JPS6114572B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気ヘツド、特に磁界に応じて電気
抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を利用した再生
用磁気ヘツドに係わる。

この種、磁気抵抗効果型再生用磁気ヘツドは、
通常一般の電磁誘導型再生用磁気ヘツドに比し、
狭トラツク再生、短波長再生、超低速再生におい
て高い感度が得られるという利点がある。

この磁気抵抗効果型再生磁気ヘツドは、その磁
気抵抗効果素子の配置態様、バイヤス態様等によ
つて種々の型のものが考えられている。第１図は
磁気媒体、例えば磁気テープ１の記録磁化による
磁性層の面方向と垂直をなす方向の磁界成分によ
つてその記録を読み出すようにしたいわゆる垂直
型の磁気抵抗効果型再生用磁気ヘツドの基本的構
成を示すものである。この場合、薄膜状の磁気抵
抗効果素子（magnetoresistance effect素子）２
（以下MRE素子と略称する）が、磁気テープ１の
幅方向に沿い、且つその膜面が磁気テープ１の面
と垂直をなすように配置されている。そして、
MRE素子２の両端より端子３ａ及び３ｂが導出
され、両端子３ａ及び３ｂ間に、例えば直流電源
Ｓと、抵抗Ｒとが接続され、MRE素子２に電流
を通ずるようになされ、抵抗Ｒの両端より出力
端子ｔが導出されるようになされている。磁気テ
ープ１は、MRE素子２に対して相対的に矢印ａ
に示すように、その長手方向に移行し、磁気テー
プ１上に記録された記録（信号）磁界の、特に垂
直成分磁界に応じて生ずるMRE素子２の抵抗変
化を抵抗Ｒの両端電圧の変化として検出する、即
ち再生する。

第２図は、磁気媒体１上の記録磁化の、磁性層
の面とは平行をなす方向の磁界成分によつてその
記録を読み出すようにした水平型の磁気抵抗効果
型の再生用磁気ヘツドの基本的構成を示し、第１
図と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。

第１図及び第２図の構成ではMRE素子２が直
接磁気テープ１の記録磁界中に配置されるように
した場合であるが、第３図に示すように前方に磁
気空隙ｇを有する軟磁性の磁気ヘツドコア４を設
け、このコア４の後方の空隙Ｇ内にMRE素子２
を配置した構成とすることもできる。

又、第１図に示した配置構成を有するも、
MRE素子２の両側に第４図に示すように、磁気
シールド体５を配置した構成とすることもでき
る。

更にMRE素子２にバイアス磁界を与える構成
とすることもでき、例えば第５図に示すように
MRE素子２に沿つて導電体６を配置してこれに
電流Ibを通じバイアス磁界を発生させる電流バイ
アス型構成とすることもできるし、第６図に示す
ようにMRE素子２に対向して着磁された永久磁
石７を配置してバイアス磁界を与える構成とする
こともできる。

上述したように磁気抵抗効果型再生用磁気ヘツ
ドは種々の構成を採るものが提案されているが、
何れも用いるMRE素子自体が温度依存性が大で
あるがために、例えば外部熱源による外囲温度の
影響を受け易く、熱雑音の発生が大きいという欠
点を有し、更に直線性において十分満足できるも
のは未だ得られていない。

本発明は、直線性にすぐれ、熱的影響を効果的
に回避できるようにした磁気ヘツド、特に磁気抵
抗効果型再生用磁気ヘツドを提供するものであ
る。

第７図以下を参照して本発明を詳細に説明す
る。図中８は本発明による磁気ヘツドを全体とし
て示し、図示の例は、磁気媒体、例えば磁気テー
プ上の記録磁化による、テープに対し垂直方向の
成分の磁界によつて記録の読み出しを行うように
したいわゆる垂直型の磁気抵抗効果型再生用磁気
ヘツドを示す。

第７図Ａ及びＢは、夫々本発明による磁気ヘツ
ドの一例の原理的構成を示すもので、本発明にお
いては、この第７図Ａ及びＢに示されるように、
磁気抵抗効果（MRE）素子９と、バイアス発生
手段１０とが設けられて成る。

