JPS61187918A - ドライ・エツチング方法 - Google Patents
ドライ・エツチング方法Info
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- JPS61187918A JPS61187918A JP60029954A JP2995485A JPS61187918A JP S61187918 A JPS61187918 A JP S61187918A JP 60029954 A JP60029954 A JP 60029954A JP 2995485 A JP2995485 A JP 2995485A JP S61187918 A JPS61187918 A JP S61187918A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- membrane
- dry etching
- etching
- dry
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Drying Of Gases (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハー又は半導体デバイスの製造工
程において行われるドライ・エッチング工程に関するも
のである。
程において行われるドライ・エッチング工程に関するも
のである。
本発明の目的は、半導体ウエノ・−又は半導体デバイス
の製造工程のうちのドライ・エッチング工程を改良し、
半導体ウニ・・−又は半導体デノ（イスの収率、品質等
を向上させることにある。
の製造工程のうちのドライ・エッチング工程を改良し、
半導体ウニ・・−又は半導体デノ（イスの収率、品質等
を向上させることにある。
従来、上記ドライ・エッチング工程に用いられるガスは
、■市販の高純度ガスをそのまま用いる方法と■市販の
高純度ガスをさらに、モレキュラーシーブに通し乾燥し
た後、用いる方法の二種がある。
、■市販の高純度ガスをそのまま用いる方法と■市販の
高純度ガスをさらに、モレキュラーシーブに通し乾燥し
た後、用いる方法の二種がある。
■の方法は、高純度ガスと云えども、ボンベより取り出
す最初の部分は、高純度であるが、ボンベ中の中味が減
り、圧力が低下して来ると、含水率がだんだんと上昇し
て来ることが知られている。
す最初の部分は、高純度であるが、ボンベ中の中味が減
り、圧力が低下して来ると、含水率がだんだんと上昇し
て来ることが知られている。
この含水率が上昇すると、製品の歩留りを低下させ、か
つ合格品と云えども品質の低下が起るという問題点が指
摘されている。又、ガスの品質が経時的に変化するとい
うことは、生産技術としてコントロールがむづかしく、
これも問題点とされている。さらに水分があると塩化水
素、三塩化ホウ素など、腐蝕性ガスの場合は、ＳＵＳ配
管を腐蝕させ、金属が剥離して来たりするので、一定期
間毎に新しいものと交換しているという問題点もある。
つ合格品と云えども品質の低下が起るという問題点が指
摘されている。又、ガスの品質が経時的に変化するとい
うことは、生産技術としてコントロールがむづかしく、
これも問題点とされている。さらに水分があると塩化水
素、三塩化ホウ素など、腐蝕性ガスの場合は、ＳＵＳ配
管を腐蝕させ、金属が剥離して来たりするので、一定期
間毎に新しいものと交換しているという問題点もある。
一方、■のモレキュラーシープを使って使用直前に含水
率を低下させる（除湿する）方法も一部で使われている
。
率を低下させる（除湿する）方法も一部で使われている
。
モレキュラーシーブは、一般のガスを露点−７０℃以下
に乾燥させる事は比較的容易であり、又潮解や膨潤等の
障害は起さない物理的乾燥剤として広く利用されている
。
