JPS61170736A

JPS61170736A - 感放射線レジスト組成物

Info

Publication number: JPS61170736A
Application number: JP1094285A
Authority: JP
Inventors: Mutsuo Kataoka; 片岡　睦雄
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1985-01-25
Filing date: 1985-01-25
Publication date: 1986-08-01
Also published as: JPH0381142B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔童業上の利用分野〕本発明はポジ型感放射線レジスト組成物に関するもので
ある。さらに詳しくは、高感度、高解像度のポジ型感放
射線レジストである。ポリ（フルオロアルキルα−クロ
ロアクリラート）およびそのコポリマー組成物に関する
ものである。

〔従来技術〕

従来、ＩＣ，ＬＳＩ等の製造のだめの微細パターンの形
成方法としては、紫外線に感光するフォトレジストを利
用する方法が広く実用化されている。しかし最近ＬＳＩ
等の高密度化、高集積化の要請から、電子線、Ｘ線、イ
オンビーム等、光より波長の短い放射線を用いる技術が
開発され、これに伴なって、高感度、高解像度の感放射
線レジストが要望されている。

従来ポジ型感放射線レジストとしては、メタクリラート
系ポリマが多く用いられているが、一般に感度が高けれ
ばガラス転移点が低く、耐熱性に劣るという欠点を有し
ていた。

一方、島崎ら（特公昭５７−９６９号公報）によって提
案されたポリ（フルオロアルキルα−クロロアクリラー
ト）およびそのコポリマは、極めて高感度でかつガラス
転移点が高く、感放射線レジストとして有用な物質であ
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明者らはポリ（フルオロアルキルα−クロロアクリ
ラート）又はそのコポリマからなるレジスト溶液の経時
変化について検討した結果１次の実験事実が判明した。

すなわち上記レジスト溶液を窒素加圧下にメンブランフ
ィルタ−にて濾過しだ後、ガラスピンに入れて密栓して
保存した所、室温では数週間。

ｓｏ’ｃでは数日で、溶液粘度が１／２〜１／１０に低
下する。溶液粘度が低下したレジスト溶液は、スピンコ
ーティングにおいて適正な膜厚を得ることができず、ま
た感度も低下している。従って再現性良くレジストパタ
ーンを得ることはできず、レジストとしての使用に耐え
ない。

このレジスト溶液を非溶媒にて再沈澱させν　ポリマ粉
本を取り出して検討した所９分子量が低下していた。

分子量が低下する原因を追求した所、ラジカル源、すな
わち、ポリマ中の残存重合開始剤、溶媒ｃｐｏａヤイ、
ウニよよｔ）、；ｆ：９−ｒ−１）１．ツカｌｅｔ　　
”起こし主鎖が開裂することがわかった。すなわち。

ポリ（フルオロアルキルα−クロロアクリラート）およ
びそのコポリマは通常のアクリル系ポリマに比べ極めて
特異な性質を有している。通常のアクリル系ポリマは溶
液中のラジカル源により主鎖開裂を起こすことは知られ
ていない。

本発明者らはかかる知見にもとづき上記ポリ（フルオロ
アルキルα−クロロアクリラート）又はそのコポリマか
らなるレジスト溶液を長期間、経時変化なしに保存する
方法につき鋭意検討した結果本発明方法に到達したもの
である。

〔問題点を解決するだめの手段〕

すなわち９本発明はポリ（フルオロアルキルα−クロロ
アクリラート）、有機溶媒およびラジカル禁止剤からな
ることを特徴とする感放射線レジスト組成物ならびにフ
ルオロアルキルα−クロロアクリラートと他のビニルモ
ノマカラなるコポリマ、有機溶媒およびラジカル禁止剤
からなることを特徴とする感放射線レジスト組成物であ
る。

本発明において、ポリ（フルオロアルキルα−クロロア
クリラート）又はそのコポリマからなるレジスト溶液に
ラジカル禁止剤を添付せしめた場合には、レジスト溶液
を粘度変什を牛−Ｐ７．？″唱たく長期間９例えば室温
で１年以上、５０℃でも２力月以上、安定に保存できる
ものである。

