JPS61170669A - 接続回路網の検査用粒子線測定法 - Google Patents
接続回路網の検査用粒子線測定法Info
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- JPS61170669A JPS61170669A JP61007142A JP714286A JPS61170669A JP S61170669 A JPS61170669 A JP S61170669A JP 61007142 A JP61007142 A JP 61007142A JP 714286 A JP714286 A JP 714286A JP S61170669 A JPS61170669 A JP S61170669A
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- measurement method
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、接続回路網の短絡および断線の無接触検査の
ための粒子線測定法に関する。
ための粒子線測定法に関する。
半導体部品の集積度が高くなり超小形化が進むにつれて
、種々のＶＬＳ Ｉ回路間の電気的接続を形成する接続
回路網の寸法をも相応に減することが必要になってきた
。非常に小さい空間に多数の接触点を設けるために、配
線技術の分野で特にセラミックス多層モジュールの開発
が行われてきた。
、種々のＶＬＳ Ｉ回路間の電気的接続を形成する接続
回路網の寸法をも相応に減することが必要になってきた
。非常に小さい空間に多数の接触点を設けるために、配
線技術の分野で特にセラミックス多層モジュールの開発
が行われてきた。
このモジュール上の接触点密度は、その電気的特性の検
査を機械的な接触針により行うのに大きな困難を伴うほ
ど高くなってきた。従って、接続回路網の短絡および断
線の無接触検査のために電子線測定装置が使用されるこ
とがますます多くなってきた。このような電子線測定法
は１８Ｍテクニカル・ディスクロジュア・ビュレティン
（ＩＢＭＴｅｃｈ、 Ｄｉｓｃｌ、 Ｂｕｌｌ、）第２
４３ｆ！５、第１１ａ号、第５３８８〜５２９０頁に記
載されている。このような方法を実施するための装置は
たとえばヨーロッパ特許第００６６０８６号明細書から
公知である（特に第１２図およびその説明を参照）。
査を機械的な接触針により行うのに大きな困難を伴うほ
ど高くなってきた。従って、接続回路網の短絡および断
線の無接触検査のために電子線測定装置が使用されるこ
とがますます多くなってきた。このような電子線測定法
は１８Ｍテクニカル・ディスクロジュア・ビュレティン
（ＩＢＭＴｅｃｈ、 Ｄｉｓｃｌ、 Ｂｕｌｌ、）第２
４３ｆ！５、第１１ａ号、第５３８８〜５２９０頁に記
載されている。このような方法を実施するための装置は
たとえばヨーロッパ特許第００６６０８６号明細書から
公知である（特に第１２図およびその説明を参照）。
この公知の方法の基礎は、絶縁された試料上に電子線に
より発生された電位分布を一次電子線により放出された
二次電子の検出により検出し得ることである。接続回路
網の検査のためには接触点の少な（とも１つが第１の電
子線により充電され、また続いて接続回路網のジオメト
リに相応して生じた電荷または電位分布が第２の電子線
により走査される。その際、電位の発生および測定のた
めに興なるエネルギーの電子線が用いられる。
より発生された電位分布を一次電子線により放出された
二次電子の検出により検出し得ることである。接続回路
網の検査のためには接触点の少な（とも１つが第１の電
子線により充電され、また続いて接続回路網のジオメト
リに相応して生じた電荷または電位分布が第２の電子線
により走査される。その際、電位の発生および測定のた
めに興なるエネルギーの電子線が用いられる。
接続回路網内の短絡および断線の検出は、種々の接触点
で測定された二次電子信号の比較により行われる。たと
えば接触点の１つに充電点における電位と等しい電位が
観測されるならば、すなわち二次電子検出器システムで
理想的な検出器特性における測定精度内で等しい二次電
子電流が測定されるならば、画点は必然的に互いに電気
的に接続されていると判断される。それに対して、二次
電子電流が互いに著しく異なれば、断線が存在すると判
断される。
で測定された二次電子信号の比較により行われる。たと
えば接触点の１つに充電点における電位と等しい電位が
観測されるならば、すなわち二次電子検出器システムで
理想的な検出器特性における測定精度内で等しい二次電
子電流が測定されるならば、画点は必然的に互いに電気
的に接続されていると判断される。それに対して、二次