に乾燥させる事は比較的容易であり、又潮解や膨潤等の
障害は起さない物理的乾燥剤として広く利用されている
。
しかしながら、このモレキュラシープは一般に行われる
加熱再生において、２００〜４００℃の高温を長時間必
要とし、加熱再生のくり返えし使用により浮遊塵が発生
するという欠点を有している。又、塩化水素ガス等の酸
性ガスによりモレキュラーシープの破砕が起こり、それ
が浮遊塵の原因となる。
加熱再生において、２００〜４００℃の高温を長時間必
要とし、加熱再生のくり返えし使用により浮遊塵が発生
するという欠点を有している。又、塩化水素ガス等の酸
性ガスによりモレキュラーシープの破砕が起こり、それ
が浮遊塵の原因となる。
この方法を半導体製造用としてドライエツチングガス忙
適用すると、（１）モレキュラーシープより微粒子が発
生するので、フィルターと組み合わせて使用されるが、
フィルターで微粒子を完全に除去することは、実際上不
可能であり、収率低下、品質低下をきたす恐れがある、
（１１）モレキュラーシープの寿命が短かく、再生はむ
づかしいので、吸水能力が低下する前に、１回かぎりの
使いすてで使われているため、コストが極めて高いもの
についてしまう、といった二つの問題点がある。これら
の問題点は２５６にビットのレベルでは大きな問題とな
っていないが、今後、集積度が上り、１メガビツト、４
メガビツトとなると決定的問題点としてクローズアップ
されることはまちがいないと予想される。
適用すると、（１）モレキュラーシープより微粒子が発
生するので、フィルターと組み合わせて使用されるが、
フィルターで微粒子を完全に除去することは、実際上不
可能であり、収率低下、品質低下をきたす恐れがある、
（１１）モレキュラーシープの寿命が短かく、再生はむ
づかしいので、吸水能力が低下する前に、１回かぎりの
使いすてで使われているため、コストが極めて高いもの
についてしまう、といった二つの問題点がある。これら
の問題点は２５６にビットのレベルでは大きな問題とな
っていないが、今後、集積度が上り、１メガビツト、４
メガビツトとなると決定的問題点としてクローズアップ
されることはまちがいないと予想される。
又、これら半導体関係のガスの除湿とは、全く関係はな
いが、一般にガスの除湿方法として高分子薄膜を使う方
法は特開昭５３−９７２４６号、特開昭５４−１５２６
７９号に知られているが、これらの方法を、半導体製造
用ガスの除湿に用いるという記載は一切ない。
いが、一般にガスの除湿方法として高分子薄膜を使う方
法は特開昭５３−９７２４６号、特開昭５４−１５２６
７９号に知られているが、これらの方法を、半導体製造
用ガスの除湿に用いるという記載は一切ない。
又、これらに開示されている膜では、半導体関係のドラ
イ・エッチングガス忙必要な露点−７０℃以下（含水率
２．５ｐｐｍ以下）といった、高度の乾燥状態に除湿す
ることはできない。
イ・エッチングガス忙必要な露点−７０℃以下（含水率
２．５ｐｐｍ以下）といった、高度の乾燥状態に除湿す
ることはできない。
使い捨て方式のモレキュラーシーブ吸着法がランニング
コストが高価で、且つゴミが発生する恐れがある。又、
乾燥剤がない場合は、ガスボンベから出て来るガスの品
質に経時変化を起こす場合があり、工程コントロールが
難しく、ひいては製品である半導体ウェハー、半導体デ
バイス又はその中間製品の品質に悪影響を及ぼすもので
ある。
コストが高価で、且つゴミが発生する恐れがある。又、
乾燥剤がない場合は、ガスボンベから出て来るガスの品
質に経時変化を起こす場合があり、工程コントロールが
難しく、ひいては製品である半導体ウェハー、半導体デ
バイス又はその中間製品の品質に悪影響を及ぼすもので
ある。
更に、従来の乾燥剤の無い製造工程では、品質や収率の
みでなく、腐蝕性ガスに微量の水分が混入しても、ガス
