JPS61190556A - 電子部品封止用樹脂組成物 - Google Patents
電子部品封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS61190556A JPS61190556A JP60025921A JP2592185A JPS61190556A JP S61190556 A JPS61190556 A JP S61190556A JP 60025921 A JP60025921 A JP 60025921A JP 2592185 A JP2592185 A JP 2592185A JP S61190556 A JPS61190556 A JP S61190556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- synthetic
- resin composition
- electronic components
- metal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は合成樹脂と単一もしくは複数の金属アルコキ
シドを加水分解して得られる合成無機質金属酸化物とよ
りなる高純度、低α線性電子部品封止用樹脂組成物に関
するものである。
シドを加水分解して得られる合成無機質金属酸化物とよ
りなる高純度、低α線性電子部品封止用樹脂組成物に関
するものである。
〈従来の技術とその問題点〉
一般に、電子部品はこれを外部環境から保護するため、
セラミックパッケージまたは合成樹脂などで封止されて
いるが、この封止材料については、価格および生産性の
面から合成樹脂組成物によるものが汎用されて、いると
いうのが現状である。
セラミックパッケージまたは合成樹脂などで封止されて
いるが、この封止材料については、価格および生産性の
面から合成樹脂組成物によるものが汎用されて、いると
いうのが現状である。
この合成樹脂組成物は、現在合成樹脂と酸化珪素(シリ
カ)を主体とする無機質充填材とから構成されているが
、この組成については、できるだけ低膨張性、良熱伝導
性、低吸湿性、低応力低歪み性および機械的特性などに
すぐれていることが望ましく、しかも低価格にするとい
うことから、この無機質充填材を成型性の許す限り、で
きるだけ多量に配合することが有利とされている。 そ
してこれには酸化珪素系充填材が最も好ましいものとさ
れ、殆んどの樹脂封止材料に利用されている。
カ)を主体とする無機質充填材とから構成されているが
、この組成については、できるだけ低膨張性、良熱伝導
性、低吸湿性、低応力低歪み性および機械的特性などに
すぐれていることが望ましく、しかも低価格にするとい
うことから、この無機質充填材を成型性の許す限り、で
きるだけ多量に配合することが有利とされている。 そ
してこれには酸化珪素系充填材が最も好ましいものとさ
れ、殆んどの樹脂封止材料に利用されている。
この酸化珪素系充填材には結晶(クリスタル)タイプお
よび非結晶(アモルファス)タイプの2種類があるが、
これらはいずれも一長一短があり、使用目的により使い
分けられているのが現状である。
よび非結晶(アモルファス)タイプの2種類があるが、
これらはいずれも一長一短があり、使用目的により使い
分けられているのが現状である。
また、この酸化珪素系充填材については、前記の多量添
加配合という見地から、例えば1〜120μmという比
較的大きい平均粒径の酸化珪素粉体を使用することから
、天然の鉱石を粉末化したもの、あるいは天然の鉱石を
1800〜2300℃で熔融焼結したのち粉砕し、酸処
理、水洗、乾燥して得られる珪石粉などが使用されてい
る。
加配合という見地から、例えば1〜120μmという比
較的大きい平均粒径の酸化珪素粉体を使用することから
、天然の鉱石を粉末化したもの、あるいは天然の鉱石を
1800〜2300℃で熔融焼結したのち粉砕し、酸処
理、水洗、乾燥して得られる珪石粉などが使用されてい
る。
他方、この種の合成樹脂組成物で封止された記憶素子は
