JPS6119127A - マスク形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 所要のパターンを有するマスクを用いたパターニング処
理によって、基板や、半導体膜、金属膜、絶縁膜などの
膜体の表面を、所要のパターンに加工したり、半導体膜
、金属膜、絶縁膜などの膜体を、所要のパターンに形成
したりする工程を含んで、半導体集積回路装置や、ジョ
セフソン回路装置などを製造することが行なわれている
。

本発明は、このようにして半導体集積回路装置や、ジョ
セフソン回路装置などを製造する場合において、基板や
、半導体膜、金属膜、絶縁膜などの膜体の表面を所要の
パターンに加工したり、膜体を所要のパターンに形成し
たりする工程において用いる、所要のパターンを有する
マスクを形成するマスク形成法の改良、特に、表面に段
差を有する基板や膜体などの被加工体上に、所要のパタ
ーンに形成する場合に適用して好適なマスク形成法に関
する。

延迷Ｊυ【癒 所要のパターンに加工されるべきまたは形成されるべき
、基板や、半導体膜、金属膜、絶縁膜などの被加工体上
に、所要のパターン有するマスクを形成するマスク形成
法として、従来、第１図を伴って次に述べる方法が提案
されている。

すなわち、予め用意された被加工体１（第１図Ａ）の表
面２上に、エルバサイト＃２０４１（米デュポン社製、
商品名）で代表されるようなポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）や、メチルメタクリレートとメタクリル酸
との共重合体などのアクリル系レジスト材料の塗布、そ
れに続く焼成処理によって、アクリル系レジスト材料で
なるレジスト層３を形成する（第１図Ｂ）。

次に、レジスト層３上に、ＡＺ−１３５０Ｊ（シブレイ
社製、商品名）で代表されるような、フェノールノボラ
ック樹脂と、Ｏ−ナフトキノンジアジドでなる感光剤と
でなるポジ型フォトレジスト材料などのポジ型フォトレ
ジスト材料の、その酢酸セロソルブや、ジクライムや、
ジクロペンタノンなどの溶剤を用いた塗布、それに続く
焼成処理によって、ポジ型フォトレジスト材料でなるレ
ジスト層４を形成する（第１図Ｃ）。

この場合、レジスト層４の溶剤によって、レジスト層３
の表面が溶解するため、レジスト層３及び４間に、それ
らの材料の混合物でなる層５が形成され、よって、被加
工体１上に、レジスト層３と、混合物でなる層５と、レ
ジスト層４とがそれらの順に積層されている積層体６が
形成される。

次に、レジスト層４に対する所要のパターンの紫外線を
用いた露光処理、それに続（現像処理によって、レジス
ト層４から、露光処理時の露光パターンに対応している
パターンを有するレジスト層８を形成する工程を含んで
、積層体６から、それに対するバターニング処理によっ
て、レジスト！３のバターニングされたレジスト層７と
、混合物でなる層５のパターニングされた混合物でなる
層９と、レジスト層４のバターニングされたレジスト層
８とがそれらの順に積層された、パターニングされた積
層体１０を、所要のパターンを有するマスクとして形成
する。

（第１図Ｄ）。

以上が、従来提案されているマスク形成法の一例である
。

また、従来、第２図を伴なって次に述べるマスク形成法
も提案されている。

第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。

第２図に示す従来のマスク形成法は、次に述べる順次の
工程をとって、被加工体上に、所要のパターンを有する
マスクを形成する。

すなわち、第１図で上述した従来のマスク形成法の場合
と同様に、予め用意された被加工体１（第２図Ａ）の表
面２上に、アクリル系レジスト材料でなるレジスト層３
を形成する（第２図Ｂ）。

次に、レジスト層３上に、ポリシリコン、ＳｉＯ２、Ｓ
ｉＮなどでなる１２１を、ＣＶＤ法などによって形成す
る（第２図Ｃ）。

次に、層２１上に、ポジ型フォトレジスト材料でなるレ
ジスト層４を形成し、よって、レジスト層３と、総２１
と、レジスト層４とがそれらの順に積層されている積層
体２２を形成する（第２図Ｄ）。