ボンベから反応装置までガスを導く金属製配管や金属製
ガス流量調整器等が腐蝕する原因となり、半年から少く
とも２年に１回程度取り替えねば金属の腐蝕により重金
属やゴミが飛散する発生源となる。同時にこの費用も大
きくコストアップの要因の１つである〇 従って、ランニングコストが廉価でゴミや不純物が発生
せず且つ露点も一７０℃以下という乾燥度、特に腐蝕性
ガスの露点−７０’Ｃ以下の乾燥度を得られる方法は、
広く半導体市場において開発が期待されるニーズの強い
技術であった。
みでなく、腐蝕性ガスに微量の水分が混入しても、ガス
ボンベから反応装置までガスを導く金属製配管や金属製
ガス流量調整器等が腐蝕する原因となり、半年から少く
とも２年に１回程度取り替えねば金属の腐蝕により重金
属やゴミが飛散する発生源となる。同時にこの費用も大
きくコストアップの要因の１つである〇 従って、ランニングコストが廉価でゴミや不純物が発生
せず且つ露点も一７０℃以下という乾燥度、特に腐蝕性
ガスの露点−７０’Ｃ以下の乾燥度を得られる方法は、
広く半導体市場において開発が期待されるニーズの強い
技術であった。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明によれ
ば、ドライ・エッチングに用いるガスを、陽イオン交換
基を有するフッ素系共重合体に接触させ、他方の側に乾
燥したパージガスを接触させるか、又は他方の側を減圧
することにより、上記ドライ・エッチングに用いるガス
を除湿し、この除湿されたガスを用いて、半導体ウェハ
ー、半導体デバイス又はその中間製品をエツチングする
方法が提供される。
ば、ドライ・エッチングに用いるガスを、陽イオン交換
基を有するフッ素系共重合体に接触させ、他方の側に乾
燥したパージガスを接触させるか、又は他方の側を減圧
することにより、上記ドライ・エッチングに用いるガス
を除湿し、この除湿されたガスを用いて、半導体ウェハ
ー、半導体デバイス又はその中間製品をエツチングする
方法が提供される。
本発明において用いる陽イオン交換基を有するフッ素系
共重合体としてはスルホン酸基、カルボン酸基、リン酸
基の如き陽イオン交換基を有するものが好ましい。製造
の容易さ、膜の含水率の大きさ、熱安定性の点でスルホ
ン酸基を有するフッ素系共重合体を用いることが最も優
れている。
共重合体としてはスルホン酸基、カルボン酸基、リン酸
基の如き陽イオン交換基を有するものが好ましい。製造
の容易さ、膜の含水率の大きさ、熱安定性の点でスルホ
ン酸基を有するフッ素系共重合体を用いることが最も優
れている。
スルホン酸基を有するフッ素系共重合体としては、種々
の構造のものがあるが、そのうち特に一般式（１） （式中ｍ＝ｏ又は１、ｎ＝＝２〜５の整数）で示される
繰り返し単位を含むフッ素系共重合体が好ましい。
の構造のものがあるが、そのうち特に一般式（１） （式中ｍ＝ｏ又は１、ｎ＝＝２〜５の整数）で示される
繰り返し単位を含むフッ素系共重合体が好ましい。
上記フッ素系共重合体としてにテトラフロロエチレン、
トリフロロエチレン、パーフロロビニルエーテル、ビニ
リデンフロライド、フッ化ビニル等ノフッ素化オレフイ
ルと一般式（■）ＯＦ。
トリフロロエチレン、パーフロロビニルエーテル、ビニ
リデンフロライド、フッ化ビニル等ノフッ素化オレフイ
ルと一般式（■）ＯＦ。
ＣＦ、＝ＯＦ−（ＯＣＦ２０Ｆ）ｒｎ−０−（ＣＦＱ）
ｎＳ０９Ｆ （ＩＩ）（ｍ＝０又は１、ｎ＝２〜５
の整数） であられされるパーフロロビニルエーテルモノマーを共
重合して得られるものが好ましい。
ｎＳ０９Ｆ （ＩＩ）（ｍ＝０又は１、ｎ＝２〜５
の整数） であられされるパーフロロビニルエーテルモノマーを共
重合して得られるものが好ましい。
また、上記フッ素系共重合体のスルホン・酸基はイオン
