JPS61144742A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS61144742A JPS61144742A JP59265640A JP26564084A JPS61144742A JP S61144742 A JPS61144742 A JP S61144742A JP 59265640 A JP59265640 A JP 59265640A JP 26564084 A JP26564084 A JP 26564084A JP S61144742 A JPS61144742 A JP S61144742A
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- Japan
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- optical recording
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、書き換え可能な光磁気記録媒体に係わる−
〔従来の技術〕
光照射による記録と読み出しとを行う書き換え可能な光
磁気記録媒体は、非晶質の希土類−遷移金属系(以下R
E−TM系という)M膜によってその光磁気記録磁性膜
を形成している。
磁気記録媒体は、非晶質の希土類−遷移金属系(以下R
E−TM系という)M膜によってその光磁気記録磁性膜
を形成している。
このRE−TM系の光磁気記録において、その記録がR
E−TM系のフェリ磁性垂直磁化によるものは、磁性膜
の結晶状態が非晶質状態でのみ生じるものであって、結
晶状態ではフェリ磁性が消失して記録の消失ないしは記
録不能となる。したがってこの種の光記録用のRE−T
M系磁性膜においては、その相転移温度Tcryができ
るだけ高いことが望まれる。ところが、RE−TM系の
Tb−FeCo 、 Gd−FeCo 、 Dy−Fe
Coにおいては、相転移温度は240℃程度である。
E−TM系のフェリ磁性垂直磁化によるものは、磁性膜
の結晶状態が非晶質状態でのみ生じるものであって、結
晶状態ではフェリ磁性が消失して記録の消失ないしは記
録不能となる。したがってこの種の光記録用のRE−T
M系磁性膜においては、その相転移温度Tcryができ
るだけ高いことが望まれる。ところが、RE−TM系の
Tb−FeCo 、 Gd−FeCo 、 Dy−Fe
Coにおいては、相転移温度は240℃程度である。
一方、いわゆるキュリ一点記録による場合その記録・消
去はそのRE−TM磁性膜のキュリ一温度(100℃〜
300℃程度)近くの加熱で行う。
去はそのRE−TM磁性膜のキュリ一温度(100℃〜
300℃程度)近くの加熱で行う。
したがって、相転移温度が低い場合は、その記録・消去
に際して相転移が生じ磁気特性の劣化や、フェリ磁性の
消失が生じる。また非晶質RE−TM磁性膜では、室温
でも構成元素の熱拡散が生じているので、相転移温度が
低い場合、室温でも長時間保存で磁気特性劣化を招く。
に際して相転移が生じ磁気特性の劣化や、フェリ磁性の
消失が生じる。また非晶質RE−TM磁性膜では、室温
でも構成元素の熱拡散が生じているので、相転移温度が
低い場合、室温でも長時間保存で磁気特性劣化を招く。
したがって、この種のRE−TM磁性膜としては、キュ
リ一温度より充分高い転移温度を有するRE−7M磁性
材料の開発が望まれるが、一方、この種の光磁気記録媒
体においては、高いS/NないしC/Nを得るには、で
きるだけ大きいカー回転角θKが得られることが望まれ
、更に、記録密度を高める上で記録ビット径dが小さく
できることが望まれる。この記録ビットの最小径dは、
s−He (MSは飽和磁化、)lcは保持力、EVは磁壁エネル
ギー)の関係を有するので、この種の記録媒体における
RE−TM磁性材としては、MS及びHcが高いことが
望まれる。
リ一温度より充分高い転移温度を有するRE−7M磁性
材料の開発が望まれるが、一方、この種の光磁気記録媒
体においては、高いS/NないしC/Nを得るには、で
きるだけ大きいカー回転角θKが得られることが望まれ
、更に、記録密度を高める上で記録ビット径dが小さく
できることが望まれる。この記録ビットの最小径dは、
s−He (MSは飽和磁化、)lcは保持力、EVは磁壁エネル
ギー)の関係を有するので、この種の記録媒体における
RE−TM磁性材としては、MS及びHcが高いことが
望まれる。
上述したように光磁気記録媒体における従来のRE−7
M磁性膜においては、一般に相転移温度が低いという問
題があった。
M磁性膜においては、一般に相転移温度が低いという問
題があった。
本発明においてはキュリ一点を高めることなく相転移温
度が高く、しかもカー回転角θKが大で、磁化Ms及び
保持力Heにおいても満足できる光磁気記録媒体を提供
するものである。
