JPS62174765A - マスクリペア装置 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子製造用のホオトマスクやレチクル（
以下単にマスクという）のパタン欠Ｉｎ部（以下白色欠
陥部という）にガス銃によりを機化合物蒸気を吹き付け
、同時にイオンビームを走査して繰り返し照射し、白色
欠陥部に吸着した有機化合物分子をポリマー化又は炭化
し、遮光性の膜を付け（以下この操作を単に補修という
）白色欠陥を補修し又、パターン余剰部にイオンビーム
を繰り返し照射し、スパックエツチングにより黒色欠陥
部を補修する装置（以下黒色欠陥部という）に関する。
以下単にマスクという）のパタン欠Ｉｎ部（以下白色欠
陥部という）にガス銃によりを機化合物蒸気を吹き付け
、同時にイオンビームを走査して繰り返し照射し、白色
欠陥部に吸着した有機化合物分子をポリマー化又は炭化
し、遮光性の膜を付け（以下この操作を単に補修という
）白色欠陥を補修し又、パターン余剰部にイオンビーム
を繰り返し照射し、スパックエツチングにより黒色欠陥
部を補修する装置（以下黒色欠陥部という）に関する。
マスクの白色欠陥部に有機化合物蒸気を吹き付け同時に
イオンビームを走査させながら繰り返し照射することに
より白色欠陥部に補修を行いマスクの補修をし又、黒色
欠陥部にイオンビームを繰り返し照射し、スパッタエツ
チングにより黒色欠陥部を補修するマスクリペア装置に
おいて、マスクの任意の部分を参照パタンとして指定し
、イオンプローブで参照パタンを走査し、参照パタン画
像情報をメモリにビットマツプとして記憶する。
イオンビームを走査させながら繰り返し照射することに
より白色欠陥部に補修を行いマスクの補修をし又、黒色
欠陥部にイオンビームを繰り返し照射し、スパッタエツ
チングにより黒色欠陥部を補修するマスクリペア装置に
おいて、マスクの任意の部分を参照パタンとして指定し
、イオンプローブで参照パタンを走査し、参照パタン画
像情報をメモリにビットマツプとして記憶する。
次に補修範囲のみを所定回数イオンビームを走査して補
修を行う。その後再度参照パタンをイオンプローブで走
査しビットマツプを得る。先のビットマツプと今得られ
たビットマツプを比較し、得られたイオンビームのスポ
ット位置の変動による参照パタン画像の移動情報に基づ
き補修の補正を行い再びイオンの走査を操り返す、その
結果、補修操作中イオンビームのスポット位置が変動し
ても、常に一定範囲に補修を行うことができ精密なマス
クの補修ができる。
修を行う。その後再度参照パタンをイオンプローブで走
査しビットマツプを得る。先のビットマツプと今得られ
たビットマツプを比較し、得られたイオンビームのスポ
ット位置の変動による参照パタン画像の移動情報に基づ
き補修の補正を行い再びイオンの走査を操り返す、その
結果、補修操作中イオンビームのスポット位置が変動し
ても、常に一定範囲に補修を行うことができ精密なマス
クの補修ができる。
従来から第４図に示すようなマスクリペア装置が知られ
ていた。ｌはイオン源であってイオンビーム２を発する
。３は走査電極であってイオンビーム２のスポットをＸ
Ｙ平面上でラスクスキャンする。、４はガス銃であって
マスクの基板５の表面に配設された金属パタン６の欠陥
部すなわち白色欠陥部７に有機化合物蒸気８を吹き付け
る。９は補修範囲であって白色欠陥７を含み、この範囲
でイオンビーム２が繰り返し走査照射される。その結果
遮光性の補修が行われマスクの白色欠陥７の補修が行わ
れる。又更に黒色欠陥部（クレームの追加）はイオンビ
ームを走査させながら、繰り返しスパックエツチングに
より黒色欠陥部を除去する。
ていた。ｌはイオン源であってイオンビーム２を発する
。３は走査電極であってイオンビーム２のスポットをＸ
Ｙ平面上でラスクスキャンする。、４はガス銃であって
マスクの基板５の表面に配設された金属パタン６の欠陥
部すなわち白色欠陥部７に有機化合物蒸気８を吹き付け
る。９は補修範囲であって白色欠陥７を含み、この範囲
でイオンビーム２が繰り返し走査照射される。その結果
遮光性の補修が行われマスクの白色欠陥７の補修が行わ
れる。又更に黒色欠陥部（クレームの追加）はイオンビ
ームを走査させながら、繰り返しスパックエツチングに
より黒色欠陥部を除去する。
しかしながら、従来のマスクリペア装置ではイオンビー
ム走査照射を繰り返し行い補修を続ける間に、イオンビ
ームスポット位置の変動が生じた場合、補修範囲が変動
し精密な補（ぎができないという問題点があった。
ム走査照射を繰り返し行い補修を続ける間に、イオンビ
ームスポット位置の変動が生じた場合、補修範囲が変動
