JPS61144722A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS61144722A JPS61144722A JP26564184A JP26564184A JPS61144722A JP S61144722 A JPS61144722 A JP S61144722A JP 26564184 A JP26564184 A JP 26564184A JP 26564184 A JP26564184 A JP 26564184A JP S61144722 A JPS61144722 A JP S61144722A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体に関する。
近年、磁気記録の高密度化の目的で磁性薄膜型の磁気記
録媒体即ち非磁性基体上に真空蒸着1.スパッタリング
等の方法によりCo、 Fe、 Ni或はこれらの合金
による強磁性薄膜を形成させた磁気記録媒体についての
研究が盛んである。
録媒体即ち非磁性基体上に真空蒸着1.スパッタリング
等の方法によりCo、 Fe、 Ni或はこれらの合金
による強磁性薄膜を形成させた磁気記録媒体についての
研究が盛んである。
このような磁性M膜量の磁気記録媒体において、面内方
向に高い抗磁力Hcを得るには、強磁性金属材を非磁性
基体に対して斜め蒸着して(所謂斜め蒸着法で)磁性層
を形成する方法、或は非磁性基体上にCrを下地として
基体温度を300℃以上でC。
向に高い抗磁力Hcを得るには、強磁性金属材を非磁性
基体に対して斜め蒸着して(所謂斜め蒸着法で)磁性層
を形成する方法、或は非磁性基体上にCrを下地として
基体温度を300℃以上でC。
を蒸着して磁性層を形成する方法等が提案されている。
しかし乍ら、前者の斜め蒸着法の場合には蒸着効率が数
%と低く生産性に問題があった。また後者の方法の場合
には基体温度を高くする必要があるため、ポリエチレン
テレフタレートの如き耐熱性に劣る高分子フィルムより
なる非磁性基体が使用できないという欠点があった。
%と低く生産性に問題があった。また後者の方法の場合
には基体温度を高くする必要があるため、ポリエチレン
テレフタレートの如き耐熱性に劣る高分子フィルムより
なる非磁性基体が使用できないという欠点があった。
本発明は、上述の点に鑑み、磁気特性に優れると共に、
作製条件が改善される磁気記録媒体を提供するものであ
る。
作製条件が改善される磁気記録媒体を提供するものであ
る。
本発明においては、非磁性基体上に蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等の所謂気相メッキによって
Sn層と金属磁性層とを連続して形成して磁気記録媒体
を構成する。
グ、イオンブレーティング等の所謂気相メッキによって
Sn層と金属磁性層とを連続して形成して磁気記録媒体
を構成する。
非磁性基体としては、例えばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の高
分子フィルムを用い得る。
ト、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の高
分子フィルムを用い得る。
下地のSn層は非磁性基体上に蒸着、スバッタリング或
はイオンブレーティング等の気相メッキによって被着す
るもので、そのj寥さは50人〜500人に選定される
。金属磁性層は5nJ−上に蒸着、スパッタリング或は
イオンブレーティング等の気相メッキによってCo+
Fe+ Nlのいずれか、或はその合金、さらにはそれ
らにCrを添加した合金例えばCo−Cr合金、Co−
Nk−Cr合金を 100人〜1000人の厚さに被着
することによって形成し得る。Niを含む合金の場合、
Niは5〜40原子%含まれる。Crを含む合金の場合
、Crは5〜30原子%含まれる。Sn層及び金属磁性
層の気相メッキ時の非磁性基体の基体温度は室温〜基体
が許す上限温度に選び得る。
はイオンブレーティング等の気相メッキによって被着す
