JPH0472764A - 半導体装置の裏面電極 - Google Patents
半導体装置の裏面電極Info
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- JPH0472764A JPH0472764A JP18564990A JP18564990A JPH0472764A JP H0472764 A JPH0472764 A JP H0472764A JP 18564990 A JP18564990 A JP 18564990A JP 18564990 A JP18564990 A JP 18564990A JP H0472764 A JPH0472764 A JP H0472764A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明(よ半導体装置、特にその裏面電極の構造に関す
るものである。
るものである。
(従来の技術)
半導体装置をパッケージするとき、チップの裏面のオー
ミック電極は、一般にステム、リードフレーム等の基板
へ半田付けされている。このオーミック電極の構造は、
基板との固着性釜に電気抵抗及び熱抵抗等を決定する重
要な要素である。
ミック電極は、一般にステム、リードフレーム等の基板
へ半田付けされている。このオーミック電極の構造は、
基板との固着性釜に電気抵抗及び熱抵抗等を決定する重
要な要素である。
第2図は従来の半導体装置の裏面の電極の構造の一例を
示す略断面図である。同図において、シリコン半導体基
板1の裏面電極7は多層の金属膜すなわち、クロム層6
、ニッケル層4、銀層5等を順次蒸着法によって形成し
た後、熱処理を施しを良好に保つためであり、ニッケル
層4は半田によくぬれるためであり、銀層5はニッケル
層4の表面の酸化防止のためである。
示す略断面図である。同図において、シリコン半導体基
板1の裏面電極7は多層の金属膜すなわち、クロム層6
、ニッケル層4、銀層5等を順次蒸着法によって形成し
た後、熱処理を施しを良好に保つためであり、ニッケル
層4は半田によくぬれるためであり、銀層5はニッケル
層4の表面の酸化防止のためである。
(発明が解決しようとする課題)
通常Ift極形威前には、化学処理によりシリコン半導
体基板のクリーニングを行うが、シリコン半導体基板の
表面には自然に生ずる酸化物が残存しており、この酸化
物はシリコン半導体基板1と裏面電極7との密着性を妨
げ、電気特性特にオーミック特性に問題があった。この
問題の対策として、後の工程の熱処理温度を高くする手
段があるが、そうすると、クロム、ニッケル、シリコン
の反応が進み、シリコン、クロム、ニッケル混合層が形
成され、半田付けの性能を妨げていた。
体基板のクリーニングを行うが、シリコン半導体基板の
表面には自然に生ずる酸化物が残存しており、この酸化
物はシリコン半導体基板1と裏面電極7との密着性を妨
げ、電気特性特にオーミック特性に問題があった。この
問題の対策として、後の工程の熱処理温度を高くする手
段があるが、そうすると、クロム、ニッケル、シリコン
の反応が進み、シリコン、クロム、ニッケル混合層が形
成され、半田付けの性能を妨げていた。
(課題を解決するための手段)
シリコン半導体基板の表面に、シリコン酸化物還元層と
してのアルミニウム層、混合層防止層としてのモリブデ
ン層、ニッケル層、銀層を順次蒸着により形成した後熱
処刑によりシンタリングを行う。
してのアルミニウム層、混合層防止層としてのモリブデ
ン層、ニッケル層、銀層を順次蒸着により形成した後熱
処刑によりシンタリングを行う。
(昨月)
第−層のアルミニウム層は、シリコン半導体基板の表面
の自然に生ずる酸化物を還元する。第二層のモリブデン
層は、第−層のアルミニウム層と第三層のニッケル層と
の間のバリアとして働らき後の熱処理の際に混合層の形
成を防止する。第三層のニッケル層と第四層の銀層とは
従来と同様である。
の自然に生ずる酸化物を還元する。第二層のモリブデン
層は、第−層のアルミニウム層と第三層のニッケル層と
の間のバリアとして働らき後の熱処理の際に混合層の形
成を防止する。第三層のニッケル層と第四層の銀層とは
従来と同様である。
(実施例)
第1図は本発明の実施例の略断面図である。第2図の従
来例と同一の部分には同一の符号を付しである。
来例と同一の部分には同一の符号を付しである。
シリコン半導体基板1の裏面は、化学処理によりクリー
ニングした後、まず、第−層のアルミニウム層2を1〜
10μmの厚さで蒸着する。次に、第二層のモリブデン
層8を0.1〜2μmの厚さで着する。蒸着には電子ビ
ーム蒸着法が使用される。
ニングした後、まず、第−層のアルミニウム層2を1〜
10μmの厚さで蒸着する。次に、第二層のモリブデン
層8を0.1〜2μmの厚さで着する。蒸着には電子ビ
ーム蒸着法が使用される。
最後に例えば、窒素ガス雰囲気中で、200〜570℃
の温度で熱処理を行う。この熱処理により、蒸着の際の
粒子はシンタリングされる。
の温度で熱処理を行う。この熱処理により、蒸着の際の
粒子はシンタリングされる。
最後にダイシングを行い個々のチップに分割した後パッ
ケージをする。
ケージをする。
(発明の効果)
本発明は以上のような構成であるから、アルミニウム層
によりシリコン半導体基板表面の酸化物による障害が除
去されるから、密着状態の良好な電極となる。また、モ
リブデン層により、熱処理を施しても混合層は形成され
ない。従って、後の工程でステム、リードフレーム等に
チップを半田付けするとき、半田とのなじみがよく、良
好な安定した半田付はプロセスが確立でき、半導体装置
の電気特性、信頼性2歩留等が改善される。
によりシリコン半導体基板表面の酸化物による障害が除
去されるから、密着状態の良好な電極となる。また、モ
リブデン層により、熱処理を施しても混合層は形成され
ない。従って、後の工程でステム、リードフレーム等に
チップを半田付けするとき、半田とのなじみがよく、良
好な安定した半田付はプロセスが確立でき、半導体装置