MRE素子９は、夫々薄膜帯状の磁気抵抗効果
を有するMRE素子部分が、電気的に直列に接続
され記録トラツクの幅方向に沿う一直線上に配列
されて成る。図示の例では２つのMRE素子部分
９ａ及び９ｂが一体に延長して形成されている。
このMRE素子９は、例えばその膜面が磁気媒体
１の磁性面とほぼ垂直をなすように配置される。
そして、MRE素子９の両外側端より、第１及び
第２の端子１１ａ及び１１ｂを導出し、両素部分
９ａ及び９ｂの接続中点、即ち図示の例では一体
に構成されたMRE素子９の中央より第３の端子
１１ｃを導出する。尚、図示の例では端子１１
ａ，１１ｂ及び１１ｃを素子９と一体に構成し、
全体としてＥ字型に構成した場合である。尚、こ
こに、各素子部分９ａ及び９ｂの抵抗値、即ち第
１及び第３の端子１１ａ及び１１ｃの間の抵抗値
と、第３及び第２の端子１１ｃ及び１１ｂ間の抵
抗値とは、信号磁界が与えられない状態でほぼ等
しい値となるように選ばれる。

そして、第７図Ａにおいては、第１及び第２の
端子１１ａ及び１１ｂ間に、電源Ｓ、例えば直流
電源Ｓを、抵抗R₃を介して接続して各素子９に
電流を流すと共に、電圧バランス用抵抗R₁及
びR₂を接続した。そして、これら抵抗R₁及びR₂
の接続中点と第３の端子１１ｃとより出力端子ｔ
を導出し、出力を差動的にとり出す。又、第７図
Ｂのように電源Ｓを中間端子１１ｃと抵抗R₄及
びR₅を介して両端子１１ａ，１１ｂに接続して
各素子部分９ａ及び９ｂに逆方向の電流及び−
を流し、出力を両端子１１ａ，１１ｂ即ちｔよ
り差動的に取り出すようにすることもできる。こ
こに抵抗R₁とR₂及びR₄とR₅は、互にその抵抗値
及び温度特性が等しいものを用いることが望まれ
る。

バイアス磁界発生手段１０は、永久磁石、或い
は電磁石によつて構成できるが、この例では永久
磁石を用いている。そして、このバイアス磁界発
生手段１０は、MRE素子９に対し、その素子部
分９ａと９ｂとでその膜面に沿い且つ逆向きの磁
界を与えられるように、例えば素子９の端子１１
ａ及び１１ｃ間の部分９ａにＮ極が対向し、端子
１１ｃ及び１１ｂ間にＳ極が対向するように配置
し、素子９の端子１１ａ及び１１ｃ間の部分９ａ
で素子９に通ずる電流に対し、π/4±n/2π
〔ラジアン〕（ｎ：正の整数）付近のバイアス磁界
を与え、一方、素子９の端子１１ｃ及び１１ｂ間
で電流に対し、−π/4±n/2π〔ラジアン〕
（ｎ：零及び正の整数、以下同様）付近のバイア
ス磁界を与えるようにする。このバイアス磁界は
一般的には素子９の各部、即ち各位置でその強度
と向きが異るが、素子９は、その何れの位置にお
いても、電流に対し、バイアス磁界が各々±
π/4±n/2π〔ラジアン〕付近となり、且つ強度
が比較的一様になる領域に配置されるように、バ
イアス磁界発生手段１０と、素子９との位置関係
を選定する。この状態で、第８図に示すように、
磁気媒体上の記録磁化による磁気媒体の磁性面に
対し垂直方向の信号磁界±Ｈ_sが与えられると、
素子９には、この磁界±Ｈ_sと、バイアス磁界Ｈ_B
と、異方性磁界Ｈ_Kとの合成磁界が破線で示すよ
うに与えられることになる。

次に、上述したようにバイアス磁界を、電流
に対し、±π/4〔ラジアン〕付近に選定すること
の根拠について説明すると、今、MRE素子９に
おける飽和磁化と、素子９に通ずる電流Ｉとのな
す角θと、素子９の抵抗ρ（θ）との関係は
Viogt−Thomsonの式としてよく知られているよ
うに、下記(1)式及び第９図で表わされる。