交換容量として共重合体中０．５〜２．５ミリ当量／グ
ラムＨＷ乾燥樹脂となる量として導入されているのが好
ましい。フッ素系共重合体のイオン交換容量が０．５〜
２．５ミリ当量／グラムＨ型乾燥樹脂の範囲内にするこ
とにより、水蒸気の透過速度は著しく低下したすせず、
また、共重合体の融点が高くなり過ぎず、高分子薄膜の
製造が容易であり、かつ、物理的強度が低下することな
く、高分子薄膜の形状保持も確保される。イオン交換容
量が０．８〜１．８ミリ当量／グラムＨ型乾燥樹脂であ
るのがより好ましい。
交換容量として共重合体中０．５〜２．５ミリ当量／グ
ラムＨＷ乾燥樹脂となる量として導入されているのが好
ましい。フッ素系共重合体のイオン交換容量が０．５〜
２．５ミリ当量／グラムＨ型乾燥樹脂の範囲内にするこ
とにより、水蒸気の透過速度は著しく低下したすせず、
また、共重合体の融点が高くなり過ぎず、高分子薄膜の
製造が容易であり、かつ、物理的強度が低下することな
く、高分子薄膜の形状保持も確保される。イオン交換容
量が０．８〜１．８ミリ当量／グラムＨ型乾燥樹脂であ
るのがより好ましい。
本発明に用いるフッ素系共重合体のスルホン酸基の塩型
としては、金属塩、アンモニア塩型を用いることも可能
であるが、５ＯａＨ型が最も含水率が高く水蒸気の透過
速度が大きく、熱安定性も十分あり好ましい。
としては、金属塩、アンモニア塩型を用いることも可能
であるが、５ＯａＨ型が最も含水率が高く水蒸気の透過
速度が大きく、熱安定性も十分あり好ましい。
フッ素系共重合体の形状としては平膜、チューブ状、中
空糸状膜いずれでもよいが特に単位体積あたりの膜面積
が大きく、処理能力の高い中空糸状膜が好ましい。特に
露点−７０℃以下という高い乾燥度を達成するには装置
の機密性も重要でその点からも中空糸状膜は好ましい。
空糸状膜いずれでもよいが特に単位体積あたりの膜面積
が大きく、処理能力の高い中空糸状膜が好ましい。特に
露点−７０℃以下という高い乾燥度を達成するには装置
の機密性も重要でその点からも中空糸状膜は好ましい。
本発明において使用される陽イオン交換基を有するフッ
素系共重合体の膜としては、上記一般式（１）で示され
る繰り返し単位を含むフッ素系共重合体の膜を加熱前処
理したものが好ましい。この膜の加熱前処理とは、一般
式（ＩＩ）で示されるモノマーと前記フッ素化オレフィ
ンとを共重合して得られるフッ素系共重合体を薄膜に成
型後アルカリで加水分解し、強酸で処理することにより
、末端基ＳＯ□ＦをＳ Ｏａ Ｈに変換した後肢重合体
を加熱処理することである。
素系共重合体の膜としては、上記一般式（１）で示され
る繰り返し単位を含むフッ素系共重合体の膜を加熱前処
理したものが好ましい。この膜の加熱前処理とは、一般
式（ＩＩ）で示されるモノマーと前記フッ素化オレフィ
ンとを共重合して得られるフッ素系共重合体を薄膜に成
型後アルカリで加水分解し、強酸で処理することにより
、末端基ＳＯ□ＦをＳ Ｏａ Ｈに変換した後肢重合体
を加熱処理することである。
該加熱処理は必要に応じてドライガス例えば露点−７０
℃以下の窒素ガス等をバージ１−ながら、あるいは減圧
下で実施できる。加熱処理温度は６０〜２５０℃が適当
である。温度が高すぎるとイオン交換基の脱離が生じ性
能が低下する恐れがある。加熱処理温度は７０〜２００
℃が特に好ましい。
℃以下の窒素ガス等をバージ１−ながら、あるいは減圧
下で実施できる。加熱処理温度は６０〜２５０℃が適当
である。温度が高すぎるとイオン交換基の脱離が生じ性
能が低下する恐れがある。加熱処理温度は７０〜２００
℃が特に好ましい。
上記共重合体は上記加熱処理により数十％の収縮を起こ
し、上記加熱処理膜を用いることにより気体を露点−７
０℃以下の高度に除湿することができる。
し、上記加熱処理膜を用いることにより気体を露点−７
０℃以下の高度に除湿することができる。