るもので、そのj寥さは50人〜500人に選定される
。金属磁性層は5nJ−上に蒸着、スパッタリング或は
イオンブレーティング等の気相メッキによってCo+
Fe+ Nlのいずれか、或はその合金、さらにはそれ
らにCrを添加した合金例えばCo−Cr合金、Co−
Nk−Cr合金を 100人〜1000人の厚さに被着
することによって形成し得る。Niを含む合金の場合、
Niは5〜40原子%含まれる。Crを含む合金の場合
、Crは5〜30原子%含まれる。Sn層及び金属磁性
層の気相メッキ時の非磁性基体の基体温度は室温〜基体
が許す上限温度に選び得る。
さらに、金属磁性層を形成して後、金属磁性層の表面に
酸素ボンバード処理を施すこともできる。
酸素ボンバード処理を施すこともできる。
非磁性基体上にSn層を介して金属磁性層を形成するこ
とにより、高い抗磁力及び角型比が得られる。そして、
下地のSn層が低融点金属であり低い基体温度での磁性
層の形成ができるので、磁気記録媒体の作製条件が改善
される。
とにより、高い抗磁力及び角型比が得られる。そして、
下地のSn層が低融点金属であり低い基体温度での磁性
層の形成ができるので、磁気記録媒体の作製条件が改善
される。
第1図乃至第3図は本発明の実施例に通用される蒸着装
置である。
置である。
第1図の蒸着装置(1)は真空チャンバー(2)内に非
磁性基体(3)が供給リール(4)及び巻取リール(5
)間に走行するように配される。非磁性基体(3)に対
向してSn蒸着源(6)と金属磁性層の蒸着源例えばC
O又はCo−Niの蒸着源(7)が配置される。蒸着源
り6)及び(7)は例えば図示しないが電子銃からの電
子ビームの衝撃によって蒸着材が蒸発するようになされ
る。
磁性基体(3)が供給リール(4)及び巻取リール(5
)間に走行するように配される。非磁性基体(3)に対
向してSn蒸着源(6)と金属磁性層の蒸着源例えばC
O又はCo−Niの蒸着源(7)が配置される。蒸着源
り6)及び(7)は例えば図示しないが電子銃からの電
子ビームの衝撃によって蒸着材が蒸発するようになされ
る。
(8)は蒸着源(6)及び(7)よりの各金属蒸気流を
相互に遮蔽する遮蔽板で、両蒸着源(6)及び(7)間
から非磁性基体(3)側に延長して設けられる。(9)
は各蒸着源(6)及び(7)と非磁性基体(3)との間
に配置された防着カバーである。非磁性基体(3)の上
方には非磁性基体(3)を所要の温度に加熱するための
加熱用ランプQlが配される。 (11)は非磁性基
体(3)の近くに配された熱電対であり、これは温度コ
ントローラ(12)に接続され、この温度コントローラ
(12)によってランプ用電源(13)が制御されて、
非磁性基体(3)の温度が所定温度に保たれる。(14
)は膜厚センサ、(15)は膜厚コントローラ、(16
)は排気系である。この装置゛(1)では、非磁性基体
(3)の走行途上において先ずSn蒸着源(6)からS
nの蒸着をなして基体(3)上にSn蒸着膜を形成し、
引き続いてこれの上に蒸着源(7)からの金属磁性材を
蒸着して金属磁性層を被着形成するようになされる。
相互に遮蔽する遮蔽板で、両蒸着源(6)及び(7)間
から非磁性基体(3)側に延長して設けられる。(9)
は各蒸着源(6)及び(7)と非磁性基体(3)との間
に配置された防着カバーである。非磁性基体(3)の上
方には非磁性基体(3)を所要の温度に加熱するための
加熱用ランプQlが配される。 (11)は非磁性基
体(3)の近くに配された熱電対であり、これは温度コ
ントローラ(12)に接続され、この温度コントローラ
(12)によってランプ用電源(13)が制御されて、
非磁性基体(3)の温度が所定温度に保たれる。(14
)は膜厚センサ、(15)は膜厚コントローラ、(16
)は排気系である。この装置゛(1)では、非磁性基体
(3)の走行途上において先ずSn蒸着源(6)からS
nの蒸着をなして基体(3)上にSn蒸着膜を形成し、
引き続いてこれの上に蒸着源(7)からの金属磁性材を
蒸着して金属磁性層を被着形成するようになされる。
第2図の蒸着膜fit(17)は、回転機構を介してS
nの蒸着源(6)とCrの蒸着源(18)が連結されて