の電気特性、信頼性2歩留等が改善される。
第1図は本発明の実施例の略断面図、第2図は従来例の
略断面図である。 I・・・シリコン半導体基板、2・・・アルミニウム層
、8・・・モリブデン層、4・・・ニッケル層、5・・
・銀層、6・・・クロム層、7・・・裏面電極 第 1 図 第2 図
略断面図である。 I・・・シリコン半導体基板、2・・・アルミニウム層
、8・・・モリブデン層、4・・・ニッケル層、5・・
・銀層、6・・・クロム層、7・・・裏面電極 第 1 図 第2 図
Claims (1)
- 1、シリコン半導体基板の裏面に、シリコン酸化物還元
層と、混合層防止層と、半田を付着させる層とを形成し
たことを特徴とする半導体装置の裏面電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18564990A JPH0472764A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体装置の裏面電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18564990A JPH0472764A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体装置の裏面電極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0472764A true JPH0472764A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16174465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18564990A Pending JPH0472764A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体装置の裏面電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0472764A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6191485B1 (en) * | 1998-10-08 | 2001-02-20 | Fuji Electronic Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20070173045A1 (en) | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
DE102007026365B4 (de) * | 2006-06-12 | 2010-09-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha, Toyota-shi | Halbleitervorrichtungen und Modul und Verfahren zur Herstellung derselben |
US8558381B2 (en) | 2009-03-23 | 2013-10-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
WO2020015021A1 (zh) * | 2018-07-16 | 2020-01-23 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种太阳能电池背面电极的制备方法与应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4943577A (ja) * | 1972-08-30 | 1974-04-24 | ||
JPS6355433B2 (ja) * | 1983-09-08 | 1988-11-02 | Toyota Motor Co Ltd |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18564990A patent/JPH0472764A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4943577A (ja) * | 1972-08-30 | 1974-04-24 | ||
JPS6355433B2 (ja) * | 1983-09-08 | 1988-11-02 | Toyota Motor Co Ltd |
Cited By (7)
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US6191485B1 (en) * | 1998-10-08 | 2001-02-20 | Fuji Electronic Co., Ltd. | Semiconductor device |
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US7936065B2 (en) | 2006-06-12 | 2011-05-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor devices and method of manufacturing them |
US8558381B2 (en) | 2009-03-23 | 2013-10-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
WO2020015021A1 (zh) * | 2018-07-16 | 2020-01-23 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种太阳能电池背面电极的制备方法与应用 |
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