電子電流が互いに著しく異なれば、断線が存在すると判
断される。
測定用電子線による走査の間の電位の変化を防止するた
め、公知の方法では中性点の範囲内の一次エネルギーが
用いられる。これらの条件のもとに、試料に衝突する一
次電子電流と試料から出発する二次電子電流とはちょう
ど相殺するので、−次電子エネルギーは充電位相と測定
位相との間で変更されなければならない。このことは、
異なるエネルギーの複数の電子線を使用すること、また
は電子線測定装置の高電圧供給を切換えることにより技
術的に解決される。しかし、両解決策は決定的な欠点を
有する。すなわち、電子線測定装置の高電圧供給を切換
える際に、試料上の電子線の位置および焦点合わせを維
持するための電子光学的な対策が必要である。さらに、
公知の電子的な困難が高電圧の切換えの際に生ずる。ま
た複数の電子線の使用は、相応のビーム形成用の電磁石
コイルを有する追加的電子源が設けられていなければな
らないので、電子光学的構成要素に著しい追加費用を必
要とする。
め、公知の方法では中性点の範囲内の一次エネルギーが
用いられる。これらの条件のもとに、試料に衝突する一
次電子電流と試料から出発する二次電子電流とはちょう
ど相殺するので、−次電子エネルギーは充電位相と測定
位相との間で変更されなければならない。このことは、
異なるエネルギーの複数の電子線を使用すること、また
は電子線測定装置の高電圧供給を切換えることにより技
術的に解決される。しかし、両解決策は決定的な欠点を
有する。すなわち、電子線測定装置の高電圧供給を切換
える際に、試料上の電子線の位置および焦点合わせを維
持するための電子光学的な対策が必要である。さらに、
公知の電子的な困難が高電圧の切換えの際に生ずる。ま
た複数の電子線の使用は、相応のビーム形成用の電磁石
コイルを有する追加的電子源が設けられていなければな
らないので、電子光学的構成要素に著しい追加費用を必
要とする。
本発明の目的は、冒頭に記載した種類の粒子線測定法、
特に電子線測定法であって、ただ１つの電子線により１
つの検査すべき接続回路網において一次電子エネルギー
の変更なしに電位が発生かつ測定され得る測定法を提供
することである。
特に電子線測定法であって、ただ１つの電子線により１
つの検査すべき接続回路網において一次電子エネルギー
の変更なしに電位が発生かつ測定され得る測定法を提供
することである。
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第１項に
記載の測定法により達成される。
記載の測定法により達成される。
本発明による測定法の好ましい実施態様は特許請求の範
囲第２項ないし第１３項にあげられている。
囲第２項ないし第１３項にあげられている。
本発明により得られる利点は、接続回路網の短絡および
断線の検査のための電子線測定装置の技術的構成が顕著
に簡単化されることである。
断線の検査のための電子線測定装置の技術的構成が顕著
に簡単化されることである。
以下、図面により本発明による電子線測定法を説明する
。
。
本発明による方法の基礎は、絶縁された試料上に電子線
により電位を発生させかつその電位を測定し得ることで
ある。その際、試料を充電するためには電子エネルギー
が、試料に衝突する一次電子電流と試料から出発する二
次電子電流とが相殺しないように選定されなければなら
ない。このことは常に、−次電子エネルギーが中性点エ
ネルギーと合致しない場合である。中性点エネルギーは
材料に関係し、また典型的に１ｋｅＶと数ｋｅＶとの間
の範囲内にある。こうして十分に長い照射により１つの
試料上に各極性の電荷または電位が１つの電子線により
発生する。
により電位を発生させかつその電位を測定し得ることで
ある。その際、試料を充電するためには電子エネルギー
が、試料に衝突する一次電子電流と試料から出発する二
次電子電流とが相殺しないように選定されなければなら
ない。このことは常に、−次電子エネルギーが中性点エ
ネルギーと合致しない場合である。中性点エネルギーは
材料に関係し、また典型的に１ｋｅＶと数ｋｅＶとの間
の範囲内にある。こうして十分に長い照射により１つの
試料上に各極性の電荷または電位が１つの電子線により
発生する。
逆に、放出される二次電子のエネルギー分布は存在する
試料電位により変化するので、適当な検出器での二次電
子の検出により定性的に、または二次電子スペクトロメ
ータを使用して定量的に電位測定を行うことができる。
試料電位により変化するので、適当な検出器での二次電
子の検出により定性的に、または二次電子スペクトロメ
ータを使用して定量的に電位測定を行うことができる。
その際、測定量はそれぞれ検出器で観測される二次電子
電流である。
電流である。
測定された二次電子信号は場合によっては較正信号との