遮蔽板(8)の片側に配された以外は第1図の蒸着装置
(1)の構成と同じである。この装置(17)では先ず
Sn蒸着源(6)を所定位置に置いてSnの蒸着をなし
て後、回転機構を駆動してCr蒸着源(18)を所定位
置に置きCr蒸着源(1B)からのCrと、蒸着源(7
)からのCo又はCo−Ni合金を同時に蒸着してSn
下地層上にCo−Cr合金、又はCo−Ni−Cr合金
磁性層を形成するようになされる。
nの蒸着源(6)とCrの蒸着源(18)が連結されて
遮蔽板(8)の片側に配された以外は第1図の蒸着装置
(1)の構成と同じである。この装置(17)では先ず
Sn蒸着源(6)を所定位置に置いてSnの蒸着をなし
て後、回転機構を駆動してCr蒸着源(18)を所定位
置に置きCr蒸着源(1B)からのCrと、蒸着源(7
)からのCo又はCo−Ni合金を同時に蒸着してSn
下地層上にCo−Cr合金、又はCo−Ni−Cr合金
磁性層を形成するようになされる。
第3図の蒸着装置(19)は、第1図の蒸着装置(1)
に更にボンバード電源(20)に接続されたボンバード
電極(21)と酸素(02)ガスを導入する酸素導入管
(22)とを加えて構成したものである。
に更にボンバード電源(20)に接続されたボンバード
電極(21)と酸素(02)ガスを導入する酸素導入管
(22)とを加えて構成したものである。
この装置(19)では、Sn下地層及び金属磁性層が形
成されて後、磁性層表面に酸素ボンバード処理が施され
るものである。
成されて後、磁性層表面に酸素ボンバード処理が施され
るものである。
実施例1
第1図の蒸着装置(11を使用し、嵐空下でポリイミド
フィルムよりなる非磁性基体(3)を供給リール(aか
ら巻取リール(5)へと走行させ、このとき非磁性基体
(3)の温度を室温となして蒸着m (6)よりSnを
100人の厚さに蒸着し、続いて蒸着源(7)よりCo
を150人の厚さに蒸着してSn下地層上にCo磁性層
を被着した。このようにして得た磁気記録媒体を実施例
1とした。
フィルムよりなる非磁性基体(3)を供給リール(aか
ら巻取リール(5)へと走行させ、このとき非磁性基体
(3)の温度を室温となして蒸着m (6)よりSnを
100人の厚さに蒸着し、続いて蒸着源(7)よりCo
を150人の厚さに蒸着してSn下地層上にCo磁性層
を被着した。このようにして得た磁気記録媒体を実施例
1とした。
実施例2
非磁性基体(3)の温度を110℃とした以外は実施例
1と同じにした。このようにして得た磁気記録媒体を実
施例2とした。
1と同じにした。このようにして得た磁気記録媒体を実
施例2とした。
比較例1
非磁性基体(3)の温度を110℃とし基体(3)上に
直接Coを150人の厚さに蒸着した(Sn下地層なし
)以外は実施例1と同じにした。このようにして得た磁
気記録媒体を比較例1とした。
直接Coを150人の厚さに蒸着した(Sn下地層なし
)以外は実施例1と同じにした。このようにして得た磁
気記録媒体を比較例1とした。
上記各側の磁気記録媒体についての磁気特性を測定した
結果を表1に示す。
結果を表1に示す。
表 1
表1から明らかなように、非磁性基体(3)上に直接C
o層を被着形成した比較例1の場合は抗磁力Hcが10
00e以下であるのに対し、Snを下地に用いた実施例
1.2の場合には抗磁力Hcが向上し、また角型比も8
0%以上と高い。
o層を被着形成した比較例1の場合は抗磁力Hcが10
00e以下であるのに対し、Snを下地に用いた実施例
1.2の場合には抗磁力Hcが向上し、また角型比も8
0%以上と高い。
実施例3
上記蒸着装置(1)を使用し、真空)でポリイミドフィ
ルムよりなる非磁性基体(3)上に蒸着源(6)よりS
nを蒸着し、続いて蒸着源(7)よりCo−Ni合金を
蒸着してSn下地層上にCo−Ni磁性層を被着した。
ルムよりなる非磁性基体(3)上に蒸着源(6)よりS
nを蒸着し、続いて蒸着源(7)よりCo−Ni合金を
蒸着してSn下地層上にCo−Ni磁性層を被着した。
このようにして得た磁気記録媒体を実施例3とした。
実施例3の磁気記録媒体について、そのSn膜厚、Co