本発明で用いるラジカル禁止剤は、室温で安定なもので
あればいかなるものでも良いが２分子量６００以下のも
のが好ましい。すなわち、レジスト溶液は基板上にスピ
ンコードされ、１６０°Ｃ〜２１０°Ｃでプリベークさ
れるが、プリベーク時に蒸発し、失なわれるものが好ま
しい。プリベークの後にレジスト膜中にラジカル禁止剤
が残存する場合は、レジスト膜中に析出して異物となり
、レジストの感度に悪影響を及ぼす等の好ましくない効
果が現われる。

本発明において用いるラジカル禁止剤としては。

トリーＰ−ニトロフェニルメチル、シフェニルピクリル
ヒドラジル、ガルピノキシル等の安定ラジカル、ベンゾ
キノン、クロロベンゾキノン、２．５−　ジクｏロベン
ソキノン、２．６−シクロロペンゾキノン、２．６−ジ
メチルベンゾキノン、２．５−ジメチルベンゾキノン、
メトキシベンゾキノン、メチルベンゾキノン、テトラブ
ロモベンゾキノ／。

テトラクロロベンゾキノン、テトラメチルベンゾ、キノ
ン、トリクロロベンゾキノン、トリメチルベンゾキノン
、等のキノン類、α−ナフトール、２−ニトロ−１−ナ
フトール、β−ナフトール、１−ニトロ−２−ナフトー
ル、等のナフトール類。

ヒドロキノン、カテコールレゾルシン、ｏ−ｔ−ブチル
フェノール、２，６−ジーＰ−メトキシフェノール、Ｐ
−エトキシフェノール−ｔ−ブチル−Ｐ−クレゾール、
２，６−ジーも一ブチルフェノール９２，４−ジ−ｔ−
ブチルフェノール、３．５−ジー１−ブチルフェノール
、ろ、５−ジ−ｔ−ブチルカテコール、３．５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸、２．２’−メチレ
ンピン（６−も−ブチル−Ｐ−クレゾール）、等の：ｙ
エノール類、２゜４−−、ｊニトロフェノール、０−ニ
トロフェノール。

ｍ−二トロフェノール、Ｐ−ニトロフェノール。

等のニトロフェノール類等であるが、安定性および安全
性の点より上記フェノール類が特に好ましい。

もちろん酸素にも禁止効果はあるが、有機溶媒を酸素加
圧することはきわめて危険である。溶媒中に溶存できる
量が限られている２等の理由で好ましい方法ではない。

本発明の方法は上述したようにポリ（フルオロアルキル
α′−クロロアクリラート）およびそのコポリマが溶液
中でラジカル分解するという特異な性質に鑑みなされた
ものであり、ポリマ中の重合し易い基を保護するために
添加される重合禁止剤とは本質的に異なるものである。

まだ塗膜後のレジスト膜には残存していないので、塗膜
後のレジスト膜の改質、改善に関するものではない。す
なわち上述した該ポリマのラジカルによる分解は、溶液
中でのみ観察される現象であジ２ポリマ粉末および塗膜
後のレジスト膜は長期間にわたり安定である。

本発明で用いられるラジカル禁止剤の量はポリマ重量に
対し０．０１〜５チ、好ましくは０．１〜２％　　　−
である。

ポリマを溶解する溶媒としては、ポリマを溶解するもの
であれば特に制限はないが、メチルセロソルブアセター
ト、エチルセロソルブアセタート等のセロソルブアセタ
ート類、シクロヘキｆ／７等ケトン類、ｎ−ブチルアセ
タート、５ｅａ−ブチルアセタート等の酢酸エステル類
が好ましい。