比較により補正されなければならない。なぜならば、求
められた二次電子のエネルギー分布は試料電位のほかに
電子線の衝突個所における局部的な電界によっても影響
されるからである。較正のためにはたとえば充電されな
い点で測定される二次電子信号が通しており、その際に
点が試料上に均等に分布していることは有利である。
比較により補正されなければならない。なぜならば、求
められた二次電子のエネルギー分布は試料電位のほかに
電子線の衝突個所における局部的な電界によっても影響
されるからである。較正のためにはたとえば充電されな
い点で測定される二次電子信号が通しており、その際に
点が試料上に均等に分布していることは有利である。
プリント板または配線モジエールの短絡または断線を検
査するために、本発明による方法では先ず検査すべき回
路網の１つの点が時間Ｔｃ内に電子線による十分に長い
照射により電圧ｖｃに充電され、また続いてすべての他
の回路網点が時間ＴＲ内に次々と等しい電子線および不
変の一次エネルギーにより走査される。これらの点の１
つにおいて二次電子検出器内で場合によっては必要な補
正の後に測定精度内で等しい二次電子電流、すなわち等
しい電圧■ｃが観測されると、画点は必然的に電気的に
接続されていると判断される。それに対して、測定され
た電位が互いに著しく異なれば、断線が存在すると判断
される。測定位相の間の回路網点の充電による測定結果
の誤りを防止するため、測定時間Ｔ２は回路網の充電の
ために必要とされる時間Ｔｃにくらべて下記の条件に相
応して減ぜられていなければならない。本発明による方
法の以下の説明は第２図を参照して行う。
査するために、本発明による方法では先ず検査すべき回
路網の１つの点が時間Ｔｃ内に電子線による十分に長い
照射により電圧ｖｃに充電され、また続いてすべての他
の回路網点が時間ＴＲ内に次々と等しい電子線および不
変の一次エネルギーにより走査される。これらの点の１
つにおいて二次電子検出器内で場合によっては必要な補
正の後に測定精度内で等しい二次電子電流、すなわち等
しい電圧■ｃが観測されると、画点は必然的に電気的に
接続されていると判断される。それに対して、測定され
た電位が互いに著しく異なれば、断線が存在すると判断
される。測定位相の間の回路網点の充電による測定結果
の誤りを防止するため、測定時間Ｔ２は回路網の充電の
ために必要とされる時間Ｔｃにくらべて下記の条件に相
応して減ぜられていなければならない。本発明による方
法の以下の説明は第２図を参照して行う。
この概要図には１つのプリント板の複数の回路網が断面
図で示されている。種々の接触点（工ないし７）を接続
する導電帯ＬＢはハツチングを施して示されている絶縁
層Ｉｓのなかに埋め込まれている。技術的なレイアウト
に基づいて接触点１ないし４は互いに電気的に接続され
ていなければならず、また回路網Ａを形成する。同じく
接触点５および６は回路網Ａに対して絶縁されている１
つの回路網Ｂとして一括されていなければならない。同
様なことが図面には示されていない他の接触点にもあて
はまる。−膜性を制限することなく、回路網が検査開始
時に充電されていないものと仮定することができる。回
路網ＡおよびＢの電気的特性を検査するため、本発明に
よる方法では、図面に破線で示されている電子線’Ｐ
Ｅが回路網Ａの接触点の１つ、たとえば点１に向けられ
る。−次電子エネルギーが中性点エネルギーと一致して
いないので、接触点１は回路網のキャパシタンスに関係
する時間Ｔｃ内に１つの電圧■ｃまで充電する。発生さ
れる電圧Ｖｃの時間的経過は第１図の左上に示されてい
る。電圧■ｃへの回路網の充電は電子検出器または二次
電子スペクトロメータの二次電子信号を介して有利な仕
方で制御され得る。
図で示されている。種々の接触点（工ないし７）を接続
する導電帯ＬＢはハツチングを施して示されている絶縁
層Ｉｓのなかに埋め込まれている。技術的なレイアウト
に基づいて接触点１ないし４は互いに電気的に接続され
ていなければならず、また回路網Ａを形成する。同じく
接触点５および６は回路網Ａに対して絶縁されている１
つの回路網Ｂとして一括されていなければならない。同
様なことが図面には示されていない他の接触点にもあて
はまる。−膜性を制限することなく、回路網が検査開始
時に充電されていないものと仮定することができる。回
路網ＡおよびＢの電気的特性を検査するため、本発明に
よる方法では、図面に破線で示されている電子線’Ｐ
Ｅが回路網Ａの接触点の１つ、たとえば点１に向けられ
る。−次電子エネルギーが中性点エネルギーと一致して
いないので、接触点１は回路網のキャパシタンスに関係
する時間Ｔｃ内に１つの電圧■ｃまで充電する。発生さ
れる電圧Ｖｃの時間的経過は第１図の左上に示されてい
