｒ１、ｔ、ビとしては、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル
基等のアルキル基、又は一部に不飽和結合を有するアル
ケニル基が適用できるが、炭素原子数を１０以下とする
のが望ましい。 これら以外にも、Ｒ′としてアリール
基、アラルキル基（この場合の置換基は上記したアルキ
ル基であってよ込。）も適用できる。 また、上記ぼけ
フェニル基が挙げられる。
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル
基等のアルキル基、又は一部に不飽和結合を有するアル
ケニル基が適用できるが、炭素原子数を１０以下とする
のが望ましい。 これら以外にも、Ｒ′としてアリール
基、アラルキル基（この場合の置換基は上記したアルキ
ル基であってよ込。）も適用できる。 また、上記ぼけ
フェニル基が挙げられる。
本発明による製造方法は、触媒量のテトラアルキルアン
モニウムフルオライドを使用するが、その使用量は反応
の促進及び経済性の面から上記したように数そル％〜１
５モルチとするのが望ましい。 但し、１５モルチを越
えて多量に使用しても反応は進行するが、反応にはそう
した量は必要ではなく、無駄な分がかなりできることに
なる。
モニウムフルオライドを使用するが、その使用量は反応
の促進及び経済性の面から上記したように数そル％〜１
５モルチとするのが望ましい。 但し、１５モルチを越
えて多量に使用しても反応は進行するが、反応にはそう
した量は必要ではなく、無駄な分がかなりできることに
なる。
また、本発明の方法は、副反応を抑えるために一２０℃
〜−１００℃と低温で反応を行なうことが望ましい。
更に反応圧は常圧でよく、使用する溶媒は非プロトン性
極性溶媒、例えばテトラヒドロフランの他、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチルビ四リドン、ヘキサメチルホスホアミ
ド、アセトニトリル等が使用可能である。 このような
極性溶媒は、陽イオンに対する溶媒和エネルギーが大き
いために溶解作用が強く、陰イオン性試剤の反応速度を
高める作用がある。
〜−１００℃と低温で反応を行なうことが望ましい。
更に反応圧は常圧でよく、使用する溶媒は非プロトン性
極性溶媒、例えばテトラヒドロフランの他、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチルビ四リドン、ヘキサメチルホスホアミ
ド、アセトニトリル等が使用可能である。 このような
極性溶媒は、陽イオンに対する溶媒和エネルギーが大き
いために溶解作用が強く、陰イオン性試剤の反応速度を
高める作用がある。
なお、本発明において、上記の含フッ素ビニルシランと
アルデヒドとの反応により、 一般式： が生成するが、この生成物は更に加水分解を受けて目的
とする含フッ素アルコールを得ることができる。
アルデヒドとの反応により、 一般式： が生成するが、この生成物は更に加水分解を受けて目的
とする含フッ素アルコールを得ることができる。
次に、本発明を更に具体的に説明する。
まず、下記の反応に従りて、酢酸ｔｅｒｔ−ブチルを原
料として、ビストリメチルシリル体１を合成する。
料として、ビストリメチルシリル体１を合成する。
ＣＨａ ＣＯｓ Ｂ ｕ を
上記において、ＬＤＡはリチウムジイソプロピはテトラ
ヒドロフランを、ＴＭＳはトリメチルシラン残基（−８
ｔ（Ｃル）ｓ〕を示す。
ヒドロフランを、ＴＭＳはトリメチルシラン残基（−８
ｔ（Ｃル）ｓ〕を示す。
このビストリメチルシリル体１は更に、公知の条件ＣＭ
、 Ｗ、 Ｒａｔｈｋｅ、 ｅｔ ａｌ、 ＊ Ｔｅｔ
ｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔ、、 ２７３７ （１９７６
） ） Ｋより、次の如くにトリフルオロアセトアルデ