次に、レジストＭ４に対する所要のパターンの紫外線を
用いた露光処理、それに続く現像処理によって、レジス
ト層４から、露光処理時の露光パターンに対応している
パターンを有するレジスト層８を形成する工程を含んで
、積層体２２から、それに対するパターニング処理によ
って、レジスト層３のパターニングされたレジスト層７
と、層２１のパターニングされた層２４と、レジスト層
４のパターニングされたレジスト層８とがそれらの順に
積層された、パターニングされた積層体２６を、所要の
パターンを有するマスクとして形成する（第２図Ｇ）。

以上が、従来提案されているマスク形成法の他の例であ
る。

第１図で上述した従来のマスク形成法によれば、被加工
体１上にレジスト層３を形成する工程（第１図Ａ及びＢ
）と、そのレジスト層３上にレジスト層４を形成すると
ともに、レジスト層３及び４間にそれらの材料の混合物
でなる層５を形成し、よってレジスト層と、混合物でな
る層５と、レジスト層４とがそれらの順に積層されてい
る積層体６を形成する工程（第１図Ｃ）と、積層体６か
らパターニングされた積層体１０を形成する工程を含ん
で、被加工体１上に、積層体１０による所要のパターン
を有するマスクを形成している。

このようなマスク形成法において、レジスト層４を、被
加工体１上にレジスト層３を介して形成するので、その
レジスト層４を１、被加工体１０表面２に、図示のよう
に段差を有していても、その段差を有する位置に対応す
る領域においても、他の領域の厚さに近い厚さに形成す
ることができる。

従って、第１図で上述した従来のマスク形成法によれば
、積層体１０従ってマスクを、露光パターンに対応して
いるパターンに、高精度、微細に形成することができる
、という特徴を有する。

また、第２図で上述した従来のマスク形成法によれば、
被加工体１上にレジスト層３を形成する工程（第２図Ａ
及びＢ）と、そのレジスト層３上にポリシリコン、５ｉ
Ｏ２ＳｉＮなどでなる層２１を形成する工程（第２図Ｃ
）と、その層２１上にレジスト層４を形成して、レジス
ト層３と、Ｈ２１と、レジスト層４とがそれらの順に積
層されている積層体２２を形成する工程（第２図Ｄ）と
、その積層体２１からパターニングされた積層体２６を
形成する工程（第２図Ｅ）を含んで、被加工体１上に、
積層体２６による所要のパターンを有するマスクを形成
する。

このような従来のマスク形成法において、レジスト層４
を、被加工体１上に、レジスト層３及び層２１を介して
形成するので、そのレジスト層４を、第１図で上述した
従来のマスク形成法の場合と同様に、被加工体１０表面
２に段差を有していても、その段差を有する位置に対応
する領域においても、他の領域の厚さを有する位置に対
応する領域においても、他の領域の厚さに近い厚さに形
成することができる。

従って、第２図で上述した従来のマスク形成法によって
も、積層体２６従ってマスクを、露光パターンに対応し
ているパターンに、高精度、微細に形成することができ
る、という特徴を有する。

発明が解決しようとする しかしながら、第１図で上述した従来のマスク形成法の
場合、レジスト層３上に、直接レジスト層４を形成する
ため、そのレジスト層４を形成する工程において、上述
したように、レジスト層４の溶剤によってレジスト層３
の表面が溶解し、よって、レジスト層３及び４間に、そ
れらの材料の混合物でなる層５が、再現性の悪い不均一
な厚い厚さに形成される。

このため、レジスト層４に対する露光処理の工程におい
て、紫外線に混合物でなる層５によって再現性の悪い反
射が生じたり、紫外線が混合物でなる層５及びレジスト
層３を通って被加工体１で反射し、そして、レジスト層
３に再入射する紫外線に再現性の悪い屈折が生じたりす
ることによって、そのレジスト層４から、レジスト層８
を、高精度、微細なパターンに形成するのに困難を伴な
い、従って、積層体１０でなるマスクを、所期のパター
ンに高精度、微細に形成することが困難である、という
欠点を有していた。。

また、このような困難を回避するためには、レジスト層
３を形成する工程における、焼成処理時の温度（”Ｃ）
に対する、レジスト層４を形成する工程においてレジス
ト層３が溶解する速度（入／秒）が、レジスト層４の溶
剤をパラメータとして、第２図に示すように得られるの
に鑑み、レジスト層３を形成する工程における焼成処理
時の温度を、１８０℃以上の高い温度にしている。

