JPS61180476A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61180476A JPS61180476A JP2043685A JP2043685A JPS61180476A JP S61180476 A JPS61180476 A JP S61180476A JP 2043685 A JP2043685 A JP 2043685A JP 2043685 A JP2043685 A JP 2043685A JP S61180476 A JPS61180476 A JP S61180476A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔圧莱上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し１％に半導体装置の電極構造
に関するものである。
に関するものである。
現在ショットキダイオードの多くは、ガラス封止型形式
を用いているが、用途の多様化にともないモールド封止
型も用いられている。この場合。
を用いているが、用途の多様化にともないモールド封止
型も用いられている。この場合。
所望する物性によりショットキｌＲ壁金属として様様な
金属が使用されている。
金属が使用されている。
第２図にその１例として、Ｔｉ Ｍｏ Ｔｉ Ａｕの
電極構造を有するシ１ットキバリャダイオードの断面図
を示す。
電極構造を有するシ１ットキバリャダイオードの断面図
を示す。
例えばＮ十型の半導体基板１の上に、Ｎ型のエピタキシ
ャル層２を設け、その上に電極用開孔を有するシリコン
酸化膜３ｔ−選択的に設ける。このシリコン酸化膜３の
電極用開孔をおおうように。
ャル層２を設け、その上に電極用開孔を有するシリコン
酸化膜３ｔ−選択的に設ける。このシリコン酸化膜３の
電極用開孔をおおうように。
４層の積層金属からなる電極が設けられている。
第１層のＴｉ ４はシ１ットキ障壁金属であり、シリ
コンエピタキシャル層２との界面にシｍ？／トキ接合を
形成する金属である。第２層のＭＯ５は、第４層のｉ’
ｒｕ７が、第１層のＴｉ４ ｋ通してシリコンエピタキ
シャル層２へ侵入するのを防止するいわゆるＡｕのバッ
ファ層である。第３層のＴｉ６は、第４層Ａｕ７ と
の密着性を得るための金属である。さらに第４層のＡｕ
７は外ｈ！への引出し電極を得るための層でこの第４
層Ａｕは、Ｐｔ又はＡＪに置き換えることができる。
コンエピタキシャル層２との界面にシｍ？／トキ接合を
形成する金属である。第２層のＭＯ５は、第４層のｉ’
ｒｕ７が、第１層のＴｉ４ ｋ通してシリコンエピタキ
シャル層２へ侵入するのを防止するいわゆるＡｕのバッ
ファ層である。第３層のＴｉ６は、第４層Ａｕ７ と
の密着性を得るための金属である。さらに第４層のＡｕ
７は外ｈ！への引出し電極を得るための層でこの第４
層Ａｕは、Ｐｔ又はＡＪに置き換えることができる。
一般にショットキ接合の場合、温度に対する特性の経時
変化が大きく、半導体容器へ素子を組込む場合、その製
造工程での熱処理の温度が制約される。このため、特に
製造コストの低減が要求される天童生産の場合、歩留が
低下してしまうと〜・う問題があった。熱に対する特性
の経時変化を大きくさせる最大の原因は、ショットキ４
壁金属上に被覆する金属、例えば第４層の金属として用
〜・られているＡｕ又はｐｔやＡＩが、熱によってＭｏ
および第１層のシ＝ｉットキバリャ障壁金顧を通してシ
リコンエピタキシャル層２へ侵入するためである。
変化が大きく、半導体容器へ素子を組込む場合、その製
造工程での熱処理の温度が制約される。このため、特に
製造コストの低減が要求される天童生産の場合、歩留が
低下してしまうと〜・う問題があった。熱に対する特性
の経時変化を大きくさせる最大の原因は、ショットキ４
壁金属上に被覆する金属、例えば第４層の金属として用
〜・られているＡｕ又はｐｔやＡＩが、熱によってＭｏ
および第１層のシ＝ｉットキバリャ障壁金顧を通してシ
リコンエピタキシャル層２へ侵入するためである。
本発明は、熱に対して電気的特注の経時変化の少ないＩ
Ｅ電極構造備えた半導体装置を提供することを目的とす
る。
Ｅ電極構造備えた半導体装置を提供することを目的とす
る。
本発明の半導体装置は、下地の半導体層に接触する第１
の金属層と、該第１の金属層上に設けられた遷移金属の
鼠化物７））らなる第２の金属層と。
の金属層と、該第１の金属層上に設けられた遷移金属の
鼠化物７））らなる第２の金属層と。
さらに該第２の金属層上に設けられた第３の金属層を有
することにより構成され、下地半導体層内へ金属の侵入
を防止し、耐熱性を向上させたものである。
することにより構成され、下地半導体層内へ金属の侵入
を防止し、耐熱性を向上させたものである。
以下、図面を参照して本発明についてより詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
例えばＮ土酸である高不純物濃度のシリコン半導体基板
１１にに会、ショットキバリヤダイオードとして所望す
る％注を得るシリコン半導体エピタキシャル層１２を成
長する。次いで、エピタキシャル層１２の表面に熱酸化
法により赦化保ｄｌ膜１３を設け、この酸化保護膜１３
に化学触刻法を用いて任君形状の電極用開孔部分を設け
る。［極用開孔部分に、ショットキ４壁金属として、所
望する特性を得るためのショットキ障壁金属層１４を設
け、このショットキ障壁金属層上及びその周辺のとして
Ａ１層１６を設ける。尚Ａ１層の厚さは、ボンデング時
でのショットキ障壁部へのストレスを緩和するために４
４Ａ以上が望ましい。
１１にに会、ショットキバリヤダイオードとして所望す
る％注を得るシリコン半導体エピタキシャル層１２を成
長する。次いで、エピタキシャル層１２の表面に熱酸化
法により赦化保ｄｌ膜１３を設け、この酸化保護膜１３
に化学触刻法を用いて任君形状の電極用開孔部分を設け
る。［極用開孔部分に、ショットキ４壁金属として、所
望する特性を得るためのショットキ障壁金属層１４を設
け、このショットキ障壁金属層上及びその周辺のとして
Ａ１層１６を設ける。尚Ａ１層の厚さは、ボンデング時