、技術革新の進歩とともに高集積化が急テンポで進みつ
つあり、既にLSIからVLSIの段階に入り、この高
集積化電子部品を封止する樹脂組成物を構成する無機質
充填材中に微量に含まれるウラン、トリウムなどの放射
性元素から放出されるα線によって、この記憶素子が誤
動作、つまりソフトエラーを生じ、実用化段階に入りつ
つある256Kb i tダイナミックRAM (ラン
ダムアクセスメモリー)やiMegab i tダイナ
ミックRAMなどの信頼性に大きな影響を及ぼしつつあ
るため、その解決策が望まれている。
、技術革新の進歩とともに高集積化が急テンポで進みつ
つあり、既にLSIからVLSIの段階に入り、この高
集積化電子部品を封止する樹脂組成物を構成する無機質
充填材中に微量に含まれるウラン、トリウムなどの放射
性元素から放出されるα線によって、この記憶素子が誤
動作、つまりソフトエラーを生じ、実用化段階に入りつ
つある256Kb i tダイナミックRAM (ラン
ダムアクセスメモリー)やiMegab i tダイナ
ミックRAMなどの信頼性に大きな影響を及ぼしつつあ
るため、その解決策が望まれている。
前記の解決策としては、
(1)記憶素子の表面に予めポリイミド樹脂、シリコン
樹脂などを塗布して、この素子をα線の影響から保護す
ること(チップコート法)。
樹脂などを塗布して、この素子をα線の影響から保護す
ること(チップコート法)。
(2)記憶容量、回路に余裕をもたせる設計にすること
。
。
(3)充填材を粉体の状態で粒子の表面に予め樹脂によ
りコーティング処理し、α線の影響から保護すること(
粒子表面のプレコート法〉。
りコーティング処理し、α線の影響から保護すること(
粒子表面のプレコート法〉。
(4)高純度もしくは精製により低α線化した充填材、
添加剤を使用すること(封止剤のりフッイニング法)。
添加剤を使用すること(封止剤のりフッイニング法)。
などの諸方法が考えられるが、(1)の方法は一定の膜
厚、一定の面積に正確に塗布することがむづかしく、歩
留り、生産効率、経済性のいずれの面からも有利な方法
とはいい難い。
厚、一定の面積に正確に塗布することがむづかしく、歩
留り、生産効率、経済性のいずれの面からも有利な方法
とはいい難い。
また(2)の方法については設計上無駄が多く、(3)
の方法は高集積化に伴う内部発熱の増大に対して、熱伝
導性(熱放散性)を低下させ、従って記憶素子の致命的
な欠陥を招くことになり好ましくない。
の方法は高集積化に伴う内部発熱の増大に対して、熱伝
導性(熱放散性)を低下させ、従って記憶素子の致命的
な欠陥を招くことになり好ましくない。
従って(4)の方法が最も有効かつ合理的な方法と考え
られる。
られる。
く問題点を解決するための手段)
この発明は上記したような種々の不利な条件を克服し、
電子部品封止用樹脂組成物として好適な高純度で低α線
性を有する合成無機質金属酸化物を含有する電子部品封
止用樹脂組成物を見出したものである。
電子部品封止用樹脂組成物として好適な高純度で低α線
性を有する合成無機質金属酸化物を含有する電子部品封
止用樹脂組成物を見出したものである。
即ち、この発明は合成樹脂100重量部と合成無機質金
属酸化物50〜800重量部とよりなる電子部品封止用
樹脂組成物を提供するものであり、合成無機質金属酸化
物として、精製された加水分解し得る基を有する金属ア
ルコキシドを加水分解したのち、乾燥、粉砕、加熱酸化
させることによって得たものを用いることを特徴とする
ものである。
属酸化物50〜800重量部とよりなる電子部品封止用
樹脂組成物を提供するものであり、合成無機質金属酸化
物として、精製された加水分解し得る基を有する金属ア
ルコキシドを加水分解したのち、乾燥、粉砕、加熱酸化
させることによって得たものを用いることを特徴とする
ものである。
く作用〉
以下、この発明の詳細な説明すると、本発明者らは前述
したα線の放出による記憶素子の誤動作の予防対策につ
いて種々検討を重ねた結果、電子部品封止用樹脂組成物
の主要構成成分である、従来の天然珪石に代えて金属ア
