JPS61158148A - プラズマｃｖｄ膜の製造方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ膜の製造方法Info
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- JPS61158148A JPS61158148A JP59279190A JP27919084A JPS61158148A JP S61158148 A JPS61158148 A JP S61158148A JP 59279190 A JP59279190 A JP 59279190A JP 27919084 A JP27919084 A JP 27919084A JP S61158148 A JPS61158148 A JP S61158148A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プラズマＯＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ、
ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によって、基
材表面にプラズマＣＶＤ膜を形成する際、前記プラズマ
ＣＶＤ膜の膜質および膜厚の分布を制御して、基材表面
に形成するためのプラズマ（］／、Ｄ膜の製造方法に関
するものである。
ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によって、基
材表面にプラズマＣＶＤ膜を形成する際、前記プラズマ
ＣＶＤ膜の膜質および膜厚の分布を制御して、基材表面
に形成するためのプラズマ（］／、Ｄ膜の製造方法に関
するものである。
従来の技術
プラズマＯＶＤ法は、真空容器内に基材を加熱状態で保
持し、形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを一
定流量で真空容器内に供給し、かつ、真空容器内の圧力
を大気王以下の所定の真空度に維持した状態で、基材を
含む空間に低温プラズマを発生させろことによって、基
材表面に、所望のプラズマＣＶＤ膜を形成する方法であ
る。
持し、形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを一
定流量で真空容器内に供給し、かつ、真空容器内の圧力
を大気王以下の所定の真空度に維持した状態で、基材を
含む空間に低温プラズマを発生させろことによって、基
材表面に、所望のプラズマＣＶＤ膜を形成する方法であ
る。
以下、図面を参照しながら、従来のプラズマＣＶＤ膜の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
第２図に、従来のプラズマＣＶＤ装置を示す。
＋ｌ＋は真空状態の維持が可能な真空容器、（２）はプ
ラズマｏｗｎ膜が形成される基材、（３）は基材（２）
を保持し、かつ内部に加熱用のヒータを有して、基材（
２）表面を加熱することが可能な試料台、３＆は試料台
３の内部に搭載されたヒータ、（４）は形成すべきプラ
ズマＣＶＤ膜の組成元素を含む化合物ガスを供給するた
めのガス供給装置のガス供給ノズル、（５）は、真空容
器（１）の圧力を大気圧以下の真空度に真空排気するた
めの真空ポンプ、（６）は、真空容器（１）と真空ポン
プ（５）の間を気密に接続する真空排気用のパイプ、（
刀は、真空容器ｆｉｌ内の正方を管内抵抗を可変に制御
するためのバタフライバルブ、（８１は、真空容器（１
）内に原料ガスを導入し、かつ真空容器＋１１内を所定
の圧力に制御した状態で、基材（２）を含む空間に、低
温プラズマを発生させるための電極、（９）は、出力の
闇波数が１３．５６ ＮＨ２の高周波電源、ｆｉｌは、
電極（８）に高周波電力を効率良く供給するために設け
た整合回路、（１９はヒータ３ａに電力を供給する交流
電源、を示す。
ラズマｏｗｎ膜が形成される基材、（３）は基材（２）
を保持し、かつ内部に加熱用のヒータを有して、基材（
２）表面を加熱することが可能な試料台、３＆は試料台
３の内部に搭載されたヒータ、（４）は形成すべきプラ
