JPS61145277A - 発光組成物および低速電子線励起螢光表示管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は低速電子線励起下において高輝度の発光を示す
螢光体ならびにこの螢光体音構成成分とする発光組成物
および螢光表示管に関するものである。

（従来の技術） 従来、加速電圧がＪ］ハｌ以下、特に１００Ｖ以下の低
速電子線の励起によって高輝度に発光する螢光体として
亜鉛付活酸化亜鉛螢光体（ＺｎＯ：Ｚｎ）がよく知られ
ている。コｃｒ）　ＺｎＯ：Ｚｎ螢光体は低速電子線で
励起した場合に高輝度の縁由色発光を示し、低速電子線
励起螢光表示管の螢光膜として実用されている。

低速電子線励起螢光表示管（以下「−螢光表示管」と略
称する）は基本的には片面に螢光膜を有する陽極プレー
トと、この螢光膜に対向するように設けられた陰極と〒
、その内部が真空である容器内に封入したものであり、
陰極から放射される低速電子線（一般に加速電圧が］０
０ｖ以下の低速電子線）によって陽極プレート上の螢光
膜奮励起して発光せしめるものである。上記ＺｎＯ：Ｚ
ｎ螢光体からなる螢光膜を有する螢光表示管は卓上計算
器、各種計測機器等の表示素子として広く利用されてい
る。

近年、螢光表示管の利用分野が拡大されるにつれて螢光
表示管の発光色の多様化が望まれるようになり、低速電
子線励起下で緑色以外の発光７示す螢光体の開発が盛ん
に進められてきた。その結果、低速電子線励起下で緑色
以外の発光を示す螢光体がいくつか見出されたが、それ
らのうちの１種にその組成式が（Ｚｎ　１Ｘ　＋　Ｃｄ
　ｘ　）Ｓ　：　Ａｇで表わされる螢光体７１例とする
（Ｚｎ１□。

ｃｄ）Ｓ系螢光体がある。

このような（Ｚｎ１−Ｘ、Ｃｄｘ）Ｓ系螢光体の製造に
おいてｆｉ　Ｉ−Ｔ、Ｗ、Ｌｅｖｅｒｅｎｚ著［Ａｎ　
ＴｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｏ　Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎ
ｃｅ　Ｏｆ　Ｓｏｌ　ｉｄｓ　Ｊ　１９６〜１９９ペー
ジ、Ｊｏｈｎ　Ｗｉ　Ｉｅｙ　＆　５ｏｎｓ、　　Ｉｎ
ｃ、　、　１９５０年、特開昭５５−１．２９４．８０
号および特開昭５７−１６７３８１号に開示されるよう
にＮ　ａＣｌ’ｆ用いることが従来知られている。

捷た、低速電子線励起螢光管ケ高輝度化するための手段
として、螢光体のＡ、ｇ含有量を多くすることが上記特
開昭５７−１．６７３８１号に開示されており、一方、
特公昭５９−３３１５３号等にはこの目的ｒ達成するた
めに小埒な粒子径〒有するＩ　ｎ　２０　ａ等の導電性
物質と螢光体と盆混合してなる発光組成物ケ用いること
が開示てれている。

しかしながら、螢光表示管のカラー化およびその利用分
野の拡大に伴って低速電子線励起下すなわち低電圧、低
電力の使用時における螢光表示管の発光音さらに高輝度
化することが要望σれている。

（発明の目的） 本発明は上記要望に鑑みて加速電圧が１１α以下、特に
１００Ｖ以下の低速電子線励起下で高輝度の発光盆示す
螢光体を提供すること７目的とするものであるっ また、本発明は低速電子線励起下で高輝度の発光紮示す
発光組成物を提供すること〒目的とするものである。