ヒドと反応させ、Ｅ −２混合物としてのビニルシラン
２を得る。
、 Ｗ、 Ｒａｔｈｋｅ、 ｅｔ ａｌ、 ＊ Ｔｅｔ
ｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔ、、 ２７３７ （１９７６
） ） Ｋより、次の如くにトリフルオロアセトアルデ
ヒドと反応させ、Ｅ −２混合物としてのビニルシラン
２を得る。
（ＴＭＳ ） ＝ ＣＨＣＯ−Ｂｕｔ
（収率７０ ％、Ｅ／Ｚ ＝ ５１／４．）他方、ビニ
ルシラン４を次式に従って、チオアニソールを原料とし
て得られるビストリメチルシリル体３を上記と同様に反
応させることにより、Ｅ−Ｚ混合物として得る。 これ
は、Ｂ−Ｔ。
ルシラン４を次式に従って、チオアニソールを原料とし
て得られるビストリメチルシリル体３を上記と同様に反
応させることにより、Ｅ−Ｚ混合物として得る。 これ
は、Ｂ−Ｔ。
Ｇｒ６ｂｅｌ ａｎｄ Ｄ、 ５ｅｅｂａｅｈｓ Ｃｈ
ｅｗ、 Ｂａｒ、 ＊ １１０ｒ８５２ （１９７７）
に準する反応である。
ｅｗ、 Ｂａｒ、 ＊ １１０ｒ８５２ （１９７７）
に準する反応である。
Ｐ ｈ Ｓ ＣＨ。
（収率５４ Ｓ、 Ｅ／Ｚ””／２８）なお、上記の４
は、８体又は２体をカラムクロマトグラフィーにより容
易に分離することができるＯ
−次に、２又は４を次式に従りて、アルデヒドと
反応させ、目的とする含フッ素アルコール５又は６を得
る。
は、８体又は２体をカラムクロマトグラフィーにより容
易に分離することができるＯ
−次に、２又は４を次式に従りて、アルデヒドと
反応させ、目的とする含フッ素アルコール５又は６を得
る。
ＣＦｓ ＣＨ＝ Ｃ（ＴＭＳ ） ＣＯ−Ｂｕ ＋
ＲＣＨＯＣＦｓ ＣＨ＝Ｃ（ＴＭＳ）ＳＰｈ ＋ＲＣＨ
Ｏ芝 〜 ここで、ＴＢＡＦはテトラブチルアンモニ９ムフルオラ
イドであって、触媒量である１０モルチ使用−する。
ＤＭＦはジメチルホルムアミドでありて、これは５を得
る反応系でＴｕｒＶｃ代えて用いてよいし、或いは６を
得る反応ではＤＭＦに代えてＴＨＦを用いることもでき
る。
ＲＣＨＯＣＦｓ ＣＨ＝Ｃ（ＴＭＳ）ＳＰｈ ＋ＲＣＨ
Ｏ芝 〜 ここで、ＴＢＡＦはテトラブチルアンモニ９ムフルオラ
イドであって、触媒量である１０モルチ使用−する。
ＤＭＦはジメチルホルムアミドでありて、これは５を得
る反応系でＴｕｒＶｃ代えて用いてよいし、或いは６を
得る反応ではＤＭＦに代えてＴＨＦを用いることもでき
る。
上記反応は次の如きメカニズムに基〈ものであここで生
成したカルバニオンは、分子内のトリフルオロメチル基
が非常に強い電子吸引性基であるためＫ、強く安定化さ
れるため、２（更には４）が非常に良好な反応性を示す
ものと考えられる。
成したカルバニオンは、分子内のトリフルオロメチル基
が非常に強い電子吸引性基であるためＫ、強く安定化さ
れるため、２（更には４）が非常に良好な反応性を示す
ものと考えられる。
即ち、２（又は４）とＲ′ＣＨＯとの反応には、次の如
き反応ルートが存在するものと考えられる。
き反応ルートが存在するものと考えられる。
ここで、２とアルデヒド（Ｒ′ＣＨＯ）との反応でＴＢ
ＡＦを再生するので、ＴＢＡＦの使用量が１０モルチと
触媒量でありても良好な収率で付加体５を得ることがで
きるのである（６を得る反応も上記と同様）。 これは
、Ｙ、 ５ａｔｏ ａｎｄＳ 、 ＴａｋｅｕｃｈＬ
８Ｙｎｔｈｅｓｉｓ、 ７３５ （１９８３）に述べ
られている如くα位にエステル基を持つビニルシランと
アルデヒドとの反応でＴＢＡＦを１．２等量使用してい
る方法に比べて、著しく異なる点である。 また、上記
の本発明に基〈方法では原料と生成物とのＥ／Ｚ比は変
化する。 また、従来法によりてビニルシランからフッ
素イオンを用いてカルバニオンを発生させ得るのは、α
位にエステル基やシアノ基等の強い電子吸引性基を有す
る場合であったが、上記の４の如くにかなり弱い電子吸