ズマＣＶＤ膜の組成元素を含む化合物ガスを供給するた
めのガス供給装置のガス供給ノズル、（５）は、真空容
器（１）の圧力を大気圧以下の真空度に真空排気するた
めの真空ポンプ、（６）は、真空容器（１）と真空ポン
プ（５）の間を気密に接続する真空排気用のパイプ、（
刀は、真空容器ｆｉｌ内の正方を管内抵抗を可変に制御
するためのバタフライバルブ、（８１は、真空容器（１
）内に原料ガスを導入し、かつ真空容器＋１１内を所定
の圧力に制御した状態で、基材（２）を含む空間に、低
温プラズマを発生させるための電極、（９）は、出力の
闇波数が１３．５６ ＮＨ２の高周波電源、ｆｉｌは、
電極（８）に高周波電力を効率良く供給するために設け
た整合回路、（１９はヒータ３ａに電力を供給する交流
電源、を示す。
従来のプラズマＣＶＤ装置の動作を説明する。
まず、真空容器＋１１内を真空ポンプ（５）により、５
０ｍ Ｔｏｒｒ以下の真空度まで真空排気した後、基材
（２）の表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物
ガスをガス供給装置のガス供給ノズル（４）から真空容
器（１）内に導入し、さらに、バタフライバルブ（７）
を操作し、薄膜形成条件である圧力に真空容器（１）内
を制御する。また基材（２）は、試料台（３）によって
所定の温度に加熱制御される。次に１電極（８）に高周
波電源（９）より高周波電力を供給し、基材（２）を含
む空間に低温プラズマを発生させる。前記結果として、
基材（２）表面に所望のプラズマ（、ＶＤ膜が形成され
る。
０ｍ Ｔｏｒｒ以下の真空度まで真空排気した後、基材
（２）の表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物
ガスをガス供給装置のガス供給ノズル（４）から真空容
器（１）内に導入し、さらに、バタフライバルブ（７）
を操作し、薄膜形成条件である圧力に真空容器（１）内
を制御する。また基材（２）は、試料台（３）によって
所定の温度に加熱制御される。次に１電極（８）に高周
波電源（９）より高周波電力を供給し、基材（２）を含
む空間に低温プラズマを発生させる。前記結果として、
基材（２）表面に所望のプラズマ（、ＶＤ膜が形成され
る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来のプラズマＣＶＤ膜の製造方法では
、真空排気系であるパイプ（６）の位置、ガス供給装置
のガス供給ノズル（４）の位置並びにガス供給装置のガ
ス供給ノズル（４）から供給される原料ガスの流量など
に依存して、第２図中のＡ−Ａ断面の各位置の有効排気
速度が異なり、そのため、基材（２）表面１各位置での
原料ガスの濃度並びにガス流れが異なり、その結果プラ
ズマＣＶＤ膜を基材（２１表面に形成した際、基材（２
）上の膜厚分布、膜質分布を低下させるという欠点を有
していた。
、真空排気系であるパイプ（６）の位置、ガス供給装置
のガス供給ノズル（４）の位置並びにガス供給装置のガ
ス供給ノズル（４）から供給される原料ガスの流量など
に依存して、第２図中のＡ−Ａ断面の各位置の有効排気
速度が異なり、そのため、基材（２）表面１各位置での
原料ガスの濃度並びにガス流れが異なり、その結果プラ
ズマＣＶＤ膜を基材（２１表面に形成した際、基材（２
）上の膜厚分布、膜質分布を低下させるという欠点を有
していた。
また、任意に基材（２）表面上に形成するプラズマＣＶ
Ｄ膜の膜厚分布、膜質分布を制御することが非常に困難
である。
Ｄ膜の膜厚分布、膜質分布を制御することが非常に困難
である。
このように、従来のプラズマＣＶＤ膜の製造方法では、
膜を基材嘴２１表面に形成する際、基材１２）表面上の
各位置での原料ガスの濃度並びにガス流れを制御できな
いため、基材（２）表面に形成するプラズマＣＶＤ膜の
膜厚分布、膜質分布を制御することが困難であるという
欠点を有していた。
膜を基材嘴２１表面に形成する際、基材１２）表面上の
各位置での原料ガスの濃度並びにガス流れを制御できな
いため、基材（２）表面に形成するプラズマＣＶＤ膜の
膜厚分布、膜質分布を制御することが困難であるという