さらに、本発明は低速電子線励起下で高輝度の発光４示
す螢光表示管勿提供することケ目的とするものである。

（発明の構成） 本発明者は上記目的ケ達成するへく、低速電子線励起下
で発光７示す螢光体（以下「低速電子線励起螢光体」と
称す）のうち特に前述の（Ｚｎ　］　Ｘ　Ｉ　ＣｄＸ　
）Ｓ系螢光体について鋭意研究全型ねた結果、リチウム
（Ｌｌ）？含有する（Ｚｎ、　、、ＣｄＸ）Ｓ螢光体は
高速電子線励起下においては従来の（Ｌｉｄ含有しない
）同様の螢光体と同等もしくはそれ以下の輝度の発光勿
示すに過ぎないにも拘らず、低速電子線励起下における
その発光は従来のものよりもはるかに向上されること盆
発見し、本発明？完成するに至った。この発見はリチウ
ムの添加が従来とは根本的に異なる特性ｋ（ｉ与するこ
とヶ示す点で極めて重要なものと考えられる。

このような発見に基づく本発明の低速電子線励起螢光体
は一般式 ％式％ （但し、式中Ｏ≦Ｘ≦］、　、　０＜　ａ＜　］、　Ｘ
］、０　”ｇ／　ｇＩ　’）≧Ｏ，ｃ＞Ｑであり、へ４
　はＮａ、に、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇお」：びＡ−［
１からなる群より選ばれた少なくとも］錘の元素であり
、ＸはＡ、ｅ、Ｃｅ、Ｂｒおよび王からなる群より選ば
れた少なくとも１種の元素である）で表わされるもので
あり、Ｌｌに含有することｔ特徴とする（Ｚｎニーゆ、
Ｃｄｘ）Ｓ系螢光体である。

本発明の螢光体においてはＬｌの含有量が現在の分析技
術における検出限界程度の微量なもの（ｘｐｒｒｍ以下
）であっても所望の輝度向上の得られることが判明した
。使用されるリチウム塩の種類および数は任意に調節す
ることができる、寸だ、Ｌ＋含有量の上限は現在の製造
技術から１０−２ｇ／ｇ　（］、、００００Ｐ）と定め
られた。

Ｌｌは螢光体母体に対してその含有量７１闇〜７１００
ｐｐＩｌｌの範囲とすることが好丑しく、より好ましく
はその含有量（５３５拷ｌｌ１１〜５０００解の範囲と
する。

Ｌｉは螢光体中に対し、単体のみならず、金属塩、ハロ
ゲン化物（Ｂｒ、Ｉ）、酸素酸塩等、任意の種類および
数のリチウム塩として供給することが可能である。

本発明の螢光体は一般に以下に述べるような方法によっ
て製造される。すなわち硫化亜鉛（ＺｎＳ　）粉と硫化
カドミウム（ＣｄＳ　）粉と’ｉ　ＣｄＳ粉Ｘモルに対
してＺｎ粉Ｖ＝　（］−−Ｘ　）モルとなるような割合
で混合して彦る混合硫化物粉に１価金属の７・ロゲン化
物（例えばＡｇＣ１）　６　ルイｔｒｓ、　３価金属ノ
塩（例＃　ハＡ−１１（ＮＯ３）　３）等、付活剤ある
いは共付活剤の化合物ケ所定量添加混合し、さらにリチ
ウム供給源（例えば塩化リチウム（、Ｔ、１ｃｌ）等）
ｒ適当量添加し、硫化水素雰囲気、硫黄雰囲気等の硫化
性雰囲気中で８００乃至１２００℃で０．２時間乃至５
時間焼成した後、水等の溶媒により充分洗浄し、脱水し
、乾燥することによって得られる。

第１自はこのようにして得た本発明の低速電子線励起螢
光体の１例である（Ｚｎｏ６５．　Ｃｄｏ３５）Ｓ：Ｌ
　Ｉ　、Ａｇ　、　Ｃ１螢光体を使用した螢光膜勿有す
る螢光表示管におけるこの螢光体のＬ１含有創。