−Ni合金膜厚、Ni量及び基体温度を夫々独立に変化
させたときの磁気特性の測定結果を第4図乃至第7図に
示す。
−Ni合金膜厚、Ni量及び基体温度を夫々独立に変化
させたときの磁気特性の測定結果を第4図乃至第7図に
示す。
第4図はSn膜厚200人、Co−Ni合金映厚300
人及び基体温度60℃一定としてNi量を変えたときの
抗磁力Hc(曲線■)と角型比Rs (曲線■)の変化
を示す磁気特性図である。第5図はSn膜厚200人及
び基体温度60℃一定としてCo−Ni合金(Ni35
原子%)膜厚を変えたときの抗磁力Hc (曲線■)と
角型比Rs (曲線■)の変化を示す磁気特性図である
。第6図はCo−Ni合金(Ni35原子%)膜厚30
0人及び基体温度60℃一定としてSn膜厚を変えたと
きの抗磁力Hc(曲線■)と角型比Rs (曲線■)の
変化を示す短気特性図である。第7図はSn膜厚200
人及びCo−Ni合金(Ni35原子%)膜厚300人
一定として基体温度を変えたときの抗磁力Hc (曲線
■)と角型比Rs (曲線■)の変化を示す磁気特性図
である。
人及び基体温度60℃一定としてNi量を変えたときの
抗磁力Hc(曲線■)と角型比Rs (曲線■)の変化
を示す磁気特性図である。第5図はSn膜厚200人及
び基体温度60℃一定としてCo−Ni合金(Ni35
原子%)膜厚を変えたときの抗磁力Hc (曲線■)と
角型比Rs (曲線■)の変化を示す磁気特性図である
。第6図はCo−Ni合金(Ni35原子%)膜厚30
0人及び基体温度60℃一定としてSn膜厚を変えたと
きの抗磁力Hc(曲線■)と角型比Rs (曲線■)の
変化を示す短気特性図である。第7図はSn膜厚200
人及びCo−Ni合金(Ni35原子%)膜厚300人
一定として基体温度を変えたときの抗磁力Hc (曲線
■)と角型比Rs (曲線■)の変化を示す磁気特性図
である。
この第4図〜第7図から明らかなようにSn下地層上に
Co−Ni磁性層を形成した磁気記録媒体においてもす
ぐれた磁気特性(抗磁力Hc6000e程度、角型比8
0%程度)が得られる。
Co−Ni磁性層を形成した磁気記録媒体においてもす
ぐれた磁気特性(抗磁力Hc6000e程度、角型比8
0%程度)が得られる。
実施例4
第2図の蒸着装置(17)を使用し、I X 1O−5
Torrの真空下でポリイミドフィルムよりなる非磁性
基体(3)上に、基体温度を60〜70℃に保って、蒸
着源(6)よりSnを100人の厚さに蒸着し、次に蒸
着源(7)及び(18)よりCOとCrを同時に且つ別
々に量をコントロールしながら蒸着してSn下地層上に
Go −Cr合金磁性層を被着形成した。この例ではC
OとCrの蒸着時、非磁性基体(3)は走行させないの
で、第2図の位置AにおいてSn下地層上にCo−Cr
合金磁性層が被着形成されることになる。このようにし
て得た磁気記録媒体を実施例4とした。この実施例4の
磁気記録媒体について、Co、 Cr、 Snの膜厚と
磁気特性の関係を表2に示す。
Torrの真空下でポリイミドフィルムよりなる非磁性
基体(3)上に、基体温度を60〜70℃に保って、蒸
着源(6)よりSnを100人の厚さに蒸着し、次に蒸
着源(7)及び(18)よりCOとCrを同時に且つ別
々に量をコントロールしながら蒸着してSn下地層上に
Go −Cr合金磁性層を被着形成した。この例ではC
OとCrの蒸着時、非磁性基体(3)は走行させないの
で、第2図の位置AにおいてSn下地層上にCo−Cr
合金磁性層が被着形成されることになる。このようにし
て得た磁気記録媒体を実施例4とした。この実施例4の
磁気記録媒体について、Co、 Cr、 Snの膜厚と
磁気特性の関係を表2に示す。
実施例5
Snを蒸着して後、Co−Ni合金(Ni35原子%)
とCrを同時に且つ別々に量をコントロールしながら蒸
着し、Sn下地層上にCo−Ni−Cr合金磁性層を被
着した以外は実施例4と同じにした。このようにして得
た磁気記録媒体を実施例5とした。この実施例5の磁気
記録媒体についてCo−Ni、 Cr、 Snの膜厚と
磁気特性の関係を表3に示害。