る。電圧■ｃへの回路網の充電は電子検出器または二次
電子スペクトロメータの二次電子信号を介して有利な仕
方で制御され得る。
所望の充電電圧■ｃが得られると、電子線はスイ２ノチ
オフされ、また続いて不変の一次エネルギーで、測定時
間ＴＩＩの間に１つの検出器に衝突する二次電子電流を
検出するため回路＄ｌｌＡの他の１つの接触点に向けら
れる。測定精度内で等しい二次電子電流が観測されると
、すなわち充電点１における電圧と等しい電圧ＶＣが観
測されると、その接触点と充電点１とは互いに電気的に
接続されている。この状況は接触点３に対して実現され
る。
オフされ、また続いて不変の一次エネルギーで、測定時
間ＴＩＩの間に１つの検出器に衝突する二次電子電流を
検出するため回路＄ｌｌＡの他の１つの接触点に向けら
れる。測定精度内で等しい二次電子電流が観測されると
、すなわち充電点１における電圧と等しい電圧ＶＣが観
測されると、その接触点と充電点１とは互いに電気的に
接続されている。この状況は接触点３に対して実現され
る。
これと異なり、回路網Ａ内の断線に基づいて接触点２は
充電されない、従って、電子線ＰＨによるこの接触点の
走査の際には、検出器内で測定可能な二次電子信号と接
触点電位との強い関係のために測定時間Ｔｌｌの間は１
つの他の二次電子電流が観測される。二次電子の検出に
より検出可能な電圧差によって短絡および断線を確認し
得る。第１図の右上に示されているように、接触点６の
走査の際にも測定精度内で充電点１における電圧と等し
い電圧Ｖ。が測定される。それによってこの接触点は充
電点１と電気的に接続されており、望ましくない短絡が
回路網ＡとＢとの間に検出されている。プリント板の下
側に配置されている接触点４および７の電位を測定する
ためには、これらの接触点が等しいエネルギーの第２の
電子線により走査される。接触点４では電圧ｖｃが観測
されるが、接触点７は充電されておらず、従って回路網
Ａと短絡されていない。これらの接触点で測定される電
圧の時間的経過は第２図の下側部分に示されている。
充電されない、従って、電子線ＰＨによるこの接触点の
走査の際には、検出器内で測定可能な二次電子信号と接
触点電位との強い関係のために測定時間Ｔｌｌの間は１
つの他の二次電子電流が観測される。二次電子の検出に
より検出可能な電圧差によって短絡および断線を確認し
得る。第１図の右上に示されているように、接触点６の
走査の際にも測定精度内で充電点１における電圧と等し
い電圧Ｖ。が測定される。それによってこの接触点は充
電点１と電気的に接続されており、望ましくない短絡が
回路網ＡとＢとの間に検出されている。プリント板の下
側に配置されている接触点４および７の電位を測定する
ためには、これらの接触点が等しいエネルギーの第２の
電子線により走査される。接触点４では電圧ｖｃが観測
されるが、接触点７は充電されておらず、従って回路網
Ａと短絡されていない。これらの接触点で測定される電
圧の時間的経過は第２図の下側部分に示されている。
本発明による方法では、一定のエネルギーの１つの電子
線により１つの回路網における電位の発生および測定が
行われる。その結果、測定時間ＴＲの間にも各個の接触
点が充電される。それにより惹起される電位変化に起因
する測定結果の誤りは、測定時間ＴＲを充電時間Ｔｃに
比較して短く選定することにより回避することができる
。Ｎ個の接触点から成る接続回路網の電気的特性を検査
すべきであり、また接触点の各々においてＭ回の測定を
行うべきであれば、測定時間ＴＲは充電時間Ｔｃの１／
（ＮｘＭ）よりも短いことが必要である。測定時間の
この制限により回路網はＮ個の接触点におけるＭ回の測
定の後にＶＣよりも低い電圧にしか充電されず、従って
充電された点と充電されなかった点との間の区別が可能
である。
線により１つの回路網における電位の発生および測定が
行われる。その結果、測定時間ＴＲの間にも各個の接触
点が充電される。それにより惹起される電位変化に起因
する測定結果の誤りは、測定時間ＴＲを充電時間Ｔｃに
比較して短く選定することにより回避することができる
。Ｎ個の接触点から成る接続回路網の電気的特性を検査
すべきであり、また接触点の各々においてＭ回の測定を
行うべきであれば、測定時間ＴＲは充電時間Ｔｃの１／
（ＮｘＭ）よりも短いことが必要である。測定時間の
この制限により回路網はＮ個の接触点におけるＭ回の測
定の後にＶＣよりも低い電圧にしか充電されず、従って
充電された点と充電されなかった点との間の区別が可能
である。
接触点Ｎの数の増大と共に回路網のキャパシタンス、従
ってまた電位ｖｃの発生のための時間Ｔ。も増大する。
ってまた電位ｖｃの発生のための時間Ｔ。も増大する。
それにより許容測定時間ＴＲは接触点の数の増大と共に