引性基（−８Ｐｈ）を有するものであっても１本発明に
より触媒量のＴＢＡＦを用いただけでアルデヒドと反応
させることができるのは、重大な事実であり、極めて有
利な条件である。 しかもその際、ビニルシラン４の立
体構造がほぼ完全に保持されることも、’ＨＮＭＲ，Ｆ
ＮＭＲから確認されている。
ＡＦを再生するので、ＴＢＡＦの使用量が１０モルチと
触媒量でありても良好な収率で付加体５を得ることがで
きるのである（６を得る反応も上記と同様）。 これは
、Ｙ、 ５ａｔｏ ａｎｄＳ 、 ＴａｋｅｕｃｈＬ
８Ｙｎｔｈｅｓｉｓ、 ７３５ （１９８３）に述べ
られている如くα位にエステル基を持つビニルシランと
アルデヒドとの反応でＴＢＡＦを１．２等量使用してい
る方法に比べて、著しく異なる点である。 また、上記
の本発明に基〈方法では原料と生成物とのＥ／Ｚ比は変
化する。 また、従来法によりてビニルシランからフッ
素イオンを用いてカルバニオンを発生させ得るのは、α
位にエステル基やシアノ基等の強い電子吸引性基を有す
る場合であったが、上記の４の如くにかなり弱い電子吸
引性基（−８Ｐｈ）を有するものであっても１本発明に
より触媒量のＴＢＡＦを用いただけでアルデヒドと反応
させることができるのは、重大な事実であり、極めて有
利な条件である。 しかもその際、ビニルシラン４の立
体構造がほぼ完全に保持されることも、’ＨＮＭＲ，Ｆ
ＮＭＲから確認されている。
ホ、実施例
以下、本発明を具体的な実施例によりて詳細に説明する
。
。
実施例１
（１）ビニルシラン２の合成
（収率７０％、Ｅ：Ｚ＝５１：４９、
ｂ 、 ｐ 、 ６１〜６２”９／ ７ ｍｍＨＩＩ）
ドライアイスコンデンサーを備えた１００−の三ツロフ
ラスコ内に、ｎ−プチルリチクムの１．″６Ｍヘキサン
溶液３２．５ ｍｌ （５２ｍｍｏｌ）および乾燥エー
テル５ｄを入れ、氷冷しながらジイソプロピルアミン７
．２９ ｒｍ （５２ｍｍｏｌ）を滴下した。 溶媒を
留去した後、乾燥ＴＨＦ３０−を加え、−７８℃に冷却
し、ｂｉｇ−）！Ｊメチルシリル酢酸−ｔｅｒｔ−ブチ
ル１３．Ｏｇ（５０ｍｍｏｌ）を滴下した。 １時間攪
拌した後、トリフルオロアセトアルデヒド５．９ｆｉ
（６０ｍｍｏｌ）を滴下した。 室温にもどした後、３
Ｎ塩酸１８コを加え、エーテルで抽出し、水で洗い、硫
酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を留去した後、蒸留
によりビニルシラン９．４１ ｇ （３５ｍｍ ｏ １
）を得た。
ドライアイスコンデンサーを備えた１００−の三ツロフ
ラスコ内に、ｎ−プチルリチクムの１．″６Ｍヘキサン
溶液３２．５ ｍｌ （５２ｍｍｏｌ）および乾燥エー
テル５ｄを入れ、氷冷しながらジイソプロピルアミン７
．２９ ｒｍ （５２ｍｍｏｌ）を滴下した。 溶媒を
留去した後、乾燥ＴＨＦ３０−を加え、−７８℃に冷却
し、ｂｉｇ−）！Ｊメチルシリル酢酸−ｔｅｒｔ−ブチ
ル１３．Ｏｇ（５０ｍｍｏｌ）を滴下した。 １時間攪
拌した後、トリフルオロアセトアルデヒド５．９ｆｉ
（６０ｍｍｏｌ）を滴下した。 室温にもどした後、３
Ｎ塩酸１８コを加え、エーテルで抽出し、水で洗い、硫
酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を留去した後、蒸留
によりビニルシラン９．４１ ｇ （３５ｍｍ ｏ １
）を得た。
（２）アリルアルコール５の合成
５ＯＮｌの三ツロフラスコ内に乾燥したＴＨＦ２０−お
よびモレキエラーシーブスを入れ、しばらく攪拌した後
、ビニルシラン０．５３７１ （２，Ｏｍｍｏｌ）およ
びベンズアルデヒド０．３０５ ｔｄ （３，０ｍｍｏ
ｌ）を加えた。 −７８℃に冷却し、テトラプチルアン
モニクムフロリドのＩＭＴＨＦ溶液０．２ ｎｄ （０
，２ｍｍｏｌ）を滴下し、４５分攪拌した後、室温にも