欠点を有していた。
発明の構成
本発明は、真空容器内に基材を配設し、前記真空容器内
を所定圧力に減圧し、前記基材表面に形成すべきプラズ
マＯＶＤ薄膜の組成元素を含む化合物ガス、例えばモノ
シラン（Ｓ１Ｈ４）、アンモニア（ＮＨ３） 、窒素（
Ｎりの混合ガスを一定流量で供給し、複数のガスノズル
より窒素ガスを供給して一定田力０．４６ ＴｏτｒＶ
ｃ保持しながら、前記基材を所定温度３５０℃に制御し
、前記真空容器内に配設した電極に４０〜５００ ＫＨ
２，１３，５６ＭＨＭまたは２．４５ ＧＨＭの高周波
電力を供給し、前記基材を含む空間に低温のプラズマを
発生させ、前記複数のガスノズルよりの窒素ガス導入量
をプラズマＣＶＤ膜の原料ガスの流れを制御してガスノ
ズルより噴出したガスが原料ガスの低温プラズマに混入
しないよう噴出させ排気速度を一定になるようにしてプ
ラズマＣＶＤ膜を製造するにある。
を所定圧力に減圧し、前記基材表面に形成すべきプラズ
マＯＶＤ薄膜の組成元素を含む化合物ガス、例えばモノ
シラン（Ｓ１Ｈ４）、アンモニア（ＮＨ３） 、窒素（
Ｎりの混合ガスを一定流量で供給し、複数のガスノズル
より窒素ガスを供給して一定田力０．４６ ＴｏτｒＶ
ｃ保持しながら、前記基材を所定温度３５０℃に制御し
、前記真空容器内に配設した電極に４０〜５００ ＫＨ
２，１３，５６ＭＨＭまたは２．４５ ＧＨＭの高周波
電力を供給し、前記基材を含む空間に低温のプラズマを
発生させ、前記複数のガスノズルよりの窒素ガス導入量
をプラズマＣＶＤ膜の原料ガスの流れを制御してガスノ
ズルより噴出したガスが原料ガスの低温プラズマに混入
しないよう噴出させ排気速度を一定になるようにしてプ
ラズマＣＶＤ膜を製造するにある。
作用
本発明は、複数のガスノズルを基材の周囲の真空容器に
等間隔に配設し、ガスノズルより噴出したガスが原料ガ
スの低温プラズマに混入しないよう噴出させ、基材表面
上の各位置での原料ガスの濃度並びにガス流れが一定に
なるよう導入量を制御するようにしたので、プラズマ窒
化膜の膜厚分布および膜質分布を任意に制御することが
でき、所望のプラズマＳｉＮ膜が形成できる。
等間隔に配設し、ガスノズルより噴出したガスが原料ガ
スの低温プラズマに混入しないよう噴出させ、基材表面
上の各位置での原料ガスの濃度並びにガス流れが一定に
なるよう導入量を制御するようにしたので、プラズマ窒
化膜の膜厚分布および膜質分布を任意に制御することが
でき、所望のプラズマＳｉＮ膜が形成できる。
実施例
本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ膜
の製造方法を実施するプラズマＣＶＤ装置の断面図を示
す。
の製造方法を実施するプラズマＣＶＤ装置の断面図を示
す。
図において、（１０１）は、真空状態の維持が可能な真
空容器、（１０２）は、プラズマＳｉＮ膜が形成される
基材、（１０３）は基材（１０２）を保持するための試
料台、（１０３ａ）は試料台（１０３）を加熱すること
によって、基材（１０２）を所定の温度に加熱制御する
ための加熱装置、（１０４）は形成すべきプラズマＣＶ
Ｄ膜の組成元素を含む化合物ガスを供給するためのガス
供給装置のガス供給ノズル、（１０５）は真空容器（１
０１）内の圧力を大気圧以下の真空度に真空排気するた
めの真空ポンプ、（１０６）は真空容器（１０１）と真
空ポンプ（１０５）との間を気密に接続する真空排気用
のパイプ、（１０７）は真空容器（１０１）内の子方を
制御するため管内抵抗を可変に制御するバタフライバル
ブ、（ｔｏｓ’）は真空容器（１０１）内に原料ガスを
導入し、かつ真空容器（ｌＯｔ）内を所定の圧力に制御
した状態で、基材（１０２）を含む空間に、低温プラズ
マを発生させるための電極、（１０９）は出力の周波数
が４０〜５００ ＫＨｚ又は１３．５６ Ｍｌ（ｚ又は
２．４５ ＧＨｚの高周波電源、（１１０）は電極（ｔ
ＯＳ）に高周波電力を効率良く供給するために設けた整
合回路、（１１１）は加熱装置（１０３ａ）に電力を供
給する交流電源、（１１２）は真空容器（１０１）に等
間隔に配置し、ガス供給装置のガス供給ノズル（１０４
）の下方であって、試料台（１０３）とパイプ（１０６
