JP3221952B2 - Cvd用原料ガスの発生装置 - Google Patents
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Description
下、CVD法という)によって酸化物超電導体などの酸
化物材料を基材上に成膜するCVD装置に用いられる原
料ガス発生装置に関するものである。
(約77K)よりも高い酸化物超電導体として、例え
ば、Y-Ba-Cu-O系、Bi-Sr-Ca-Cu-O系、
Tl-Ba-Ca-Cu-O系などの酸化物超電導体が発見
されている。そして、これらの酸化物超電導体を電力輸
送、超電導マグネット、超電導デバイスなどの種々の超
電導機器に応用する目的で種々の研究が進められてい
る。このような酸化物超電導体の製造方法の1つとし
て、化学気相蒸着法(CVD法)等の薄膜形成手段によ
って基材表面に酸化物超電導薄膜を成膜する方法が知ら
れている。この種の薄膜形成手段により形成した酸化物
超電導薄膜は、臨界電流密度(Jc)が大きく、優れた
超電導特性を発揮することが知られている。また、CV
D法のなかでも、金属錯体、金属アルコキシドなどの有
機金属化合物を原料として行なうCVD法は、成膜速度
が速く、短時間でより厚い膜を形成できる手段として注
目されている。
の製造方法において通常使用される原料化合物として
は、酸化物超電導体を構成する各元素のβ-ジケトン化
合物やシクロペンタジエニル化合物などの有機金属錯体
が用いられ、例えば、Y-Ba-Cu-O系の酸化物超電
導体の製造用には、Y,Ba,Cuの各元素のジピバロ
イルメタン(DPM)錯体、即ち、Y(DPM)3、B
a(DPM)2、Cu(DPM)2などが使用されてい
る。これらの原料錯体は、原料気化装置で加熱気化させ
てキャリアガスとともに反応チャンバに送り込まれ、こ
の反応チャンバ内で化学反応を生じさせ、反応チャンバ
内に設置した基材の表面に反応生成物を堆積させること
で目的のY-Ba-Cu-O系酸化物超電導体を得ること
ができる。
VD装置に用いられている粉末原料供給装置を示すもの
である。図5において、1は反応チャンバを示し、この
反応チャンバ1には真空ポンプ2と混合チャンバ3が接
続され、混合チャンバ3に気化器4を介してバブラ5と
粉末供給装置6とが接続されている。また、反応チャン
バ1と混合チャンバ3には、流量調整弁7、8を介して
酸素ガス供給源9が接続され、バブラ5と粉末供給装置
6にはそれぞれ流量調整弁10、11を介してアルゴン
ガスなどのキャリアガス供給源12が接続されている。
前記反応チャンバ1の内部には基材13を保持した基材
ホルダ14が設けられ、基材ホルダ14には加熱ヒータ
15が内蔵されていて、基材13を所望の温度に加熱で
きるように構成されている。
化物超電導体を構成する元素の原料粉末16が収納さ
れ、この原料粉末の上方に供給筒17が設置され、この
供給筒17の内部には、流量調整弁11を介してキャリ
アガス供給源12に接続された噴出管17と気化器4に
接続された供給管18が収納されている。前記噴出管1
7は、図6に示すように、その先端部17aからキャリ
アガスを原料粉末16に吹き付けて舞い上がらせる作用
を行なうとともに、供給管18は舞い上がった原料粉末
16とともにキャリアガスを吸引し、これらの混合ガス
を気化器4に送る作用を行なう。
スとともに気化器4に送ることができ、更に、気化器4
においてバブラ5から送られる原料ガスとともに混合し
て230℃程度に加熱することで原料を気化し、原料混
合ガスを形成し、反応チャンバ1に原料混合ガスを送る
ことができるようになっている。更に、反応チャンバ1
の内部は真空ポンプ2により所望の圧力に減圧されるよ
うになっているとともに、混合チャンバ3を介して原料
混合ガスが反応チャンバ1の内部に、また、酸素ガス供
給源9から酸素ガスが反応チャンバ1の内部にそれぞれ
供給されるようになっている。従って、基材13上に反
応チャンバ1内の減圧雰囲気で原料混合ガスの組成に応
じた反応生成物を堆積させて成膜できるようになってい
る。
て原料ガスを気化器4に送る場合、図6に示すように、
キャリアガスを噴出管17の先端部17aから原料粉末