とCrを同時に且つ別々に量をコントロールしながら蒸
着し、Sn下地層上にCo−Ni−Cr合金磁性層を被
着した以外は実施例4と同じにした。このようにして得
た磁気記録媒体を実施例5とした。この実施例5の磁気
記録媒体についてCo−Ni、 Cr、 Snの膜厚と
磁気特性の関係を表3に示害。
表 2
表 3
表2及び表3から明らかなように、Snをト地としたC
o −Cr合金磁性層又はCo−Ni−Cr合金磁性層
はいずれも面内方向に晶い抗磁力を有する。また、Co
−Cr合金磁性層でCrが最も多い磁性層でも面内に異
方性が生じており、垂直異方性層にはなっていない。
o −Cr合金磁性層又はCo−Ni−Cr合金磁性層
はいずれも面内方向に晶い抗磁力を有する。また、Co
−Cr合金磁性層でCrが最も多い磁性層でも面内に異
方性が生じており、垂直異方性層にはなっていない。
また、Co−Cr合金を被着した実施例4の磁気記録媒
体を温度60℃、湿度95%の雰囲気中に2週間放置し
て表面観察した結果、孔食等の腐食変化ばLヲめられな
かった。なお、Coだけの膜についても同様の試験を行
ったところ、全体が黄色に変色し、また孔食が生じてい
た。このようにSn下地層上の磁性層としてCo −C
r合金又はCo−Ni−Cr合金等のCrを含む場合に
は耐食性に優れるものである。
体を温度60℃、湿度95%の雰囲気中に2週間放置し
て表面観察した結果、孔食等の腐食変化ばLヲめられな
かった。なお、Coだけの膜についても同様の試験を行
ったところ、全体が黄色に変色し、また孔食が生じてい
た。このようにSn下地層上の磁性層としてCo −C
r合金又はCo−Ni−Cr合金等のCrを含む場合に
は耐食性に優れるものである。
尚、第2図の蒸着装置(17)では蒸着源を別にしてC
rとCo又はCo−Niを蒸着してCo −Cr合金層
又はCo−Ni−Cr合金層を形成したが、1つの蒸着
源によってこれら合金層を形成することもできる。
rとCo又はCo−Niを蒸着してCo −Cr合金層
又はCo−Ni−Cr合金層を形成したが、1つの蒸着
源によってこれら合金層を形成することもできる。
上述の各実施例1〜5から明らかなように、Snを下地
に用いた金属磁性層においては高い抗磁力Hc及び角型
比Rsが得られる。そして、低い基体温度で膜作製がで
きるため、非磁性基体としては耐熱性に劣る高分子フィ
ルム特にポリエチレンテレフタレートフィルムの使用が
可能となる。また各実施例共に抗磁力Hc及び角型比R
sは膜面内で等方的であった。
に用いた金属磁性層においては高い抗磁力Hc及び角型
比Rsが得られる。そして、低い基体温度で膜作製がで
きるため、非磁性基体としては耐熱性に劣る高分子フィ
ルム特にポリエチレンテレフタレートフィルムの使用が
可能となる。また各実施例共に抗磁力Hc及び角型比R
sは膜面内で等方的であった。
実施例6
第3図の蒸着装置(19)を使用し、真空下で5インチ
幅のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる非磁
性基体(3)上に、基体温度を60℃に保って、Snを
厚さ 300人、Co−Ni合金(Ni35原子%)を
厚さ400人2回にわたって(従って合計4層)蒸着し
てSn下地層を介してCo−Ni合金磁性層を被着形成
した。この後、酸素雰囲気中にて磁性層表面に酸素ボン
バード処理を施した。このようにして得た磁気記録媒体
を172幅に裁断し、ソニー製家庭用VTRにかけてス
チル時間を測定した。
幅のポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる非磁
性基体(3)上に、基体温度を60℃に保って、Snを
厚さ 300人、Co−Ni合金(Ni35原子%)を
厚さ400人2回にわたって(従って合計4層)蒸着し
てSn下地層を介してCo−Ni合金磁性層を被着形成
した。この後、酸素雰囲気中にて磁性層表面に酸素ボン
バード処理を施した。このようにして得た磁気記録媒体
を172幅に裁断し、ソニー製家庭用VTRにかけてス
チル時間を測定した。
第8図は、その酸素ボンバード処理の強さに対するスチ