本発明の方法において乾燥の対象となるガスは、通常は
一般に市場で得られるボンベに充填されたガスであり、
水蒸気濃度はそれ程高くないガスである。
一般に市場で得られるボンベに充填されたガスであり、
水蒸気濃度はそれ程高くないガスである。
ボンベに充填されているガスについては通常数ｐｐｍ〜
数十ｐｐｍ程度であるが、場合により１１００ｐｐ以上
のものもある。
数十ｐｐｍ程度であるが、場合により１１００ｐｐ以上
のものもある。
対象ガスの濃度に応じて水分分離器の膜面積を変えたり
多段にしたりして目的の除湿レベルのものを得ることが
できる。
多段にしたりして目的の除湿レベルのものを得ることが
できる。
本発明において、半導体ウェハーとはシリコンウェハー
、ガリウムーヒ素ウェハーなど全ての半導体ウニ・・−
を含む。半導体デバイスとはＩＣ。
、ガリウムーヒ素ウェハーなど全ての半導体ウニ・・−
を含む。半導体デバイスとはＩＣ。
ＬＳＩなど全ての半導体デバイスを含む。又、ドライ・
エッチングとは、半導体ウェハー又は半導体デバイスの
製造工程において、シリコン、ポリシリコン、５ＩＢＮ
４、ホトレジスト、５ｉ０４％ ＰＳＧ 。
エッチングとは、半導体ウェハー又は半導体デバイスの
製造工程において、シリコン、ポリシリコン、５ＩＢＮ
４、ホトレジスト、５ｉ０４％ ＰＳＧ 。
” ｓ ＭＯ、Ｗ、 Ｔｌ などを、ガスを用いて化
学的にエツチングすることである。
学的にエツチングすることである。
本発明で使用する膜は、厚さ数〜数百ミクロンの薄膜で
あるのが好ましい。膜厚については薄げれば薄い捏水蒸
気の透過性が大きくなり、性能が向上し、好ましいが、
成形性、耐圧性から制限を受ける。中空糸膜の場合は、
中空糸の径にもよるが内径４００〜５００μのものにつ
いては、膜厚４０〜６０μが好ましい。
あるのが好ましい。膜厚については薄げれば薄い捏水蒸
気の透過性が大きくなり、性能が向上し、好ましいが、
成形性、耐圧性から制限を受ける。中空糸膜の場合は、
中空糸の径にもよるが内径４００〜５００μのものにつ
いては、膜厚４０〜６０μが好ましい。
乾燥したパージガスとは、エツチング用ガスに含まれる
水分を、膜を介して除去する目的で送り込まれるガスで
あり、液化窒素の気化物が最も好ましい。
水分を、膜を介して除去する目的で送り込まれるガスで
あり、液化窒素の気化物が最も好ましい。
エツチングに用いるガスとはＨＣＩ ｌ ｃＦ４１
”ＱＦ６ｐＣＢｒＦ、 、 ０ＦＢＯＩ 、 ０Ｆ
ＩＩＣ！２ 、 ＮＦａ ＊ ＯＩＩ＋ Ｃ３Ｆ
ＩＩ？０４Ｆｇ ＋ ＣＨＦ６ 、 ＢＯＩＢ 、
００１４ Ｈ０１ｇ ＋ Ｂｒｇ ｙ ＨＢｒｔＳ
ＩＣ１４などエツチングに用いることができるガス全て
を含む。
”ＱＦ６ｐＣＢｒＦ、 、 ０ＦＢＯＩ 、 ０Ｆ
ＩＩＣ！２ 、 ＮＦａ ＊ ＯＩＩ＋ Ｃ３Ｆ
ＩＩ？０４Ｆｇ ＋ ＣＨＦ６ 、 ＢＯＩＢ 、
００１４ Ｈ０１ｇ ＋ Ｂｒｇ ｙ ＨＢｒｔＳ
ＩＣ１４などエツチングに用いることができるガス全て
を含む。
被乾燥ガスは陽イオン交換基を有するフッ素系共重合体
の膜のいずれの側に供給してもよい。膜をへだてて水分
の透過側に露点−７０’Ｃ以上の乾燥ガスを流したり、
真空ポンプ等で減圧したりすることによって膜透過の駆
動力である分圧差を生じさせ、高度乾燥の目的を達成す
ることができる。
の膜のいずれの側に供給してもよい。膜をへだてて水分
の透過側に露点−７０’Ｃ以上の乾燥ガスを流したり、
真空ポンプ等で減圧したりすることによって膜透過の駆
動力である分圧差を生じさせ、高度乾燥の目的を達成す
ることができる。
ここで、減圧とは、大気圧より低い圧力をいい、数百〜
数百分の１ｉｍＨｇが好ましい。
数百分の１ｉｍＨｇが好ましい。
以下、実施例にて、本発明を説明するが、これは−例を
示すものであり、本発明はこれに限定されるものではな
