JP2848435B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JP2848435B2 JP2848435B2 JP7087091A JP8709195A JP2848435B2 JP 2848435 B2 JP2848435 B2 JP 2848435B2 JP 7087091 A JP7087091 A JP 7087091A JP 8709195 A JP8709195 A JP 8709195A JP 2848435 B2 JP2848435 B2 JP 2848435B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に関し、
特に縦型オーバーフロードレインを備えた固体撮像素子
に関するものである。
特に縦型オーバーフロードレインを備えた固体撮像素子
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子の信号電荷転送部にＣＣＤ
（電荷結合素子）を用いたＣＣＤ型固体撮像素子におい
ては、ブルーミングを抑制するために、過剰電荷を掃き
出すための機構が各画素に設けられるのが一般的であ
る。縦型オーバーフロードレインは、過剰電荷を基板に
掃き出す機構である。縦型オーバーフロードレインを有
する従来の固体撮像素子の単位画素の断面構造を、図４
にインターライン転送型、図５にフレーム転送型につい
て示す。以下信号電荷が電子の場合について述べるが、
信号電荷が正孔の場合も、極性を反転させることにより
同様の議論が可能である。
（電荷結合素子）を用いたＣＣＤ型固体撮像素子におい
ては、ブルーミングを抑制するために、過剰電荷を掃き
出すための機構が各画素に設けられるのが一般的であ
る。縦型オーバーフロードレインは、過剰電荷を基板に
掃き出す機構である。縦型オーバーフロードレインを有
する従来の固体撮像素子の単位画素の断面構造を、図４
にインターライン転送型、図５にフレーム転送型につい
て示す。以下信号電荷が電子の場合について述べるが、
信号電荷が正孔の場合も、極性を反転させることにより
同様の議論が可能である。
【０００３】図４において、Ｎ型半導体基板４０上にＰ
型半導体層４１があり、その上にＮ型光電変換部４２と
Ｎ型信号電荷転送部４３が設けられている。Ｎ型光電変
換部４２は、高濃度Ｐ型半導体領域４４により定電位に
固定されている。高濃度Ｐ型半導体領域４７は、Ｎ型信
号電荷転送部４３とＮ型半導体基板４０のパンチスルー
を防ぎ、かつ、拡散によるスミアを抑制する。Ｎ型信号
電荷転送部４３の上には電極４５があり、その上には、
遮光膜４６が設けられている。図５において、Ｎ型半導
体基板５０上にＰ型半導体層５１があり、その上にＮ型
信号電荷転送部兼光電変換部５２が設けられている。高
濃度Ｐ型半導体領域５４は、Ｎ型信号電荷転送部兼光電
変換部５２とＮ型半導体基板５０のパンチスルーを防
ぐ。Ｎ型信号電荷転送部兼光電変換部５２の上には電極
５５がある。
型半導体層４１があり、その上にＮ型光電変換部４２と
Ｎ型信号電荷転送部４３が設けられている。Ｎ型光電変
換部４２は、高濃度Ｐ型半導体領域４４により定電位に
固定されている。高濃度Ｐ型半導体領域４７は、Ｎ型信
号電荷転送部４３とＮ型半導体基板４０のパンチスルー
を防ぎ、かつ、拡散によるスミアを抑制する。Ｎ型信号
電荷転送部４３の上には電極４５があり、その上には、
遮光膜４６が設けられている。図５において、Ｎ型半導
体基板５０上にＰ型半導体層５１があり、その上にＮ型
信号電荷転送部兼光電変換部５２が設けられている。高
濃度Ｐ型半導体領域５４は、Ｎ型信号電荷転送部兼光電
変換部５２とＮ型半導体基板５０のパンチスルーを防
ぐ。Ｎ型信号電荷転送部兼光電変換部５２の上には電極
５５がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図６に、前記した従来
の固体撮像素子の光電変換特性を示す。入射光量が小さ
いときは、出力は入射光量に比例して増加する。ある程
度入射光量が大きくなってＩ61に達し、Ｎ型光電変換層