ル時間の測定結果である。ボンバード処理の強さはボン
バード電流IBを変えて変化させた。なお比較のために
ボンバード処理を施さないサンプルについてもスチル時
間を測定した。ただし、双方とも同じ適当な滑剤を塗布
した。第8図でのスチル時間は、同一サンプルについて
5回測定を行いその平均値をとって示した。
ル時間の測定結果である。ボンバード処理の強さはボン
バード電流IBを変えて変化させた。なお比較のために
ボンバード処理を施さないサンプルについてもスチル時
間を測定した。ただし、双方とも同じ適当な滑剤を塗布
した。第8図でのスチル時間は、同一サンプルについて
5回測定を行いその平均値をとって示した。
この第8図から明らかなように酸素ボンバード処理によ
って耐久性が向上する。これは酸素ボンバードによって
非磁性基体とSn下地層あるいは磁性層との界面付近が
酸化され、その部分の付着力が強くなるためと考えられ
る。
って耐久性が向上する。これは酸素ボンバードによって
非磁性基体とSn下地層あるいは磁性層との界面付近が
酸化され、その部分の付着力が強くなるためと考えられ
る。
第9図は上記実施例6の酸素ボンバード処理された磁気
記録媒体について、高温高湿試験を行った結果を示す。
記録媒体について、高温高湿試験を行った結果を示す。
評価は試験前後での飽和磁束の変化量ΔφS (単位幅
当り)で行った。試験条件は温度60℃、湿度95%の
雰囲気中に1週間放置した。
当り)で行った。試験条件は温度60℃、湿度95%の
雰囲気中に1週間放置した。
ΔφSは同一サンプルについて3個試験しその平均値を
とって示した。
とって示した。
この第9図から明らかなように酸素ボンバード処理によ
って耐食性が向上する。これは磁性層表面が酸化され、
また表面に拡散しているSnも同時に酸化されるので、
大気との界面である表面層の化学的安定性が増すためと
考えられる。
って耐食性が向上する。これは磁性層表面が酸化され、
また表面に拡散しているSnも同時に酸化されるので、
大気との界面である表面層の化学的安定性が増すためと
考えられる。
尚、この酸素ボンバード処理は磁性層としてGo。
Fe、旧あるいはその合金、あるいはCrを添加したC
o −Cr、 Co −Ni −Cr等を用いた場合に
おいて同様の効果が得られる。
o −Cr、 Co −Ni −Cr等を用いた場合に
おいて同様の効果が得られる。
而、上例において、金属磁性層は一層に限られるもので
はなく上述のSn下地層を介在させた多層構造とするこ
ともできる。
はなく上述のSn下地層を介在させた多層構造とするこ
ともできる。
また、上例ではSn層及び金属磁性層を蒸着で形成した
がその他スパッタリング、イオンブレーティング等にて
も形成できる。
がその他スパッタリング、イオンブレーティング等にて
も形成できる。
〔発明の効果〕
上述した本発明によれば、非磁性基体上にSn層を介し
て金属磁性層を形成することにより、高い抗磁力tic
を得、また高い角型比Rsを得ることができる。
て金属磁性層を形成することにより、高い抗磁力tic
を得、また高い角型比Rsを得ることができる。
そして、F−地層のSnNが低融点金属であり低い基体
温度での膜作製ができるので、非磁性基体として耐熱性
に欠ける高分子フィルムの使用が可能となる。
温度での膜作製ができるので、非磁性基体として耐熱性
に欠ける高分子フィルムの使用が可能となる。
また、垂直方向の気相メッキで金属磁性層が形成される
ので、金属磁性層のバッキングが密になり磁束密度が高
くなる。また斜め蒸着法に比して垂直蒸着であるので蒸
着効果が高く生産性が向上する。さらに磁気的に面内等
方性の磁性層であるためテープ、ディスク等応用範囲が
極めて広い。
ので、金属磁性層のバッキングが密になり磁束密度が高
くなる。また斜め蒸着法に比して垂直蒸着であるので蒸
着効果が高く生産性が向上する。さらに磁気的に面内等
方性の磁性層であるためテープ、ディスク等応用範囲が
極めて広い。
第1図乃至第3図は夫々本発明に適用される蒸着装置の
例に示す構成図、第4図乃至第7図は夫々実施例3での