本発明で用いられるポリマとしては、（１）下記一般式
で示されるモノマのホモポリマー。

ＣＨ、、Ｃ−ＧＯＯＲ，（Ｉ）（Ｒ，は−個以上の水素原子をフッ素原子で置換したア
ルキル基）。

（２）　　上記一般式（１）のアクリラート系モノマの
群より選ばれた二種以上のモノマよりなるコポリマ。

（３）　　上記一般式（１）のアクリラート系モノマと
他のビニル系モノマよりなるコポリマに大別される。

上記（１）のポリマとしては２式（Ｉ）においてアルキ
ル基（Ｒ）が２位以上の位置に１個以上のフッ素原子を
有するアルキル基であるものが用いられる。好ましくは
炭素数２〜１０個のフルオロアルキル基である。例えば
２．２．２−　トリフルオロエチル、１−トリフルオロ
メチルエチル、ヘキサフルオロプロピル、３，５．３−
トリフルオロプロピル、２，２，３゜６．３−ペンタフ
ルオロプロピル＋２，２・６．３−テトラフルオロプロ
ピル、　　２．２．３．５．４．４．４−へブタフルオ
ロブチル、　　２．２．３．４．４．４−へキサフルオ
ロブチル、　　２．２．７：、、　４．４．４−へキサ
フルオロ−１−メチルブチル、１−トリフルオロメチル
−１−メチルエチル、　　２．２．３．３．３−ペンタ
フルオロ−１，１−ジメチャプロピル、　　２．２．５
．３．４．４．４−へブタフルオロ−１，１−ジメチル
ブチル等であるがこれらに限られるものではない。

上記（２）のポリマとしては、（Ｉ）に述べたモノマ（
１）の共重合体であり９組成等に特に制限はない。

上記（３）のポリマとしては、（１）に述べたポリマと
他のビニル系モノマの１種又は２種以上とのコポリマ、
あるいは上記（２）に述べたポリマと他のビニル系モノ
マの１種又は２種以上とのコポリマである。

他のビニルモノマとしては。

Ｒ３ＣＨ＝Ｃ−Ａｒ　　　　（ＩＩ）（Ｒ＋はメチル基又は水素原子、　　Ａｒは芳香族基）
にて表わされる芳香族ビニル系モノマ、例えばスチレン
、α−メチルスチレン、ビニルナフタレン。

ビニルピリジン、ビニルトルエン、ビニルカルバゾール
およびその芳香環上にノ・ロゲン、メトキシ。

炭素数４以下のアルキル等の置換基を有する誘導体等。

Ｒ１ＣＨ，＝Ｃ−０−Ｒ，（■）（Ｒ，はメチル基又は水素原子、Ｒ４はアルキル基。

アリール基又はアラルキル基）にて表わされるビニルエ
ーテル系モノマ、例えばメチルビニルエーテル、エチル
ビニルエーテルｔｎ−ブチルビニルエーテル等。

リール基又はアラルキル基）にて表わされ・るビニルケ
トン系モノマ、例えばメチルビニルケトン。

メチルイソプロピルケトン等。

ＣＨ＝Ｃ−ＣＮ　　　　　（Ｖ）（Ｒ，は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハロゲン
化メチル）にて表わされるシアノアクリラート系モノマ
、例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル、２−
クロロアクリロニトリル等。

Ｒ１ＣＨ，＝　Ｃ−Ｃ０ＮＨ，（ロ）（Ｒ８は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハロゲン
化メチル基、カルボキシル基）にて表わされるアクリル
アミド系モノマ、例えばアクリルアミド、メタクリルア
ミド、２−クロロアクリルアミ　ド等。

Ｒ９ＣＨ，＝　Ｃ−Ｃ０ＯＨ（ロ）（Ｒ，は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハロゲン
化メチル基、カルボキシル基、シアン基、Ｎカルボキシ
メチル基）にて表わされるアクリル酸系モノマ、例えば
アクリル酸、メタクリル酸、２−クロロメタクリル酸、
２−シアノアクリル酸。