しかしながら、このような高い温度での焼成処理によれ
ば、被加工体に熱的な損傷を与える、という欠点を伴な
う。

また、第２図で上述した従来のマスク形成法の場合、レ
ジスト層４が、レジスト層３上に、ポリシリコン、Ｓｉ
Ｏ２、ＳｉＮなどの層２１を介して形成されるので、第
１図で上述した従来のマスク形成法の場合のように、レ
ジスト層３及び４間に、再現性の悪い不均一な厚い厚さ
の混合物でなる層５が形成されず、一方、その層２１を
各部均一の厚さに再現性良く形成し得るので、第１図で
上述した混合物でなる層が再現性の悪い不均一な厚い厚
さに形成されることにもとすく欠点を有しない。

しかしながら、レジスト層３を形成する工程において、
そのレジスト層３が１８０℃以上という高い温度で焼成
されていなければ、レジメト層３に残留しているその溶
剤のために、層２１がレジスト層３上に良好な付着性を
以て再現性良く形成されない。このため、層２１上にレ
ジスト層４を再現性良く形成することが困難になったり
、レジスト層４に対する露光処理において、紫外線が層
２１及びレジスト層間で再現性悪く反射したり、屈折し
たりすることによって、レジスト層４から、レジスト層
すを、所期のパターンに、高精度、微細に形成すること
ができなくなったりする、という欠点を有していた。

また、レジスト層３を、１８０℃以上という高い温度で
焼成して形成すれば、第１図で上述した従来のマスク形
成法について上述したように、被加工体に熱的な損傷を
与える、という欠点を伴なう。

間　を解決するための手段 よって、本発明は、上述した従来のマスク形成法の欠点
を伴なうことのない、新規なマスク形成法を提案せんと
するものである。

本発明によるマスク形成法によれば、被加工体の表面上
に、第１図及び第２図で上述した従来のマスク形成法の
場合と同様に、アクリル系レジスト材料の塗布、それに
続く焼成処理によって、アクリル系レジスト材料でなる
第１のレジスト層を形成する。

しかしながら、本発明によるマスク形成法の場合、上述
したように被加工体上に第１のレジスト層を形成して後
、その第１のレジスト層の表面側に、フレオン系ガスの
プラズマを用いた弗化処理によって、第１のレジスト層
の材料の弗化物でなる薄層を形成する。

次に、その弗化物でなる薄層の表面側に、アルコールの
塗布によって、アルコールを含浸している薄層を形成す
る。

次に、そのアルコールを含浸しているＷｊ層上に、第１
図及び第２図で上述した従来のマスク形成法の場合で上
述したと同様のポジ型フォトレジスト材料の塗布、それ
に続く焼成処理によって、ポジ型フォトレジスト材料で
なる第２のレジスト層を形成するとともに、弗化物でな
るＲ層及びアルコールを含浸している薄層に代え、第１
及び第２のレジスト層間に、第１のレジスト層の材料と
、弗化物でなる薄層の材料と、第２のレジスト層の材料
との混合物でなる薄層を形成し、よって、第１のレジス
ト層と上記混合物でなる薄層とがそれらの順に積層され
ている第１の積層体を形成する。

次に、第２のレジスト層に対する所要のパターンの露光
処理、それに続く現像処理によって、第２のレジスト層
から、上述した露光処理時の露光パターンに対応してい
るパターンを有する第３のレジスト層を形成する。

次に、第１の積層体に対する、第３のレジスト層をマス
クとするパターニング処理によって、第１の積層体から
、その第３のレジスト層間の領域でなる第２の積層体を
形成し、よって、第２の積層体と第３のレジスト層がそ
れらの順に積層されている第３の積層体でなる上述した
露光処理時の露光パターンに対応しているパターンを有
するマスクを形成する。

作　　　用 以上が、本発明によるマスク形成法である。

このような本発明によるマスク形成法によれば、第２の
レジスト層を、被加工体の表面上に、第１のレジスト層
と、弗化物でなる薄層と、アルコールを含浸している薄
層とを介して形成しているので、その第２のレジスト層
を、第１図及び第２図で上述した従来のマスク形成法の
場合と同様に、被加工体の表面に段差を有していても、
その段差を有する位置に対応する領域においても、他の
領域の厚さに近い厚さに容易に形成することができる。