と特性値の関係４示すグラフである。

本図面において曲線ａＩ、　ｌ）、、　Ｃ，はリチウノ
・塩２　ＬｉＣｌとして添加して製造した上記螢光体に
対応し、曲線８２？　’）２ｙ　Ｃ２ｉ　’）チウム塩
ｔＮａＣＪ　、Ｌｉｃａ　、Ｌｉ２５ｏ、−１−Ｔ２Ｏ
およびＬ　Ｉ　３Ｐ０４・ＷＩ２０勿各々等モルの割合
で混合してなる塩として添加して製造した上記螢光体に
対応する。そして、曲線ａ、、ａ２は発光開始電圧（す
なわち０．１　ｃｄ　／　ｍ’、の輝度ケ得るために必
要な印加電圧）の、ＴＪｌ含有量による変化７示すもの
であり、一方、曲線１〕１．ｂ２は印加電圧３０Ｖの時
の］Ｊ１含有量による輝度変化、曲線ｃ、、ｃ、、は印
加電圧］、　２　Ｉ（Ｖの時のＬｌぎ有量によるル１１
度変化勿それぞれ示すものである。また、本図面におけ
る各曲線においてＬｉ含有量Ｏとして表わてれる値はＬ
１奮含有しない従来の螢光体を用いて測定した値である
。本図面に示すように、螢光体にＬｌに添加することに
より発光開始電圧の低下および低速電子線励起下におけ
る発光輝度の向上か認められた。

本発明による低速電子線励起下で発光？示す発光組成物
は上述した本発明による低速電子線励起螢光体と導電性
物質と盆混合してなるものである。この導電性物質は金
属酸化物および金属硫化物の少なくとも１種、例えばＩ
ｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３，Ｃ
ｕ２Ｓ、　Ｌｉ２８等であり、その添加量は特に限定さ
れない。

例えば本発明の発光組成物中に用いることのできるＩｎ
２Ｏ３は一般に工業的に入手可能なもので充分であるが
、また硫酸塩、硝酸塩、塩化物等、高温で容易にＩｎ２
Ｏ３に変化し得るインジウム化合物音空気中、中性雰囲
気中もしくは弱還元性雰囲気中において］５００℃以下
の温度で焼成して得た焼成■ｎ２０１．あるい−、これ
〒充分微粉砕して得た粉砕■ｎ２０３も同様に使用でき
る。々お、Ｉｎ２Ｏ３の平均粒子径は１０μ以下とする
ことが好脣しい。捷た、加熱によってＩｎ、、０３”ｆ
形成するような物質〒予め螢光体表面にイ」着させて加
熱工程中にＩｎ２Ｏ３と螢光体との混合を達成してもよ
い。

第２図は（Ｚｎｏ７ｏ　、　Ｃｄｏ３ｏ　）Ｓ：Ｌｌ、
Ａｇ、Ｃｌ　　螢光体ト１ｎ２０３とｉ９　：　］の１
重量で混合してなる発光組成物により形成された螢光膜
ケ有する螢光表示管における上記螢光体中のＬ＋含有量
と励起電圧３０Ｖの際の相対発光輝度との関係４示すグ
ラフである。

本図面において曲線ａはリチウム基音ＬＩＣ１として添
加して製造した発光組成物に対応し、曲線すはリチウム
塩ｆ　ＮａＣＩＪ　、Ｌ　ＩＣｌ３　、Ｌ　Ｉ　２８０
４　・ＦＪ　２０およびＬｉ３１℃４・、　ｌ−１２０
７，各々等モルの割合で混合してなる塩として添加して
製造した発光組成物に対応する。イ：１］対発光輝度］
００チとしたサンプルはＬｘ含量Ｏの従来の螢光体を含
有する発光組成物である。本図面に示すように、螢光体
にＬｉｋ添加することにより相対発光輝度の向上が認め
られた。