ルコキシドを加水分解して得られる単一組成もしくは複
数組成(多成分系)の合成無機質金属酸化物を用いるこ
とにより、ウラン、トリウムなどの放射性元素を殆んど
含有しない低α線性を有する高純度の封止用樹脂組成物
を完成させたものである。
したα線の放出による記憶素子の誤動作の予防対策につ
いて種々検討を重ねた結果、電子部品封止用樹脂組成物
の主要構成成分である、従来の天然珪石に代えて金属ア
ルコキシドを加水分解して得られる単一組成もしくは複
数組成(多成分系)の合成無機質金属酸化物を用いるこ
とにより、ウラン、トリウムなどの放射性元素を殆んど
含有しない低α線性を有する高純度の封止用樹脂組成物
を完成させたものである。
また上述したような合成無機質金属酸化物を用いること
によって、高純度、低α線性を有するだけでなく (A) 封止用樹脂組成物にしてからの成型流動性が
よく、且つ成型金型よりのパリ発生が少なく、離型性が
よいため、作業性にすぐれている。
によって、高純度、低α線性を有するだけでなく (A) 封止用樹脂組成物にしてからの成型流動性が
よく、且つ成型金型よりのパリ発生が少なく、離型性が
よいため、作業性にすぐれている。
(B) 液相にる溶液反応により合成されるので均質
な組成物が得られる。
な組成物が得られる。
などのすぐれた特性を有することが認められた。
この発明において使用する合成無機質金属酸化物ととそ
の出発原料としては、 出発原料 合成無機質金属酸化物SL (OR>
4 5ioeAI(OR)3・5L(
OR)4 M2O−8io2Tj(OR>4・Si(
OR)4 TiO2・5LO21r (OR>4
、 SL (OR>4 ZrO2・512(但し、
R:アルキル基) などが挙げられる。
の出発原料としては、 出発原料 合成無機質金属酸化物SL (OR>
4 5ioeAI(OR)3・5L(
OR)4 M2O−8io2Tj(OR>4・Si(
OR)4 TiO2・5LO21r (OR>4
、 SL (OR>4 ZrO2・512(但し、
R:アルキル基) などが挙げられる。
この合成無機質金属酸化物はアルコキシド基を酸などの
触媒を併用して加水分解し、重合度を上げてゲル状とし
たのち、加熱乾燥、粉砕し、焼成処理工程を経て得られ
る。
触媒を併用して加水分解し、重合度を上げてゲル状とし
たのち、加熱乾燥、粉砕し、焼成処理工程を経て得られ
る。
かくして得られる合成無機質金属酸化物は、ウラン、ト
リウ゛ムなどの放射性元素の含有量が1ppb以下であ
り、また電子部品封止後の電子回路腐食の原因とされる
ナトリウム、カリウムの含有量もlppm以下と極めて
低く、従って特に電子部品封止用樹脂組成物を構成する
一素材として有用である。
リウ゛ムなどの放射性元素の含有量が1ppb以下であ
り、また電子部品封止後の電子回路腐食の原因とされる
ナトリウム、カリウムの含有量もlppm以下と極めて
低く、従って特に電子部品封止用樹脂組成物を構成する
一素材として有用である。
この発明において合成樹脂に対する合成無機質金属酸化
物の配合は、従来から行われている熱ロールニーダ−、
スクリュータイプの連続式混線機などを使用して行えば
よい。
物の配合は、従来から行われている熱ロールニーダ−、
スクリュータイプの連続式混線機などを使用して行えば
よい。
次に合成無機質金属酸化物の使用量は合成樹脂100重
量部に対して50〜800重量部、好ましくは100〜
600重量部である。
量部に対して50〜800重量部、好ましくは100〜
600重量部である。
これは合成無機質金属酸化物の量が50重量部以下では
使用の効果が発揮されず、また800重量部以上を用い
ると、電子部品封止用樹脂組成物としての成型性を低下
させるだけでなく、機械的特性をも劣化させて好ましく
ないためである。
使用の効果が発揮されず、また800重量部以上を用い
ると、電子部品封止用樹脂組成物としての成型性を低下
させるだけでなく、機械的特性をも劣化させて好ましく
ないためである。
なお、この発明の樹脂組成物には必要に応じて各種の添
