JPS61180476A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61180476A JPS61180476A JP2043685A JP2043685A JPS61180476A JP S61180476 A JPS61180476 A JP S61180476A JP 2043685 A JP2043685 A JP 2043685A JP 2043685 A JP2043685 A JP 2043685A JP S61180476 A JPS61180476 A JP S61180476A
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- semiconductor
- nitride
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 transition metal nitride Chemical class 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N molybdenum tantalum Chemical compound [Mo].[Ta] JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000283984 Rodentia Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔圧莱上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し1%に半導体装置の電極構造
に関するものである。
に関するものである。
現在ショットキダイオードの多くは、ガラス封止型形式
を用いているが、用途の多様化にともないモールド封止
型も用いられている。この場合。
を用いているが、用途の多様化にともないモールド封止
型も用いられている。この場合。
所望する物性によりショットキlR壁金属として様様な
金属が使用されている。
金属が使用されている。
第2図にその1例として、Ti Mo Ti Auの
電極構造を有するシ1ットキバリャダイオードの断面図
を示す。
電極構造を有するシ1ットキバリャダイオードの断面図
を示す。
例えばN十型の半導体基板1の上に、N型のエピタキシ
ャル層2を設け、その上に電極用開孔を有するシリコン
酸化膜3t−選択的に設ける。このシリコン酸化膜3の
電極用開孔をおおうように。
ャル層2を設け、その上に電極用開孔を有するシリコン
酸化膜3t−選択的に設ける。このシリコン酸化膜3の
電極用開孔をおおうように。
4層の積層金属からなる電極が設けられている。
第1層のTi 4はシ1ットキ障壁金属であり、シリ
コンエピタキシャル層2との界面にシm?/トキ接合を
形成する金属である。第2層のMO5は、第4層のi’
ru7が、第1層のTi4 k通してシリコンエピタキ
シャル層2へ侵入するのを防止するいわゆるAuのバッ
ファ層である。第3層のTi6は、第4層Au7 と
の密着性を得るための金属である。さらに第4層のAu
7は外h!への引出し電極を得るための層でこの第4
層Auは、Pt又はAJに置き換えることができる。
コンエピタキシャル層2との界面にシm?/トキ接合を
形成する金属である。第2層のMO5は、第4層のi’
ru7が、第1層のTi4 k通してシリコンエピタキ
シャル層2へ侵入するのを防止するいわゆるAuのバッ
ファ層である。第3層のTi6は、第4層Au7 と
の密着性を得るための金属である。さらに第4層のAu
7は外h!への引出し電極を得るための層でこの第4
層Auは、Pt又はAJに置き換えることができる。
一般にショットキ接合の場合、温度に対する特性の経時
変化が大きく、半導体容器へ素子を組込む場合、その製
造工程での熱処理の温度が制約される。このため、特に
製造コストの低減が要求される天童生産の場合、歩留が
低下してしまうと〜・う問題があった。熱に対する特性
の経時変化を大きくさせる最大の原因は、ショットキ4
壁金属上に被覆する金属、例えば第4層の金属として用
〜・られているAu又はptやAIが、熱によってMo
および第1層のシ=iットキバリャ障壁金顧を通してシ
リコンエピタキシャル層2へ侵入するためである。
変化が大きく、半導体容器へ素子を組込む場合、その製
造工程での熱処理の温度が制約される。このため、特に
製造コストの低減が要求される天童生産の場合、歩留が
低下してしまうと〜・う問題があった。熱に対する特性
の経時変化を大きくさせる最大の原因は、ショットキ4
壁金属上に被覆する金属、例えば第4層の金属として用
〜・られているAu又はptやAIが、熱によってMo
および第1層のシ=iットキバリャ障壁金顧を通してシ
リコンエピタキシャル層2へ侵入するためである。
本発明は、熱に対して電気的特注の経時変化の少ないI
E電極構造備えた半導体装置を提供することを目的とす
る。
E電極構造備えた半導体装置を提供することを目的とす
る。
本発明の半導体装置は、下地の半導体層に接触する第1
の金属層と、該第1の金属層上に設けられた遷移金属の
鼠化物7))らなる第2の金属層と。
の金属層と、該第1の金属層上に設けられた遷移金属の
鼠化物7))らなる第2の金属層と。
さらに該第2の金属層上に設けられた第3の金属層を有
することにより構成され、下地半導体層内へ金属の侵入
を防止し、耐熱性を向上させたものである。
することにより構成され、下地半導体層内へ金属の侵入
を防止し、耐熱性を向上させたものである。
以下、図面を参照して本発明についてより詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。
例えばN土酸である高不純物濃度のシリコン半導体基板
11にに会、ショットキバリヤダイオードとして所望す
る%注を得るシリコン半導体エピタキシャル層12を成
長する。次いで、エピタキシャル層12の表面に熱酸化
法により赦化保dl膜13を設け、この酸化保護膜13
に化学触刻法を用いて任君形状の電極用開孔部分を設け
る。[極用開孔部分に、ショットキ4壁金属として、所
望する特性を得るためのショットキ障壁金属層14を設
け、このショットキ障壁金属層上及びその周辺のとして
A1層16を設ける。尚A1層の厚さは、ボンデング時
でのショットキ障壁部へのストレスを緩和するために4
4A以上が望ましい。
11にに会、ショットキバリヤダイオードとして所望す
る%注を得るシリコン半導体エピタキシャル層12を成
