JPS61168439A - チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法 - Google Patents

チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法

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Publication number
JPS61168439A
JPS61168439A JP60005786A JP578685A JPS61168439A JP S61168439 A JPS61168439 A JP S61168439A JP 60005786 A JP60005786 A JP 60005786A JP 578685 A JP578685 A JP 578685A JP S61168439 A JPS61168439 A JP S61168439A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck mechanism
wafer
water
concave
mechanism body
Prior art date
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Pending
Application number
JP60005786A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Kobayashi
一雄 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibayama Kikai Co Ltd
Original Assignee
Shibayama Kikai Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Shibayama Kikai Co Ltd filed Critical Shibayama Kikai Co Ltd
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Publication of JPS61168439A publication Critical patent/JPS61168439A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Jigs For Machine Tools (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、研削盤における吸着型チャック機構から、特
に極薄状の半導体ウェハを安全に開放し。
取外すことのできるウェハの取外し方法に関する。
現今における弛まざる技術革新は目覚ましいものがあり
、其の先端技術による開発によって、優れた様々な商品
群が多数送出されている。
本発明に係る特にこの種のコンピュータ、マイコン等を
搭載した電子関連機器の開発は、実に日進月歩の感があ
り、更により高度な応用技術の開発に鏑を削っている実
状にある。
このため半導体は、より超高度の質性と、小型化に繋が
る或は大量集積回路化の図れるような、極薄のシリコン
ウェハが要求されてきている。
従来、この種の吸着型チャック機構では、研削後の比較
的肉厚のウェハの場合にあっては、ウェハを何等かの方
法によってそのまま剥がしても問題点はtじなかったが
、前記の如く、皇々超高精度の品質性が要求され、シリ
コンウェハの極薄化傾向が高まっている現時点において
は、0,4m程度の肉厚のウェハであっても、バキュー
ム吸引によって取外そうとした場合にウェハの折損事故
が頻繁に発生する。このためウェハを極薄たる0.2m
mに仕上げる研削技術は可能であるが、然し乍らこれを
チャック機構から、研削済みの鏡面に傷を付けずウェハ
を取外す方法はいまだに確立されていない。
本発明は上記の事由に鑑みて鋭意研鎖の結果、これらの
チャック機構における極薄(0,2mm)ウェハを、安
全に然も確実に取外せる方法を創作しこれを供せんとす
るものである。
斯る目的を達成せしめた本発明チャック機構における半
導体ウェハの取外し方法による実施例を。
以下図面によって説明する。
第1図は複数箇所にチャック機構を有する研削盤のチャ
ック機構本体より本発明の、一部分の構成要部を現した
概要図であって、第2図はチャック機構からウェハが浮
上した状態を現した概要説明図である。
本発明は、第1図による構成要部を現した図示の如く、
研削盤のチャック機構本体1に、研削するウェハAを吸
着させるための機構を形成する陥部2を、チャック機構
本体1の規模に合わせて複数箇所へ穿設すると共に、該
下面のほぼ中心辺へ水流を噴出するための注水口3を形
成せしめて、前記陥部2内へ該陥部の表面と同等か若し
くは若干表出させ且つ底部との間に間隙部5を設けて、
ポーラス状又はほぼ垂直に多孔性を有するセラミック4
を回転自在に軸承固定せしめて本発明を構成したもので
ある。
この様にしてチャック機構を構成したことによって、エ
アーバキュームにより吸着されているウェハA、並びに
液面張力によって吸着されたウェハAのいずれの方法で
吸着したウェハであっても、前記チャック機構本体1に
穿設した陥部2の注水口3から、水流を注入噴出せしめ
ることにより、当該ウェハAは噴出する水圧によって安
全かつ確実に開放されて浮上し、これを適宜な手段によ
り回収して、別のシステム装置へ移送することができる
ものである。
以上の如く、本発明は実に研削後の鏡面に、何等障害を
及ぼす作為、又は余分な負担等をかける處れの全く存し
ないウェハの取外し方法であって、当初の目的とする極
薄の半導体ウェハにおいても。
充分対応でき得る取外し手段となるため、其の貢献性は
計り知れないものがあり、極めて有意義な効果を奏する
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例として複数箇所にチャック機
構を有する研削盤チャック機構本体より、本発明の一部
分の構成要部を現した概要図であって、第2図はチャッ
ク機構から取外した状態を現した概要説明図である。A
−ウェハ。 1−チャック機構本体、2−陥部、3−注水口。 4−多孔性セラミック、5−間隙部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 液面張力又はエアー吸着機構を有し複数個の半導体ウェ
    ハをチャックして研削する研削盤のチャック機構本体に
    おいて、 該チャック機構をポーラス状又は垂直に多孔性を有する
    セラミックで形成すると共に、該チャック機構本体の吸
    着機構が位置する下面へこの多孔性セラミックの底面よ
    り表面へ向けて水流を噴出せしめるための注水口を設け
    て構成したものであって、研削後の吸着されているウェ
    ハのチャック機構を、当該噴流による水圧によってウェ
    ハを浮上せしめて開放できる様に成したことを特徴とす
    るチャック機構における半導体ウェハの取外し方法。
JP60005786A 1985-01-18 1985-01-18 チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法 Pending JPS61168439A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2471712A (en) * 2009-07-10 2011-01-12 De Beers Centenary AG Gemstone alignment system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56164549A (en) * 1980-05-23 1981-12-17 Disco Abrasive Sys Ltd Mounting method by positioning
JPS5840338B2 (ja) * 1976-03-19 1983-09-05 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5840338B2 (ja) * 1976-03-19 1983-09-05 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造法
JPS56164549A (en) * 1980-05-23 1981-12-17 Disco Abrasive Sys Ltd Mounting method by positioning

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2471712A (en) * 2009-07-10 2011-01-12 De Beers Centenary AG Gemstone alignment system
US9079331B2 (en) 2009-07-10 2015-07-14 De Beers Centenary AG Gemstone alignment

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