本発明による螢光表示管はその螢光膜中に本発明による
螢光体を含有していることｔ特徴とするものであり、描
然のことながら」二連した本発明の発光組成物？その螢
光膜中に含有するものであってもよいっ 第３図および第４図は本発明の螢光体表示管の典型例２
示す概略構成図であり、第３図は二極管、第４図は三極
管を示すものである。

第３図および第４図に示すようにこれらの螢光表示管中
においてはアルミニウム板等から々る陽極プレート］ｌ
の片面に螢光膜１２が設けられている。陽極プレー）１
１はセラミック基板１３によって支持されている。陽極
プレート１１の片面に設けられた前記螢光膜１２に対向
して陰極Ｊ４が設けられ、この陰極１４から放射される
低速電子線によって螢光膜１２が励起きれて発光する。

特に第４図の三極管においては陰極］４と螢光膜１２と
の間隙に、陰極］４より放射される低速電子線音制御あ
るいは拡散せしめるための格子電極］５が設けられてい
る。なお第３図および第４図に示された螢光表示管にお
いては１本の陰極Ｊ４が使用されているが、螢光膜１２
が広面積である場合等には陰極ｔ２本以上設けてもよく
、その本数に特に制限はない。片面に螢光膜］、２？１
ｍ有する前記陽極プＶ−１−１，１、セラミック基板１
３および陰極１４（第３図）あるいは片面に螢光膜１２
’に有する陽極プレート１］、セラミック基板１３、陰
極１４および格子電極１．５　（第４図）はガラス等の
透明な容器１６中に封入されておりその内部１７は１０
　”　Ｔｏｒｒ以上の高真空に保たれている３なお陽極
シン＝ｂ上の螢光膜は平板状であり、陰極は線状である
ので陰極より放射でれる低速電子線励起下させるために
陰極と螢光膜との中間に第４図の様に拡散電極として網
目状の格子電極を設置するのが望ましい。この場合、螢
光膜の発光量の損失が少なくかつ低速電子線が良く拡散
するように網目勿できるだけ絹かくすると好結果盆得る
ことができる。具体的には網目の径が５００ミクロン以
下であり、開口率（格子電極全面積に対する低速電子線
励起下する穴の面積）が５０％以」二であることが望捷
しい。

陽極プレートはその電極形態ケ必要とされる文字、図形
の形に分割して、それぞれの電極に必要とされる電圧が
選択的に印加できるようにしておけば任意の文字、図形
ケ表示することができる。また陽極プレートケ点状ある
いは線状に分割し、その一部の電極上に本発明の低速電
子線励起螢光体孕含有する螢光膜？形成し、他の電極上
にこの螢光体とは発光色の異なる低速電子線励起螢光体
ケ含有する螢光膜葡形成すれば多色表示が可能々螢光表
示管音符ることができる。

本発明の螢光表示管は例えば以下に述べる方法によって
作製される。まず上述の本発明の螢光体もしぐは発光組
成物ｒ適当な有機バインダーと混合して螢光体を含有す
るインク孕調製する。次いで、陽極］−に置いたシルク
スクリーン上にこのインク〒注ぎ、スギ−ジーてこする
こと（でよって陽極プレート上に螢光膜を形成する。こ
のようにして形成された螢光膜勿空気中でベーキングし
て螢光膜中に存在する有機バインダーケ分解させる。な
お、本発明の螢光表示管における螢光膜の作製法はこの
ようなスクリーン印刷法に限られるものでにない。また
螢光膜にＵ：複数種の螢光体（本発明の螢光体以外のも
の盆も含み得る）？含有させることができる。陽極プレ
ートの材質は均一である必要はなく、例えば種々の模様
を形成するものであってもよいが、平滑なものであるこ
とが好寸しい。次に線状タングステンヒーターに１３ａ
Ｃ０３，Ｓ　ｒｃｏ　：（等の電子放出剤〒被覆してな
る１会極ｒ陽極プレート上の螢光膜に対向させて５　ｍ
ｍ以下の間隔？おいて配置する。そして、この一対の電
極およびＢａ。

