JPS61138231A - 液晶表示素子の配向処理方法 - Google Patents
液晶表示素子の配向処理方法Info
- Publication number
- JPS61138231A JPS61138231A JP26044884A JP26044884A JPS61138231A JP S61138231 A JPS61138231 A JP S61138231A JP 26044884 A JP26044884 A JP 26044884A JP 26044884 A JP26044884 A JP 26044884A JP S61138231 A JPS61138231 A JP S61138231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode substrate
- liquid
- polymer resin
- resin film
- injection nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、液晶表示素子の配向処理方法に関する。
従来、液晶分子を電極基板の表面に対して所定の方向に
配向させるための処理方法としては、ラビング法と斜方
蒸着法が知られている。この場合、ラビング法は、電極
基板の表面を綿で一方向にこすり微細な溝を形成する方
法であり、また、斜方蒸着法は電極基板の表面に対して
一定の斜め上方より酸化シリコン（ＳｉＯ）等を蒸着し
、基板表面上に膳化シリコン分子を斜めにそろえて配列
形成する方法である。
配向させるための処理方法としては、ラビング法と斜方
蒸着法が知られている。この場合、ラビング法は、電極
基板の表面を綿で一方向にこすり微細な溝を形成する方
法であり、また、斜方蒸着法は電極基板の表面に対して
一定の斜め上方より酸化シリコン（ＳｉＯ）等を蒸着し
、基板表面上に膳化シリコン分子を斜めにそろえて配列
形成する方法である。
しかしながら、上記ラビング法によれば、綿の繊維が電
極基板に付着して配向不良を起すおそれがある。また、
斜方蒸着法によれば、コスト高となる他、一定の位置か
ら蒸着するため大型の基板に対しては、全体を均一に蒸
着することはできず、蒸着方向のずれから配向方向がず
れるという欠点があった。
極基板に付着して配向不良を起すおそれがある。また、
斜方蒸着法によれば、コスト高となる他、一定の位置か
ら蒸着するため大型の基板に対しては、全体を均一に蒸
着することはできず、蒸着方向のずれから配向方向がず
れるという欠点があった。
この発明は、上述した事情を背景になされたもので、そ
の目的とするところは、配向処理する過程で電極基板を
汚さず、また電極基板の大きさに拘らず、均一な配向処
理を可能とした液晶表示素子の配向処理方法を提供する
ことにある。
の目的とするところは、配向処理する過程で電極基板を
汚さず、また電極基板の大きさに拘らず、均一な配向処
理を可能とした液晶表示素子の配向処理方法を提供する
ことにある。
この発明は、上述した目的を達成するために、電極基板
上にコーティングされた高分子樹脂膜に対して流体を所
定角度で高圧噴射して高分子樹脂膜に微細な溝状凹凸面
を形成する点を要旨とするものである。
上にコーティングされた高分子樹脂膜に対して流体を所
定角度で高圧噴射して高分子樹脂膜に微細な溝状凹凸面
を形成する点を要旨とするものである。
以下、この発明を図面に示す一実施例に基づいて具体的
に説明する。第１図は配向処理部の外観斜視図で、液晶
セルが製造される過程において、電極基板の表面に高分
子樹脂ｊｌ（〆リイミド、シラン等）をコーティングす
る工程が経過すると、第１図に示すように、ベルトコン
ベアＡ上に支持固定された電極基板１が配向処理部に搬
送される。
に説明する。第１図は配向処理部の外観斜視図で、液晶
セルが製造される過程において、電極基板の表面に高分
子樹脂ｊｌ（〆リイミド、シラン等）をコーティングす
る工程が経過すると、第１図に示すように、ベルトコン
ベアＡ上に支持固定された電極基板１が配向処理部に搬
送される。
この配向処理部はベルトコンベア人の上方に細長い管状
の噴射ノズル２がベルトコンベア人の幅方向に沿って配
置されてなるもので、この噴射ノズル２は高圧で圧縮し
た液体をベルトコンベアＡ上の電極基板１の表面（高分
子樹脂膜３の表面ンに対して斜め上方から噴射するため
に、噴射ノズル２の一側部には、その長手方向に沿って
多数の噴射口２ａ・・・が形成されている。この場合、
ベルトコンペア人に乗って矢印方向く図中、左方向〕に
搬送されて来る電極基板１に対して噴射ノズル２は、電
極基板１の搬送方向に対向する斜め上方から液体を噴射
する。この場合、本実施例においては、液晶の噴射角度
が１１１１２図に示すように電極基板１の表面に対して
３０度程度となるように設定されている。また、噴射ノ
ズル２から放出される液体は、７レオン等の低沸点の溶
剤が用いられている。
の噴射ノズル２がベルトコンベア人の幅方向に沿って配
置されてなるもので、この噴射ノズル２は高圧で圧縮し
た液体をベルトコンベアＡ上の電極基板１の表面（高分
子樹脂膜３の表面ンに対して斜め上方から噴射するため
に、噴射ノズル２の一側部には、その長手方向に沿って
多数の噴射口２ａ・・・が形成されている。この場合、
ベルトコンペア人に乗って矢印方向く図中、左方向〕に
搬送されて来る電極基板１に対して噴射ノズル２は、電
極基板１の搬送方向に対向する斜め上方から液体を噴射
する。この場合、本実施例においては、液晶の噴射角度
が１１１１２図に示すように電極基板１の表面に対して
３０度程度となるように設定されている。また、噴射ノ
ズル２から放出される液体は、７レオン等の低沸点の溶
剤が用いられている。
このように電極基板１の表面に高分子樹脂膜３をコーテ
ィングした後、配向処理が施されるが、この配向処理は
液体を高圧噴射することにより行なわれる。この結果、
電極基板１上の高分子樹脂Ｍ３に微細な溝状凹凸面を容
易に形成することができ、また、液体によってゴ膚等を
洗い流すことができるので、ゴ４等による配向不良がな
く、更に電極基板１の大きさに拘らず、電極基板全体に
均一した配向処理が可能となる。
ィングした後、配向処理が施されるが、この配向処理は