非現実的な小さな値に低下しない。充電された点と充電
されなかった点との間の区別のための所与のしきい値に
応じて実際には最も長い許容測定時間ＴＲが再び約１／
２に減ぜられる。最小測定時間は他方において信号対雑
音比および技術的限定条件により定められる。
非現実的な小さな値に低下しない。充電された点と充電
されなかった点との間の区別のための所与のしきい値に
応じて実際には最も長い許容測定時間ＴＲが再び約１／
２に減ぜられる。最小測定時間は他方において信号対雑
音比および技術的限定条件により定められる。
本発明による方法を実施するための装置の第１図に示さ
れている実施例では、細く集束された一次電子線ＰＥが
たとえば走査電子顕微鏡の電子光学筒２のなかで発生さ
れる。ビーム形成用の多数の図示されていない電磁石コ
イルおよび絞りとならんで、この電子光学筒は主として
陰極４、べ一ネルト電極５および陽極６から成る電子銃
３とビニーム断続システム７と電子線の焦点を試料１０
上に結ぶための投影レンズ８と偏向システム９とを有す
る。偏向コイルから発生される磁界により一次電子線Ｐ
Ｅは試料１０、特にプリント板または配線モジュールの
上に位置決めされる。電磁的偏向システムのほかに静電
的偏向システムも使用することができる。試料ｌＯは排
気されたチャンバ内で３つの空間方向に運動可能なテー
ブル１１の上に取付けられており、従ってたとえば機械
的制御装置１２により一次電子線ＰＨに対して向けるこ
とができる。−吹型子線ＰＨにより試料ＩＯから放出さ
れた二次電子ＳＥを検出するため、たとえば遮蔽格子１
３、シンチレータ１４、光導波路１５および光電子増倍
管１６から構成された検出器システム１７が用いられる
。この検出器システムの前に、１つの電位井戸の形成に
より１つの回路網の充電された点と充電されなかった点
との間の一層良好な区別のために可変のしきい値を設定
し得るように、定量的電位測定用の逆電界スペクトロメ
ータが接続されていることは有利である。
れている実施例では、細く集束された一次電子線ＰＥが
たとえば走査電子顕微鏡の電子光学筒２のなかで発生さ
れる。ビーム形成用の多数の図示されていない電磁石コ
イルおよび絞りとならんで、この電子光学筒は主として
陰極４、べ一ネルト電極５および陽極６から成る電子銃
３とビニーム断続システム７と電子線の焦点を試料１０
上に結ぶための投影レンズ８と偏向システム９とを有す
る。偏向コイルから発生される磁界により一次電子線Ｐ
Ｅは試料１０、特にプリント板または配線モジュールの
上に位置決めされる。電磁的偏向システムのほかに静電
的偏向システムも使用することができる。試料ｌＯは排
気されたチャンバ内で３つの空間方向に運動可能なテー
ブル１１の上に取付けられており、従ってたとえば機械
的制御装置１２により一次電子線ＰＨに対して向けるこ
とができる。−吹型子線ＰＨにより試料ＩＯから放出さ
れた二次電子ＳＥを検出するため、たとえば遮蔽格子１
３、シンチレータ１４、光導波路１５および光電子増倍
管１６から構成された検出器システム１７が用いられる
。この検出器システムの前に、１つの電位井戸の形成に
より１つの回路網の充電された点と充電されなかった点
との間の一層良好な区別のために可変のしきい値を設定
し得るように、定量的電位測定用の逆電界スペクトロメ
ータが接続されていることは有利である。
たとえば１つの接触点が負の電圧ｖｃに充電されれば、
この点から放出される二次電子のエネルギー分布は大き
さｅＶ（（ｅ＝素電荷）だけ高いほうのエネルギーにシ
フトする。その結果、充電された点から検出システムの
空間角度内に放出された二次電子のほぼすべては検出器
に到達し、他方において充電されなかった点から放出さ
れた二次電子、従ってまた低エネルギーの二次電子はス
ペクトロメータの逆電界により遮蔽される。従って、充
電された接触点および充電されなかった接触点で測定さ
れた二次電子電流は逆電界の高さに応じて著しく相違し
、従って短絡および断線が低い充電電圧■ｃにおいても
なお確実に検出され得る。
この点から放出される二次電子のエネルギー分布は大き
さｅＶ（（ｅ＝素電荷）だけ高いほうのエネルギーにシ
フトする。その結果、充電された点から検出システムの
空間角度内に放出された二次電子のほぼすべては検出器
に到達し、他方において充電されなかった点から放出さ
れた二次電子、従ってまた低エネルギーの二次電子はス
ペクトロメータの逆電界により遮蔽される。従って、充
電された接触点および充電されなかった接触点で測定さ
れた二次電子電流は逆電界の高さに応じて著しく相違し
、従って短絡および断線が低い充電電圧■ｃにおいても
なお確実に検出され得る。
多数の接触点を有するプリント板または配線モジュール
の電気的特性を検査するためには、本発明による検査法