）との間に位置し、ノズル先端は加熱装置（１０３ａ）
下部に位置するようにし、窒素ガスを制御して供給する
ことが可能なガスノズル、を示す。
空容器、（１０２）は、プラズマＳｉＮ膜が形成される
基材、（１０３）は基材（１０２）を保持するための試
料台、（１０３ａ）は試料台（１０３）を加熱すること
によって、基材（１０２）を所定の温度に加熱制御する
ための加熱装置、（１０４）は形成すべきプラズマＣＶ
Ｄ膜の組成元素を含む化合物ガスを供給するためのガス
供給装置のガス供給ノズル、（１０５）は真空容器（１
０１）内の圧力を大気圧以下の真空度に真空排気するた
めの真空ポンプ、（１０６）は真空容器（１０１）と真
空ポンプ（１０５）との間を気密に接続する真空排気用
のパイプ、（１０７）は真空容器（１０１）内の子方を
制御するため管内抵抗を可変に制御するバタフライバル
ブ、（ｔｏｓ’）は真空容器（１０１）内に原料ガスを
導入し、かつ真空容器（ｌＯｔ）内を所定の圧力に制御
した状態で、基材（１０２）を含む空間に、低温プラズ
マを発生させるための電極、（１０９）は出力の周波数
が４０〜５００ ＫＨｚ又は１３．５６ Ｍｌ（ｚ又は
２．４５ ＧＨｚの高周波電源、（１１０）は電極（ｔ
ＯＳ）に高周波電力を効率良く供給するために設けた整
合回路、（１１１）は加熱装置（１０３ａ）に電力を供
給する交流電源、（１１２）は真空容器（１０１）に等
間隔に配置し、ガス供給装置のガス供給ノズル（１０４
）の下方であって、試料台（１０３）とパイプ（１０６
）との間に位置し、ノズル先端は加熱装置（１０３ａ）
下部に位置するようにし、窒素ガスを制御して供給する
ことが可能なガスノズル、を示す。
本発明のプラズマＣＶＤ装置の動作を説明する。
まず、真空容器（１０１）内を真空ポンプ（１ＯＳ）に
よって、５０ ｙａ Ｔｏｒｒ以下の真空度まで真空排
気した後、基材（１０２）表面に形成すべき薄膜の組成
元素を含む化合物ガス、すなわちモノシラン（ＳｉＦ２
）アンモニア（ＮＨ３） 、窒素（ＩＪ、 ’）の混合
ガスを各々１３ Ｓ（ＩＣＭ、 １６５００Ｍ、 ５２
５００Ｍのガス流量で、ガス供給装置のガス供給ノズル
（１０４）より真空容器（１ａｌ）内に導入し、かつ真
空容器（１０１）内の圧力をバタフライバルブ（１０７
）の操作、並びにガスノズル（１１２）より窒素ガスを
制御して導入することによって、０．４６ Ｔｏｒｒに
保持する。また基材（１０２）は試料台（１０３） Ｋ
よって３５０℃の温度に加熱制御される。次に、電極（
ｔＯＳ）に高周波電源（１０９）より高周波電力を供給
し、基材（１０２）を含む空間に低温プラズマを発生さ
せる。本実施例では、第１図中のＡ／ ）、／断面の
有効排気速度をほぼ一定となり、ガスの噴出方向および
形状によってガスノズルより噴出したガスが原料ガスの
低温プラズマに混入しないようガスノズル（１１２）
全４本配置し、各ガスノズルからの窒素ガス導入量を制
御した。
よって、５０ ｙａ Ｔｏｒｒ以下の真空度まで真空排
気した後、基材（１０２）表面に形成すべき薄膜の組成
元素を含む化合物ガス、すなわちモノシラン（ＳｉＦ２
）アンモニア（ＮＨ３） 、窒素（ＩＪ、 ’）の混合
ガスを各々１３ Ｓ（ＩＣＭ、 １６５００Ｍ、 ５２
５００Ｍのガス流量で、ガス供給装置のガス供給ノズル
（１０４）より真空容器（１ａｌ）内に導入し、かつ真
空容器（１０１）内の圧力をバタフライバルブ（１０７
）の操作、並びにガスノズル（１１２）より窒素ガスを
制御して導入することによって、０．４６ Ｔｏｒｒに
保持する。また基材（１０２）は試料台（１０３） Ｋ
よって３５０℃の温度に加熱制御される。次に、電極（
ｔＯＳ）に高周波電源（１０９）より高周波電力を供給
し、基材（１０２）を含む空間に低温プラズマを発生さ
せる。本実施例では、第１図中のＡ／ ）、／断面の
有効排気速度をほぼ一定となり、ガスの噴出方向および
形状によってガスノズルより噴出したガスが原料ガスの
低温プラズマに混入しないようガスノズル（１１２）
全４本配置し、各ガスノズルからの窒素ガス導入量を制
御した。
以上の動作によって、基材（１０２）表面上に屈折率２