し精密な補（ぎができないという問題点があった。
本発明は上記の問題点を解決することを目的とする。そ
のために以下のマスクリペア装置の構成。
のために以下のマスクリペア装置の構成。
手段とした。
第２図に白色欠陥補修の手段を示す。
第２図（Ａｔ）において、６はマスク金属パタン、７は
白色欠陥である。まず白色欠陥７を含む一定の範囲を補
修範囲９としてマニアルで指定しメモリに記憶させる。
白色欠陥である。まず白色欠陥７を含む一定の範囲を補
修範囲９としてマニアルで指定しメモリに記憶させる。
この範囲で有機化合物蒸気吹き付け及びイオンビーム走
査照射を行い補修を行う。１０は参照パタン指定範囲で
あって任意の参照パタン１１を含む範囲に設定される。
査照射を行い補修を行う。１０は参照パタン指定範囲で
あって任意の参照パタン１１を含む範囲に設定される。
この参照パタン指定範囲１０内でイオンビームを走査し
、参照パタン１１から生じる２次荷電粒子を検出して、
参照パタン１１の画像情報をメモリに記憶する（以下上
記パタン認識方法をイオンプローブという）。
、参照パタン１１から生じる２次荷電粒子を検出して、
参照パタン１１の画像情報をメモリに記憶する（以下上
記パタン認識方法をイオンプローブという）。
次に第２図已において、補修範囲９内でイオンビーム２
を走査して基板５上に膜１２を付ける。
を走査して基板５上に膜１２を付ける。
しかしながら、イオン電流の変動等によりイオンビーム
のビームスポット位置が２°のように変動すると、膜の
位置が１２″のようにずれてしまう。
のビームスポット位置が２°のように変動すると、膜の
位置が１２″のようにずれてしまう。
かかるズレを補正し精密な補修を行うため、参照パタン
１１を利用する。
１１を利用する。
なお、参照パターンとして、第２図（Ａ１）の他、第２
図（Ａ２）のように複数のパターンを参照することも可
能である。
図（Ａ２）のように複数のパターンを参照することも可
能である。
第２図Ｃにおいて、所定回数イオンビーム走査を行い補
修を重ねた後、イオンプローブで参照パタン１１のパタ
ン画像情報を得る。そして先のパタン画像情報１１と後
のパタン画像情報１１’を比較し、その移動１１２を算
出する。移動量１３に基づいてメモリ上の補修範囲デー
タを補正し、イオンビームスポット位置の変動を補償し
常に現実の補修範囲を固定させる。ｉＡ色欠陥補修時も
同様にイオンビーム補修位置を補正し正確な補修を行う
。
修を重ねた後、イオンプローブで参照パタン１１のパタ
ン画像情報を得る。そして先のパタン画像情報１１と後
のパタン画像情報１１’を比較し、その移動１１２を算
出する。移動量１３に基づいてメモリ上の補修範囲デー
タを補正し、イオンビームスポット位置の変動を補償し
常に現実の補修範囲を固定させる。ｉＡ色欠陥補修時も
同様にイオンビーム補修位置を補正し正確な補修を行う
。
液体金属イオン源に用いられる引出電圧の変動。
イオン光学系の帯電による空間電界分布の歪み。
イオン照射による試料の帯電に基づく空間電界分布の歪
み等に起因してイオンビームスポットの位置が移動する
。その移動量を参照パタン画像情報の経時的な比較から
画像の移動情報として把握する。この移動情報に基づい
てメモリ上の補修範囲データを補正しイオンビームスポ
ット位置の変動を補正し、常にイオンビームが現実の補
修範囲を正確に走査照射するようにした。
み等に起因してイオンビームスポットの位置が移動する
。その移動量を参照パタン画像情報の経時的な比較から
画像の移動情報として把握する。この移動情報に基づい
てメモリ上の補修範囲データを補正しイオンビームスポ
ット位置の変動を補正し、常にイオンビームが現実の補
修範囲を正確に走査照射するようにした。
以下図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明に基づくマスクリペア装置の全体構成図
を示す。１はイオン源であってイオンビーム２を発する
０例えばガリウム液体金属イオン源が用いられる。８は
走査電極であってＸ及びＹ電極からなりイオンビームス
ポットをＸＹ平面内で所定範囲に渡り走査するものであ
る。１４は対物レンズであってイオンビーム２のスポッ
トを被照射物であるマスク１５の表面に結像させる。４
はガス銃であってマスク１５の白色欠陥部位に有機化合
物蒸気８ （例えばピレン）を吹き付けピレンの単分子
吸着層を形成する。これにイオンビームを走査しながら
照射しピレンをポリマー化又は炭化し薄膜を作る。この
操作を繰り返し薄膜を重ねて遮光性の膜を付け白色欠陥
を補修する。１６はＸＹステージであってマスク１５を
載置しＸＹはＹ方向に移動する。１６は検出器であって