の容量以上の電荷が発生すると、その過剰電荷はＮ型半
導体基板に掃き出され、それ以上の光量の増加に対する
出力の増加は抑えられる。この状態を飽和状態と呼ぶ。
飽和状態の出力も情報信号として利用する場合、飽和状
態での光量の変化に対する出力の増加量をある程度大き
くしなければならないが、そうすると小さな光量でブル
ーミングが起こる。
の固体撮像素子の光電変換特性を示す。入射光量が小さ
いときは、出力は入射光量に比例して増加する。ある程
度入射光量が大きくなってＩ61に達し、Ｎ型光電変換層
の容量以上の電荷が発生すると、その過剰電荷はＮ型半
導体基板に掃き出され、それ以上の光量の増加に対する
出力の増加は抑えられる。この状態を飽和状態と呼ぶ。
飽和状態の出力も情報信号として利用する場合、飽和状
態での光量の変化に対する出力の増加量をある程度大き
くしなければならないが、そうすると小さな光量でブル
ーミングが起こる。
【０００５】本発明は、飽和状態での光量の変化に対す
る出力の増加量を大きくし、しかも、ブルーミングが起
こる光量を大きくすることを図るものである。
る出力の増加量を大きくし、しかも、ブルーミングが起
こる光量を大きくすることを図るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｎ型半導体基
板にＰ型半導体層が設けられ、その上にＮ型光電変換部
とＮ型信号電荷転送部（電荷結合素子を用いる）が設け
られ、前記Ｎ型光電変換部に発生した過剰電荷はＮ型半
導体基板に掃き出される機構を備えた固体撮像素子にお
いて、各々のＮ型光電変換部の下のＰ型半導体層は、不
純物濃度が小さく層厚が厚いＰ型半導体層１と不純物濃
度が大きく層厚が薄いＰ型半導体層２とに分けてあるこ
とを特徴とする。また、Ｎ型半導体基板にＰ型半導体層
が設けられ、その上に光電変換部を兼ねたＮ型信号電荷
転送部（電荷結合素子を用いる）が設けられ、前記Ｎ型
光電変換部に発生した過剰電荷はＮ型半導体基板に掃き
出される機構を備えた固体撮像素子において、各々のＮ
型光電変換部の下のＰ型半導体層は、不純物濃度が小さ
く層厚が厚いＰ型半導体層１と不純物濃度が大きく層厚
が薄いＰ型半導体層２とに分けてあることを特徴とす
る。
板にＰ型半導体層が設けられ、その上にＮ型光電変換部
とＮ型信号電荷転送部（電荷結合素子を用いる）が設け
られ、前記Ｎ型光電変換部に発生した過剰電荷はＮ型半
導体基板に掃き出される機構を備えた固体撮像素子にお
いて、各々のＮ型光電変換部の下のＰ型半導体層は、不
純物濃度が小さく層厚が厚いＰ型半導体層１と不純物濃
度が大きく層厚が薄いＰ型半導体層２とに分けてあるこ
とを特徴とする。また、Ｎ型半導体基板にＰ型半導体層
が設けられ、その上に光電変換部を兼ねたＮ型信号電荷
転送部（電荷結合素子を用いる）が設けられ、前記Ｎ型
光電変換部に発生した過剰電荷はＮ型半導体基板に掃き
出される機構を備えた固体撮像素子において、各々のＮ
型光電変換部の下のＰ型半導体層は、不純物濃度が小さ
く層厚が厚いＰ型半導体層１と不純物濃度が大きく層厚
が薄いＰ型半導体層２とに分けてあることを特徴とす
る。
【０００７】
【作用】飽和状態において、出力の大きさで光の強弱を
判断するためには、光量の増加に対する出力の増加の割
合をある程度大きくする必要がある。しかし、そのよう
にすると、比較的少ない光量でブルーミングが起こって
しまう。
判断するためには、光量の増加に対する出力の増加の割
合をある程度大きくする必要がある。しかし、そのよう
にすると、比較的少ない光量でブルーミングが起こって
しまう。
【０００８】図３（ａ）の様に、光電変換の光量に対す
る出力の増加の割合が２段階に変わるような特性をもた
せると、光量の増加に対する出力の増加を大きくし、し
かも、ブルーミングの起こる光量を大きくすることがで
きる。
る出力の増加の割合が２段階に変わるような特性をもた
せると、光量の増加に対する出力の増加を大きくし、し
かも、ブルーミングの起こる光量を大きくすることがで