16に向けて勢い良く噴き出すことになるが、ここで原
料粉末16を舞い上がらせると、原料粉末16の上方に
流動空間16aを生成することになり、この流動空間1
6a内に浮遊している粉末を供給管18の先端部18a
から吸い込んで排出することになる。ところが、この装
置にあっては、以上のような原理で原料粉末を輸送する
がゆえに、以下に説明する問題を有していた。
り気に依存して流動空間16aにおける原料粉末の舞い
上がり量が変動するので、供給管18を介して気化器4
に行なう原料粉末の供給量と供給速度の変動が大きく、
安定した原料粉末供給ができない欠点がある。 粒径の小さな原料粉末を輸送することから、供給管1
8はできる限り細く形成する必要があるが、供給管18
を細く形成すると原料粉末で目詰まりを起こし易くなる
問題がある。特に、原料粉末が湿気を含んでいて粘り気
を有する場合、供給管18の内部に原料粉末が付着して
堆積し、供給管18の径を狭めて供給速度を不安定と
し、最悪の場合は目詰まりを引き起こす問題がある。 製造目的とする酸化物超電導体が多成分系の酸化物で
あるので、多くの場合、原料粉末は多成分の粉末の混合
体となる。従って全ての成分の粉末を供給管18に均一
に送ることは困難であり、均一な成分を反応チャンバ1
に供給できない欠点がある。 原料粉末を収納している粉末供給装置6の容量には限
界があるので、長時間の連続成膜処理を行っていると、
原料粉末量が不足してくるが、原料粉末を追加するため
には成膜処理を一次中断して噴出管17と供給管18と
を粉末供給装置6から外す必要がある。よって長時間の
連続成膜処理ができなくなり、長尺の基材に成膜できな
くなる欠点がある。
置として、原料粉末を用いる装置ではなく、原料溶液の
ミストを供給する装置が知られている。図7は、従来、
酸化物超電導体製造用のCVD装置に用いられている溶
液ミストの供給装置を示すものである。図7において、
符号20は反応チャンバを示し、この反応チャンバ20
には真空ポンプ21が接続され、反応チャンバ20の内
部には基材22を保持した基材ホルダ23が設けられ、
基材ホルダ23には加熱ヒータが内蔵され、基材22を
所望の温度に加熱できるように構成されている。反応チ
ャンバ20の内上部には、基材22に向けられた供給ノ
ズル25が設けられ、この供給ノズル25には酸素ガス
供給源26と気化器27とが並列接続されている。
み込んだ供給管29を介してミスト発生装置30が接続
され、このミスト発生装置30には、アルゴンガスなど
のキャリア供給源31と原液供給装置32が接続されて
いる。ミスト発生装置30は、原液33を収納した容器
34とこの容器34の底部に設けられた超音波発振器3
5とから構成されている。また、原液供給装置32は、
原液33を収納した容器36と、この容器36および前
記容器34に接続されたポンプ37とから構成されてい
る。
32から容器34に供給した原液を超音波発振器35で
ミスト状にした後、このミストをキャリアガスとともに
供給管29を介して気化器27に送って気化し、この後
に酸素ガスとともに反応チャンバ20に送ることで基材
22上に減圧雰囲気で原料混合ガスの組成に応じた反応
生成物を堆積させて成膜できるようになっている。
置で用いる原料粉末を使用しないので、原料粉末の性状
に起因する供給不安定性の問題を生じない利点はあるも
のの、以下に説明する問題があった。原液33をミスト
化して気化器27に送り出す場合に、それらの経路にお
ける圧力を考えた場合、反応チャンバ20に接続された
気化器27の内部は減圧雰囲気であり、原液33が収納
された容器34は大気圧にされている。従って気化器2
7と容器34とを接続している接続管29において、ニ
ードル弁28を境界として、気化器27側の供給管29
の内部29aは減圧雰囲気であるのに対し、容器34側
の供給管29の内部29bは大気圧となっている。この
ため、ミスト状にした原液33の中の溶媒のみが選択的
に気化してしまい、特に、ニードル弁28の部分で気化
していない原料の目詰まりを引き起こし易い欠点があっ
た。
あり、原料溶液を細粒の液滴状にしてから気化して反応
チャンバに供給するとともに、供給経路の途中で目詰ま