磁気特性図、第8図はボンバード電流とスチル時間の関
係を示す特性図、第9図はボンバード電流と飽和磁束の
変化量ΔφSの関係を示す特性図である。 (2)は真空チャンバー、(3)は非磁性基体、(41
,(51はリール、(6)はSn蒸着源、(7)は金属
磁性材の蒸着第1図 4L+。 第2図 排飯系 第3図 序IL販 第5図 第6図 kllfn度(0C] 第8図 オぐ2ノで一ト°電流 (A) 第9図 広″シバ“−ド電蔑(Aン 手続補正書 昭和60年 2月 14日 特許庁長官 志 賀 学 殿昭和59年 特
許 願 第265641号2、発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 /Jt 4、代理人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目8番1号置 03−
343−5821flL’l (新宿ビル)6、補[
Eにより増加する発明の数 7、補正の対象 明細鳶の発明の詳細な説明の欄。
例に示す構成図、第4図乃至第7図は夫々実施例3での
磁気特性図、第8図はボンバード電流とスチル時間の関
係を示す特性図、第9図はボンバード電流と飽和磁束の
変化量ΔφSの関係を示す特性図である。 (2)は真空チャンバー、(3)は非磁性基体、(41
,(51はリール、(6)はSn蒸着源、(7)は金属
磁性材の蒸着第1図 4L+。 第2図 排飯系 第3図 序IL販 第5図 第6図 kllfn度(0C] 第8図 オぐ2ノで一ト°電流 (A) 第9図 広″シバ“−ド電蔑(Aン 手続補正書 昭和60年 2月 14日 特許庁長官 志 賀 学 殿昭和59年 特
許 願 第265641号2、発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 /Jt 4、代理人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目8番1号置 03−
343−5821flL’l (新宿ビル)6、補[
Eにより増加する発明の数 7、補正の対象 明細鳶の発明の詳細な説明の欄。
Claims (1)
- 非磁性基体上にSn層と金属磁性層が連続して気相メッ
キにより形成されて成る磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26564184A JPS61144722A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26564184A JPS61144722A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61144722A true JPS61144722A (ja) | 1986-07-02 |
Family
ID=17419950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26564184A Pending JPS61144722A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61144722A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008086070A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Yazaki Corp | 電気接続箱 |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP26564184A patent/JPS61144722A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008086070A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Yazaki Corp | 電気接続箱 |
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