JPS61138231A - 液晶表示素子の配向処理方法 - Google Patents
液晶表示素子の配向処理方法Info
- Publication number
- JPS61138231A JPS61138231A JP26044884A JP26044884A JPS61138231A JP S61138231 A JPS61138231 A JP S61138231A JP 26044884 A JP26044884 A JP 26044884A JP 26044884 A JP26044884 A JP 26044884A JP S61138231 A JPS61138231 A JP S61138231A
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- Japan
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- liquid
- polymer resin
- resin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、液晶表示素子の配向処理方法に関する。
従来、液晶分子を電極基板の表面に対して所定の方向に
配向させるための処理方法としては、ラビング法と斜方
蒸着法が知られている。この場合、ラビング法は、電極
基板の表面を綿で一方向にこすり微細な溝を形成する方
法であり、また、斜方蒸着法は電極基板の表面に対して
一定の斜め上方より酸化シリコン(SiO)等を蒸着し
、基板表面上に膳化シリコン分子を斜めにそろえて配列
形成する方法である。
配向させるための処理方法としては、ラビング法と斜方
蒸着法が知られている。この場合、ラビング法は、電極
基板の表面を綿で一方向にこすり微細な溝を形成する方
法であり、また、斜方蒸着法は電極基板の表面に対して
一定の斜め上方より酸化シリコン(SiO)等を蒸着し
、基板表面上に膳化シリコン分子を斜めにそろえて配列
形成する方法である。
しかしながら、上記ラビング法によれば、綿の繊維が電
極基板に付着して配向不良を起すおそれがある。また、
斜方蒸着法によれば、コスト高となる他、一定の位置か
ら蒸着するため大型の基板に対しては、全体を均一に蒸
着することはできず、蒸着方向のずれから配向方向がず
れるという欠点があった。
極基板に付着して配向不良を起すおそれがある。また、
斜方蒸着法によれば、コスト高となる他、一定の位置か
ら蒸着するため大型の基板に対しては、全体を均一に蒸
着することはできず、蒸着方向のずれから配向方向がず
れるという欠点があった。
この発明は、上述した事情を背景になされたもので、そ
の目的とするところは、配向処理する過程で電極基板を
汚さず、また電極基板の大きさに拘らず、均一な配向処
理を可能とした液晶表示素子の配向処理方法を提供する
ことにある。
の目的とするところは、配向処理する過程で電極基板を
汚さず、また電極基板の大きさに拘らず、均一な配向処
理を可能とした液晶表示素子の配向処理方法を提供する
ことにある。
この発明は、上述した目的を達成するために、電極基板
上にコーティングされた高分子樹脂膜に対して流体を所
定角度で高圧噴射して高分子樹脂膜に微細な溝状凹凸面
を形成する点を要旨とするものである。
上にコーティングされた高分子樹脂膜に対して流体を所
定角度で高圧噴射して高分子樹脂膜に微細な溝状凹凸面
を形成する点を要旨とするものである。
以下、この発明を図面に示す一実施例に基づいて具体的
に説明する。第1図は配向処理部の外観斜視図で、液晶
セルが製造される過程において、電極基板の表面に高分
子樹脂jl(〆リイミド、シラン等)をコーティングす
る工程が経過すると、第1図に示すように、ベルトコン
ベアA上に支持固定された電極基板1が配向処理部に搬
送される。
に説明する。第1図は配向処理部の外観斜視図で、液晶
セルが製造される過程において、電極基板の表面に高分
子樹脂jl(〆リイミド、シラン等)をコーティングす
る工程が経過すると、第1図に示すように、ベルトコン
ベアA上に支持固定された電極基板1が配向処理部に搬
送される。
この配向処理部はベルトコンベア人の上方に細長い管状
の噴射ノズル2がベルトコンベア人の幅方向に沿って配
置されてなるもので、この噴射ノズル2は高圧で圧縮し
た液体をベルトコンベアA上の電極基板1の表面(高分
子樹脂膜3の表面ンに対して斜め上方から噴射するため
に、噴射ノズル2の一側部には、その長手方向に沿って
多数の噴射口2a・・・が形成されている。この場合、
ベルトコンペア人に乗って矢印方向く図中、左方向〕に
搬送されて来る電極基板1に対して噴射ノズル2は、電
極基板1の搬送方向に対向する斜め上方から液体を噴射
する。この場合、本実施例においては、液晶の噴射角度
が11112図に示すように電極基板1の表面に対して
30度程度となるように設定されている。また、噴射ノ
ズル2から放出される液体は、7レオン等の低沸点の溶
剤が用いられている。
の噴射ノズル2がベルトコンベア人の幅方向に沿って配
置されてなるもので、この噴射ノズル2は高圧で圧縮し