．０５±０．０２、膜厚分布±３％のプラズマ窒化シリ
コン（プラズマＳＬＮ ）膜を形成することができた。
．０５±０．０２、膜厚分布±３％のプラズマ窒化シリ
コン（プラズマＳＬＮ ）膜を形成することができた。
以上のように、本実施例によれば、真空状態の維持が可
能な真空容器（１０１）と基材（１０２）を保持する試
料台（１０３）と、加熱装置（１０３＆）と、真空ポン
プ（ｌｏｓ）と、パイプ（１０６）と、バタフライノぐ
ルブ（１０７）と、電極（１０８）と、試料台（１０３
）とパイプ（１０６）との間に位置したガスノズル（１
１２）とを設け、ガスノズル（１１２）より、窒素ガス
を制御して導入し、基材（１０２）を含む空間において
、プラズマ窒化膜の原料ガスのガス流れを制御すること
によって、基材（１ｏｚ）に形成するプラズマ窒化膜の
膜厚分布および膜質分布を任意に制御することが可能で
あり、その結果、所望のプラズマＳｉＮ膜を形成するこ
とができた。
能な真空容器（１０１）と基材（１０２）を保持する試
料台（１０３）と、加熱装置（１０３＆）と、真空ポン
プ（ｌｏｓ）と、パイプ（１０６）と、バタフライノぐ
ルブ（１０７）と、電極（１０８）と、試料台（１０３
）とパイプ（１０６）との間に位置したガスノズル（１
１２）とを設け、ガスノズル（１１２）より、窒素ガス
を制御して導入し、基材（１０２）を含む空間において
、プラズマ窒化膜の原料ガスのガス流れを制御すること
によって、基材（１ｏｚ）に形成するプラズマ窒化膜の
膜厚分布および膜質分布を任意に制御することが可能で
あり、その結果、所望のプラズマＳｉＮ膜を形成するこ
とができた。
発明の効果
本発明は、本発明のプラズマＣＶＤ装置において、ガス
ノズルよりガスを制御して導入すること釦よって、基材
を含む空間において、プラズマＣＶＤ膜の原料ガスのガ
ス流れを制御することが容易となるため、基材表面に形
成するプラズマＣＶＤ膜の膜厚分布および膜質分布を制
御することができる大きな実用的効果を生ずる。
ノズルよりガスを制御して導入すること釦よって、基材
を含む空間において、プラズマＣＶＤ膜の原料ガスのガ
ス流れを制御することが容易となるため、基材表面に形
成するプラズマＣＶＤ膜の膜厚分布および膜質分布を制
御することができる大きな実用的効果を生ずる。
第１図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第２図
は従来のプラズマ（’ＶＤ装置の断面図、を示す。 １Ｏ１５・真空容器 １０２：基材 １０３：試料
台 １０３ＰＬ：加熱装置１０４ ガス供給ノズル
１０５・真空ポンプ １０６：パイプ １０８：電
−１０９：高周波電＃ｔ１ｏ：整合回路 １１１ ：交
流電源 １１２：ガスノズル特許出願人 松下電
器産業株式会社代理人弁理士 阿 部 功
第１図 第２図 手 続 補 正 書 ■、事件の表示 特願昭 ５９−２７９１９０号２、
発明の名称 プラズマＣＶＤ膜の製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所〒１８５東京都国分寺市南町三丁目１２番１１号
６ 補正の対象 補 正 の 内 容 １ 明細書第６頁第７行「０．４６ Ｔｏｒｒに保持し
ながら」を「０．３０ Ｔｏｒｒに保持しながら」と２
同第９頁第６行「１３ ＳｃｃＭ、 １６ ＳａａＭ
１５２５００Ｍのガス流」を 「１０ ｓｃａＭ、 ３ ｔ ｓａａＭ、 ｓ Ｏ５０
０Ｍのガス流」と、 ３、 同第９頁第１１行「Ｄ、 ４６ Ｔｏｒｒに保持
する。」を「０．３０ Ｔｏｒｒに保持する。」とそれ
ぞれ補正する。
は従来のプラズマ（’ＶＤ装置の断面図、を示す。 １Ｏ１５・真空容器 １０２：基材 １０３：試料
台 １０３ＰＬ：加熱装置１０４ ガス供給ノズル
１０５・真空ポンプ １０６：パイプ １０８：電
−１０９：高周波電＃ｔ１ｏ：整合回路 １１１ ：交
流電源 １１２：ガスノズル特許出願人 松下電
器産業株式会社代理人弁理士 阿 部 功
第１図 第２図 手 続 補 正 書 ■、事件の表示 特願昭 ５９−２７９１９０号２、
発明の名称 プラズマＣＶＤ膜の製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所〒１８５東京都国分寺市南町三丁目１２番１１号