但し、ここに、ρ_０#はMRE素子の消磁状態
での固有抵抗、α^*はMRE素子の感度指数（≡
△ρ／ρ_０）ｔはMRE素子の膜厚、ｚはそのト
ラツク幅方向の位置、△ｚはトラツク幅方向の微
小長、△ｙはMRE素子の面方向に沿い、△ｚと
直交する方向の微小長である（第１０図参照）。
この関係より飽和磁化の方向、即ち素子９に与え
られる磁界が電流Ｉに対しπ／４±ｎπ／２（但しｎは
０ 又は正の整数以下同様）を中心としてπ/2の範囲
で変動するとき、最も大きな抵抗変化△ρが得ら
れることがわかる。したがつて、バイアス磁界Ｈ
_B（飽和磁化と同方向と仮定する）をMRE素子９
の中間端子１１ｃを境にして、左右の位置で電流
に対して±π/4±n/2π〔ラジアン〕、例えば
±π/4〔ラジアン〕となるように選定すれば、こ
れに信号磁界±Ｈ_Sが与えられるとき、θは±π/
4〔ラジアン〕を中心として第９図に矢印＋ａ及
び−ａで示す方向に端子１１ａ，１１ｃ間及び１
１ｃ，１１ｂ間の抵抗が差動的に変化することに
なつて対称性及び直線性にすぐれた大きな抵抗変
化を生じさせることができることになる。尚、こ
の場合、異方性磁界Ｈ_Kの考慮も必要とするが、
この異方性磁界の存在によつてもほぼ±π/4〔ラ
ジアン〕にバイアス磁界の向きを設定することに
さほどの支障は来たさない。

次に、本発明による磁気ヘツドの感度について
みる。中間端子１ｃと端子１１ａ又は１１ｂ間の
MRE素子部分９ａ又は９ｂの抵抗は、(1)式に示
される微小部分の抵抗をMRE素子部分９ａ又は
９ｂの全体にわたつて積分して得る全抵抗として
(2)式で表わされる。

但し、θ_B（ｙ、ｚ）は飽和バイアス磁界と
MRE素子９を通ずる電流とのなす角、ｌは
MRE素子９の長さ、ｗはMRE素子９の幅、ｄは
記録媒体表面からMRE素子端部までの距離であ
る（第１０図参照）。これより、信号磁界＋Ｈ_Sが
加わつた場合の差動出力に寄与する抵抗変化ρ_BR
＋Ｓ−ρ_BL+Sは、 但し、θ_BR+S（ｙ、ｚ）およびθ_BL+S（ｙ、
ｚ）は、第１０図において右側のMRE素子に加
えられるバイアス磁界Ｂ_R、および左側のMRE素
子に加えられるバイアス磁界Ｂ_Lと信号磁界＋Ｈ_S
との合成磁界、すなわち、Ｈ_BR＋Ｈ_SおよびＨ_BL
＋Ｈ_Sそれぞれが電流となす角度をあらわす。
従つて差動出力電圧（ピーク値）は、 △Ｖ_P＝（ρ_BR+S−ρ_BL+S）・Ｉ ……(4) で表わされる。ρ_BR+S、ρ_BL+Sは左右の素子のそ
れぞれの抵抗変化である。同様に信号磁界が−Ｈ
_Sの時の差動出力に寄与する抵抗変化も、合成磁
界Ｈ_BR−Ｈ_S、Ｈ_BL−Ｈ_Sと電流のなす角をそれぞ
れθ_BR-S（ｙ、ｚ）、θ_BL-S（ｙ、ｓ）とするこ
とによつて(3)式により求められ、差動出力変化は
△Ｖ_PP＝（ρ_BR-S−ρ_BL-S）Ｉと表わされる。こ
の(4)式によつて具体的寸法におけける出力を概算
する。今、△ρ／ρ＝５％、記録波長λ＝５μ
ｍ、ｄ＝0.1μｍ、ｗ＝５μｍ、ｗ＝0.05μｍ、
Ｉ＝３ｍＡとし、磁気媒体としてCrO₂塗布形磁
気テープを用い、更にバイアス磁界Ｈ_B＝100〔エ
ルステツド：oe〕で、この磁界Ｈ_Bが電流Ｉに対
してなす角度を±π/4〔rad〕とすると、トラツ
ク幅が100μｍで第７図において出力端子ｔより
とり出される再生出力△Ｖ_ppは、２ｍＶ程度とな
る。