第２のレジスト層を、アルコールを含浸している薄層上
に形成しており、そして、その第２のレジスト層間、ア
ルコールを含浸している薄層に対し漏れ性が良いので、
第２のレジスト層を各部均一の厚さに、再現性良く形成
することができる。

さらに、第２のレジスト層を、第１のレジスト層上に、
弗化物でなる薄層及びアルコールを含浸している薄層を
介して形成しているので、第２のレジスト層を形成する
工程において、第１のレジスト層と第２のレジスト層と
の間に、それらの材料と弗化物でなる薄層の材料との混
合物でなる層が形成されるとしても、その混合物でなる
層を、第１のレジスト層を７０℃以下の低い温度で焼成
して形成していても、１５０〜３００Ａの範囲の薄い厚
さに再現性良く形成することができる。

このため、Ｍｌのレジスト層を形成する工程において、
被加工体に熱的損傷を与えることなしに、第３のレジス
ト層を露光処理をとって形成する工程において、その第
３のレジス十層を露光処理時の露光パターンに、高精度
、微細に、再現性良く、容易に形成することができる。

発明の効果 従って、本発明によれば、被加工体に熱的損傷を与える
ことなしに、第３の積層体でなるマスクを、所期のパタ
ーンに、高精度、微細に、再現性良く、容易に形成する
ことができる特徴を有する。

実施例 次に、本発明によるマスク形成法の実施例を、第４図を
伴なって述べよう。

第４図において、第１図及び第２図との対応部分には同
一符号を付して詳細説明を省略する。

第４図に示す本発明によるマスク形成法の実施例は、次
に述べる順次の工程をとって、被加工体の表面上に、所
要のパターンを有１−るマスクを形成する。

すなわち、第１図及び第２図で上述した従来のマスク形
成法の場合と同様に、予め用意された被加工体１（第４
図Ａ）の表面２上に、ポリメチルメタクリレートや、メ
チルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体でなる
アクリル系レジスト材料の塗布、それに続（焼成処理に
よって、アクリル系レジスト材料でなるレジスト層３を
形成する。

この場合、アクリル系レジスト材料の塗布は、アクリル
系レジスト材料に、後述する露光処理に用いる紫外線を
選択的に吸収する色素、例えばマクロレックス・イエロ
ー６Ｇ（***バイエル社製、商品名）を、５〜１０％の
量、メチルイソブチルケトンとモノクロルベンゼンの１
：１の混合液を用いて、分散させて行い、よって、レジ
スト層をこのような紫外線吸収色素を含んでいるものと
して形成するのを可とする。

また、アクリル系レジスト材料の塗布は被加工体１を回
転させながら、これを行うのを可とづる。さらに、アク
リル系レジスト材料の塗布に続く焼成処理は、これを７
０℃以下の温度での、約３０分間の焼成処理とし得る。

次に、レジスト層３を形成している被加工体１を、プラ
ズマ反応用チャンバ内に配し、その内にフレオン系ガス
としてのＣＦ４ガスを、約１　ＴＯｒｒの圧力になるま
で導入し、そして、１００Ｗの高周波電力で、プラズマ
反応用チャンバ内でＣＦ４ガスのプラズマを得、よって
、レジスト層３に対するＣＦ４ガスのプラズマを用いた
弗化処理を行うことによって、レジスト層３の表面側に
、レジスト層３の材料の弗化物でなる薄層４１を形成す
る（第４図Ｃ）。

次に、弗化物でなる薄層４１上に、エタノールまたはイ
ソプロパツールなどの低級アルコールでなるアルコール
を滴下させることによって、弗化物でなる薄層４１上に
アルコールを塗布し、次に、直ちに、被加工体１を３ｏ
ｏｏｒｐｍの回転速度で、約２０秒間回転させて、弗化
物でなる薄層の表面側に、アルコールを含浸している薄
層４２を形成する（第４図Ｄ）。