が計算機により制御されて実施されるのが有利である。
の電気的特性を検査するためには、本発明による検査法
が計算機により制御されて実施されるのが有利である。
その際、−吹型子線は計算機１８により接触点の１つの
上に位置決めされ、その接触点で計算機１８がデータメ
モリ１９内に記憶されている接触点の座標を読み出し、
偏向システム２０の電子回路を中間に接続されているイ
ンタフェース２１を介して駆動する。また断続システム
２２の電子回路も計算機１８により、−吹型子線が検査
すべき接続回路網に電位■ｃの発生および測定の際にそ
れぞれ時間Ｔｃまたは、Ｔ １１の間でのみ衝突し、そ
れ以外の時′間の間はスイッチオフされるように制御さ
れるのが有利である。このことは第１図中に２つの異な
る幅の方形パルスにより示されている。前記のように、
充電された接触点と充電されなかった接触点との間の区
別は個々の点において観測される二次電子信号の比較に
より行われる。この比較は同じ（計算機１８により、計
算機１８が接続回路網のＮ個の接触点において検出器電
子回路２３により供給された二次電子信号を記憶し、ま
た直ちにまたはすべての接触点の走査後に始めて目標値
、たとえば充電点における二次電子信号と比較すること
によって行うことができる。その際、場合によっては必
要な二次電子信号の補正は同じく計算機１８により行わ
れる。こうして接続回路網内で検出された短絡および断
線は続いてたとえばプリンタ２４により測定プロトコル
の形で印字される。
上に位置決めされ、その接触点で計算機１８がデータメ
モリ１９内に記憶されている接触点の座標を読み出し、
偏向システム２０の電子回路を中間に接続されているイ
ンタフェース２１を介して駆動する。また断続システム
２２の電子回路も計算機１８により、−吹型子線が検査
すべき接続回路網に電位■ｃの発生および測定の際にそ
れぞれ時間Ｔｃまたは、Ｔ １１の間でのみ衝突し、そ
れ以外の時′間の間はスイッチオフされるように制御さ
れるのが有利である。このことは第１図中に２つの異な
る幅の方形パルスにより示されている。前記のように、
充電された接触点と充電されなかった接触点との間の区
別は個々の点において観測される二次電子信号の比較に
より行われる。この比較は同じ（計算機１８により、計
算機１８が接続回路網のＮ個の接触点において検出器電
子回路２３により供給された二次電子信号を記憶し、ま
た直ちにまたはすべての接触点の走査後に始めて目標値
、たとえば充電点における二次電子信号と比較すること
によって行うことができる。その際、場合によっては必
要な二次電子信号の補正は同じく計算機１８により行わ
れる。こうして接続回路網内で検出された短絡および断
線は続いてたとえばプリンタ２４により測定プロトコル
の形で印字される。
以上に詳細に説明したように、接続回路網内の短絡およ
び断線の検出は回路網の種々の接触点で測定された二次
電子信号と１つの参照信号との比較により行われる。そ
の際に本発明による方法にとっては、どのような種類の
粒子またはビームが試料上で二次電子を放出させるかは
重要ではない。
び断線の検出は回路網の種々の接触点で測定された二次
電子信号と１つの参照信号との比較により行われる。そ
の際に本発明による方法にとっては、どのような種類の
粒子またはビームが試料上で二次電子を放出させるかは
重要ではない。
なぜならば、検出器システム内で測定すべき二次電子信
号は主として試料電位および局部的電界のみに関係する
からである。従って、本方法を実施するためには、試料
から二次電子を放出させる任意の種類の粒子線または電
磁放射を利用することができる。
号は主として試料電位および局部的電界のみに関係する
からである。従って、本方法を実施するためには、試料
から二次電子を放出させる任意の種類の粒子線または電
磁放射を利用することができる。
第１図は本発明を実施するための装置の１つの実施例の
ブロック図、第２図は１つのプリント板の複数個の回路
網の断面図である。 ２・・・電子光学筒、３・・・電子銃、４・・・陰極、
５・・・ベーネルト電極、６・・・陽極、７・・・ビー
ム断続システム、８・・・投影レンズ、９・・・偏向シ
ステム、１０・・・試料、１１・・・テーブル、１２・
・・機械的制御装置、１３・・・遮蔽格子、１４・・・
シンチレータ、１５・・・光導波路、１６・・・光電子
増倍管、Ｉ７・・・検出器システム、１８・・・計算機
、１９・・・データメモリ、２０・・・偏向システム、
２１・・・インタフェース、２２・・・断続システム、
２３・・・検出器電子回路、２４・・・プリンタ、Ａ・
・・接続回路網、Ｉｓ・・・絶縁層、ＬＢ・・・導電帯
、ＰＲ・・・−吹型子、ＳＥ・・・二次電子。 ＩＧ １ ＩＧ ２ Ｆ