度が高く、しかもカー回転角θKが大で、磁化Ms及び
保持力Heにおいても満足できる光磁気記録媒体を提供
するものである。
c問題点を解決するための手段〕
本発明は、希土類金属−遷移金属(RE−TM)系光磁
気記録材料による光磁気記録媒体において、その光磁気
材料を1〜14原子%のGeが添加され、15〜35原
子%のGd、 Tb、 oyの少くとも1種以上の希土
類金属と、残部FeまたはCoの少くともいずれか1種
またはこれらの混合による遷移金属とによって構成する
。
気記録材料による光磁気記録媒体において、その光磁気
材料を1〜14原子%のGeが添加され、15〜35原
子%のGd、 Tb、 oyの少くとも1種以上の希土
類金属と、残部FeまたはCoの少くともいずれか1種
またはこれらの混合による遷移金属とによって構成する
。
上述したようにGeを1〜14原子%添加したRE−7
M磁性膜は、その非晶質相から結晶質への相転移温度T
cryを、キュリ一点を高めることなく数十℃〜百数十
℃高めることができた。
M磁性膜は、その非晶質相から結晶質への相転移温度T
cryを、キュリ一点を高めることなく数十℃〜百数十
℃高めることができた。
本発明による光磁気記録媒体は、非磁性の例えばガラス
、プラスチック、アルミニウム等の基体上にRE−7M
磁性膜をスパッタリングによって形成し得る。
、プラスチック、アルミニウム等の基体上にRE−7M
磁性膜をスパッタリングによって形成し得る。
このスパッタリングを実施するスパッタリング装置とし
ては、マグネトロン型構成をとり得るもので第1図には
このスパッタリング装置の一例の路線的構成を示す。こ
の場合、ベルジャ(図示せず)内に、軸心o−a’を中
心として回転する基台(1)を設け、これの例えば下面
に目的とする光磁気記録媒体を構成するガラス板、プラ
スチック板等より成る基体(2)を配置する。そして、
この基体(2)に対向して軸心O−θ′を中心に等角間
隔、例えば180°の角間隔を保持して2個のスパッタ
ー源(3)及び(4)を配置する。これらのスパッター
源(3)及び(4)と基台(1)、すなわら基体(2)
との間には、スパッター源(3)及び(4)より夫々ス
パッターされる金属のスパッター位置を規制するマスク
(5)を配置する。このスパッター源(3)は例えば希
土類金属の板状体より成るターゲット(6)を有し、ス
パッター源(4)は、例えば遷移金属とGeの合金の板
状体より成るターゲット(7)を有して成る。(8)及
び(9)は、夫々マグネットを示す。
ては、マグネトロン型構成をとり得るもので第1図には
このスパッタリング装置の一例の路線的構成を示す。こ
の場合、ベルジャ(図示せず)内に、軸心o−a’を中
心として回転する基台(1)を設け、これの例えば下面
に目的とする光磁気記録媒体を構成するガラス板、プラ
スチック板等より成る基体(2)を配置する。そして、
この基体(2)に対向して軸心O−θ′を中心に等角間
隔、例えば180°の角間隔を保持して2個のスパッタ
ー源(3)及び(4)を配置する。これらのスパッター
源(3)及び(4)と基台(1)、すなわら基体(2)
との間には、スパッター源(3)及び(4)より夫々ス
パッターされる金属のスパッター位置を規制するマスク
(5)を配置する。このスパッター源(3)は例えば希
土類金属の板状体より成るターゲット(6)を有し、ス
パッター源(4)は、例えば遷移金属とGeの合金の板
状体より成るターゲット(7)を有して成る。(8)及
び(9)は、夫々マグネットを示す。
マスク(5)は、例えば第2図に示すように、ターゲッ
ト(6)及び(7)に対向する部分にこれらターゲット
(6)及び(7)の中心を通る直線X方向に外側に向か
って広がる例えばいちょう形の窓α〔及び(11)が穿
設されて成る。第2図においては両窓顛及び(11)の
大きさは、同一に選ばれているが、これら窓a〔及び(
11)の面積は、基体(2)上に形成する磁性膜の組成
に応じて形成し得る。
ト(6)及び(7)に対向する部分にこれらターゲット
(6)及び(7)の中心を通る直線X方向に外側に向か
って広がる例えばいちょう形の窓α〔及び(11)が穿
設されて成る。第2図においては両窓顛及び(11)の
大きさは、同一に選ばれているが、これら窓a〔及び(
11)の面積は、基体(2)上に形成する磁性膜の組成
に応じて形成し得る。
そして基台(6)を回転させながらターゲット(6)及
び(7)を負極側として直流スパッタリングを行う。
び(7)を負極側として直流スパッタリングを行う。
このようにして基体(2)上に形成された磁性膜は、タ
ーゲット(6)よりの希土類金属に富んだ層と、ターゲ
ット(7)よりの遷移金属とGeとに冨んだ層とが順次
交互に堆積された磁性膜となる。
ーゲット(6)よりの希土類金属に富んだ層と、ターゲ
ット(7)よりの遷移金属とGeとに冨んだ層とが順次
交互に堆積された磁性膜となる。