４１１等のゲッターケガラス等からなる透明な容器中に
設置し、容器内のガスケベーキングし、ロータリーポン
プ等の真空ポンプで排気しながら陰極を通電して電子放
出剤を活性化し、容器内が少なくともＩ　Ｏ”Ｔｏｒｒ
以上の真空度に達した後に封止７行なう。封止後ゲッタ
ー４飛ばして容器内の真空度孕更に高める。このように
して本発明の螢光表示管７得ることができる。

（発明の効果） 以上述べた様に本発明は（Ｚｎ　１ｘ　、Ｃｄ　ｘ　）
Ｓ系螢光体にＬｉ　ｌｚ添加することによって、加速電
圧がｌ■α以下、特に１００ｖ以下の低速電子線励起下
において著しく発光輝度の高い螢光体、発光組成物およ
び螢光表示警音提供するものであシ、その工業的利用価
値は極めて大きなものである。

（実施例） 次に実施例によって本発明７説明する。

実施例１ 硫化亜鉛（ＺｎＳ　）試薬螢光体グレード品　　　　１
３７．５ｉ１ｉ’硫化カドミウム（ＣｄＳ）試薬螢光体
グレード品　　８７．５ｔ／銀２０００旧〒含有するＣ
ｄＳ　　　　　　２．’５　り塩化リチウム（ＬＩＣｅ
）試薬特級　　　　２５７７よく混合し、石英ルツボに
入れて電気炉中においてｓ　ｏ　ｏ　”ｃて２時間焼成
し、水篩７行なった後、上澄液の電導度が３μｓ／ｃｒ
ｎとなるまで水洗盆行ない、脱水し、乾燥することによ
り、Ｌ１含量６＝　（ＺｎｏＢｓ　、　Ｃｄｏ３５）Ｓ
：Ａ、ｇ、Ｃ６］、　’！に対して６．５胛である（Ｚ
ｎｏｓ５．　Ｃｄｏ３５）Ｓ：Ｌｉ、Ａｇ、ＣＪ！螢光
体奮得た。

この螢光体ｔエチルセルロースとカルピトールとからな
る結合剤中に混合してインク状とし、２５０メツシユの
シルクスクリーン４用いてプレート上に塗布し、４５０
℃で３０分間加熱し、さらに１００℃で３０分間乾燥し
て螢光膜Ａ音形成した。

一方、これとは別にＬｉ含量が（Ｚｎ　ｏｓ５．Ｃｄｏ
、ａ５）９：Ａ−ｇ、ｃａ　１　？に対してｏｐｐｍで
ある（Ｚ　ｎ　Ｏ，ｆｉ５　＋Ｃ（１０３５）　ＳＡｇ
、Ｃ６螢光体？得、上舵螢光膜の作製と同様にして螢光
膜Ａ′を形成した。

螢光膜ＡおよびＡ′？真空容器中に入れ、５０Ｖの低速
電子線で励起すると螢光膜Ａは螢光膜Ａ１の約３０倍の
相対発光Ｒ度勿示（〜た。

実施例２ ］Ｌ＋含有量７）ＥＺｎＳ二Ｃｄ　　］　ｆＺに対し、
３２０　ｐｍ（ＬＩＣｅとして添加）　Ｔ　アルＺｎＳ
　：ＬＩ　、ｃｇ螢光体？得た。一方、比較のためにＬ
１含有量がＺＩ］５ｃｅｌｙ［対し　テ１０　ｐＨｌｌ
ｌ　”’Ｃｅ）　ルＺｎＳ　：　ＣＩＪ螢光体ケ得た。

これらの螢光体を用いて実施例］と同様の方法で螢光膜
？形成し、Ｘ空容器中に入れ、５０Ｖの低速電子線で励
起するとＺｎＳ　二Ｌｉ、Ｃｌ螢光膜はＺｎＳ：Ｃ＃螢
光膜の５倍の発光輝度を示した。