あらかじめ設定された参照パタン走査範囲をイオンビー
ムで走査照射したとき参照パタンから発する２次荷電粒
子１７（例えばパタンかクロム金属よりできているとき
はＣ「イオン）の強度を検出する。１８はＡ／Ｄ変ｔａ
器であって、Ｃｒイオンの強度アナログデータを適切な
闇値の下デジタルビットデータに変換する。このデジタ
ルビットデータの平面分布が参照パタンの画像情報とな
る。１９は参照パタン記憶回路であって上記したデジタ
ル化された参照パタンの画像情報をビットマツプとして
メモリ上に記憶させるものである。この参照パタン画像
情報は定期的に参照パタンのイオンビーム走査照射を行
う毎に更新される。２０は初期参照パタンメモリであっ
て、参照パタン記憶回路１９から一番最初（時にはその
後のもの）の参照パタン画像情報をビットマツプとして
記憶するものであり、これは更新されない、２１は移動
量演算回路であって、参照パタン記憶回路１９に保持さ
れている最新の参照パタン画像情報と、初期参照パタン
メモリ２０に保持されている初期参照パタン画像情報を
比較して参照パタンの位置的ズレ（イオンビームスポッ
トの位置変動に起因する）を計算する。２２は補修範囲
指定回路であって、欠陥部を含む所定の範囲を補修範囲
として指定する。２３は補修範囲記憶回路であって指定
された補修範囲をビットマツプ上に記憶するものである
。補修範囲記憶回路２３には移動量演算回路２１からの
出力が入力されており、参照パタンの位置的ズレ情報（
以下移動情報という）に基づき、補修範囲を特定するビ
ットマツプを補正する。２４はイオンビーム走査制御回
路であって、補修範囲記憶回路２３の出力に応じて、イ
オンビーム走査を制御し所定部分にイオンビームを向け
る。
を示す。１はイオン源であってイオンビーム２を発する
０例えばガリウム液体金属イオン源が用いられる。８は
走査電極であってＸ及びＹ電極からなりイオンビームス
ポットをＸＹ平面内で所定範囲に渡り走査するものであ
る。１４は対物レンズであってイオンビーム２のスポッ
トを被照射物であるマスク１５の表面に結像させる。４
はガス銃であってマスク１５の白色欠陥部位に有機化合
物蒸気８ （例えばピレン）を吹き付けピレンの単分子
吸着層を形成する。これにイオンビームを走査しながら
照射しピレンをポリマー化又は炭化し薄膜を作る。この
操作を繰り返し薄膜を重ねて遮光性の膜を付け白色欠陥
を補修する。１６はＸＹステージであってマスク１５を
載置しＸＹはＹ方向に移動する。１６は検出器であって
あらかじめ設定された参照パタン走査範囲をイオンビー
ムで走査照射したとき参照パタンから発する２次荷電粒
子１７（例えばパタンかクロム金属よりできているとき
はＣ「イオン）の強度を検出する。１８はＡ／Ｄ変ｔａ
器であって、Ｃｒイオンの強度アナログデータを適切な
闇値の下デジタルビットデータに変換する。このデジタ
ルビットデータの平面分布が参照パタンの画像情報とな
る。１９は参照パタン記憶回路であって上記したデジタ
ル化された参照パタンの画像情報をビットマツプとして
メモリ上に記憶させるものである。この参照パタン画像
情報は定期的に参照パタンのイオンビーム走査照射を行
う毎に更新される。２０は初期参照パタンメモリであっ
て、参照パタン記憶回路１９から一番最初（時にはその
後のもの）の参照パタン画像情報をビットマツプとして
記憶するものであり、これは更新されない、２１は移動
量演算回路であって、参照パタン記憶回路１９に保持さ
れている最新の参照パタン画像情報と、初期参照パタン
メモリ２０に保持されている初期参照パタン画像情報を
比較して参照パタンの位置的ズレ（イオンビームスポッ
トの位置変動に起因する）を計算する。２２は補修範囲
指定回路であって、欠陥部を含む所定の範囲を補修範囲
として指定する。２３は補修範囲記憶回路であって指定
された補修範囲をビットマツプ上に記憶するものである
。補修範囲記憶回路２３には移動量演算回路２１からの
出力が入力されており、参照パタンの位置的ズレ情報（
以下移動情報という）に基づき、補修範囲を特定するビ
ットマツプを補正する。２４はイオンビーム走査制御回
路であって、補修範囲記憶回路２３の出力に応じて、イ
オンビーム走査を制御し所定部分にイオンビームを向け
る。
２５は参照パタン指定回路であって、マニアルによりマ
スクの任意の部分を参照パタンとして選択し、参照パタ
ンを含む所定の走査範囲を指定する。参照パタン指定回
路２５の出力はイオンビーム走査制御回路２４に入力さ
れ、定期的に参照パタン指定範囲の走査を行う。２６は
カウンターであってイオンビーム走査制御回路２４の出
力に接続され、補修のためのイオンビーム走査回数１フ