液体を高圧噴射することにより行なわれる。この結果、
電極基板１上の高分子樹脂Ｍ３に微細な溝状凹凸面を容
易に形成することができ、また、液体によってゴ膚等を
洗い流すことができるので、ゴ４等による配向不良がな
く、更に電極基板１の大きさに拘らず、電極基板全体に
均一した配向処理が可能となる。
次に、ｆＩＩＩｉ３図を参照して本実施例に係る配向処
理システムについて説明する。配向処理槽Ｂにおいて、
噴射ノズル２から放出された液体は、この配向処理槽Ｂ
の底部傾斜面を通って配向処理槽Ｂと連続するペーパー
乾燥槽０に流入し、その底部に溜められる。また、ベル
）コンベア人および電極基板１上に付着している液体は
、配向処理槽Ｂからペーパー乾燥槽０に送られると、ベ
ルトコンベアＡの下方に配置されたヒータＤで加熱され
る。
理システムについて説明する。配向処理槽Ｂにおいて、
噴射ノズル２から放出された液体は、この配向処理槽Ｂ
の底部傾斜面を通って配向処理槽Ｂと連続するペーパー
乾燥槽０に流入し、その底部に溜められる。また、ベル
）コンベア人および電極基板１上に付着している液体は
、配向処理槽Ｂからペーパー乾燥槽０に送られると、ベ
ルトコンベアＡの下方に配置されたヒータＤで加熱され
る。
この場合、液体はフレオン等の低沸点の液体であるため
、加熱されると部座に気化蒸発し、ペーパー乾燥槽Ｃ内
に充満するようになるが、ペーパー乾燥槽Ｃの上部に設
けられた冷却管Ｂで凝縮され、ペーパー乾燥槽Ｃの底部
に溜められる。このようにしてペーパー乾燥槽Ｃの底部
に溜められた液体は、ドレインｒから導出され、水分を
分離する処理、次でフィルターで濾過する処理が行なわ
れたのち、コンプレッサで圧縮され、噴射ノズル２かも
放出される。なお、ペーパー乾燥槽０を通過した電極基
板ｌは、ベルトコンベア人に乗って次の工程に送られる
。
、加熱されると部座に気化蒸発し、ペーパー乾燥槽Ｃ内
に充満するようになるが、ペーパー乾燥槽Ｃの上部に設
けられた冷却管Ｂで凝縮され、ペーパー乾燥槽Ｃの底部
に溜められる。このようにしてペーパー乾燥槽Ｃの底部
に溜められた液体は、ドレインｒから導出され、水分を
分離する処理、次でフィルターで濾過する処理が行なわ
れたのち、コンプレッサで圧縮され、噴射ノズル２かも
放出される。なお、ペーパー乾燥槽０を通過した電極基
板ｌは、ベルトコンベア人に乗って次の工程に送られる
。
このように電極基板１がベルトコンベア人に乗ってペー
パー乾燥槽０を通過することにより、電極基板１上の液
体が気化されるので、汚れのないきれいな配向処理され
た電極基板が連続的に得られる。また、上記システムに
おいては、液体を循環させて再使用するようにしたので
、経済的である。
パー乾燥槽０を通過することにより、電極基板１上の液
体が気化されるので、汚れのないきれいな配向処理され
た電極基板が連続的に得られる。また、上記システムに
おいては、液体を循環させて再使用するようにしたので
、経済的である。
なお、上記実施例においては、液体のみを噴射して配向
処理を行うようにしたが気体を噴射するようにしても良
く、また、液体にアルミナ等の微粒子を混合させて噴射
するようにすれば、より一層効果的な配向処理が可能と
なる。その他、この発明を逸脱しない範囲内において、
種々変形応用可能である。
処理を行うようにしたが気体を噴射するようにしても良
く、また、液体にアルミナ等の微粒子を混合させて噴射
するようにすれば、より一層効果的な配向処理が可能と
なる。その他、この発明を逸脱しない範囲内において、
種々変形応用可能である。
この発明は、以上詳細に説明したように、電極基板上に
コーティングされた高分子樹脂膜に対して流体を所定角
度で高圧噴射するようにしたから、高分子樹脂膜に微細
な溝状凹凸面を容易に形成することができ、また、流体
によってゴし等をも洗い流すことができるためゴミ等に
よる配向不良がなく、また電極基板の大きさに拘らず、
電極基板全体に均一した配向処理が可能となる。更に、
連続処理による大量生産に適するなど、コスト的にも有
利である。
コーティングされた高分子樹脂膜に対して流体を所定角
度で高圧噴射するようにしたから、高分子樹脂膜に微細
な溝状凹凸面を容易に形成することができ、また、流体
によってゴし等をも洗い流すことができるためゴミ等に
よる配向不良がなく、また電極基板の大きさに拘らず、
電極基板全体に均一した配向処理が可能となる。更に、
連続処理による大量生産に適するなど、コスト的にも有
利である。
図面はこの発明の一実施例を示し、第１図は配向処理部
の外観斜視図、第２図はその側面図、第３図は配向処理
システムを説明するための図である。 １・・・・・・電極基板、２・・・・・・噴射ノズル、
３・・・・・・高分子樹脂膜。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 第１図 第２図 第３図
の外観斜視図、第２図はその側面図、第３図は配向処理
システムを説明するための図である。 １・・・・・・電極基板、２・・・・・・噴射ノズル、
３・・・・・・高分子樹脂膜。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 電極基板の表面に高分子樹脂膜をコーティングした後、
液晶分子を所定の方向に配向させるために前記電極基板
上の高分子樹脂膜に対して噴射ノズルから流体を所定角
度で高圧噴射して前記高分子樹脂膜に微細な溝状凹凸面
を形成したことを特徴とする液晶表示素子の配向処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26044884A JPH0723935B2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26044884A JPH0723935B2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61138231A true JPS61138231A (ja) | 1986-06-25 |