りを生じさせることがなく、原料溶液の連続供給のでき
る新規な構造のCVD用原料ガス発生装置を提供するこ
とを目的とする。
記課題を解決するために、内部に原料溶液とキャリアガ
スが供給される容器状の供給器と、この供給器に毛細管
を介して接続され、減圧雰囲気の反応チャンバに接続さ
れる気化器とを具備し、前記毛細管の供給器内の先端部
の開口面を供給器内の原料溶液の液面上方近傍に配置し
てなるものである。
ために、請求項1記載の毛細管の先端部に傾斜した開口
面を形成してなるものである。
供給器と、この供給器に毛細管を介し接続され、減圧雰
囲気の反応チャンバに接続される気化器とを具備し、前
記毛細管の供給器内の先端部の開口面を供給器内の原料
溶液の液面上方近傍に配置したので、反応チャンバを減
圧雰囲気とした場合、毛細管から気化器に向かう急激な
キャリアガスの流れを自然に形成することができ、この
急激なキャリアガスの流れに沿って原料溶液を毛細管の
開口面で細粒の液滴状にして一定量気化器に供給するこ
とができる。よって気化器において細粒の液滴状の原料
溶液を確実に気化することができ、これにより反応チャ
ンバに所定量のキャリアガスと原料溶液気化ガスを確実
に供給することができ、反応チャンバ内の基材上に所望
の組成の反応生成物の薄膜を形成することができる。
とで、この傾斜した開口面からキャリアガスを原料溶液
とともに毛細管を介して気化器に送ることができる。傾
斜した開口面であると、開口面の下端部に原料溶液の液
面が位置した時点でキャリアガスの急激な流れにより原
料溶液が容易に細粒状になって気化器に送られる。ま
た、原料溶液の液面位置が多少上下に変動しても傾斜し
た開口面であると、原料溶液の毛細管への吸引作用が円
滑になされて細粒状の原料溶液が気化器に供給される。
て説明する。図1は本発明に係る原料ガス発生装置を備
えたCVD装置の一例を示すもので、図中符号30は原
料溶液31が供給される容器状の供給器を示し、この供
給器30の下部には、容器状の気化器32が供給器30
に対して上下になるように一体化されている。前記供給
器30と気化器32は隔壁33により隔てられ、供給器
31と気化器32の内部には、隔壁33を貫通して両者
を接続する毛細管35が設けられ、この毛細管35の先
端部35aは供給器31内に収納されている原料溶液3
1の液面上方近傍に出され、その先端部35aには傾斜
した開口面35bが形成されている。また、供給器30
の上部には細径のニードル36が挿通され、このニード
ル36の下端部36aは、毛細管35の先端部35aよ
りも下方に位置されている。前記毛細管35は、例えば
内径数分の1mm程度の注射針状のものであり、前記ニ
ードル36は、例えば内径1mm程度の注射針状のもの
である。
ニードル36とチューブ38とを介し接続されている。
原液供給装置37は、チューブポンプ39と収納容器4
0を具備し、収納容器40の内部には原料溶液31が収
納されている。収納容器40は、ガラス瓶などの耐薬品
性に優れたものが使用される。この収納容器40に収納
されている原料溶液31は、成膜するべき目的化合物の
構成金属元素の有機金属錯体、金属アルコキシドなどの
金属有機化合物を、目的化合物の組成比となるように複
数種混合して有機溶媒に溶解したものである。これらの
金属有機化合物および有機溶媒の具体例を明示するなら
ば、Y-Ba-Cu-O系酸化物超電導体を成膜する場合
に用いられるY(DPM)3、Ba(DPM)2、Cu
(DPM)2などの有機金属錯体、および、テトラヒド
ロフラン(THF)、DPM、エタノールなどの有機溶
媒である。
拡大して示すように、大ローラ42の外周部に可撓性の
チューブ43を沿わせて設け、このチューブ43の外部
に複数の小ローラ45を回転自在に設けて構成されたも
ので、図示略の駆動源からの伝達動力により各小ローラ
45を回転させることにより小ローラ45…で可撓性の
チューブ43を順次押圧し、チューブ43内の原料溶液
を一定流量で排出できるようになっている。このチュー
ブポンプ39の流量設定は、小ローラの回転速度によっ
て容易かつ正確に行なうことができる。
10mlの割合で容易に供給可能な能力がある。なお、
可撓性のチューブ43としては耐薬品性に優れたフッ素