次に、アルコールを含浸している薄層４２上に、第１図
及び第２図で上述した従来のマスク形成法について上述
したと同様の、フェノールノボラック樹脂とＯ−ナフト
キノンジアジドでなる感光剤とでなるポジ型フォトレジ
スト材料の、その酢酸セロソルブや、ジクライムや、ジ
クロペンタノンなどによる溶剤を用いた塗布、それに続
く焼成処理によって、ポジ型フォトレジスト材料でなる
レジストｌＦ４を形成するとともに、レジスト層３及び
４Ｍに、弗化物でなる薄層４１及びアルコールを含浸し
ている薄層４２に代え、レジスト層３の材料と、弗化物
でなる薄１４１の材料と、レジスト層４の材料との混合
物でなる層４４を形成し、よって、レジスト層３と、混
合物でなる層４４とがそれらの順に積層されている積層
体４５を形成する（第４図Ｅ）。

次に、レジストＨ４に対する所要のパターンの露光処理
、それに続く現像処理によって、レジスト層４から、露
光処理時の露光パターンに対応しているパターンを有す
るレジスト層８を形成する（第４図Ｆ）。

次に、積層体４５に対するレジスト層８をマスクとする
、０２ガスを用いたイオンエツチング処理によるとか、
積層体４５に対する電子線や、軟Ｘ１ｌＡなどによる露
光処理、それにつ続く現像処理などによるパターニング
処理によるとかによって、積層体４５から、そのレジス
ト層８下の領域でなる、レジスト層３のパターン課され
たレジスト層７と、混合物でなる８４４のパターン化さ
れた混合物でなる層４８とがそれらの順に積層されてい
る積層体４９を形成し、よって、積層体４９とレジスト
層８とがそれらの順に積層されている積層体５０でなる
上述した露光処理時の露光パターンに対応しているパタ
ーンを有するマスクを形成する（第４図Ｇ）。

以上が、本発明によるマスク形成法の実施例である。

このような本発明によるマスク形成法によれば、被加工
体１の表面２上にレジスト層３を形成する工程（第４図
へ及びＢ）と、そのレジストＨ３の表面側にその材料の
弗化物でなる薄層４１を形成する工程（第４図Ｃ）と、
その弗化物でなる薄層４１の表面側にアルコールを含浸
している薄層４２を形成する工程（第４図Ｄ）と、その
アルコールを含浸している薄層４２上にレジスト８４３
を形成するとともに、弗化物でなる薄層４１及びアルコ
ールを含浸している薄層４２に代え、レジスト層３と、
混合物でなる層４４との積層体４５を形成する工程（第
４図Ｅ）と、レジスト層４からレジスト層８を形成する
工程（第４図Ｆ）と、積層体４５から、レジスト層４７
と混合物でなる層４８との積層体４９を形成する工程（
第４図Ｇ）とを含んで、被加工体１上に、積層体４９と
レジスト層８とがそれらの順に積層されている積層体５
０でなる所要のパターンを有するマスクを形成している
。

このようなマスク形成法において、レジスト層４を、被
加工体１上の表面２上に、レジスト層３、弗化物でなる
薄層４１及びアルコールを含浸している薄層４２を介し
て形成しているので、被加工体１の表面２が、図示のよ
うに段差を有していても゛、レジスト層４を、第１図及
び第２図で上述した従来のマスク形成法の場合と同様に
、その段差を有する位置に対応する領域においても、他
の領域の厚さに近い厚さに形成することができる。

また、レジスト層４を、アルコールを含浸している薄［
１４２上に形成しており、そして、そのレジスト層４が
、アルコールを含浸している薄層４２に対し漏れ性が良
いので、レジスト層４を各部均一の厚さに形成すること
ができる。

さらに、レジスト層４を、レジスト層３上に、弗化物で
なる薄層４１及びアルコールを含浸している薄層４２を
介１て形成しているので、レジスト層３を形成する工程
において、そのレジスト層３を７０℃以下の低い温度で
の焼成処理によって形成しても、レジスト層４を形成す
る工程において、レジスト層３及び４間に、レジスト層
３及び４の材料と弗化物でなる薄層４１の材料との混合
物でなる層４４が形成されるとしても、第１図で上述し
た従来のマスク形成法の場合のようにレジスト層３及び
４の材料の混合物でなる層５が、再現性の悪い不均一な
厚い厚さに形成されることがなく、一方、レジスト層３
及び４間に形成される混合物でなる層４４を、１５０〜
３００人の範囲の薄い厚さに再現性良く形成することが
できる。　　　　　”このため、レジスト層８を、被加
工体１に熱的損傷を与えることなしに、所期のパターン
に、高精度に、微細に、再現性良く、容易に形成するこ
とができ、よって、積層体５０でなるマスクを、被加工
体１に熱的損傷を与えることなしに、高精度、微細に、
再現性良く、容易に形成することができる。