ブロック図、第２図は１つのプリント板の複数個の回路
網の断面図である。 ２・・・電子光学筒、３・・・電子銃、４・・・陰極、
５・・・ベーネルト電極、６・・・陽極、７・・・ビー
ム断続システム、８・・・投影レンズ、９・・・偏向シ
ステム、１０・・・試料、１１・・・テーブル、１２・
・・機械的制御装置、１３・・・遮蔽格子、１４・・・
シンチレータ、１５・・・光導波路、１６・・・光電子
増倍管、Ｉ７・・・検出器システム、１８・・・計算機
、１９・・・データメモリ、２０・・・偏向システム、
２１・・・インタフェース、２２・・・断続システム、
２３・・・検出器電子回路、２４・・・プリンタ、Ａ・
・・接続回路網、Ｉｓ・・・絶縁層、ＬＢ・・・導電帯
、ＰＲ・・・−吹型子、ＳＥ・・・二次電子。 ＩＧ １ ＩＧ ２ Ｆ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）接続回路網の短絡および断線の無接触検査のための
粒子線測定法において、 接続回路網（１０）の少なくとも１つの点がそれに向け
られる第１の粒子線（ＰＥ）により第１の時間（Ｔ＿Ｃ
）の間に充電され、 続いて等しいエネルギーのこの第１または第２の粒子線
（ＰＥ）が第２の時間（Ｔ＿Ｒ）の間に同一または他の
接続回路網の少なくとも１つの別の点に向けられ、 このまたはこれらの別の点における電位がこれらの点か
ら求められた二次電子（ＳＥ）の測定により検出され、
その際に第２の時間（Ｔ＿Ｒ）は第１の時間（Ｔ＿Ｃ）
よりもはるかに短く選定されており、また両時間の間の
第１の粒子線のエネルギーは等しい値を有する ことを特徴とする接続回路網の検査用粒子線測定法。 ２）電圧（Ｖ＿Ｃ）への接続回路網（１０）の充電が粒
子線（ＰＥ）の衝突点から求められた二次電子の検出に
より制御されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の粒子線測定法。 ３）二次電子検出器システムの前に定量的電位測定のた
めの逆電界スペクトロメータが接続されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の粒子
線測定法。 ４）電子線により電位が接続回路網上で発生されかつ測
定されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第３項のいずれか１項に記載の粒子線測定法。 ５）接続回路網（１０）上で電位を発生しかつ測定する
ための粒子線（ＰＥ）が走査電子顕微鏡内で発生される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項の
いずれか１項に記載の粒子線測定法。 ６）粒子線（ＰＥ）が計算機（１８）からインタフェー
ス（２１）を介して偏向システム（２０）の電子回路の
制御により接続回路網（１０）の接触点上に位置決めさ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５
項のいずれか１項に記載の粒子線測定法。 ７）粒子線（ＰＥ）が計算機（１８）からインタフェー
ス（２１）を介して粒子線断続システム（２２）の電子
回路の制御により断続されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記載の粒子
線測定法。 ８）接続回路網（１０）の接触点の座標がデータメモリ
（１９）に記憶されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第７項のいずれか１項に記載の粒子線
測定法。 ９）接続回路網（１０）の接触点で測定された二次電子
信号が一時記憶されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第８項のいずれか１項に記載の粒子線測定
法。 １０）接続回路網の充電の前に充電されない接触点で参
照信号が測定されかつ一時記憶されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれか１項に記
載の粒子線測定法。 １１）測定結果がプリンタ（２２）により印字されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第１０項の
いずれか１項に記載の粒子線測定法。 １２）接続回路網（１０）が高度に集積された回路の部
分であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第１１項のいずれか１項に記載の粒子線測定法。 １３）接続回路網（１０）がプリント板または配線モジ
ュールの形態で存在することを特徴とする特許請求の範
囲第１項ないし第１２項のいずれか１項に記載の粒子線