レーム数という）を計測する。その出力を参照パタン記
ｔα回路１９に入力し、定期的に、参照パタン画像情報
を表すビットマツプを更新する。２７は走査回路であっ
てイオンビーム走査制御回路２４の出力に従って、走査
電圧（図のＸ及びＹ波形でありラスクスキャン用である
）を走査電極計に供給する。なお第１図において点線で
囲んだ部分はコンピュータ２３に内蔵される。
スクの任意の部分を参照パタンとして選択し、参照パタ
ンを含む所定の走査範囲を指定する。参照パタン指定回
路２５の出力はイオンビーム走査制御回路２４に入力さ
れ、定期的に参照パタン指定範囲の走査を行う。２６は
カウンターであってイオンビーム走査制御回路２４の出
力に接続され、補修のためのイオンビーム走査回数１フ
レーム数という）を計測する。その出力を参照パタン記
ｔα回路１９に入力し、定期的に、参照パタン画像情報
を表すビットマツプを更新する。２７は走査回路であっ
てイオンビーム走査制御回路２４の出力に従って、走査
電圧（図のＸ及びＹ波形でありラスクスキャン用である
）を走査電極計に供給する。なお第１図において点線で
囲んだ部分はコンピュータ２３に内蔵される。
次に本マスクリペア装置の動作を第３図の補修範囲補正
フローチャート及び第１図により説明する。まず補修範
囲指定回路２２に補修範囲をマニアルで入力する。補修
範囲は外部のマスク欠陥検査装置によりあらかじめ調べ
られた情報により決定する。同時に参照パタン指定回路
２５にマスク上の任意のパタンを参照パタンとして入力
する。次にカウンタ２６の指数Ｉ及びＫを初期化して各
々１を与える。■は参照インターバルを特定し、Ｋはイ
オンビームによる補修走査のフレーム指定回数を特定す
る０次にガス銃４をＯＦＦにしたまま参照パタン指定範
囲をイオンビームで走査する。得られた参照パタン画像
情報を初期参照パタンメモリ２０に記憶する。文人力さ
れた補修範囲をデジタルデータは変換して補修範囲記憶
回路２３にビットマツプとして記憶する。Ｋ＞１．Ｉ＞
１の時、白色欠陥補修時はガス銃をＯＮにしかつ補修パ
タンのビットマツプに従ってイオンビームを走査し補修
を行う。
フローチャート及び第１図により説明する。まず補修範
囲指定回路２２に補修範囲をマニアルで入力する。補修
範囲は外部のマスク欠陥検査装置によりあらかじめ調べ
られた情報により決定する。同時に参照パタン指定回路
２５にマスク上の任意のパタンを参照パタンとして入力
する。次にカウンタ２６の指数Ｉ及びＫを初期化して各
々１を与える。■は参照インターバルを特定し、Ｋはイ
オンビームによる補修走査のフレーム指定回数を特定す
る０次にガス銃４をＯＦＦにしたまま参照パタン指定範
囲をイオンビームで走査する。得られた参照パタン画像
情報を初期参照パタンメモリ２０に記憶する。文人力さ
れた補修範囲をデジタルデータは変換して補修範囲記憶
回路２３にビットマツプとして記憶する。Ｋ＞１．Ｉ＞
１の時、白色欠陥補修時はガス銃をＯＮにしかつ補修パ
タンのビットマツプに従ってイオンビームを走査し補修
を行う。
なお、黒色欠陥補修時は、ガス銃はＯＮせずに、イオン
ビームを走査し、黒色欠陥部をスパッタリングにより除
去する。
ビームを走査し、黒色欠陥部をスパッタリングにより除
去する。
１フレームの走査が終了毎にＩ及びＫをインクリメント
する。この補修操作を繰り返し、カウンタ２６内の指数
■があらかじめ指定された参照インターバルに達したら
、■を１にリセントするとともに、ガス銃をＯＦＦにし
て参照パタンをイオンビームで走査する。なお、黒色欠
陥補修の時は、すでにガス銃はＯＦＦになっているので
そのまま参照パタンでイオンビームを走査する。得られ
た参照パタン画像情報を参照パタン記憶回路１９に入力
しメモリに書き込む。カウンタ２６内の指数Ｋ＞１．１
−１なので参照パタン記ｉ１１回路１９内の現在の参照
パタン画像情報と、初期参照パタンメモリ２０に保存さ
れた初期参照パタン画像情報を比較してイオンビームス
ポット位置の変動に起因する参照パタン移動量を計算す
る。この移動情報に基づいて、補修範囲記憶回路２３に
記憶されている補修パタンのビットマツプをイオンビー
ムスポットの位置変動を相殺するように補正する。しか
して黒色欠陥部の補修の場合は、ガス銃をＯＮＬ、黒色
欠陥補修の場合はガス銃はＯＦＦのままで補正された補
修パタンのビ７トマ・ノブに従ってイオンビーム走査を
繰り返し補修を行う、そしてＫが指定されたイオンビー
ム走査フレーム数に達したら、所定の膜厚が得られたの
であるから補修操作を完了する。黒色欠陥補修の場合、
全てのＣｒ層（黒色欠陥部の）が除去された時に補修操
作を完了する。
する。この補修操作を繰り返し、カウンタ２６内の指数