樹脂製チューブなどを用いることが好ましい。また、収
納容器40と供給器30との間のチューブ38と、チュ
ーブポンプ39のチューブ43とを一体のチューブとし
て構成しても良く、別体のチューブで構成し、別体のチ
ューブどうしをジョイント部材で接続して用いても良
い。
ラ45…により可撓性のチューブ43を押圧しながら回
転してチューブ43内の原料溶液を一定量押し出す構成
なので、チューブポンプ上流側(収納容器40)では大
気圧状態であって、ポンプ下流側(供給器30)側では
多少低圧状態であっても支障なく一定量の原料溶液を送
ることができる。前記チューブポンプ39でニードル3
6を介して供給器31に送られる原料溶液は、供給器3
0の内部に一定量供給されるが、ここで供給される原料
溶液31の液面は、毛細管35の上端の傾斜した開口面
37bの下端部とほぼ同一の高さになるように調整され
る。
介してアルゴンガスなどのキャリアガス供給源48が接
続されていて、供給器30の内部に所定量のキャリアガ
スを供給できるように構成されている。
器32の内部を加熱するためのヒータ49が付設されて
いて、このヒータ49により原料溶液を所望の温度に加
熱させて気化できるようになっている。前記気化器32
は、接続管50を介して反応チャンバ51に接続されて
いる。この反応チャンバ51は、図7に示す従来装置の
反応チャンバ20とほぼ同等の構成であり、基材22を
備えた基材ホルダ23とノズル25を備え、更に真空ポ
ンプ21が接続され、ノズル25に前記気化器32が接
続されている。また、反応チャンバ51のノズル25に
は、接続管52を介して酸素ガス供給源53が接続され
ていて、反応チャンバ51に酸素ガスを供給できるよう
になっている。
ガスを反応チャンバ51に送り、反応チャンバ51にお
いて基材22上に酸化物超電導体の薄膜を形成する場合
について説明する。まず、原料の金属有機化合物の気化
ガスを得るには、まず、成膜するべき目的化合物の構成
金属元素の有機金属錯体、金属アルコキシドなどの金属
有機化合物を、目的化合物の組成比となるように複数種
混合し、THF、DPM、エタノールなどの有機溶媒に
溶解させて原料溶液31を作成する。
チューブポンプ39を作動させて所定量の原料溶液を供
給器31の内部に送液する。また、気化器32の内部温
度を前記原料のうちの最も気化温度の高い原料の最適温
度に合わせて調節し、CVD装置の反応チャンバ51を
スタンバイする。即ち、反応チャンバ51の内部に基材
22をセットし、反応チャンバ51の内部を所定の気圧
に減圧し、前記基材22を反応に適した温度に加熱して
おく。更に、キャリアガス供給源48からアルゴンガス
などのキャリアガスを供給器30の内部に所定量供給す
る。
状態になるので、大気圧状態の供給器30の内部から減
圧状態の気化器32に向けて毛細管35を介してキャリ
アガスが自然に急激な速度で吸引され、この際に原料溶
液31が細粒の液滴状になって気化器32に吸引され
る。即ち、図2(a)に示すように原料溶液31の液面
部分において、毛細管35の傾斜した開口面35bから
この開口面35bの内部側に、供給器30と気化器31
との気圧差によって自然にキャリアガスが急激に吸引さ
れるので、原料溶液31はこのキャリアガスの急激な流
れにより液滴状に飛ばされつつ毛細管35の内部に吸引
される結果、原料溶液31の細粒状の液滴を気化器32
に正確に送ることできる。また、キャリアガスの急激な
流れで原料溶液31を細粒の液滴状にするために、毛細
管35の途中で原料溶液31が滞留しようとしても、こ
の液滴は滞留することなく容易に気化器32の内部側に
搬送される。よって、毛細管35の内部が目詰まりする
ことはない。
正確に気化器32に送るためには、供給器30内の原料
溶液の液面を一定の高さに保持することが重要である。
ここで、毛細管35の先端部を斜めに切断して傾斜した
開口面35bとしておくならば、原料溶液31の液面が
多少上下しても原料溶液31を確実に液滴状として気化
器32に送ることができる。これに対して毛細管35の
先端部を水平な開口面にすると、原料溶液31の液面が
多少上下しても細粒の液滴の供給状態が不安定になるの
で好ましくない。