どして３０分攪拌した。 ＩＮ塩酸１０ＷＬｌを加え、
エーテルで抽出し、水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥
した。 溶媒を留去した後、酢酸エチル／ヘキサン＝１
／４を留出液としたカラムクロマトグラフィーで生成物
を単離した。
よびモレキエラーシーブスを入れ、しばらく攪拌した後
、ビニルシラン０．５３７１ （２，Ｏｍｍｏｌ）およ
びベンズアルデヒド０．３０５ ｔｄ （３，０ｍｍｏ
ｌ）を加えた。 −７８℃に冷却し、テトラプチルアン
モニクムフロリドのＩＭＴＨＦ溶液０．２ ｎｄ （０
，２ｍｍｏｌ）を滴下し、４５分攪拌した後、室温にも
どして３０分攪拌した。 ＩＮ塩酸１０ＷＬｌを加え、
エーテルで抽出し、水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥
した。 溶媒を留去した後、酢酸エチル／ヘキサン＝１
／４を留出液としたカラムクロマトグラフィーで生成物
を単離した。
実施例２
（１）ビニルシラン４の合成
（収率６８チ、Ｅ：Ｚ＝７２：２８）
ドライアイスコンデンサーを備えた３００ｄの三ツロフ
ラスコ内に、ｂｉｓ−トリメチルシリルチオ７＝ソーｋ
２６．８６ Ｊｉｌ （１００ｍｍｏ １ ）および
乾燥したＴＨＦ１５０−を入れ、−７８℃に冷却しなか
らｎ−プチルリチクムの１．６Ｍヘキサン溶液６８．８
１１１７（１１０ｍｍｏ ｌ ）を滴下した。 室温に
もどして２時間攪拌した後、−７８℃に冷却し、トリフ
ルオルアセトアルデヒド１１．８ ｆｉ （１２０ｍｍ
ｏｌ）を滴下した。 室温にもどして２時間攪拌した後
、ＩＮ塩酸１００ｄを加え、エーテルで抽出し、水で洗
い、硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を留去した後
、蒸留により未反応の原料を含むビニルシランのＥ、Ｚ
混合物を得？、＝（ｂ、ｐ、 〜１００℃／３ｍｍＨｇ
）。 ヘキサンを留出液としたカラムクロマトグラフィ
ーによりこれらを単離し、ビニルシラン１８．７９１
（６８ｍｍｏｌ）を得た。
ラスコ内に、ｂｉｓ−トリメチルシリルチオ７＝ソーｋ
２６．８６ Ｊｉｌ （１００ｍｍｏ １ ）および
乾燥したＴＨＦ１５０−を入れ、−７８℃に冷却しなか
らｎ−プチルリチクムの１．６Ｍヘキサン溶液６８．８
１１１７（１１０ｍｍｏ ｌ ）を滴下した。 室温に
もどして２時間攪拌した後、−７８℃に冷却し、トリフ
ルオルアセトアルデヒド１１．８ ｆｉ （１２０ｍｍ
ｏｌ）を滴下した。 室温にもどして２時間攪拌した後
、ＩＮ塩酸１００ｄを加え、エーテルで抽出し、水で洗
い、硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を留去した後
、蒸留により未反応の原料を含むビニルシランのＥ、Ｚ
混合物を得？、＝（ｂ、ｐ、 〜１００℃／３ｍｍＨｇ
）。 ヘキサンを留出液としたカラムクロマトグラフィ
ーによりこれらを単離し、ビニルシラン１８．７９１
（６８ｍｍｏｌ）を得た。
（２）アリルアルコール６の合成
Ｐｈ
２０ｍのニツロフラスコ内に乾燥したＤＭＦ ５ｉ１お
よびモレキエラーシーブスを入れ、しばらく攪拌した後
、ビニ／Ｉ／−／ラン０．５５３１１ （２，０ｍｍｏ
ｌ）およびベンズアルデヒド０．３０５ ｍｌ （３，
Ｏｍｍｏｌ） ゛を加えた。 −６０℃に冷却し、テト
ラブチルアンモニワム７０リドのＩＭＴＨＦ溶液０．２
Ｎｌ（０，２ｍｍ ｏ １ ）を加え、１時間攪拌した
。 室温にもどした後、ＩＮ塩酸５−を加え、エーテル
で抽出し、水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶媒を留去した後、エーテル／ヘキサン＝１／４を留出
液としたカラムクロマトグラフィーで生成物を単離した
。
よびモレキエラーシーブスを入れ、しばらく攪拌した後