上述の本発明構成によれば、MRE素子９の中
央から第３の端子１１ｃを導出し、端子１１ａ，
１１ｃ間、及び１１ｃ，１１ｂ間の抵抗の差動的
変化を検出するので、温度変化等による同相の抵
抗変化は相殺され検出されない。又正負信号の対
称性が保たれる等の利点がある。尚、上述の原理
的構成を有する磁気ヘツド８を実現するには、例
えば、第１１図及び第１２図に示すように、ガラ
ス、セラミツク等より成る絶縁基板、或いは、例
えばシリコンのような半導体、若しくは導体の表
面に絶縁被膜、例えば熱酸化による酸化シリコン
SiO₂被膜を形成した２枚の基板１３及び１４を
用意し、一方の基板１３に、第１１図に示すよう
に磁気抵抗効果を有する材料、例えばNiCo合
金、パーマロイ（Ni−Fe系合金）等の薄膜を被
着して磁気抵抗効果（MRE）素子９とその各端
子１１ａ，１１ｂ、及び１１ｃとを形成する。こ
の素子９と、その各端子１１ａ，１１ｂ及び１１
ｃは、上述した磁気抵抗効果を有する材料を所要
のパターン、例えばＥ字形に蒸着するとか、全面
蒸着して不要部分を例えばフオトエツチング技術
によつてエツチング除去することによつて形成し
得る。又、他方の基板１４には、第１２図に示す
ように、高抗磁力の磁性体、例えばCuNiFe合
金、CuNiCo合金等の薄板又は膜にNS着磁がなさ
れた永久磁石、即ち、バイアス磁界発生手段１０
を接着する。そして、両基板１３及び１４を、第
１３図に示すように、その素子９及び手段１０が
互に対向するように接着剤１５、例えばエポキシ
樹脂、アルフアシアノアクリレート等を介して貼
り合せる。両基板１３及び１４の外側には、夫々
耐摩耗性の大きい磁気シールド体１６及び１７を
貼り合せる。このようにして得た両基板１３及び
１４、磁気シールド体１６及び１７の積層体を素
子９の長手方向に沿う側端面が磁気媒体に臨むよ
うに研磨して磁気媒体との対接面１８を形成す
る。このようにすれば、第７図の構成に基く本発
明による磁気ヘツド８が構成される。

尚、バイアス磁界発生手段１０として用いる永
久磁石は、種々の形状を採り得るもので、例えば
第１４図に示すように、長方形の板状に形成し、
その一側の端面１９に臨んでNS着磁をなした構
造とすることもできるし、第１５図に示すよう
に、Ｎ、Ｓ着磁がなされた端面を凹部２０を設け
た凹形状にすることにより、以下の実測例で説明
する様にバイアス磁界強度及び角度（±π/4〔ラ
ジアン〕）のMRE素子位置による変化を少くする
ことができる。

第１６図及び第１７図は、夫々第１４図及び第
１５図に示した磁石における各端面１９の中央を
原点０とし端面１９の長手方向に沿う方向（ｚ方
向）の各位置における磁界分布の測定曲線で、第
１６図及び第１７図の各Ａ図は、端面１９と直交
する方向ｙ成分の磁界強度の分布を、各Ｂ図はこ
れと直交するｚ方向成分の磁界強度の分布を示
し、各図の各曲線は、磁石の端面１９からの距離
ｙ（相対値）を変えた場合である。第１６図及び
第１７図中、z₁，z₂，z₃は夫々ｚ軸方向に対し、
磁界の方向が20゜、45゜、70゜となる位置を示
す。今20゜〜70゜がMRE素子９におけるバイア
ス磁界として好ましい範囲であるとすれば、z₁〜
z₃，−z₁〜−z₃の幅が大なるほど、MRE素子９の
広範囲に亘つて好ましいバイアス磁界を与え得る
ことになる。そして、第１６図と第１７図とを比
較することによつて明らかなように磁石の端面１
９を凹形状とした場合の方がz₁〜z₃，−z₁〜−z₃
の幅は広くなつていることがわかる。本発明にお
けるバイアス磁界の方向としては、第９図で説明
したように、電流の方向に対し±π/4±n/2π
〔ラジアン〕、即ちMRE素子９の第１及び第３の
端子１１ａ及び１１ｃ間の部分９ａのすべての位
置で、例えばπ/4〔ラジアン〕第３及び第２の端
子１１ｃ及び１１ｂ間の部分９ｂのすべての位置
で例えば−π/4〔ラジアン〕になるように与えら
れることが望ましい。又バイアス磁界の強度は
MRE素子９のすべての位置で一様となることが
再生感度の向上の上で望ましいので、第１８図に
示すように、バイアス磁界発生手段１０を構成す
る磁極端面１９を中央に向つて後退する傾斜を有
する例えば彎曲面となし、この傾斜面の形状によ
つてMRE素子９の各部に±π/4〔ラジアン〕に
近い傾きのバイアス磁界を得ると共に、磁界の強
い中央部がMRE素子９より遠去けられるように
して磁界強度の均一化をはかると効果的である。