い。
示すものであり、本発明はこれに限定されるものではな
い。
実施例−１
スルホン酸基を有する下記の化学構造式の繰り返し単位
なモル比で１０％含有するポリテトラフルオロエチレン
共重合体の中空糸膜を作成した◎中空糸の内径は５００
μ、外径６２０μ（膜厚６０μ）であった。この中空糸
膜４２０本を束ね゛第１図に示すようなモジュールを作
成した。
なモル比で１０％含有するポリテトラフルオロエチレン
共重合体の中空糸膜を作成した◎中空糸の内径は５００
μ、外径６２０μ（膜厚６０μ）であった。この中空糸
膜４２０本を束ね゛第１図に示すようなモジュールを作
成した。
中空糸膜の有効長は約３８ｃＩｒＬであった。一方、比
較用として特開昭５４−１５２６７９号の実施例１の追
試を行ない、内径１５０μ、外径１７５μ（膜厚１２．
５μ）の再生セルロースの中空糸膜な作りこの中空糸４
２０本を束ね、第１図と同じモジュールを作成した。中
空糸膜の有効長は約３８ｃｍであった。又、比較用のモ
レキュラーシープは、市販品を用いた。
較用として特開昭５４−１５２６７９号の実施例１の追
試を行ない、内径１５０μ、外径１７５μ（膜厚１２．
５μ）の再生セルロースの中空糸膜な作りこの中空糸４
２０本を束ね、第１図と同じモジュールを作成した。中
空糸膜の有効長は約３８ｃｍであった。又、比較用のモ
レキュラーシープは、市販品を用いた。
一方、エツチングのさいの歩留り（収率）と品質を評価
するモデルとして、シリコンウェハーを５枚とり各モジ
ュール及びモレキュラーシーブに、含水率２０ ｐｐｍ
のＨＣｊｌガスを通した後、エツチングを行なった。膜
の外側はモジュールの排気ロアをとし、６を真空ポンプ
につなぎ１０−２ｍＨｇ Ｋ減圧した０得られたエツチ
ング済みウェハーを、ミラーテストにより、輝点の数を
カウントし、比較した。輝点は、水分又は微粒子に起因
する傷である。その結果、第１表のようＫ、輝点の数は
、本発明のモジュールが圧倒的に少なく、その効果が実
証された。
するモデルとして、シリコンウェハーを５枚とり各モジ
ュール及びモレキュラーシーブに、含水率２０ ｐｐｍ
のＨＣｊｌガスを通した後、エツチングを行なった。膜
の外側はモジュールの排気ロアをとし、６を真空ポンプ
につなぎ１０−２ｍＨｇ Ｋ減圧した０得られたエツチ
ング済みウェハーを、ミラーテストにより、輝点の数を
カウントし、比較した。輝点は、水分又は微粒子に起因
する傷である。その結果、第１表のようＫ、輝点の数は
、本発明のモジュールが圧倒的に少なく、その効果が実
証された。
第 １ 表
＊５枚の平均値
〔発明の効果〕
本発明の効果をまとめると以下の通りである。
■ドライエツチングガスが高度に乾燥され、このガスを
用いてドライ・エッチングするために、半導体ウェハー
、半導体ディバイス又はその中間製品のエツチング製品
の収率が上り、品質が向上する。
用いてドライ・エッチングするために、半導体ウェハー
、半導体ディバイス又はその中間製品のエツチング製品
の収率が上り、品質が向上する。
■ドライ・エッチングガス中の水分が一定となるためエ
ツチング製品の品質及び収率の経時変化がない。
ツチング製品の品質及び収率の経時変化がない。
■膜分離のためドライ・エッチングガスにゴミが混入せ
ず、エツチング製品の収率・品質がともに向上する。
ず、エツチング製品の収率・品質がともに向上する。
■ガス中の水分の減少のため配管の腐蝕が防止され、微
細金属不純物が発生しない。
細金属不純物が発生しない。
■配管、バルブ、流量計など金属器具の腐蝕が防げ、ド
ライ・エッチング装置・器具の寿命が大巾に伸びるため
コストダウンになる。
ライ・エッチング装置・器具の寿命が大巾に伸びるため
コストダウンになる。
■水の分解によってＨ２とＯＩＩを生じるが、このＯＱ
による予期しない酸化不純物の発生が防げる。