イタコン酸等Ｒ１゜ＣＨ，＝Ｃ−Ｃ０ＯＲ，、（４）（Ｒ，。は水素原子、メチル基、）・ロゲン原子、ノ・
ロゲン化メチル基、カルボキシル基、シアノ基。

カルボキシメチル基、Ｒ１，はアルキル基、アリール基
又はアラルキル基）にて表わされるアクリル酸エステル
系モノマ、例えば、メチルアクリラート。

エチルアクリラート、イソプロピルアクリラート。

ｎ−プロピルアクリラート、インブチルアクリラート、
ｎ−ブチルアクリラート、ベンジルアクリラート、フェ
ニルアクリラート、メチル−α−クロロアクリラート、
エチルα−クロロアクリラート、イソプロピルα−クロ
ロアクリラート、　　ｎ　−プロピルα−クロロアクリ
ラート、イソブチルα−クロロアクリラート、ｎ−ブチ
ルα−クロロアクリラート、ベンジルα−クロロアクリ
ラート。

フェニルα−クロロアクリラート、メチルメタクリラー
ト、エチルメタクリラート、イソプロピルメタクリラー
ト、ｎ−プロピルメタクリラート。

イソブチルメタクリラート、ｎ−ブチルメタクリラート
、ベンジルメタクリラート、フェニルメタクリラート、
２−シアノアクリラートおよびそのベンゼン環上にハロ
ゲン、メトキシ、炭素数４以下のアルキル等の置換基を
有する誘導体等。

Ｒ１□ ＣＨ，＝　Ｃ−Ｃ０５Ｒ，、ＱＸ）（Ｒ１２は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハロゲ
ン化メチル基、カルボキシル基ｔ　シアノ基ｔカルボキ
シメチル基Ｉ　Ｒ１１はアルキル基、アリール基又はア
ラルキル基）にて表わされるチオアクリラート系モノマ
、例えばメチルチオメタクリラート。

エチルチオメタクリラート等。

ＩＡＣＨ，＝　Ｃ−ｏｃＯＦｔ、、　　（Ｘ）（Ｒ１４は水
素原子、メチル基、ハロゲン原子、）・ロゲン化メチル
基、シアノ基、Ｒ７，はアルキル基。

アリール基、アラルキル基）にて表わされるビニルアセ
タート系モノマ、例えばビニルアセタート。

ビニルプロピオナート等が考えられるがｔ　これに限ら
れるものではない。

なお上記説明中Ｉ　　Ｒｊ　Ｊ　　ＲＡ　Ｔ　　Ｊｌ　
Ｊ　　Ｒ１１およびＲ１゜のアルキル基とは炭素数１〜
８のものをいい、アリール基とはベンゼン環又はナフタ
リン環を有するものをいい、アラルキル基とはベンジル
又ハフェニルエチルをいう。

以上の内Ｒ２１Ｒ，、Ｒ，、Ｆｌ、、　　Ｒ，、Ｒ４１
Ｒｌｏ　ＩＲＩｆ　Ｉ　　Ｒ１１が水素原子以外の基を
もつもの、すなわち重合後４級炭素になるものが好まし
い。また水素原子以外の基の中でハロゲン原子を持つも
のが特に好ましい。

コモノマ中に占めるこれらビニル系モノマの割合は５０
　ｗｔ％以下にすることが好ましい。

コポリマにすることによシ一般的に基板に対する接着性
が向上し、芳香族系コモノマを共重合することにより一
般的にドライエツチング耐性を改善することができる。

以上（１）　（２）　（３）で示されるポジ型感放射線
レジストの分子量としては、メチルエチルケトン中２５
℃で測定された極限粘度が、０．３〜３．０のもの、好
ましくは０・５〜ｚＯＯものが用いられる。分子量が高
い方が、一般に感度は高くなシ有利であるが。

あまυ高いと、レジスト溶液としての溶液粘度が高くな
り、濾過が困難になる。またパターン形成時に、基板へ
の塗膜が困難になシア現像時の膨潤が起こりパターンに
悪影響を及ぼす。