実施例３ Ｌｉ含有量力（Ｚｎｏｐ、Ｃｄｏ、＋）Ｓ：Ａｕ、ＡＩ
Ｊ　ｙに対しテ１０００ｐｐｍ　（ＬｉｃｋとＬｉ　、
、Ｓｏ、　・ｌ−Ｔ２ＯとＬＩ３Ｐ０４・ＬＨＯとｋｍ
モル量添加）である（Ｚ１ｏ９゜Ｃｄ　Ｏ，１）Ｓ　：
Ｌｉ　、ＡＩＪ　、ＡＩＪ螢光体ケ得た。一方、比較の
ためにＪＪＩ含有量が（Ｚｎｏｓ、Ｃｄｏ、＋）Ｓ：Ａ
ｕ、Ａ６　　］７に対してｏｐｐｍである（Ｚｎｏｓ、
Ｃｄｏｌ）Ｓ　：Ａｕ　、Ａｌｌ螢光体を得た。これら
の螢光体音用いて実施例］と同様の方法で螢光膜を形成
し、真空容器中に入れ、５０Ｖの低速電子線で励起する
と（Ｚｎｏｇ、Ｃｄｏ、＋　）Ｓ：Ｌｉ、Ａｕ、Ａｆｆ
ｌ螢光膜Ｉｆ’；）’、　（Ｚｎｏｓ、Ｃｄｏｌ）Ｓ：
Ａ−ｕ、Ａｌ螢光膜の３５倍の発光輝度盆示した。

実施例４ Ｌ１含有量が（Ｚｎｏ７．Ｃｄｏ３）Ｓ’：Ａｇ、Ａ、
／？　Ｉ　Ｙに対して４００１ｐｎ　（ＬｉｃｋとＬ　
Ｉ　２　Ｓｏ　４・■−■２０とＬｉ５ＰＯ，、。

７■−１２０とｔ等モル量添加）であり、Ｎａ金含有ｆ
ｆ　ｆｒＥ　７　ｐｐｍ　Ｔ　！２＞る（Ｚｎ　Ｏ，７
，Ｃｄ　Ｏ，３）Ｓ　：Ｌｉ　、Ｎａ　、Ａｇ　＋Ａ６
螢光体７得た。一方、比較のためにＬ１含有ｆ／）１　
ｉ）：　（Ｚｎｏｙ　ｒ　Ｃｄｏｓ　）Ｓ　：Ａｇ＋Ａ
１１　ｆに対してＯＦであ７）　（Ｚｎｏ７．Ｃｄｏ３
）Ｓ：Ａｇ、Ａ６螢光体を得た。これらの螢光体を用い
て実施例］と同様の方法で螢光膜γ形成し、真空容器中
に入れ、５０Ｖの低速電子線で励起すると（Ｚｎ　ａｙ
、Ｃｄ　０３）Ｓ　：Ｌｉ　、Ａｇ、Ａｌｌ螢光膜は（
Ｚｎ　ａｙ、Ｃｄ　０３）Ｓ　：Ａｇ　、Ａｌ螢光膜の
４倍の発光輝度盆示した。

実施例５ 実施例ＪのＬ１含有螢光体９重量部と工ｎ２０３１重量
部と盆混合してなる発光組成物ｔスクリーン印刷して螢
光膜Ｂｉ影形成た。一方、比較のために実施例１のＬ１
無金含有光体９重量部とＩｎ２Ｏ３］重量部とγ混合し
てなる発光組成物？用いて同様の方法で螢光膜Ｂ’　ｉ
形成した。これらの螢光膜ｒ真空容器中に入れ、３０Ｖ
の低速電子線で励起すると螢光膜Ｂは螢光膜Ｂ’の９倍
の発光輝度盆示した。

実施例６ 実施例２のＬ＋含有螢光体６重量部とＩｎ　２０ａ４重
量部と盆混合してなる発光組成物ｔスクリーン印刷して
螢光膜Ｃ４形成した。一方、比較のために実施例２のＬ
ｌｌ金含有螢光体６重量部Ｉｎ２０３４重量部と勿混合
してなる発光組成物４用いて同様に螢光膜０１缶形成し
た。

