JPS6119166A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6119166A JPS6119166A JP59139924A JP13992484A JPS6119166A JP S6119166 A JPS6119166 A JP S6119166A JP 59139924 A JP59139924 A JP 59139924A JP 13992484 A JP13992484 A JP 13992484A JP S6119166 A JPS6119166 A JP S6119166A
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- JP
- Japan
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- layer
- solid
- substrate
- concentration
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図はＰ−８ｉ基板１上に形成されたＭＯＳ。
ＣＣＤ 、ＣＰＤ等の固体撮像装置のホトダイオード２
を示している。通常高濃度の炉を罪いた帥接合がホトダ
イオードとして利用されている。しかし、固体撮像装置
が小型化、高密度化されるに従って、上述したホトダイ
オードではその分光感度、量子効率において限界があシ
、小形高密度撮像装置でのホトダイオードとして充分な
感度を得る事ができなくなシ、実用上問題であった。
を示している。通常高濃度の炉を罪いた帥接合がホトダ
イオードとして利用されている。しかし、固体撮像装置
が小型化、高密度化されるに従って、上述したホトダイ
オードではその分光感度、量子効率において限界があシ
、小形高密度撮像装置でのホトダイオードとして充分な
感度を得る事ができなくなシ、実用上問題であった。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、小形高密度固体撮像装置に適
用できる高密度で暗電流の少い固体撮像装置の提供を目
的としている。
用できる高密度で暗電流の少い固体撮像装置の提供を目
的としている。
発明の構成
本発明はｍ行ｎ列の行列状に配列された光電変換素子部
を備え、前記光電変換素子部が基板と反対導電型の濃度
の異なる２種類以上の不純物層で形成されている事を特
徴とする固体撮像装置である。
を備え、前記光電変換素子部が基板と反対導電型の濃度
の異なる２種類以上の不純物層で形成されている事を特
徴とする固体撮像装置である。
実施例の説明
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。第２図は本発明の一実施例を示すフォトダイオー
ドの構造模式図である。フォトダイオードは２種類の不
純物層１１および１２で形成されている。不純物層１２
はフォトダイオードに印加される所定の電圧において空
乏化されるような低い濃度で形成されている。一方、不
純物層１１は上述の印加電圧においては空乏化されない
高い濃度の不純物層で形成される。不純物層１２の拡散
長は必要な所定の拡散長を得るために大きくする。これ
は不純物層１２の領域での光電変換効率を可能な限シ大
きくするためである。またこの領域は不純物層が空乏化
されているため量子効率の増大が可能となる。高濃度不
純物層１１はなるべく拡散長を短くして入射光に対する
青感度を増大させ、また不純物層１２の空乏層が表面ま
で達して暗電流を増大するのを防ぐ役目も担っている。
する。第２図は本発明の一実施例を示すフォトダイオー
ドの構造模式図である。フォトダイオードは２種類の不
純物層１１および１２で形成されている。不純物層１２
はフォトダイオードに印加される所定の電圧において空
乏化されるような低い濃度で形成されている。一方、不
純物層１１は上述の印加電圧においては空乏化されない
高い濃度の不純物層で形成される。不純物層１２の拡散
長は必要な所定の拡散長を得るために大きくする。これ
は不純物層１２の領域での光電変換効率を可能な限シ大
きくするためである。またこの領域は不純物層が空乏化
されているため量子効率の増大が可能となる。高濃度不
純物層１１はなるべく拡散長を短くして入射光に対する
青感度を増大させ、また不純物層１２の空乏層が表面ま
で達して暗電流を増大するのを防ぐ役目も担っている。
尚、第２図で１３はｐ形基板である。
以上述べたように本発明のフォトダイオード構造は従来
構造に比べて、入射光に対する青感度を初めとして各波
長の感度を極めて大きくし、また暗電流の発生を極力少
さくすることができる。
構造に比べて、入射光に対する青感度を初めとして各波
長の感度を極めて大きくし、また暗電流の発生を極力少
さくすることができる。
発明の効果
以上の様に本発明は小形高密度化した固体撮像装置にお
いて、光感度を大きくできかつ暗電流を小さくできるこ
とになり、その実用的効果は大なるものである。
いて、光感度を大きくできかつ暗電流を小さくできるこ
とになり、その実用的効果は大なるものである。
第１図は従来の固体撮像装置の光電変換部を示す模式図
、第２図は本発明の一実施例を示す構造模式図である。 １１・・・・・・高濃度不純物層、１２・・・・・・低
濃度不純物層、１３・・・・・−ｐ形基板。
、第２図は本発明の一実施例を示す構造模式図である。 １１・・・・・・高濃度不純物層、１２・・・・・・低
濃度不純物層、１３・・・・・−ｐ形基板。
Claims (2)
- （１）ｍ行ｎ列の行列状に配列された光電変換素子部を
備えるとともに、前記光電変換素子部が基板と反対導電
型の濃度の異なる２種類以上の不純物層で形成されてい
ることを特徴とする固体撮像装置 - （２）濃度の異なる２種類以上の不純物層の少くとも一
種類の不純物層が所定の印加電圧において空乏化するよ
うな不純物濃度で形成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の固体撮像装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139924A JPS6119166A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139924A JPS6119166A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119166A true JPS6119166A (ja) | 1986-01-28 |
Family
ID=15256828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139924A Pending JPS6119166A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6119166A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222667A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| US8282098B2 (en) | 2006-09-06 | 2012-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet stacking apparatus and image forming apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5819080A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP59139924A patent/JPS6119166A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5819080A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222667A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| US8282098B2 (en) | 2006-09-06 | 2012-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Sheet stacking apparatus and image forming apparatus |
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