６ 補正の対象 補 正 の 内 容 １ 明細書第６頁第７行「０．４６ Ｔｏｒｒに保持し
ながら」を「０．３０ Ｔｏｒｒに保持しながら」と２
同第９頁第６行「１３ ＳｃｃＭ、 １６ ＳａａＭ
１５２５００Ｍのガス流」を 「１０ ｓｃａＭ、 ３ ｔ ｓａａＭ、 ｓ Ｏ５０
０Ｍのガス流」と、 ３、 同第９頁第１１行「Ｄ、 ４６ Ｔｏｒｒに保持
する。」を「０．３０ Ｔｏｒｒに保持する。」とそれ
ぞれ補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器内に基材を配設し、前記真空容器内を所定
圧力に減圧し、前記基材表面に形成すべきプラズマＣＶ
Ｄ薄膜の組成元素を含む化合物ガスおよび単一ガスの混
合ガスを一定流量で供給し、複数のガスノズルより窒素
ガスを供給して一定圧力に保持しながら、前記基材を所
定温度に制御し、前記真空容器内に配設した電極に高周
波電力を供給し、前記基材を含む空間に低温のプラズマ
を発生させ、前記複数のガスノズルよりのガス導入量を
排気速度を一定になるよう制御してプラズマＣＶＤ膜の
原料ガスの流れを制御し、前記基材の表面のプラズマＣ
ＶＤ膜の製造方法。 ２、前記ガスノズルより導入するガスの組成が窒素また
は少なくともプラズマＣＶＤ膜の原料ガスの成分の１つ
を含むガスとする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
ＣＶＤ膜の製造方法。 ３、前記高周波電力の周波数を４０〜５００ＫＨｚ、１
３．５６ＭＨｚまたは２．４５ＧＨｚとする特許請求の
範囲第１項又は第２項記載のプラズマＣＶＤ膜の製造方
法。 ４、前記ガスノズルより噴出したガスが原料ガスの低温
プラズマに混入しないよう噴出させる特許請求の範囲第
１項又は第２項又は第３項記載のプラズマＣＶＤ膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59279190A JPS61158148A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | プラズマｃｖｄ膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59279190A JPS61158148A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | プラズマｃｖｄ膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61158148A true JPS61158148A (ja) | 1986-07-17 |
Family
ID=17607686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59279190A Pending JPS61158148A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | プラズマｃｖｄ膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61158148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107818911A (zh) * | 2016-09-14 | 2018-03-20 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP59279190A patent/JPS61158148A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107818911A (zh) * | 2016-09-14 | 2018-03-20 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
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