による予期しない酸化不純物の発生が防げる。
■ドライ・エッチングガスが水分と化学反応を起し所期
の目的が得られないようになるのを防止し得る。（ガス
中の水分がリアクターの中の非常に微少なすき間に残っ
た時、次に来るガス、例えば５ｘＣ１４やＳ １ＨＯｌ
ａが入ってくれば、この水分と化学反応を起し、所期
の目的を得られない結果になる。）■例えば、Ｈｏｔガ
スの場合などでは、３〜４ナインのＨｏｔガスが６〜７
ナインまで純度が向上する為１グレード下の安価なＨｏ
ｔガスが使用可能となり大巾なコストダウンになる。
の目的が得られないようになるのを防止し得る。（ガス
中の水分がリアクターの中の非常に微少なすき間に残っ
た時、次に来るガス、例えば５ｘＣ１４やＳ １ＨＯｌ
ａが入ってくれば、この水分と化学反応を起し、所期
の目的を得られない結果になる。）■例えば、Ｈｏｔガ
スの場合などでは、３〜４ナインのＨｏｔガスが６〜７
ナインまで純度が向上する為１グレード下の安価なＨｏ
ｔガスが使用可能となり大巾なコストダウンになる。
以上のように本発明は、その効果がきわめて多くかつ大
きいものであり、その工業的意義は大きい。
きいものであり、その工業的意義は大きい。
第１図は、本発明のモジュールの例である。図において
、１は中空糸膜、２は接着部、３はノ・ウジング、４は
原料ガス入口、５は乾燥ガス出口、６はパージガス入口
又は減圧のための排気口、７はパージガス出口又は減圧
のための排気口である。 中空糸膜は、４及び５へ開口しており、糸束の入ってい
る室と４及び５は、気密状態に隔離されている。
、１は中空糸膜、２は接着部、３はノ・ウジング、４は
原料ガス入口、５は乾燥ガス出口、６はパージガス入口
又は減圧のための排気口、７はパージガス出口又は減圧
のための排気口である。 中空糸膜は、４及び５へ開口しており、糸束の入ってい
る室と４及び５は、気密状態に隔離されている。
Claims (1)
- （１）ドライ・エッチングに用いるガスを、陽イオン交
換基を有するフッ素系共重合体の膜の一方の側に接触さ
せ他方の側に乾燥したパージガスを接触させるか、又は
他方の側を減圧することにより、上記ドライ・エッチン
グに用いるガスを除湿し、この除湿されたガスを用いて
、半導体ウェハー、半導体デバイス又はその中間製品を
エッチングする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029954A JPS61187918A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | ドライ・エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029954A JPS61187918A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | ドライ・エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61187918A true JPS61187918A (ja) | 1986-08-21 |
Family
ID=12290376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029954A Pending JPS61187918A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | ドライ・エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61187918A (ja) |
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