次に本発明におけるポジ型感放射線レジストの感度を測
定する方法について述べる。

まずポリマをメチルセロソルブアセタート、シクロヘキ
サノン、ｎ−ブチルアセタート等の適当な溶媒に溶解し
た後０．２〜０．４μのメンブランフィルタ−にて濾過
しレジスト溶液を調製する。こルシスト溶液を基板上に
スピンナーを用いてスピンコードＬ０．４〜１．０μの
均一なレジスト膜を形成する。次に溶媒を除きかつ基板
との密着性を向上させるためプリベーク処理を行なう。

本発明のポジ型感放射線レジストの場合は１６０°Ｃ〜
２１０　　７℃で１５分〜１時間プリベークすることが
好ましい。

電子線露光装置を用い基板上の一定面積を一定の電流量
で、露光時間を等比級数的に変えながら１０〜２０カ所
露光する。各露光部分について。

面積、電流量、露光時間より、単位面積当りの電気量（
μＣ／ａｍ”　）を計算する。

次に基板を適当な現像液中に、一定温度で一定時間浸漬
し、とのあと非溶媒中に浸してリンスする。乾燥後、基
板をポストベークする。ポストベーク温度は一般にポリ
マのガラス転移温度より低い温度で行なうことが好まし
い。

基板上の露光部分及び未露光部分の膜厚を表面荒さ計等
で測定する。横軸に電気量（露光量）。

縦軸に露光部分の膜厚をプロットし感度曲線を作成する
。この感度曲線が横軸と交わる時を感度とする。

露光前の膜厚も測定しておき、現像後の未露光部分の膜
厚と比較して減少分を膜減夛とする。

一般にポジ型感放射線レジストにおいては、露光部分の
ポリマは主鎖切断を起こし分子量が低下している。これ
を現像すると露光部分のポリマは未露光部分のポリマよ
り速い速度で溶解し・従ってレジストパターンが形成さ
れる。このように現像時には未露光部分の膜厚は必ず、
現像前に比べて減少する。

ポジ型感放射線レジストの感度は、現像液の種類、温度
、現像時間、レジスト膜厚によって変化しこれらを記載
しないと感度のみのデータは意味がない、すなわち、長
い現像時間、高い現像温度を用いると感度は見かけ上高
くなるが、膜減りも大きくなる。

〔実施例〕

以下に実施例にて本発明を詳述する。

実施例１２、２．２−　）　ＩＪフルオロエチルα−クロロアク
リラート２００ｇ、アゾビスイソブチロニトリル６．９
ｇ、ｔ−ブタノール８００　ｍｚを２を三ツロフラスコ
に仕込みかくはんして溶解させた。フラスコ内を窒素で
置換した後、５０℃の湯浴内で６，５時間静置した。

得られるかんでん状かたまりをアセトン６ｔに溶解スル
。ポリマ溶液をメタノール４ｔ＋　　水２ｔの混合物中
に注ぎ、ポリマを再沈する。析出するポリマを戸数し、
メタノール−水２：１で洗浄後真空乾燥器内で乾燥した
。

ポリマ粉末１８６ｇが得られた。メチルエチルケトン中
、２５“Ｃでの極限粘度は１．００であった。

上記の方法で得たポリマ粉末を用い以下の実験を行なっ
た。

（Ａ）　　ポリマ粉末６２０ｇを取りメチルセロソルブ
アセタート９３８０ｇに溶解し、０．２μのメンブラン
フィルタ−を用い、窒素加圧下に濾過し１ｔガラスビン
に１ｔずつピンづめした。レジスト溶液をクロムブラン
クス上に１０００回転でスピンコードし、２００’ｃで
６０分間プリベークした。レジスト膜厚は５５６０Ａで
あった。