、ビニ／Ｉ／−／ラン０．５５３１１ （２，０ｍｍｏ
ｌ）およびベンズアルデヒド０．３０５ ｍｌ （３，
Ｏｍｍｏｌ） ゛を加えた。 −６０℃に冷却し、テト
ラブチルアンモニワム７０リドのＩＭＴＨＦ溶液０．２
Ｎｌ（０，２ｍｍ ｏ １ ）を加え、１時間攪拌した
。 室温にもどした後、ＩＮ塩酸５−を加え、エーテル
で抽出し、水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶媒を留去した後、エーテル／ヘキサン＝１／４を留出
液としたカラムクロマトグラフィーで生成物を単離した
。
以上の各側でのデータを以下にまとめて示す。
Ｈ，Ｆｎｍｒデータ：
ビニルシラン２ Ｅ ｉｓｓｏｍｅｒ
Ｚ ｉｓｏｍｅｒ５．６６（ＱＪ Ｏ，
１１（ｓ） −１８，３（ｄ） ０．２３（ｓＪア
リルアルコール５ （以下余白、次頁に続く） アリルアルコール５ Ｒ部分の’Ｈｎｍｒ Ｒ＝Ｅｔ Ｒ＝ｎ−ＢｕＲ＝ｔ −Ｂ
ｕ Ｅ ａｎｄ Ｚ （ＣＨ＝）−−ＣＨ（ＯＨ）−↑ ０．８６ （ｓ） Ｒ＝ｉ−Ｐｒ Ｒ＝ Ｐｈ Ｂ ａｎｄ Ｚ Ｐｈ −ＣＨ（ＯＨ） −↑ ７．２７（ｂｓ） Ｒ＝ｃ−Ｈｅｘ Ｒ＝Ｐｈハ／ Ｒ＝Ｐｈ〜 ビニルシラン４ Ｅｚ アリルアルコール６ ■ （以下余白、次頁に続く） Ｒ＝ Ｍｅ Ｒ＝ ｎ−ＢｕＲ＝ｔ−Ｂ
ｕ Ｃ（ＣＨ，）ｓ −ＣＨ（ＯＨ）− ↑ １．０８（ｓ） １＝ｉ−Ｐｒ （Ｅ） （Ｚ） Ｒ＝Ｐｈ Ｒ＝ Ｐｈハ／ ａ＝ＭｅＮ （以下余白、次頁に続く） ＩＲデータ：
Ｚ ｉｓｏｍｅｒ５．６６（ＱＪ Ｏ，
１１（ｓ） −１８，３（ｄ） ０．２３（ｓＪア
リルアルコール５ （以下余白、次頁に続く） アリルアルコール５ Ｒ部分の’Ｈｎｍｒ Ｒ＝Ｅｔ Ｒ＝ｎ−ＢｕＲ＝ｔ −Ｂ
ｕ Ｅ ａｎｄ Ｚ （ＣＨ＝）−−ＣＨ（ＯＨ）−↑ ０．８６ （ｓ） Ｒ＝ｉ−Ｐｒ Ｒ＝ Ｐｈ Ｂ ａｎｄ Ｚ Ｐｈ −ＣＨ（ＯＨ） −↑ ７．２７（ｂｓ） Ｒ＝ｃ−Ｈｅｘ Ｒ＝Ｐｈハ／ Ｒ＝Ｐｈ〜 ビニルシラン４ Ｅｚ アリルアルコール６ ■ （以下余白、次頁に続く） Ｒ＝ Ｍｅ Ｒ＝ ｎ−ＢｕＲ＝ｔ−Ｂ
ｕ Ｃ（ＣＨ，）ｓ −ＣＨ（ＯＨ）− ↑ １．０８（ｓ） １＝ｉ−Ｐｒ （Ｅ） （Ｚ） Ｒ＝Ｐｈ Ｒ＝ Ｐｈハ／ ａ＝ＭｅＮ （以下余白、次頁に続く） ＩＲデータ：
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、Ｒ＿ｆは含フッ素脂肪族基、Ｒ＾１は脂肪族若
しくは芳香族基、Ｒ＾２は ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は−ＳＲ＾４（Ｒ＾３は脂肪族基、Ｒ＾４は芳香族若
しくは脂肪族基）で表わされる基である。〕で表わされ
る含フッ素アルコール。 ２、Ｒ＿ｆが炭素原子数１０以下の含フッ素アルキル又
はアルケニル基である、特許請求の範囲の第１項に記載
した含フッ素アルコール。 ３、Ｒ＾１が炭素原子数１０以下のアルキル又はアルケ
ニル基である、特許請求の範囲の第１項に記載した含フ
ッ素アルコール。 ４、Ｒ＾３が炭素原子数１０以下のアルキル又はアルケ
ニル基である、特許請求の範囲の第１項に記載した含フ
ッ素アルコール。 ５、Ｒ＾４フェニル基である、特許請求の範囲の第１項
に記載した含フッ素アルコール。 ６、一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、Ｒ＿ｆは含フッ素脂肪族基、Ｒ＾２は▲数式、
化学式、表等があります▼又は−ＳＲ＾４（Ｒ＾３は脂
肪族基、Ｒ＾４は芳香族若しくは脂肪族基）で表わされ
る 基、Ｒ＾３は脂肪族基である。〕 で表わされる含フッ素ビニルシランと、 一般式： Ｒ＾１ＣＨＯ （但し、Ｒ＾１は脂肪族若しくは芳香族基である。） で表わされるアルデヒドとを触媒量のテトラアルキルア
ンモニウムフルオライドの存在下で反応させることによ