長する。次いで、エピタキシャル層12の表面に熱酸化
法により赦化保dl膜13を設け、この酸化保護膜13
に化学触刻法を用いて任君形状の電極用開孔部分を設け
る。[極用開孔部分に、ショットキ4壁金属として、所
望する特性を得るためのショットキ障壁金属層14を設
け、このショットキ障壁金属層上及びその周辺のとして
A1層16を設ける。尚A1層の厚さは、ボンデング時
でのショットキ障壁部へのストレスを緩和するために4
4A以上が望ましい。
以上説明したように、本発明によれば、ショットキ障壁
金属上にはTi等の窒化物が形成され。
金属上にはTi等の窒化物が形成され。
この窒化物層は結晶組成が緻密なため、その上に形成し
たA1等の゛r江極金属が熱処理によりショットキ障壁
金@全通してシリコンエピタキシャル層へ侵入すること
を防ぐことができる。
たA1等の゛r江極金属が熱処理によりショットキ障壁
金@全通してシリコンエピタキシャル層へ侵入すること
を防ぐことができる。
すなわち、このような電極構造にすることにより、高温
による電気的特性の経時変化を押えることができ、組立
工程での熱処理−反の制約がなくなり、良好な組立歩留
る帰ることができる。更に安価で、かつ信頼性の高いシ
ョット千バリヤダイオードを提供することができるとい
う利点かめる。
による電気的特性の経時変化を押えることができ、組立
工程での熱処理−反の制約がなくなり、良好な組立歩留
る帰ることができる。更に安価で、かつ信頼性の高いシ
ョット千バリヤダイオードを提供することができるとい
う利点かめる。
第1図は本発明の一実施例のショットキバリヤダイオー
ドの断面図、第2図は従来のショットキバリヤダイオー
ドの断[iii図である。 1.11・・・・・・半導体基板、2,12・・・・・
・半導体エピタキシャル層、3,13・・・・・・酸化
保護膜。 4.14・・・・・・ショットキ障壁金属層、5・・・
・・・M。 バッファ層、15・・・・・・Ti等による窒化物層、
6・・・・・・Ti層、7・・・・・−Au層、16・
・・・・・A’J層。 t’ :li!; :ミ
ドの断面図、第2図は従来のショットキバリヤダイオー
ドの断[iii図である。 1.11・・・・・・半導体基板、2,12・・・・・
・半導体エピタキシャル層、3,13・・・・・・酸化
保護膜。 4.14・・・・・・ショットキ障壁金属層、5・・・
・・・M。 バッファ層、15・・・・・・Ti等による窒化物層、
6・・・・・・Ti層、7・・・・・−Au層、16・
・・・・・A’J層。 t’ :li!; :ミ
Claims (3)
- (1)下地の半導体層に接触する第1の金属層と、該第
1の金属層上に設けられた遷移金属の窒化物からなる第
2の金属層と、さらに該第2の金属層上に設けられた第
3の金属層とを有することを特徴とする半導体装置。 - (2)第2の金属層がチタンの窒化物である特許請求の
範囲第(1)項記載の半導体装置。 - (3)第1の金属層がチタン、タングステン、モリブデ
ンタンタルから選ばれる金属であり、第3の金属層は、
第2の金属層に接するアルミニウム金属である特許請求
の範囲第(1)項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2043685A JPS61180476A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2043685A JPS61180476A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61180476A true JPS61180476A (ja) | 1986-08-13 |
Family
ID=12026987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2043685A Pending JPS61180476A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61180476A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011146753A (ja) * | 2011-05-06 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014042053A (ja) * | 2013-10-15 | 2014-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016096351A (ja) * | 2015-12-17 | 2016-05-26 | ローム株式会社 | ショットキバリアダイオード |
US9859370B2 (en) | 2010-07-14 | 2018-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
-
1985
- 1985-02-05 JP JP2043685A patent/JPS61180476A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9859370B2 (en) | 2010-07-14 | 2018-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
US10186578B2 (en) | 2010-07-14 | 2019-01-22 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
US10559658B2 (en) | 2010-07-14 | 2020-02-11 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
JP2011146753A (ja) * | 2011-05-06 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014042053A (ja) * | 2013-10-15 | 2014-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016096351A (ja) * | 2015-12-17 | 2016-05-26 | ローム株式会社 | ショットキバリアダイオード |
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