実施例1
第1図及び第2図で説明したスパッタリング装置におい
て、一方のターゲット(6)としてTbを、他方のター
ゲット(7)として、Fec+o Cos Ges
(Feが90原子%、 Coが5原子%、 Geが5原
子%)を配置して、計ガス雰囲気中で基台(1)を回転
しつつ、基体(2)にスパッタリングを行って厚さが数
百へ〜1μmの磁性膜を形成した。このようにして形成
した磁性膜の全体的な組成は、Tb2o (Fe9o
Cos Ges ) @0であった、そして、この磁性
膜の相転移温度Tcryは、300℃程度となった。因
みにGeを含まないTb2o (Fe9s Cos )
soの相転移温度は230℃であった。
て、一方のターゲット(6)としてTbを、他方のター
ゲット(7)として、Fec+o Cos Ges
(Feが90原子%、 Coが5原子%、 Geが5原
子%)を配置して、計ガス雰囲気中で基台(1)を回転
しつつ、基体(2)にスパッタリングを行って厚さが数
百へ〜1μmの磁性膜を形成した。このようにして形成
した磁性膜の全体的な組成は、Tb2o (Fe9o
Cos Ges ) @0であった、そして、この磁性
膜の相転移温度Tcryは、300℃程度となった。因
みにGeを含まないTb2o (Fe9s Cos )
soの相転移温度は230℃であった。
また、実施例1において、Geの添加量を変化させて得
た各光磁気記録媒体におけるすなわちTb2o (Fe
95−xCos Ge)() soにおけるX値を変え
た場合の各特性の測定結果を第3図に示す。第3図にお
いて(31) 、 (32) 、 (33) 、
(34)は夫々各媒体における相転移温度Tcry、
キュリ一温度Tc。
た各光磁気記録媒体におけるすなわちTb2o (Fe
95−xCos Ge)() soにおけるX値を変え
た場合の各特性の測定結果を第3図に示す。第3図にお
いて(31) 、 (32) 、 (33) 、
(34)は夫々各媒体における相転移温度Tcry、
キュリ一温度Tc。
飽和磁化Ms+カー回転角θにの各測定結果を示すもの
である。この場合の各媒体の保磁力Rcは、約3kOe
であった。
である。この場合の各媒体の保磁力Rcは、約3kOe
であった。
また、第4図の表図は、RE−TMの各組成において、
Geを添加した場合と、しない場合との各特性を対比さ
せた場合で、Geを添加した本発明の場合、Geを添加
しない従来のものに比し、キュリ一点Tcを上げること
なく、相転移温度が高められ、またカー回転角の向上が
はかられる。
Geを添加した場合と、しない場合との各特性を対比さ
せた場合で、Geを添加した本発明の場合、Geを添加
しない従来のものに比し、キュリ一点Tcを上げること
なく、相転移温度が高められ、またカー回転角の向上が
はかられる。
そして、本発明においては、Geの添加量をl〜14原
子%に選定するものであるが、これは第3図でみられる
ようにGeが1〜14原子%において相転移温度を高め
ながらキュリ一点Tc、カー回転角θKにおいて実用上
問題が生じる程度の低下を招来することがないことを認
めたことと、Geを1原子%以上添加することによって
相転移温度を15℃以上高めることができるのでこれに
よって遷移金属としてのGoの添加量を例えば10原子
%以上にも高めることができ、これによって、より高い
θK、L−tたがってC/Nの向上をはかることができ
る効果が得られる。すなわち、Geを添加しない場合に
おいて遷移金属としてCoを含ましめる場合、このC。
子%に選定するものであるが、これは第3図でみられる
ようにGeが1〜14原子%において相転移温度を高め
ながらキュリ一点Tc、カー回転角θKにおいて実用上
問題が生じる程度の低下を招来することがないことを認
めたことと、Geを1原子%以上添加することによって
相転移温度を15℃以上高めることができるのでこれに
よって遷移金属としてのGoの添加量を例えば10原子
%以上にも高めることができ、これによって、より高い
θK、L−tたがってC/Nの向上をはかることができ
る効果が得られる。すなわち、Geを添加しない場合に
おいて遷移金属としてCoを含ましめる場合、このC。
が5原子%を超えると、相転移温度Tcryにキュリ一
点Tcが近づき過ぎるとかTcryを超えてしまうので
Coの添加量は5原子%以下に抑えざるを得なかったが
、Geを1原子%以上添加することによってGoの添加
量を5原子%を超えIO原子%、或いはこれ以上に高め
ることができることを認めたことに因る。
点Tcが近づき過ぎるとかTcryを超えてしまうので
Coの添加量は5原子%以下に抑えざるを得なかったが
、Geを1原子%以上添加することによってGoの添加
量を5原子%を超えIO原子%、或いはこれ以上に高め
ることができることを認めたことに因る。
また、希土類金属を15〜35原子%に選定するのは、
これが15原子%未満でも、また35原子%を超えても