って、 一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒ＿ｆ、Ｒ＾１及びＲ＾２は前記したものと同
じである。） で表わされる含フッ素アルコールを得る含フッ素アルコ
ールの製造方法。 ７、テトラアルキルアンモニウムフルオライドを含フッ
素ビニルシランに対し数モル％〜１５モル％使用する、
特許請求の範囲の第６項に記載した方法。 ８、含フッ素ビニルシランとアルデヒドとを−２０℃〜
−１００℃の温度で反応させる、特許請求の範囲の第６
項に記載した方法。 ９、含フッ素ビニルシランとアルデヒドとの反応によっ
て生成する反応生成物を加水分解して含フッ素アルコー
ルを得る、特許請求の範囲の第６項に記載した方法。 １０、Ｒ＿ｆが炭素原子数１０以下の含フッ素アルキル
又はアルケニル基である、特許請求の範囲の第６項に記
載した方法。 １１、Ｒ＾１が炭素原子数１０以下のアルキル又はアル
ケニル基である、特許請求の範囲の第６項に記載した方
法。 １２、Ｒ＾３が炭素原子数１０以下のアルキル又はアル
ケニル基である、特許請求の範囲の第６項に記載した方
法。 １３、Ｒ＾４がフェニル基である、特許請求の範囲の第
６項に記載した方法。 １４、Ｒ＾５が炭素原子数１０以下のアルキル又はアル
ケニル基である、特許請求の範囲の第６項に記載した方
法。 １５、テトラアルキルアンモニウムフルオライドがテト
ラブチルアンモニウムフルオライドである、特許請求の
範囲の第６項に記載した方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4682185A JPS61205236A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | 含フツ素アルコ−ル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4682185A JPS61205236A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | 含フツ素アルコ−ル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205236A true JPS61205236A (ja) | 1986-09-11 |
Family
ID=12757998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4682185A Pending JPS61205236A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | 含フツ素アルコ−ル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61205236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009073770A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Tosoh F-Tech Inc | 含フッ素ビニルスルフィド誘導体並びに含フッ素ピラゾール誘導体の製造方法 |
-
1985
- 1985-03-09 JP JP4682185A patent/JPS61205236A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009073770A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Tosoh F-Tech Inc | 含フッ素ビニルスルフィド誘導体並びに含フッ素ピラゾール誘導体の製造方法 |
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