きる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１（ａ）に、請求項１記載の発明の一実
施例の単位画素の断面図、（ｂ）に同じく平面図を示
す。Ｎ型半導体基板４０に第１のＰ型半導体層１１と第
２のＰ型半導体層１２が設けられ、その上にＮ型光電変
換部４２とＮ型信号電荷転送部４３が設けられている。
４８は出力アンプ、４９は水平電荷転送部である。図２
（ａ）に、請求項２記載の発明の一実施例の単位画素の
断面図、（ｂ）に同じく平面図を示す。Ｎ型半導体基板
５０に第１のＰ型半導体層２１と第２のＰ型半導体層２
２が設けられ、その上にＮ型信号電荷転送部兼光電変換
部５２が設けられている。５８は出力アンプ、５９は水
平電荷転送部である。図１、図２の実施例とも、第１の
Ｐ型半導体層と第２のＰ型半導体層は、一方が不純物濃
度が小さく層厚が厚く、他方は不純物濃度が大きく層厚
が薄い。その境界は、Ｎ型光電変換部の下にある。光電
変換特性は、出力が入射光量の増加にともなって２回傾
きの変わるような特性をもつようになる。その理由は、
次のように説明される。
施例の単位画素の断面図、（ｂ）に同じく平面図を示
す。Ｎ型半導体基板４０に第１のＰ型半導体層１１と第
２のＰ型半導体層１２が設けられ、その上にＮ型光電変
換部４２とＮ型信号電荷転送部４３が設けられている。
４８は出力アンプ、４９は水平電荷転送部である。図２
（ａ）に、請求項２記載の発明の一実施例の単位画素の
断面図、（ｂ）に同じく平面図を示す。Ｎ型半導体基板
５０に第１のＰ型半導体層２１と第２のＰ型半導体層２
２が設けられ、その上にＮ型信号電荷転送部兼光電変換
部５２が設けられている。５８は出力アンプ、５９は水
平電荷転送部である。図１、図２の実施例とも、第１の
Ｐ型半導体層と第２のＰ型半導体層は、一方が不純物濃
度が小さく層厚が厚く、他方は不純物濃度が大きく層厚
が薄い。その境界は、Ｎ型光電変換部の下にある。光電
変換特性は、出力が入射光量の増加にともなって２回傾
きの変わるような特性をもつようになる。その理由は、
次のように説明される。
【００１１】強力な光が入射したとき、Ｎ型光電変換部
に蓄積しきれなくなった過剰電荷は、Ｎ型光電変換部の
下のＰ型半導体層に形成される電位障壁を越えてＮ型半
導体基板に掃き出される。飽和状態に達する光量、およ
び、飽和状態での光量に対する出力の増加の傾きは、不
純物濃度分布に依存する。つまり、不純物濃度分布が変
わると、飽和に達する光量も、飽和状態における光量に
対する出力の増加の場合も変わる。
に蓄積しきれなくなった過剰電荷は、Ｎ型光電変換部の
下のＰ型半導体層に形成される電位障壁を越えてＮ型半
導体基板に掃き出される。飽和状態に達する光量、およ
び、飽和状態での光量に対する出力の増加の傾きは、不
純物濃度分布に依存する。つまり、不純物濃度分布が変
わると、飽和に達する光量も、飽和状態における光量に
対する出力の増加の場合も変わる。
【００１２】そこで、Ｎ型光電変換層の下に不純物濃度
と層厚の異なる２つのＰ型半導体層を設けることによ
り、図３（ａ）の実線で示したように、光電変換特性の
光量に対する出力の傾きを光量に応じて２段階に変える
ことができる。Ｐ型半導体層は、不純物濃度が小さく層
厚が厚いと飽和に達する光量は小さく飽和状態における
出力の傾きは大きくなり、不純物濃度が大きく層厚が薄
いと飽和に達する光量は大きく飽和状態での出力の傾き
は小さくなる。
と層厚の異なる２つのＰ型半導体層を設けることによ
り、図３（ａ）の実線で示したように、光電変換特性の
光量に対する出力の傾きを光量に応じて２段階に変える
ことができる。Ｐ型半導体層は、不純物濃度が小さく層
厚が厚いと飽和に達する光量は小さく飽和状態における
出力の傾きは大きくなり、不純物濃度が大きく層厚が薄
いと飽和に達する光量は大きく飽和状態での出力の傾き
は小さくなる。
【００１３】図３（ｂ）、（ｃ）に１つのＰ型半導体層
しかない固体撮像素子の光電変換特性を示す。図（ｂ）
はＰ型半導体層の不純物濃度が小さく層厚が厚い場合、
図（ｃ）はＰ型半導体層の不純物濃度が大きく層厚が薄
い場合である。（ｂ）の方が（ｃ）に比べ、飽和状態に