液滴は、気化器32の内部で気化される。この際に原料
溶液31内の溶媒も気化されるので、この気化溶媒もキ
ャリアガスの一部を構成する。このような原料溶液31
の気化したガスと溶媒の気化したガスとキャリアガスの
混合ガスは、反応チャンバ51に送られ、別途に酸素供
給源53から供給された酸素ガスとともに混合されて所
定のガス反応位置で加熱され、各金属成分と酸素とが反
応して複合酸化物などの反応生成物を生じ、その反応正
生物が基材22の表面に堆積する。
ことにより、基材22上に所望の厚さの生成物層を形成
することができる。この生成物層を必要に応じて熱処理
することで、所望の酸化物超電導体を得ることができ
る。また、長尺基材の表面に連続して成膜するには、反
応チャンバ51の内部で長尺の基材を移動させながら成
膜処理を行えば良い。例えば、反応チャンバ51の内部
に長尺基材の巻取装置と送出装置を組み込み、基材ホル
ダ23上に連続的に基材を送り出し、基材ホルダ23の
上で連続成膜処理を行えば良い。
電導材料は、Y-Ba-Cu-O系、Bi-Sr-Ca-Cu
-O系、Tl-Ba-Ca-Cu-O系などの酸化物超電導
体の他、チタン酸バリウム系材料、PZTなどの各種セ
ラミックス材料などである。
化器32に毛細管35により細粒状の原料溶液の液滴を
所定量安定状態で供給できるので、長時間の運転におい
ても安定した原料溶液の供給ができる。また、原料溶液
31を用いることで、容器40から反応チャンバ51ま
での間の接続管やチューブに原料の目詰まりを引き起こ
すことがなくなり、反応チャンバ51に対する原料溶液
31の安定供給ができる。更に、収納容器40内の原料
溶液31は、大気圧下にあり、密封されていないため
に、収納容器40の内部に対する原料溶液31の供給、
あるいは、収納容器40と原料溶液31の交換を反応チ
ャンバ51の運転中に任意の段階で容易に行うことがで
きる。よって、収納容器40内の原料溶液31を交換す
ることで反応チャンバ51に対する原料溶液31の無期
限供給が容易にできるようになり、長尺の基材に成膜す
る場合に特に有効である。
物の構成元素を含む複数種の金属有機化合物を目的化合
物の元素組成が得られるように混合して溶媒に溶かして
原料溶液31とし、この原料溶液31をチューブポンプ
39によって、加熱状態の気化器32に一定流量で送り
出す構成としたので、常時一定組成の気化混合ガスを長
時間安定的に反応チャンバ51に供給可能であるので、
基材22上に高品質の薄膜を得ることができる。また、
原料溶液31を気化する際に同時に気化した溶媒気化ガ
スをキャリアガスの一部として代用できるので、キャリ
アガス供給系などの設備を簡略化でき、付属設備を小型
化できる。また、複数の原料を混合して溶媒に溶かした
原料溶液31を用いるので、原料供給系を1系統に統一
することができ、多数の系統の原料供給系が必要であっ
た従来装置よりもキャリアガスの供給源や原料加熱条件
などのパラメータを大幅に減少させることができる。
ューブポンプ39を用いるならば、大気圧下の収納容器
40から、減圧状態の気化器32に接続された供給器3
0に一定量の原料溶液31をスムーズに送ることができ
る。
に組み込むことを考慮して設計した供給器の一例の詳細
構造を示すものである。この例の供給器60は、筒状で
先窄まり状の供給部61とこの供給部61の底部62の
近くまで挿入された注射針状のニードル63と前記底部
62を貫通して設けられた毛細管64と前記供給部61
の底部側を覆う筒状の吸引部65とこの吸引部65の側
部に接続された吸引管66を主体として構成され、主要
部は透明ガラスで構成されたものであり、吸引部65の
下端部に気化器32’が接続できるように構成されてい
る。
1の上端部から吸引管66の上端までの距離aを約10
mm、吸引管6の内径を約8mm、供給部61の下端部
から吸引部65の下端部までの距離cを約15mm、供
給部61の底部の外径dを約7mm、図4に示す供給部
61の底部62から毛細管64の上端部までの距離eを
約15mm、供給部61の底部62から毛細管64の下
端部までの距離を約20mmにそれぞれ設定した。ま
た、ニードル63の外径を1mm、毛細管64の外径を