加剤、例えば着色剤、内部離型剤などを従来の封止用合
成樹脂組成物における配合方式と同様にして使用するこ
とは何ら差支えない。
加剤、例えば着色剤、内部離型剤などを従来の封止用合
成樹脂組成物における配合方式と同様にして使用するこ
とは何ら差支えない。
この発明の樹脂組成物は電子部品の封止用として用いら
れるが、電子部品の封止は射出成型、圧縮成型、トラン
スファー成型など何れの方式でも成型可能であり、この
組成物によりα線に起因するソフトエラー発生のない、
しかもナトリウム、カリウムなどの腐食性元素を含まな
い樹脂封止された電子部品を容易に効率よく製造するこ
とができるため、高品質性と経泗的効果を同時に発揮す
ることができるのである。
れるが、電子部品の封止は射出成型、圧縮成型、トラン
スファー成型など何れの方式でも成型可能であり、この
組成物によりα線に起因するソフトエラー発生のない、
しかもナトリウム、カリウムなどの腐食性元素を含まな
い樹脂封止された電子部品を容易に効率よく製造するこ
とができるため、高品質性と経泗的効果を同時に発揮す
ることができるのである。
〈実施例〉
以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
(1)M化珪素粉末の製造
テトラエチルシリケートオリゴマー(コルコート社製、
商品名テトラエチルシリケート40)800dに対し、
エチルアルコール450In1を加え、均一に溶解した
溶液を陽イオン交換樹脂(住友化学工業社製、商品名デ
ュオライトC−20>および陰イオン交換樹脂(住友化
学工業社製、商品名デュオライトA−1010)を夫々
充填したカラム中を11/hの流速で流下処理し、溶液
中に存在する微量のウランおよびナトリウム、カリウム
などのアルカリイオンを除去した。
商品名テトラエチルシリケート40)800dに対し、
エチルアルコール450In1を加え、均一に溶解した
溶液を陽イオン交換樹脂(住友化学工業社製、商品名デ
ュオライトC−20>および陰イオン交換樹脂(住友化
学工業社製、商品名デュオライトA−1010)を夫々
充填したカラム中を11/hの流速で流下処理し、溶液
中に存在する微量のウランおよびナトリウム、カリウム
などのアルカリイオンを除去した。
この精製工程を経た上記オリゴマー溶液にイオン交換水
120dを加え、空温下でテフロン攪拌羽根を用いて攪
拌しつつ、1N−HCj12dを徐々に滴下した。滴下
修了して10〜12分後、溶液はその内部発熱により6
5〜68℃まで昇温する。次いで湯浴温度を65〜70
”Cに保持しつつ4時間加水分解を行った。これにより
白濁していた混合溶液は粘稠透明状溶液となった。
120dを加え、空温下でテフロン攪拌羽根を用いて攪
拌しつつ、1N−HCj12dを徐々に滴下した。滴下
修了して10〜12分後、溶液はその内部発熱により6
5〜68℃まで昇温する。次いで湯浴温度を65〜70
”Cに保持しつつ4時間加水分解を行った。これにより
白濁していた混合溶液は粘稠透明状溶液となった。
次に広口容器に上記粘稠透明状の溶液を移し、30℃に
て16時間放置してゲル化させた。
て16時間放置してゲル化させた。
その後、得られた透明ゲル化物を粗砕し、80〜100
℃にて12時間加熱乾燥させ、次いで200℃、300
℃、400’C1600’Cに82時間加熱させたのち
、800℃で6時間の最終熱処理を行った。その結果、
純白の酸化珪素粉末320gが得られた。このもののテ
トラエチルシリケートオリゴマーに対する収率は40%
であった。
℃にて12時間加熱乾燥させ、次いで200℃、300
℃、400’C1600’Cに82時間加熱させたのち
、800℃で6時間の最終熱処理を行った。その結果、
純白の酸化珪素粉末320gが得られた。このもののテ
トラエチルシリケートオリゴマーに対する収率は40%
であった。
得られた合成酸化珪素中のウラン量を蛍光分析法により
調べたところi ppb以下であった。またガス70−
比例計数管方式(住友アルミニウム製練社製、LAC3
−1000>によりα線束密度を測定したところ、0.