た液体をベルトコンベアA上の電極基板1の表面(高分
子樹脂膜3の表面ンに対して斜め上方から噴射するため
に、噴射ノズル2の一側部には、その長手方向に沿って
多数の噴射口2a・・・が形成されている。この場合、
ベルトコンペア人に乗って矢印方向く図中、左方向〕に
搬送されて来る電極基板1に対して噴射ノズル2は、電
極基板1の搬送方向に対向する斜め上方から液体を噴射
する。この場合、本実施例においては、液晶の噴射角度
が11112図に示すように電極基板1の表面に対して
30度程度となるように設定されている。また、噴射ノ
ズル2から放出される液体は、7レオン等の低沸点の溶
剤が用いられている。
このように電極基板1の表面に高分子樹脂膜3をコーテ
ィングした後、配向処理が施されるが、この配向処理は
液体を高圧噴射することにより行なわれる。この結果、
電極基板1上の高分子樹脂M3に微細な溝状凹凸面を容
易に形成することができ、また、液体によってゴ膚等を
洗い流すことができるので、ゴ4等による配向不良がな
く、更に電極基板1の大きさに拘らず、電極基板全体に
均一した配向処理が可能となる。
ィングした後、配向処理が施されるが、この配向処理は
液体を高圧噴射することにより行なわれる。この結果、
電極基板1上の高分子樹脂M3に微細な溝状凹凸面を容
易に形成することができ、また、液体によってゴ膚等を
洗い流すことができるので、ゴ4等による配向不良がな
く、更に電極基板1の大きさに拘らず、電極基板全体に
均一した配向処理が可能となる。
次に、fIIIi3図を参照して本実施例に係る配向処
理システムについて説明する。配向処理槽Bにおいて、
噴射ノズル2から放出された液体は、この配向処理槽B
の底部傾斜面を通って配向処理槽Bと連続するペーパー
乾燥槽0に流入し、その底部に溜められる。また、ベル
)コンベア人および電極基板1上に付着している液体は
、配向処理槽Bからペーパー乾燥槽0に送られると、ベ
ルトコンベアAの下方に配置されたヒータDで加熱され
る。
理システムについて説明する。配向処理槽Bにおいて、
噴射ノズル2から放出された液体は、この配向処理槽B
の底部傾斜面を通って配向処理槽Bと連続するペーパー
乾燥槽0に流入し、その底部に溜められる。また、ベル
)コンベア人および電極基板1上に付着している液体は
、配向処理槽Bからペーパー乾燥槽0に送られると、ベ
ルトコンベアAの下方に配置されたヒータDで加熱され
る。
この場合、液体はフレオン等の低沸点の液体であるため
、加熱されると部座に気化蒸発し、ペーパー乾燥槽C内
に充満するようになるが、ペーパー乾燥槽Cの上部に設
けられた冷却管Bで凝縮され、ペーパー乾燥槽Cの底部
に溜められる。このようにしてペーパー乾燥槽Cの底部
に溜められた液体は、ドレインrから導出され、水分を
分離する処理、次でフィルターで濾過する処理が行なわ
れたのち、コンプレッサで圧縮され、噴射ノズル2かも
放出される。なお、ペーパー乾燥槽0を通過した電極基
板lは、ベルトコンベア人に乗って次の工程に送られる
。
、加熱されると部座に気化蒸発し、ペーパー乾燥槽C内
に充満するようになるが、ペーパー乾燥槽Cの上部に設
けられた冷却管Bで凝縮され、ペーパー乾燥槽Cの底部
に溜められる。このようにしてペーパー乾燥槽Cの底部
に溜められた液体は、ドレインrから導出され、水分を
分離する処理、次でフィルターで濾過する処理が行なわ
れたのち、コンプレッサで圧縮され、噴射ノズル2かも
放出される。なお、ペーパー乾燥槽0を通過した電極基
板lは、ベルトコンベア人に乗って次の工程に送られる
。
このように電極基板1がベルトコンベア人に乗ってペー
パー乾燥槽0を通過することにより、電極基板1上の液
体が気化されるので、汚れのないきれいな配向処理され
た電極基板が連続的に得られる。また、上記システムに
おいては、液体を循環させて再使用するようにしたので
、経済的である。
パー乾燥槽0を通過することにより、電極基板1上の液
体が気化されるので、汚れのないきれいな配向処理され
た電極基板が連続的に得られる。また、上記システムに
おいては、液体を循環させて再使用するようにしたので
、経済的である。
なお、上記実施例においては、液体のみを噴射して配向
処理を行うようにしたが気体を噴射するようにしても良
く、また、液体にアルミナ等の微粒子を混合させて噴射
するようにすれば、より一層効果的な配向処理が可能と
なる。その他、この発明を逸脱しない範囲内において、
種々変形応用可能である。
処理を行うようにしたが気体を噴射するようにしても良
く、また、液体にアルミナ等の微粒子を混合させて噴射
するようにすれば、より一層効果的な配向処理が可能と
なる。その他、この発明を逸脱しない範囲内において、
種々変形応用可能である。
この発明は、以上詳細に説明したように、電極基板上に
コーティングされた高分子樹脂膜に対して流体を所定角
度で高圧噴射するようにしたから、高分子樹脂膜に微細
な溝状凹凸面を容易に形成することができ、また、流体
によってゴし等をも洗い流すことができるためゴミ等に
よる配向不良がなく、また電極基板の大きさに拘らず、
電極基板全体に均一した配向処理が可能となる。更に、