達する光量は小さく、飽和状態での光量の増加に対する
出力の増加の割合は大きい。このような２つの不純物濃
度分布のＰ型半導体層をＮ型光電変換領域の下に設けた
場合、光量がＩ31に達すると、過剰電荷はＰ型半導体層
１を通ってＮ型半導体基板に掃き出される。更に光量が
増え光量がＩ33に達すると、過剰電荷はＰ型半導体層２
を通ってＮ型半導体基板に掃き出されるようになる。
しかない固体撮像素子の光電変換特性を示す。図（ｂ）
はＰ型半導体層の不純物濃度が小さく層厚が厚い場合、
図（ｃ）はＰ型半導体層の不純物濃度が大きく層厚が薄
い場合である。（ｂ）の方が（ｃ）に比べ、飽和状態に
達する光量は小さく、飽和状態での光量の増加に対する
出力の増加の割合は大きい。このような２つの不純物濃
度分布のＰ型半導体層をＮ型光電変換領域の下に設けた
場合、光量がＩ31に達すると、過剰電荷はＰ型半導体層
１を通ってＮ型半導体基板に掃き出される。更に光量が
増え光量がＩ33に達すると、過剰電荷はＰ型半導体層２
を通ってＮ型半導体基板に掃き出されるようになる。
【００１４】この場合の光電変換特性は、（ａ）のよう
になる。すなわち、光量に対する出力増加の割合が２段
階に変わる。
になる。すなわち、光量に対する出力増加の割合が２段
階に変わる。
【００１５】たとえば、Ｐ型半導体層を、不純物濃度
８．０×１０14個／ｃｍ3 層厚２．６μｍの領域１と不
純物濃度１．４×１０15個／ｃｍ3 層厚１．８μｍの領
域２との二つに分けると、７．０×１０11電子／ｃｍ2
の電荷が蓄積されると、過剰電荷は領域１を通って掃き
出され、更に光量が増え１．０×１０15電子／ｃｍ2 の
電荷が蓄積されると、過剰電荷は領域２を通って掃き出
される。このとき、Ｐ型半導体層が層厚１．８μｍ不純
物濃度１．４×１０15個／ｃｍ3 の１つの領域しかない
場合に比べ、ブルーミングが起こる最小光量は、約１．
５倍になる。
８．０×１０14個／ｃｍ3 層厚２．６μｍの領域１と不
純物濃度１．４×１０15個／ｃｍ3 層厚１．８μｍの領
域２との二つに分けると、７．０×１０11電子／ｃｍ2
の電荷が蓄積されると、過剰電荷は領域１を通って掃き
出され、更に光量が増え１．０×１０15電子／ｃｍ2 の
電荷が蓄積されると、過剰電荷は領域２を通って掃き出
される。このとき、Ｐ型半導体層が層厚１．８μｍ不純
物濃度１．４×１０15個／ｃｍ3 の１つの領域しかない
場合に比べ、ブルーミングが起こる最小光量は、約１．
５倍になる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、飽和状態での光量の増加に対する出力の増加
を大きくし、しかも、ブルーミングの起こる光量を大き
くすることができる。
によれば、飽和状態での光量の増加に対する出力の増加
を大きくし、しかも、ブルーミングの起こる光量を大き
くすることができる。
【図１】請求項１記載の発明の一実施例の固体撮像素子
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】請求項２記載の発明の一実施例の固体撮像素子
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】本発明による固体撮像素子の種々の光電変換特
性を表す図である。
性を表す図である。
【図４】従来のインターライン転送型の固体撮像素子の
断面図である。
断面図である。
【図５】従来のフレーム転送型の固体撮像素子の断面図
である。
である。
【図６】従来の固体撮像素子の光電変換特性を表す図で
ある。
ある。
１１ 第１のＰ型半導体層 １２ 第２のＰ型半導体層 ２１ 第１のＰ型半導体層 ２２ 第２のＰ型半導体層 ４０ Ｎ型半導体基板 ４１ Ｐ型半導体層 ４２ Ｎ型光電変換部 ４３ Ｎ型信号電荷転送部 ４４ 高濃度Ｐ型半導体領域 ４５ 電極 ４６ 遮光膜 ４７ 高濃度Ｐ型半導体領域 ４８ 出力アンプ ４９ 水平電荷転送部 ５０ Ｎ型半導体基板 ５１ Ｐ型半導体層 ５２ Ｎ型信号電荷転送部兼光電変換部 ５４ 高濃度Ｐ型半導体領域 ５５ 電極 ５８ 出力アンプ ５９ 水平電荷転送部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/148 H04N 5/335