保磁力Hc、及びカー回転角θKが著しく低下してくる
ことを認めたことに因る。
これが15原子%未満でも、また35原子%を超えても
保磁力Hc、及びカー回転角θKが著しく低下してくる
ことを認めたことに因る。
上述したように本発明によれば、Ge添加によって相転
移温度Tcryを、キュリ一点を高めることなく、高め
ることができるのでキュリ一点近傍の加熱下で良好な記
録・消去を行うことができ、また、磁気特性に経時変化
を来すことのない安定な光磁気記録媒体を得ることがで
きるものである。
移温度Tcryを、キュリ一点を高めることなく、高め
ることができるのでキュリ一点近傍の加熱下で良好な記
録・消去を行うことができ、また、磁気特性に経時変化
を来すことのない安定な光磁気記録媒体を得ることがで
きるものである。
第1図は本発明による光磁気記録媒体を作製するための
スパッタリング装置の一例の構成図、第2図はそのマス
クのパターン図、第3図は、Tb−FeCoGeのGe
添加量に対する各特性の測定曲線図、第4図は各組成の
磁性膜の各特性の測定結果を示す表図である。 (2)は基体、(1)は基台、(3)及び(4)はスパ
ッタ源である。
スパッタリング装置の一例の構成図、第2図はそのマス
クのパターン図、第3図は、Tb−FeCoGeのGe
添加量に対する各特性の測定曲線図、第4図は各組成の
磁性膜の各特性の測定結果を示す表図である。 (2)は基体、(1)は基台、(3)及び(4)はスパ
ッタ源である。
Claims (1)
- 希土類金属−遷移金属系光磁気記録材料による光磁気記
録媒体において、上記光磁気記録材料が1〜14原子%
のGeが添加され、15〜35%のGd、Tb、Dyの
少くとも1種以上の希土類金属と、残部がFeまたはC
oの少くともいずれか1種またはこれらの混合による遷
移金属より成ることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59265640A JPS61144742A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 光磁気記録媒体 |
GB8530509A GB2169742B (en) | 1984-12-17 | 1985-12-11 | Optomagnetic recording media |
US06/808,991 US4710434A (en) | 1984-12-17 | 1985-12-16 | Optomagnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59265640A JPS61144742A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61144742A true JPS61144742A (ja) | 1986-07-02 |
Family
ID=17419940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59265640A Pending JPS61144742A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4710434A (ja) |
JP (1) | JPS61144742A (ja) |
GB (1) | GB2169742B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5265073A (en) * | 1987-03-13 | 1993-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same |
GB8718916D0 (en) * | 1987-08-10 | 1987-09-16 | Ion Tech Ltd | Thin film alloying apparatus |
US5225289A (en) * | 1987-08-25 | 1993-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium having plurality of exchange-coupled magnetic layers |
JP2673807B2 (ja) * | 1987-10-30 | 1997-11-05 | パイオニア株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
JPH0296952A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-04-09 | Sharp Corp | 光学記憶素子 |
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