0.3mmとした。この例の供給器60は、吸引部65
の下端部内側に気化器32’の入口部を接続し、吸引管
66に反応チャンバを接続することで使用することがで
きる。
用いてY-Ba-Cu-O系の酸化物超電導体の成膜実験
を行った。反応チャンバは熱CVD装置の反応チャンバ
を用い、供給器は図3と図4に示す形状のものを用い
た。原料溶液として、Y(DPM)3、Ba(DP
M)2、Cu(DPM)2をモル比でY:Ba:Cu=
1:2.5:3に混合したもの0.3gを用い、テトラヒ
ドロフラン10mlの溶媒に溶かしたものを収納容器に
貯留して用いた。この原料溶液をチューブポンプにより
0.1ml/分の流速で、口径1mmの注射針状のニー
ドルから供給器に連続的に供給した。この際、供給器の
内部に約15mmの深さになるように原料溶液を貯留
し、気化器を260℃に加熱し、反応チャンバの内部を
約10Torrに減圧し、供給器の内部にキャリアガス
としてのアルゴンガスを400ml/分の割合で供給し
た。
を内径0.3mmの毛細管先端部の斜めに切断された開
口面から勢い良く気化器側に吸引することができ、細粒
状の液滴の原料溶液をキャリアガスとともに気化器に供
給することができた。反応チャンバの内部にはハステロ
イCー276からなる基板とこの基板上にYSZ(イッ
トリウム安定化ジルコニア)の中間層を皮膜したものを
用いた。約60分の成膜処理と500℃に2時間加熱す
る熱処理によって前記基材上に厚さ約1.5μmのY-B
a-Cu-O系の超電導層を形成することできた。このY
-Ba-Cu-O系の酸化物超電導体の超電導特性を測定
したところ、Tc=91K、Jc=5.2×105A/c
m2の優れた特性を発揮した。また、前記と同様の操作
を行う際に、原料溶液の収納容器に順次原料溶液を追加
してゆくことで、連続的に原料溶液の供給が可能であ
り、酸化物超電導体の連続成膜が可能であり、また、収
納容器ごと原料容器を交換しても成膜に支障なく連続運
転ができた。
応チャンバを減圧雰囲気とすると、毛細管から気化器に
向かう急激なキャリアガスの流れを自然に形成すること
ができるので、この急激なキャリアガスの流れに沿って
原料溶液を毛細管の開口面で細粒の液滴状にして同時に
キャリアガスとともに一定量気化器に供給することがで
きる。よって気化器において、細粒の液滴状の原料溶液
を確実に気化することができ、これにより反応チャンバ
に所定量のキャリアガスと原料溶液気化ガスを確実に供
給することができ、反応チャンバ内の基材上に所望の組
成の反応生成物の薄膜を形成することができる。
用いる場合とは異なり、途中の配管に目詰まりを引き起
こすことはなく、多成分系の混合粉末原料に比較して制
御するべきパラメータも少ないので規定成分供給の場合
の再現性が良好である。更に、供給器と気化器を接続す
るのは毛細管であり、この毛細管を細粒化した原料溶液
の液滴がキャリアガスとともに通過するので、毛細管の
途中に原料溶液が万が一目詰まりしようとしても、キャ
リアガスの流れにより気化器側に強制的に移動されるの
で、従来のニードル弁を用いる場合とは異なり、途中で
目詰まりを起こすことがない。一方、気化器の内部を減
圧雰囲気としても、供給器の内部を大気圧状態とするこ
とができ、原料溶液を供給器内の大気圧下に収納できる
ので、原料溶液を供給器内に容易に追加することができ
る。従って供給器に対する原料溶液の追加により、どの
ような長時間の原料溶液供給でも可能であり、反応チャ
ンバにおける長時間の成膜運転が可能である。
u-O系などの酸化物超電導体の構成元素の金属有機化
合物を溶媒に溶解したものを用いるならば、反応チャン
バの内部に設けた基材上に、Y-Ba-Cu-O系の酸化
物超電導体の薄膜を形成することができる。しかも、連
続成膜が容易にできるので、長尺の基材上に酸化物超電
導体の薄膜を生成できる利点がある。
することで、この傾斜した開口面からキャリアガスを原
料溶液とともに毛細管を介して気化器に送ることができ
る。傾斜した開口面であると、開口面の下端部に原料溶
液の液面が位置した時点でキャリアガスの急激な流れに
より原料溶液が容易に細粒状になって気化器に送られる
ので、細粒の原料溶液を気化器に供給し、気化器で確実