これらの螢光膜を真空容器中に入れ、３０Ｖの低速電子
線で励起すると螢光膜Ｃは螢光膜Ｃ１の５倍の発光輝度
を示した。

実施例７ 実施例３のＬ１含有螢光体８重計部とＩ　１１２０３２
重量部と留混合してなる発光組成物ケスクリーン印刷し
て螢光膜Ｄｉ影形成た。一方、比較のために実施例３の
Ｌ１無金含有光体８重量部と１５２０３２重量部とｔ混
合してなる発光組成物音用いて同様に螢光体Ｄ’（ｙ−
形成した。これらの螢光膜？真空容器中に入れ、３０Ｖ
の低速電子線で励起すると螢光膜りは螢光膜Ｊ）１の１
０倍の発光輝度７示した。

実施例８ 実施例４のＬ＋含有螢光体９９重量部とＩｎ　２０　ａ
ｌ　ｌｉ量部と７混合してなる発光組成物ｒスクリーン
印刷して螢光膜Ｅｉ影形成た。一方、比較のために実施
例４のＬ１無金含有光体９９重量部とＩｎ、、０３１重
量部と？混合してなる発光組成物ケ用いて同様に螢光膜
Ｅｌ、形成した。

これらの螢光膜〒真空容器中に入れ、３０Ｖの低速電子
線で励起すると螢光膜Ｅは螢光膜Ｅ’の１０倍の発光輝
度？示した。

実施例９ 実施例５〜８に示した螢光膜を陽（全とし、熱電子線放
射する物質ケコートしたフィラメントケ陰極とする螢光
表示管４作成し、それぞれの発光輝度〒１ｉｌ１１定す
ると実施例５〜８と同様の結果が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の低速電子線励起螢光体の１例である（
Ｚｎｏ６５．Ｃｄｏ、：＋５）Ｓ：Ｌｉ、Ａｇ、Ｃ６螢
光体′ｒ使用した螢光膜を有する螢光表示管におけるこ
の螢光体中のＬｌｌ含有−と発光輝度および発光開始電
圧の変化との関係〒示すグラフ、第２図は本発明の発光
組成物の１例である（Ｚｎｏ７ｏ、Ｃｄｏ３ｏ）Ｓ　：
Ｌｉ　、Ａｇ、Ｃｌ螢光体と■ｉ］２０３と４重量比９
：１で混合してなる発光組成物により形成された螢光膜
紫有する螢光表示管における上記螢光体中のＬ１含有量
と励起電圧３０Ｖの際の相対発光輝度との関係７示すグ
ラフ、第３図および第４図は本発明の螢光表示管の概略
構成図であり、第３図は二極管、第４図は三極管４示す
図面である。 ］］・・・・・・陽極プＬ／　−１−］、　２・・・・
・・螢　　光　膜１３・・・・セラミック基板　　１４
・　・陰　　　　　榛１５・・・・・・格子型　極　　
１６・・・・・・容　　　　器］７・・・・高真空に保
たれた表示管内部ト　−　　ρ ト　　ρ　ｎ ０Σ　さ　　　＝ （自発）手続補正書 特許庁長官　殿　　　　　　　　　　昭和６０年４月１
０［１１、事件の表示　　　　　　　　　　　　　　　
　　達特願昭５９−２６６８１６号 ２、発明の名称 低速電子線励起螢光体、発光組成物おにび螢光表示管３
、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都港区浜松町２丁目７番１８号名　称　
　　化成オプトニクス株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうらいやビル　７階 （７３１ｇ）弁理士　柳　１）征　史（ほか１名）５、
補正命令の日付　　　な　　し ６、補正により増加する発明の数　　　な　　し７、補
正の対象　　明細書の「発明の詳細な説明」の欄８、補
正の内容 １）明細ａ第７頁第１５行 「同様の」を削除する。 ２）同第８頁第１８行 「および数は」を「および絹合せ数は」と訂正する３）