なお、上述においては、本発明の１つの実施例を示した
にととまり、本発明の精神を脱することなしに、種々の
変型、変更をなし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ〜Ｄ　ハ、従来のマスク形成法の一例を示す順
次の■稈における路線的断面図である。 第２図Ａ−Ｅは、従来のマスク形成法の他の例を示す順
次の工程における路線的断面図である。 第３図は、アクリル系レジスト材料でなるレジスト層の
焼成温度に対する、ポジ型フォトレジスト材料でなるレ
ジスト層の溶剤によるアクリル系レジスト材料でなるレ
ジスト層の溶解速度を示す線図である。 第４図Ａ−Ｇは、本発明によるマスク形成法の実施例を
示す順次の工程における路線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・被加工体２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・被加工体の表面３
．７・・・・・・・・・・・・アクリル系レジスト材料
でなるレジスト層 ４．８・・・・・・・・・・・・ポジ型フォトレジスト
材料でなるレジスト層 ５．９・・・・・・・・・・・・レジスト層３及び４の
材料の混合物でなる層 ６・・・・・・・・・・・・・・・・・・レジスト層３
と、混合物でなる層５と、レジスト 層４との積層体 １０・・・・・・・・・・・・・・・・・・レジスト層
７と、混合物でなる層９と、レジスト 層８との積層体 ２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリシリコ
ン、３ｉＱ２゜ＳｉＮなどでなる層 ７１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・レジスト
層３の材料の弗化物でなる薄層 ４２・・・・・・・・・・・・・・・・・・弗化物でな
る１ｌＪｉ！４１の表面側のアルコールを含 浸している薄層 ４４．４８・・・・・・・・・レジスト層３及び４の材
料と弗化物でなる薄層４ １との材料との混合物で なる層 ４５・・・・・・・・・・・・・・・・・・レジスト層
３と混合物でなる層４４との積層体 ４９・・・・・・・・・・・・・・・・・・レジスト層
７と混合物でなる層４８との積層体 ５０・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体４９
とレジスト層８とのマスクとしての積 周体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 被加工体の表面上に、アクリル系レジスト材料の塗布、
   それに続く焼成処理によって、アクリル系レジスト材料
   でなる第１のレジスト層を形成する工程と、上記第１の
   レジスト層の表面側に、フレオン系ガスのプラズマを用
   いた弗化処理によつて、上記第１のレジスト層の材料の
   弗化物でなる薄層を形成する工程と、上記弗化物でなる
   薄層の表面側に、アルコールの塗布によって、アルコー
   ルを含浸している薄層を形成する工程と、上記アルコー
   ルを含浸している薄層上に、ポジ型フォトレジスト材料
   の塗布、それに続く焼成処理によつて、ポジ型フォトレ
   ジスト材料でなる第２のレジスト層を形成するとともに
   、上記弗化物でなる薄層及び上記アルコールを含浸して
   いる薄層に代え、上記第１及び第２のレジスト層間に、
   上記第１のレジスト層の材料と、上記弗化物でなる薄層
   の材料と、上記第２のレジスト層の材料との混合物でな
   る薄層を形成し、よって、上記第１のレジスト層と上記
   混合物でなる薄層とがそれらの順に積層されている第１
   の積層体を形成する工程と、上記第２のレジスト層に対
   する所要のパターンの露光処理、それに続く現像処理に
   よつて、上記第２のレジスト層から、上記露光処理時の
   露光パターンに対応しているパターンを有する第３のレ
   ジスト層を形成する工程と、上記第１の積層体に対する
   、上記第３のレジスト層をマスクとするパターニング処
   理によって、上記第１の積層体から、その上記第３のレ
   ジスト層下の領域でなる第２の積層体を形成し、よつて
   、上記第２の積層体と上記第３のレジスト層とがそれら
   の順に積層されている第３の積層体でなる上記露光処理
   時の露光パターンに対応しているパターンを有するマス
   クを形成する工程とを含むことを特徴とするマスク形成
   法。