電子線露光装置を用い、加速電圧２０ｋＶ、電流量１　
ｎＡで０．４５　ｘ　Ｏ，６−の面積を順次露光時間を
変えて走査露光した。

基板をメチルイソブチルケトン−イソゾロパノール８：
２の現像液中、２５℃、かくはん下に５分間浸漬し次い
で、イソプロパツールに６０秒間浸漬した。

未露光部分および露光部分のレジスト膜厚を順次測定し
、感度曲線を作成した。感度は４．７μＣ／ａＩ＋”。

未露光部分の膜減りは１００Ｘであった。

ピンづめしたレジスト溶液を室温にて２０日間保存した
所、初期５）ｃｐであった溶液粘度が２１ＣＰに低下し
た。

また、ピンづめしたレジスト溶液を５０°Ｃで４日間保
存した所、溶液粘度は１０ｃｐに低下した。

（Ｂ）　　ポリマ粉末６２０ｇ、２．６−ジーｔ−ブチ
ル−Ｐ−クレゾール６．２ｇをメチルセロソルブアセタ
ー　ト９３７０ｇに溶解し、０．２μメンブランフィル
タ−を用い、窒素加圧下に濾過し１ｔガラスビンに１ｔ
ずつピンづめした。

（Ａ）と同様に感度を測定した所、測定値は誤差の範囲
内で（Ａ）の測定値と一致した。

レジスト溶液を厚さ１１！１０１７７）石英板の上に１
０００　　　　／回転でスピンコードし２分光光度計に
て紫外部の吸収を測定した所、２．６−ジーｔ−ブチル
−Ｐ−クレゾールの吸収が確認された。

この石英板を２００°Ｃで３０分間プリベークし再び紫
外部の吸収を測定した所、２，６−ジーｔ−ブチル−Ｐ
−クレゾールの吸収は消失し、（Ａ）の溶液をスピンコ
ード後プリベークしたサンプルの吸収と一致した。

ピンづめしたレジスト溶液を室温にて１年間保存し、ま
た他のピンを５０°Ｃにて２力月保存したがいずれも溶
液粘度に変化は見られなかった。

実施例２２、２．２−　ト！Ｊフルオロエチルα−クロロアクリ
ラート１６０ｇ、フェニルα−クロロアクリラート４０
ｇ、　　アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｇ、ｎ−
ヘキサン１６００＋＋＋ｚを５を三ツロフラスコに仕込
みかくはんして溶解させた。フラスコ内を窒素で置換し
た後、５０′Ｃの湯浴内で８時間静置した。

イソプロパツール１ｔを加えかくはんした後。

粉末ポリマを戸数し、イソプロパツールで洗浄した。ポ
リマをインプロパツール４を中に加え、５０分間放置し
た後、濾過しだ。得られた白色粉末を真空乾燥器内で乾
燥すると、１８９ｇのポリマ粉末が得られた。メチルエ
チルケトン中２５°Ｃでの極限粘度は１．２０であった
。

（Ａ）　　ポリマ粉末８００ｇを取りメチルセロソルブ
アセタート９２００ｇに溶解し、０．２μのメンブラン
フィルタ−を用い、窒素加圧下に濾過し、１ｔガラスビ
ンに１ｔずつピンづめした。レジスト溶液をクロムブラ
ンクス上に２９００回転でスピンコードし、２００℃で
６０分間プリベークした。レジスト膜厚は５６４０Ｘで
あった。