002c o u n t/ci−h以下であった。
調べたところi ppb以下であった。またガス70−
比例計数管方式(住友アルミニウム製練社製、LAC3
−1000>によりα線束密度を測定したところ、0.
002c o u n t/ci−h以下であった。
同様に原子吸光分析法により求めたナトリウム、カリウ
ムの含有量は何れもlppm以下であった。
ムの含有量は何れもlppm以下であった。
(2)封止用樹脂組成物の製造
クレゾールノボラックエポキシ樹脂150重量部、臭素
化タレゾールノボラックエポキシ樹脂45重量部、フェ
ノールノボラック樹脂87重量部からなる樹脂組成物に
(1)で得た合成酸化珪素粉末688重量部、三酸化ア
ンチモン5.6重量部、カーボンブラック3重量部、ワ
ックス4.4重量部、および促進剤として2−フェニル
−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール2.
5重量部を添加して熱2本ロールにて65〜70℃で6
分間混合した後粉砕し、電子部品封止用樹脂組成物■を
得た。
化タレゾールノボラックエポキシ樹脂45重量部、フェ
ノールノボラック樹脂87重量部からなる樹脂組成物に
(1)で得た合成酸化珪素粉末688重量部、三酸化ア
ンチモン5.6重量部、カーボンブラック3重量部、ワ
ックス4.4重量部、および促進剤として2−フェニル
−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール2.
5重量部を添加して熱2本ロールにて65〜70℃で6
分間混合した後粉砕し、電子部品封止用樹脂組成物■を
得た。
なお比較例として上記実施例における合成酸化珪素の代
りに同用途に市販されている天然珪石を熔融して作った
シリカRD−8(龍森社製)を用いたほかは実施例と同
一配合にして樹脂組成物■を作製した。
りに同用途に市販されている天然珪石を熔融して作った
シリカRD−8(龍森社製)を用いたほかは実施例と同
一配合にして樹脂組成物■を作製した。
次いで上記実施例で得たこの発明の樹脂組成物■と比較
例としての樹脂組成物■について、ウラン含有量、α線
含有量、成型流動性、曲げ強さ、線膨張係数、体積抵抗
率なでを測定したところ下記第1表に示す結果が得られ
た。
例としての樹脂組成物■について、ウラン含有量、α線
含有量、成型流動性、曲げ強さ、線膨張係数、体積抵抗
率なでを測定したところ下記第1表に示す結果が得られ
た。
第1表
〈発明の効果〉
上表から、この発明の電子部品封止用樹脂組成は、天然
珪石を熔融して得たシリカを含有した比較例の樹脂組成
物に比べて、ウラン、トリウムに起因するα線量が格段
に少ないのみならず、電気特性、耐煮沸性、機械特性に
おいて問題となるような点は全く見られなかった。
珪石を熔融して得たシリカを含有した比較例の樹脂組成
物に比べて、ウラン、トリウムに起因するα線量が格段
に少ないのみならず、電気特性、耐煮沸性、機械特性に
おいて問題となるような点は全く見られなかった。
また、線膨張係数が小ざく、成型時の流動性がよく、パ
リ発生も少なく成型金型からの離型効果にもすぐれてい
ることが認められた。
リ発生も少なく成型金型からの離型効果にもすぐれてい
ることが認められた。
Claims (5)
- (1)精製された加水分解し得る基を有する金属アルコ
キシドを加水分解したのち、乾燥、粉砕、加熱酸化して
得られる合成無機質金属酸化物と合成樹脂とよりなる電
子部品封止用樹脂組成物。 - (2)合成無機質金属酸化物はその平均粒径が0.5〜
120μmである特許請求の範囲第1項記載の電子部品
封止用樹脂組成物。 - (3)合成無機質金属酸化物を合成樹脂100重量部に
対し、50〜800重量部用いる特許請求の範囲第1項
記載の電子部品封止用樹脂組成物。 - (4)合成樹脂がエポキシ樹脂、シリコン樹脂、エポキ
シ−シリコン変性樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性
樹脂である特許請求の範囲第1項または第3項記載の電
子部品封止用樹脂組成物。 - (5)合成樹脂がポリフェニレンサルファイド樹脂、ポ
リフエニレンオキサイドド樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート樹脂などの熱可塑性樹脂である特許請求の範囲第
1項または第3項記載の電子部品封止用樹脂組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60025921A JPS61190556A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子部品封止用樹脂組成物 |
US06/829,095 US4683253A (en) | 1985-02-12 | 1986-02-12 | Resin molding compound for sealing electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60025921A JPS61190556A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子部品封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61190556A true JPS61190556A (ja) | 1986-08-25 |
JPS635429B2 JPS635429B2 (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=12179240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60025921A Granted JPS61190556A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子部品封止用樹脂組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4683253A (ja) |
JP (1) | JPS61190556A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4999699A (en) * | 1990-03-14 | 1991-03-12 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure and process for making |
AUPN124595A0 (en) * | 1995-02-21 | 1995-03-16 | University Of Queensland, The | An RF resonator for NMR |
KR100968102B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2010-07-06 | 교와 가가꾸고교 가부시키가이샤 | 낮은 우라늄(u) 함량의 히드로탈사이트 화합물 및 그것의 제조 방법 |
JP4004160B2 (ja) | 1998-09-21 | 2007-11-07 | 協和化学工業株式会社 | ウラン(u)含量の少ないハイドロタルサイト類化合物およびその製造法 |
US7457037B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-11-25 | Corning Incorporated | Transparent polarizing optical products and fabrication thereof |