に気化することができる。また、原料溶液の液面位置が
多少上下に変動しても傾斜した開口面であると、原料溶
液の毛細管への吸引作用が円滑になされるので細粒状の
原料溶液を気化器に確実に供給できる。
構成図である。
図、図2(b)は図1に示す装置のチューブポンプを示
す拡大図である。
側面図である。
示す構成図である。
構成図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 内部に原料溶液とキャリアガスが供給さ
れる容器状の供給器と、この供給器に毛細管を介し接続
されて減圧雰囲気の反応チャンバに接続される気化器と
を具備し、前記毛細管の供給器内の先端部の開口面を供
給器内の原料溶液の液面近傍上方に配置してなることを
特徴とするCVD用原料ガスの発生装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の毛細管の先端部に傾斜し
た開口面を形成してなることを特徴とするCVD用原料
ガスの発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00213593A JP3221952B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | Cvd用原料ガスの発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00213593A JP3221952B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | Cvd用原料ガスの発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06206796A JPH06206796A (ja) | 1994-07-26 |
JP3221952B2 true JP3221952B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=11520899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00213593A Expired - Lifetime JP3221952B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | Cvd用原料ガスの発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3221952B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP3415862B2 (ja) * | 1992-07-06 | 2003-06-09 | 株式会社フジクラ | Cvd原料気化装置 |
JP2704705B2 (ja) * | 1994-05-23 | 1998-01-26 | 株式会社トリケミカル研究所 | 化学気相成長方法に用いられる溶液 |
EP0814177A3 (en) * | 1996-05-23 | 2000-08-30 | Ebara Corporation | Vaporizer apparatus and film deposition apparatus therewith |
DE112005002801B4 (de) * | 2004-10-21 | 2010-04-08 | Futaba Corp. | Verdampfungsquelle |
CN101803460B (zh) * | 2007-09-10 | 2012-01-25 | 株式会社爱发科 | 有机材料蒸气产生装置、成膜源、成膜装置 |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP00213593A patent/JP3221952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06206796A (ja) | 1994-07-26 |
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