■があらかじめ指定された参照インターバルに達したら
、■を１にリセントするとともに、ガス銃をＯＦＦにし
て参照パタンをイオンビームで走査する。なお、黒色欠
陥補修の時は、すでにガス銃はＯＦＦになっているので
そのまま参照パタンでイオンビームを走査する。得られ
た参照パタン画像情報を参照パタン記憶回路１９に入力
しメモリに書き込む。カウンタ２６内の指数Ｋ＞１．１
−１なので参照パタン記ｉ１１回路１９内の現在の参照
パタン画像情報と、初期参照パタンメモリ２０に保存さ
れた初期参照パタン画像情報を比較してイオンビームス
ポット位置の変動に起因する参照パタン移動量を計算す
る。この移動情報に基づいて、補修範囲記憶回路２３に
記憶されている補修パタンのビットマツプをイオンビー
ムスポットの位置変動を相殺するように補正する。しか
して黒色欠陥部の補修の場合は、ガス銃をＯＮＬ、黒色
欠陥補修の場合はガス銃はＯＦＦのままで補正された補
修パタンのビ７トマ・ノブに従ってイオンビーム走査を
繰り返し補修を行う、そしてＫが指定されたイオンビー
ム走査フレーム数に達したら、所定の膜厚が得られたの
であるから補修操作を完了する。黒色欠陥補修の場合、
全てのＣｒ層（黒色欠陥部の）が除去された時に補修操
作を完了する。
本発明によれば、イオンビームスポット位置の経時的変
動による参照パタン画像の移動情報に基づき補修パタン
のビットマツプメモリの補正を行いつつ、補修のための
イオンビーム走査を繰り返すので、イオンビームのスポ
ット位置が経時的に変動しても常に一定範囲に補修を行
うことができ、精密なマスクの白色欠陥及び黒色欠陥の
補修ができるという効果がある。
動による参照パタン画像の移動情報に基づき補修パタン
のビットマツプメモリの補正を行いつつ、補修のための
イオンビーム走査を繰り返すので、イオンビームのスポ
ット位置が経時的に変動しても常に一定範囲に補修を行
うことができ、精密なマスクの白色欠陥及び黒色欠陥の
補修ができるという効果がある。
３図は補修範囲補正フローチャート及び第４図は従来の
マスクリペア装置の概念図である。 ｌ・・・イオンｔＡ ３・・・走査電極４・・・ガス
銃 １６・・・検出器１９・・・参照パタン記ｔα
回路 ２０・・・初期参照パタンメモリ ２１・・・（多動五１演算回路 ２２・・・補修範囲指定回路 ２３・・・補修範囲記４２回路 ２４・・・イオンビーム走査制御回路 ２５・・・参照パタン指定回路 ２６・・・カウンタ ２７・・・走査回路 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ＡＺ Ａｔ 第Ｚ厨 第４ｖｇＪ
マスクリペア装置の概念図である。 ｌ・・・イオンｔＡ ３・・・走査電極４・・・ガス
銃 １６・・・検出器１９・・・参照パタン記ｔα
回路 ２０・・・初期参照パタンメモリ ２１・・・（多動五１演算回路 ２２・・・補修範囲指定回路 ２３・・・補修範囲記４２回路 ２４・・・イオンビーム走査制御回路 ２５・・・参照パタン指定回路 ２６・・・カウンタ ２７・・・走査回路 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ＡＺ Ａｔ 第Ｚ厨 第４ｖｇＪ
Claims (1)
- マスクの白色欠陥部に有機化合物蒸気を吹き付け同時に
イオンビームを走査させながら繰り返し照射することに
より白色欠陥部に補修を行い、又マスクの黒色欠陥部に
イオンビームを走査させながら、繰り返しスパッタエッ
チングにより、黒色欠陥部除去し、マスクの補修をする
マスクリペア装置において、マスク上の任意の部分を参
照パタンとして指定し、参照パタンにイオンビームを走
査しながら照射して２次荷電粒子を検出し参照パタンの
画像情報を記憶するとともに、所定回数のイオンビーム
走査毎に、参照パタンのイオンビーム走査を行い得られ
た参照パタンの画像情報と先の参照パタンの画像情報を
比較し、参照パタン画像の移動量を算出し、該移動量に
基づいてメモリ上の補修範囲の補正をすることを特徴と
するマスクリペア装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21984485 | 1985-10-02 | ||
| JP60-219844 | 1985-10-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62174765A true JPS62174765A (ja) | 1987-07-31 |
| JP2543680B2 JP2543680B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=16741945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21205086A Expired - Lifetime JP2543680B2 (ja) | 1985-10-02 | 1986-09-09 | マスクリペア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543680B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0316111A2 (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | AT&T Corp. | Mask repair |
| JPH01154064A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-16 | Fujitsu Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| JPH0218561A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置 |
| JPH04116657A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの製造方法 |
| JPH06139939A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Toshiba Corp | 欠陥の検査装置および欠陥の検査修正装置 |
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| JP2006330017A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスク修正方法 |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS57113227A (en) * | 1980-12-19 | 1982-07-14 | Ibm | Method and device for inspecting article to be inspected with pattern |
| JPS6184833A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | マスクパタ−ン欠陥検査修正装置 |
| JPS6166356U (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-07 | ||
| JPS61123843A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 集束イオンビ−ムを用いたマスク修正装置 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP21205086A patent/JP2543680B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| EP1229385A3 (en) * | 2001-02-05 | 2003-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of correcting a photomask and method of manufacturing a semiconductor device |
| US6740456B2 (en) | 2001-02-05 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of correcting a photomask and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2006330017A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスク修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2543680B2 (ja) | 1996-10-16 |
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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