でのショットキ障壁部へのストレスを緩和するために４
４Ａ以上が望ましい。
以上説明したように、本発明によれば、ショットキ障壁
金属上にはＴｉ等の窒化物が形成され。
金属上にはＴｉ等の窒化物が形成され。
この窒化物層は結晶組成が緻密なため、その上に形成し
たＡ１等の゛ｒ江極金属が熱処理によりショットキ障壁
金＠全通してシリコンエピタキシャル層へ侵入すること
を防ぐことができる。
たＡ１等の゛ｒ江極金属が熱処理によりショットキ障壁
金＠全通してシリコンエピタキシャル層へ侵入すること
を防ぐことができる。
すなわち、このような電極構造にすることにより、高温
による電気的特性の経時変化を押えることができ、組立
工程での熱処理−反の制約がなくなり、良好な組立歩留
る帰ることができる。更に安価で、かつ信頼性の高いシ
ョット千バリヤダイオードを提供することができるとい
う利点かめる。
による電気的特性の経時変化を押えることができ、組立
工程での熱処理−反の制約がなくなり、良好な組立歩留
る帰ることができる。更に安価で、かつ信頼性の高いシ
ョット千バリヤダイオードを提供することができるとい
う利点かめる。
第１図は本発明の一実施例のショットキバリヤダイオー
ドの断面図、第２図は従来のショットキバリヤダイオー
ドの断［ｉｉｉ図である。 １．１１・・・・・・半導体基板、２，１２・・・・・
・半導体エピタキシャル層、３，１３・・・・・・酸化
保護膜。 ４．１４・・・・・・ショットキ障壁金属層、５・・・
・・・Ｍ。 バッファ層、１５・・・・・・Ｔｉ等による窒化物層、
６・・・・・・Ｔｉ層、７・・・・・−Ａｕ層、１６・
・・・・・Ａ’Ｊ層。 ｔ’ ：ｌｉ！； ：ミ
ドの断面図、第２図は従来のショットキバリヤダイオー
ドの断［ｉｉｉ図である。 １．１１・・・・・・半導体基板、２，１２・・・・・
・半導体エピタキシャル層、３，１３・・・・・・酸化
保護膜。 ４．１４・・・・・・ショットキ障壁金属層、５・・・
・・・Ｍ。 バッファ層、１５・・・・・・Ｔｉ等による窒化物層、
６・・・・・・Ｔｉ層、７・・・・・−Ａｕ層、１６・
・・・・・Ａ’Ｊ層。 ｔ’ ：ｌｉ！； ：ミ
Claims (3)
- （１）下地の半導体層に接触する第１の金属層と、該第
１の金属層上に設けられた遷移金属の窒化物からなる第
２の金属層と、さらに該第２の金属層上に設けられた第
３の金属層とを有することを特徴とする半導体装置。 - （２）第２の金属層がチタンの窒化物である特許請求の
範囲第（１）項記載の半導体装置。 - （３）第１の金属層がチタン、タングステン、モリブデ
ンタンタルから選ばれる金属であり、第３の金属層は、
第２の金属層に接するアルミニウム金属である特許請求
の範囲第（１）項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043685A JPS61180476A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043685A JPS61180476A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61180476A true JPS61180476A (ja) | 1986-08-13 |
Family
ID=12026987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043685A Pending JPS61180476A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61180476A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011146753A (ja) * | 2011-05-06 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014042053A (ja) * | 2013-10-15 | 2014-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016096351A (ja) * | 2015-12-17 | 2016-05-26 | ローム株式会社 | ショットキバリアダイオード |
| US9859370B2 (en) | 2010-07-14 | 2018-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
-
1985
- 1985-02-05 JP JP2043685A patent/JPS61180476A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9859370B2 (en) | 2010-07-14 | 2018-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
| US10186578B2 (en) | 2010-07-14 | 2019-01-22 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
| US10559658B2 (en) | 2010-07-14 | 2020-02-11 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier diode |
| JP2011146753A (ja) * | 2011-05-06 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014042053A (ja) * | 2013-10-15 | 2014-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016096351A (ja) * | 2015-12-17 | 2016-05-26 | ローム株式会社 | ショットキバリアダイオード |
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