なお第７図、第１８図等における端子１１ｃ付
近の永久磁石の凹部２０は着磁用導体を配置する
目的等に使用できるが、場合によつては必要な
い。

尚、上述した例では、バイアス磁界発生手段１
０を、NS着磁がなされた永久磁石によつて構成
した場合であるが、バイアス磁界発生手段１０を
電磁石構成とすることもできる。

第１９図は、バイアス磁界発生手段１０を電磁
石構成とした場合の一例を示すもので、第７図と
対応する部分には同一符号を付して重複説明は省
略するが、この場合、手段１０として、軟磁性の
Ｃ字状ないしはコ字状コア２１を設け、これを挾
んで導体２２ａ及び２２ｂを配し、これに電流Ｉ
_Bを通ずることによつて電磁誘導による磁界を得
る。この場合においてもコア２１の両端、即ち両
磁極は、MRE素子９の中間端子（第３の端子）
１１ｃを挾んでその両側部９ａ及び９ｂに夫々対
向するように配置する。Ｓ_Bは導体２２ａ及び２
２ｂ、即ち電磁線輪に電流Ｉ_Bを通ずる電源を示
す。そして、このような構成による磁気ヘツドを
実現するには、第２０図に示すように、第１３図
について説明したと同様に２枚の基板１３及び１
４を設け、一方の基板１３には第１１図について
説明したと同様にMRE素子９を形成するも、他
方の基板１４には、所要のパターンをもつて一方
の導体２２ｂを蒸着等によつて被着して後、これ
の上に、導体２２ｂの一端を臨ませ、他部を覆う
ように絶縁材例えば樹脂２３を塗布し、これの上
に軟磁性コア２１を接着し、ついで、これの上に
他方の導体２２ａを所要のパターンに例えば蒸着
によつて被着する。この場合、導体２２ａの一端
は、絶縁材２３によつて覆われず外部に露出され
た導体２２ｂの端部に連接するように形成する。
そして、両基板１３及び１４を接着剤１５によつ
て所要の位置関係を保持して対向合体する。尚、
第２０図において、第１３図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。

又、第７図及び第１９図に示した構成では、差
動出力用の抵抗R₁及びR₂を外部抵抗として接続
した場合であるが、或る場合は、この差動出力用
抵抗R₁及びR₂をも、磁気抵抗効果素子によつて
構成することもできる。第２１図は、この場合の
一例を示すもので、同図において、２４は抵抗
R₁及びR₂を構成するMRE素子を示す。このMRE
素子２４においてもその両側と中央より夫々第１
〜第３の端子２５ａ〜２５ｃを導出する。そし
て、端子２５ａ及び２５ｃ間において抵抗R₁
を、端子２５ｃ及び２５ｂ間において抵抗R₂を
構成する。そして、この第２１図において第７図
と対応する部分には同一符号を付して重複説明を
省略する。この場合４つのMRE素子部分が一様
に＋Ｈ_Sの信号磁界をうけた場合、MRE素子部９
ｂおよびMRE素子によつて構成された抵抗R₁に
おいてはそれらの抵抗は増加し、MRE素子部９
ａおよびMRE素子によつて構成された抵抗R₂に
おいてはそれらの抵抗は減少する。従つて抵抗
R₁，R₂の中点の電位は下がり、MRE素子９ａ，
９ｂの中点の電位は上がるため、より大きな出力
電圧を得ることが出来る。

又、MRE素子９による再生感度は、各部分９
ａ及び９ｂの長さが長いほど大となるので、例え
ば第２２図に示すように各部分９ａ及び９ｂを屈
曲蛇行させたパターンとなして実質的にその長さ
を大とすることもできる。尚、この屈曲蛇行は、
MRE素子９の膜面が折り重なるように形成する
こともできる。