KR101152545B1 (ko) * | 2010-02-10 | 2012-06-01 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 패널이 구비된 평판표시장치 |
CN109411311B (zh) * | 2018-10-16 | 2021-02-02 | 南京萨特科技发展有限公司 | 一种熔断器用灭弧浆料及其制备方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53102361A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-06 | Toray Silicone Co Ltd | Thermosetting resin composition |
JPS5443021A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-05 | Minolta Camera Co Ltd | F/stop digital value display device of cameras |
JPS5698845A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
JPS57195151A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Low-radioactive resin composition |
JPS58138740A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂組成物 |
JPS58140142A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電子部品被覆用組成物 |
JPS58151318A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 |
JPS5923403A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-06 | 信越化学工業株式会社 | 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 |
JPS5959737A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Nippon Steel Corp | 無機充填樹脂組成物の製造方法 |
JPS5991137A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂組成物 |
JPS59168043A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂組成物 |
JPS59204633A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 低放射能樹脂組成物 |
JPS60210643A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 充填剤及びその組成物 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2941895A (en) * | 1956-09-11 | 1960-06-21 | Du Pont | Pigmentary product and process for making same |
NL283472A (ja) * | 1959-02-27 | 1900-01-01 | ||
US4068024A (en) * | 1970-11-24 | 1978-01-10 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler | Process for preparing finely divided hydrophobic oxide particles |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60025921A patent/JPS61190556A/ja active Granted
-
1986
- 1986-02-12 US US06/829,095 patent/US4683253A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53102361A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-06 | Toray Silicone Co Ltd | Thermosetting resin composition |
JPS5443021A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-05 | Minolta Camera Co Ltd | F/stop digital value display device of cameras |
JPS5698845A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
JPS57195151A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Low-radioactive resin composition |
JPS58138740A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂組成物 |
JPS58140142A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電子部品被覆用組成物 |
JPS58151318A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 |
JPS5923403A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-06 | 信越化学工業株式会社 | 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物 |
JPS5959737A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Nippon Steel Corp | 無機充填樹脂組成物の製造方法 |
JPS5991137A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂組成物 |
JPS59168043A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂組成物 |
JPS59204633A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 低放射能樹脂組成物 |
JPS60210643A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 充填剤及びその組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS635429B2 (ja) | 1988-02-03 |
US4683253A (en) | 1987-07-28 |
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