同第９頁第１３行 ｆ’Ｚｎ粉」をｒ７ｎｓ粉」と訂正する。 ４）同第１０頁第１行 ｒ８００Ｊをｒ５００Ｊと訂正する。 ５）同頁第１８行 ｒ３０ＶＪをｒ５０ＶＪと訂正する。 ６）同第１２頁第９行 ｒｌｎ２０１をｒｌｎｚ０３’Ｊと訂正する。 ７）同第２０頁第６行 「３５倍」を１３，５倍」と訂正する。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 　（１）　一般式 （Ｚｎ＿１＿−＿ｘ，Ｃｄ＿ｘ）Ｓ：ａ＿Ｌｉ，ｂ＿Ｍ
   ＾Ｉ，ｃ＿Ｘ（但し、式中０≦Ｘ≦１，０＜ａ＜１× １０＾−＾２ｇ／ｇ，ｂ≧０，ｃ＞０であり、Ｍ＾Ｉは
   Ｎａ，Ｋ，Ａｇ，Ｒｂ，Ｃｓ，ＡｕおよびＣｕからなる
   群より選ばれた少なくとも１種 の元素、ＸはＡｌ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より
   選ばれた少なくとも１種の元 素である） で表わされる低速電子線励起螢光体。
2. （２）　前記一般式においてｂ≠０であり、Ｍ＾ＩがＡ
   ｇであり、ＸがＣｌであることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の低速電子線 励起螢光体。
3. （３）　一般式 （Ｚｎ＿１＿−＿ｘ，Ｃｄ＿ｘ）Ｓ：ａ＿Ｌｉ，ｂ＿Ｍ
   ＾Ｉ，ｃ＿Ｘ（但し、式中０≦Ｘ≦１、０＜ａ＜１× １０＾−＾２ｇ／ｇ、ｂ≧０、ｃ＞０であり、Ｍ＾Ｉは
   Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ａｇ，ＡｕおよびＣｕからなる
   群より選ばれた少なくとも１種の 元素、ＸはＡｌ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選
   ばれた少なくとも１種の元素 である） で表わされる低速電子線励起螢光体と、 導電性金属酸化物および導電性金属硫化 物の少なくとも１種の導電性物質とを混合 してなる発光組成物。
4. （４）　前記導電性物質がＩｎ＿２Ｏ＿３，ＳｎＯ＿２
   およびＺｎＯからなる群より選ばれた少なくとも１種の 導電性金属酸化物であることを特徴とする 特許請求の範囲第３項記載の発光組成物。
5. （５）前記導電性物質がＩｎ＿２Ｓ＿３，ＣｄＳ，Ｌｉ
   ＿２ＳおよびＣＵ＿２Ｓからなる群より選ばれた少なく
   とも１種の導電性金属硫化物であることを特徴と する特許請求の範囲第３項記載の発光組成 物。
6. （６）片面に螢光膜を有する陽極プレートとこの螢光膜
   に対向した陰極とを、その内部が 真空である容器内に封入した構造を有する 低速電子線励起螢光表示管において、前記 螢光膜が一般式 （Ｚｎ＿１＿−＿ｘ，Ｃｄ＿ｘ）Ｓ：ａＬｉ，ｂＭ＾Ｉ
   ，ＣＸ（但し、式中０≦Ｘ≦１、０＜ａ＜１０＾−＾２
   ｇ／ｇ、ｂ≧０、ｃ＞０であり、Ｍ＾Ｉは Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ａｇ，ＡｕおよびＣｕからなる
   群より選ばれた少なくとも１種の元素、Ｘ はＡｌ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選ばれた少
   なくとも１種の元素である） で表わされる低速電子線励起螢光体を含有 するものであることを特徴とする低速電子 線励起螢光表示管。