第１３図Ａ、第２３図Ｂは複数の磁気記録トラ
ツクから夫々その記録を読み出すようにした多チ
ヤンネルの磁気ヘツドに本発明を適用した場合の
一例で、第２３図Ａでは各トラツクに対し夫々前
述したMRE素子９と同様の構成を有するMRE素
子９_１，９_２，９_３……を配列し、抵抗R₁とR₂
の接続中点を共通の出力端子ｔ_cとし、各素子９
_１，９_２，９_３……の中間端子（第３の端子）１
１ｃより出力端子t₁，t₂……を導出する。第２３
図Ｂは第７図Ｂの構成を多チヤンネルヘツドに適
用した例である。尚、この第２３図Ａ及び第２３
図Ｂにおいて、第７図Ａ及び第７図Ｂと対応する
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
尚、第２３図Ｂにおいて、r₁，r₂は第７図Ｂにお
いてR₄，R₅で示されるバランス用抵抗に対応す
る。

又、上述した各例は、１チヤンネルのトラツク
に対し２つの素子部分９ａ及び９ｂが設けられる
ようにした場合であるが、１チヤンネルのトラツ
ク幅が大なるものに用いる場合、第２４図に示す
ように複数に分割された各素子部分を９a₁−９b₁
−９a₂−９b₂−９a₃−９a₄の順に配列し、このよ
うにすることによつて隣合う素子に共通の磁極を
配置できるようにしてバイアス磁界発生手段１０
の構造の簡潔化をはかることができる。第２４図
の例ではMRE素子を３組に分割した例を示した
が、分割の数を必要に応じて増減してよいことは
勿論である。

又、上述した各例ではMRE素子９が直接的に
信号磁界を受けるようにした場合であるが、この
MRE素子９の軟磁性のコアの磁路内に配し、間
接的に信号磁界を受けるようにすることもできる
など上述の各例に限らず種々の変型変更をなし得
る。

バイアス磁界発生手段１０に関しても種々の構
成を採り得るものであり、例えば第２５図に示す
ように軟磁性のコア３０を設け、その一部に着磁
された磁石３１を設けることもできる。

更に、或る場合は各トラツクに関して夫々１つ
のMRE素子を有する多チヤンネル磁気ヘツドを
構成し、前述したバイアス磁界発生手段１０の
夫々対の磁極が隣り合うこのMRE素子に対向す
るように、Ｎ−Ｓ−Ｓ−Ｎ−Ｎ……の配置をもつ
て対向させるようにすることもできる。

尚、上述した例は、垂直型の磁気ヘツドに本発
明を適用した場合であるが、水平型の磁気抵抗効
果型磁気ヘツドに本発明を適用することもでき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図は夫々従来の磁気抵抗効果
型磁気ヘツドの各例を示す図、第７図Ａ及び第７
図Ｂは本発明による磁気ヘツドの一例の原理的構
成を示す構成図、第８図はその動作を説明するに
供する線図、第９図は磁気抵抗素子の印加磁界の
方向と抵抗の関係を示す曲線図、第１０図は本発
明の動作の説明に供する図、第１３図は本発明に
よる磁気ヘツドの断面図、第１１図及び第１２図
は、その相対向する基板の平面図、第１４図及び
第１５図は夫々バイアス磁界発生手段を構成する
永久磁石の斜視図、第１６図及び第１７図は夫々
第１４図及び第１５図に示した磁石の前方の磁界
分布曲線図、第１８図及び第１９図は夫々本発明
による磁気ヘツドの他の例の原理的構成を示す構
成図、第２０図は第１９図の構成による磁気ヘツ
ドの断面図、第２１図ないし第２５図は夫々本発
明による磁気ヘツドの他の例の構成図である。 １は磁気媒体、８は本発明による磁気ヘツド、
９は磁気抵抗効果素子、１０はバイアス磁界発生
手段である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 磁気媒体に対し、ほぼ１直線上に夫々磁気抵
   抗効果を有する薄膜状の素子部分が電気的に直列
   に接続されて配列された磁気抵抗効果素子が設け
   られ、該磁気抵抗効果素子の両外端部より第１及
   び第２の端子が導出され、該素子の上記素子部分
   の中央の接続点から第３の端子が導出され、上記
   第１及び第３の端子間と、上記第２及び第３の端
   子間とに夫々対応する位置に互いに極性の異なる
   磁極が配置されるようにバイアス磁界発生手段が
   設けられ、該バイアス磁界発生手段の上記磁極の
   端面が互いに他の極性の磁極と隣合う側に向かつ
   て後退する傾斜面とした磁気ヘツド。