| JPH0723935B2 JPH0723935B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=17348074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26044884A Expired - Lifetime JPH0723935B2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723935B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396631A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製法 |
| JPH0346625A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示用配向膜の製造方法 |
| JPH0359622A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Hoechst Japan Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH03163527A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子の製法 |
| JPH05281542A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 液晶配向処理方法及び装置 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP26044884A patent/JPH0723935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396631A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製法 |
| JPH0346625A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示用配向膜の製造方法 |
| JPH0359622A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Hoechst Japan Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH03163527A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子の製法 |
| JPH05281542A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 液晶配向処理方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0723935B2 (ja) | 1995-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100817505B1 (ko) | 평판램프 제조용 성형유리기판 세정 장치 및 방법 | |
| US7806986B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method using the same | |
| US6118511A (en) | Manufacturing method of liquid crystal display panel and cleaning apparatus for use therein | |
| CN100399123C (zh) | 制造液晶显示设备的方法 | |
| JP3070511B2 (ja) | 基板乾燥装置 | |
| JP2572915B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JPS61138231A (ja) | 液晶表示素子の配向処理方法 | |
| KR101736783B1 (ko) | 하이브리드식 세정구조를 갖는 친환경 스팀 세정기 | |
| JP2000105078A (ja) | エアーナイフおよびそれを用いた乾燥処理装置 | |
| KR20020096997A (ko) | 액정 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| KR20040110783A (ko) | 에어나이프 장치 | |
| JP2007317802A (ja) | 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法 | |
| JP2000349059A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2002043266A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法、液切りミストナイフ | |
| JP2003002694A (ja) | 封止後枚葉洗浄装置および洗浄方法 | |
| US6625836B1 (en) | Apparatus and method for cleaning substrate | |
| JPH0534652A (ja) | 液晶表示素子製造方法 | |
| JP2729723B2 (ja) | ラビング処理後の基板の洗浄方法並びに洗浄装置 | |
| KR20040061813A (ko) | 세정 건조 장치 및 방법 | |
| JP2001314827A (ja) | 基板の洗浄方法および洗浄装置 | |
| JPH0764091A (ja) | ラビング処理後の角形基板の洗浄方法並びに洗浄装置 | |
| JP2001224993A (ja) | 基板から処理液を除去する方法及び装置、その装置に用いられる液切りナイフ | |
| JPH0329919A (ja) | 液晶表示素子のガラス基板洗浄方法 | |
| JP3198504B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2001284310A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 |