電子線露光装置を用い、加速電圧２０　ｋＶ、電流量１
　ｎＡで、０．４５ｘＱ、６＋ｍｎの面積を順次露光時
間を変えて走査露光した。

基板をメチルイソブチルケトン−イソプロパノール７：
３の現像液中、２５“Ｃでかくはん下５分間浸漬し次い
でイソプロパツールに６０秒間浸漬した。

未露光部分および露光部分のレジスト膜厚を順次測定し
、感度曲線を作成した。感度は６．８μγノ。

未露光部分の膜減りは２７０Ｘであった。

ピンづめしたレジスト溶液を室温にて２０日間保存した
所、初期７８ｃｐであった溶液粘度が３３ｃｐに低下し
た。

まだピンづめしたレジスト溶液を５０°Ｃで４日間保存
した所、溶液粘度は２７ｃｐに低下した。

（Ｂ）　　ポリマ粉末８００ｇ、２．６−ジーｔ−ブチ
ル−Ｐ−クレゾール４．０ｇをメチルセロソルブアセタ
ート９２００ｇに溶解し、０．２μのメンブランフィル
タ−を用い、窒素加圧下に濾過し、１ｔガラスビンに１
ｔずつピンづめ−した。

レジスト溶液を厚さ１画の石英板の上に２９００回転で
スピンコードし２分光光度計にて紫外部の吸収を測定し
た所、２．６−ジーｔ−ブチル−Ｐ−クレゾールの吸収
が確認された。

この石英板を２００℃で６０分間プリベークし再び紫外
部の吸収を測定した所・　２・６−′−ｔ−７’チルー
Ｐ−クレゾールの吸収は消失し、（Ａ）の溶液をスピン
コード後プリベークしたサンプルの吸収と一致した。

ピンづめしたレジスト溶液を室温にて１年間保存いまだ
他のピンを５０゛Ｃにて２力月保存したがいずれも溶液
粘度に変化は見られなかった。

実施例３〜３０下記の構造式で示される１４種類のモノマ（Ｉ〜ＸＩＶ
）と５種類のラジカル禁止剤（Ａ−、Ｅ）を用い９表−
１に示す組み合わせおよび条件で静置重合を行なった。

得られたポリマおよびコポリマをそれぞれ実施例１およ
び実施例２に準じて粉末化。

レジスト膜形成を行ない、膜厚、膜減り、感度を測定し
、結果を表−１に示した。

モノマの構造式％式％ラジカル禁止剤の構造式なお表−１中、ＡＩＢＮ、ＢＰＯおよび〔η〕は次のも
のをいう。

ＡＩＢＮ　：アゾビスイソブチロニトリルＢＰＯ：過酸
化ベンゾイル〔η〕：極限粘度〔発明の効果〕本発明は上述のごとく構成したので、レジスト溶液を長
期間保存しても全く変質することがない。

従ってレジスト溶液を保存後、再使用しても常に半導体
基板やマスク基板上に適正な膜厚を形成することができ
るため良好なレジストパターンを再現性よく、シかも経
済的に得ることができる利点がある。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ポリ（フルオロアルキルα−クロロアクリラート
）、有機溶媒およびラジカル禁止剤からなることを特徴
とする感放射線レジスト組成物。
（２）ポリ（フルオロアルキルα−クロロアクリラート
）が、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチルα−クロ
ロアクリラート）である特許請求の範囲第（１）項記載
の感放射線レジスト組成物。
（３）フルオロアルキルα−クロロアクリラートと他の
ビニルモノマからなるコポリマ、有機溶媒およびラジカ
ル禁止剤からなることを特徴とする感放射線レジスト組
成物。
（４）他のビニルモノマが、メタクリル酸、メタクリロ
ニトリル、ベンジルメタクリラート又はそのベンゼン環
上に置換基を有する誘導体、ベンジルα−クロロアクリ
ラート又はそのベンゼン環上に置換基を有する誘導体、
フェニルメタクリラート又はそのベンゼン環上に置換基
を有する誘導体、フェニルα−クロロアクリラート又は
そのベンゼン環上に置換基を有する誘導体、スチレン又
はそのベンゼン環上に置換基を有する誘導体あるいはα
−メチルスチレン又はそのベンゼン環上に置換基を有す
る誘導体の群から選ばれた１種である特許請求の範囲第
（３）項記載の感放射線レジスト組成物。
（５）フルオロアルキルα−クロロアクリラートが２，
２，２−トリフルオロエチルα−クロロアクリラートで
ある特許請求の範囲第（４）項記載の感放射線レジスト
組成物。