測定法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3501562 | 1985-01-18 | ||
| DE3501562.4 | 1985-01-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170669A true JPS61170669A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0562700B2 JPH0562700B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=6260156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61007142A Granted JPS61170669A (ja) | 1985-01-18 | 1986-01-16 | 接続回路網の検査用粒子線測定法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4985681A (ja) |
| EP (1) | EP0189777B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61170669A (ja) |
| DE (1) | DE3672844D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63272046A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-11-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置検査方法および表示装置 |
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| US5192913A (en) * | 1990-12-20 | 1993-03-09 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Segmented charge limiting test algorithm for electrical components |
| JPH05196681A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-08-06 | Digital Equip Corp <Dec> | 連続移動する電気回路の相互接続試験方法及び装置 |
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| US5258706A (en) * | 1991-10-16 | 1993-11-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the recognition of testing errors in the test of microwirings |
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1985
- 1985-12-27 US US07/813,875 patent/US4985681A/en not_active Expired - Lifetime
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1986
- 1986-01-13 EP EP86100378A patent/EP0189777B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-13 DE DE8686100378T patent/DE3672844D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-16 JP JP61007142A patent/JPS61170669A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0189777B1 (de) | 1990-07-25 |
| US4985681A (en) | 1991-01-15 |
| EP0189777A1 (de) | 1986-08-06 |
| DE3672844D1 (de) | 1990-08-30 |
| JPH0562700B2 (ja) | 1993-09-09 |
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