Claims (2)
- 【請求項１】 信号電荷転送部に電荷結合素子を用いた
ＣＣＤ型固体撮像素子で、第１導伝型半導体基板に第２
導伝型半導体層が設けられ、その上に第１導伝型光電変
換部と第１導伝型信号電荷転送部が設けられ、前記第１
導伝型光電変換部に発生した過剰電荷は第１導伝型半導
体基板に掃き出される機構を備えた固体撮像素子におい
て、各々光電変換部の下の第２導伝型半導体層は、不純
物濃度が小さく層厚が厚い第２導伝型半導体層１と不純
物濃度が大きく層厚が薄い第２導伝型半導体層２とに分
けてあることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 信号電荷転送部に電荷結合素子を用いた
ＣＣＤ型固体撮像素子で、第１導伝型半導体基板に第２
導伝型半導体層が設けられ、その上に信号電荷転送部を
兼ねた第１導伝型光電変換部が設けられ、前記第１導伝
型光電変換部に発生した過剰電荷は第１導伝型半導体基
板に掃き出される機構を備えた固体撮像素子において、
各々の光電変換部の下の第２導伝型半導体層は、不純物
濃度が小さく層厚が厚い第２導伝型半導体層１と不純物
濃度が大きく層厚が薄い第２導伝型半導体層２とに分け
てあることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7087091A JP2848435B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7087091A JP2848435B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288491A JPH08288491A (ja) | 1996-11-01 |
| JP2848435B2 true JP2848435B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=13905290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7087091A Expired - Fee Related JP2848435B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848435B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035859A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53122316A (en) * | 1977-04-01 | 1978-10-25 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| JPH0681280B2 (ja) * | 1984-06-06 | 1994-10-12 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子の駆動法 |
| JPH04158575A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH06302800A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子 |
-
1995
- 1995-04-12 JP JP7087091A patent/JP2848435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08288491A (ja) | 1996-11-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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