連続処理による大量生産に適するなど、コスト的にも有
利である。
コーティングされた高分子樹脂膜に対して流体を所定角
度で高圧噴射するようにしたから、高分子樹脂膜に微細
な溝状凹凸面を容易に形成することができ、また、流体
によってゴし等をも洗い流すことができるためゴミ等に
よる配向不良がなく、また電極基板の大きさに拘らず、
電極基板全体に均一した配向処理が可能となる。更に、
連続処理による大量生産に適するなど、コスト的にも有
利である。
図面はこの発明の一実施例を示し、第1図は配向処理部
の外観斜視図、第2図はその側面図、第3図は配向処理
システムを説明するための図である。 1・・・・・・電極基板、2・・・・・・噴射ノズル、
3・・・・・・高分子樹脂膜。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 第1図 第2図 第3図
の外観斜視図、第2図はその側面図、第3図は配向処理
システムを説明するための図である。 1・・・・・・電極基板、2・・・・・・噴射ノズル、
3・・・・・・高分子樹脂膜。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 電極基板の表面に高分子樹脂膜をコーティングした後、
液晶分子を所定の方向に配向させるために前記電極基板
上の高分子樹脂膜に対して噴射ノズルから流体を所定角
度で高圧噴射して前記高分子樹脂膜に微細な溝状凹凸面
を形成したことを特徴とする液晶表示素子の配向処理方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26044884A JPH0723935B2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26044884A JPH0723935B2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61138231A true JPS61138231A (ja) | 1986-06-25 |
JPH0723935B2 JPH0723935B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=17348074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26044884A Expired - Lifetime JPH0723935B2 (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0723935B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6396631A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製法 |
JPH0346625A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示用配向膜の製造方法 |
JPH0359622A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Hoechst Japan Ltd | 液晶表示素子 |
JPH03163527A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子の製法 |
JPH05281542A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 液晶配向処理方法及び装置 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP26044884A patent/JPH0723935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6396631A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製法 |
JPH0346625A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示用配向膜の製造方法 |
JPH0359622A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Hoechst Japan Ltd | 液晶表示素子 |
JPH03163527A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子の製法 |
JPH05281542A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 液晶配向処理方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0723935B2 (ja) | 1995-03-15 |
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