JPS61121444A - Semiconductor element - Google Patents
Semiconductor elementInfo
- Publication number
- JPS61121444A JPS61121444A JP59245349A JP24534984A JPS61121444A JP S61121444 A JPS61121444 A JP S61121444A JP 59245349 A JP59245349 A JP 59245349A JP 24534984 A JP24534984 A JP 24534984A JP S61121444 A JPS61121444 A JP S61121444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- thin film
- silicon
- ta2o5
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は半導体素子、さらに詳しくは水素を添加した多
結晶シリコンないし非晶質シリコンなどのシリコン半導
体中の水素の脱離を防止するようにした半導体素子に関
するものである。[Detailed Description of the Invention] [Field of the Invention] The present invention relates to a semiconductor device, more specifically a semiconductor device which prevents desorption of hydrogen in a silicon semiconductor such as polycrystalline silicon or amorphous silicon to which hydrogen is added. It is related to the element.
近年、非晶質シリコンを用いた半導体素子やシリコン電
界効果トランジスタなどの半導体素子は数多くの半導体
装置の中で中枢的な役割を果たしている。従来より、非
晶質シリコンを用いた半導体素子ではシリコンの非晶質
性に起因して、未結合電子対が多数存在し、これらが電
荷の捕獲準位として働くことが知られている。これは非
晶質シリコンの伝導率抑制を困難にするなどの問題点を
誘起し、非晶質シリコンを用いた半導体素子の実現に大
きな障害になっている。In recent years, semiconductor elements such as semiconductor elements using amorphous silicon and silicon field effect transistors have played a central role in many semiconductor devices. It has been known that in semiconductor devices using amorphous silicon, there are many unbonded electron pairs due to the amorphous nature of silicon, and these act as charge trapping levels. This causes problems such as making it difficult to suppress the conductivity of amorphous silicon, and is a major obstacle to the realization of semiconductor devices using amorphous silicon.
また、シリコン電界効果トランジスタではトランジスタ
作成工程中に発生する高エネルギ線によりゲート絶縁膜
である二酸化シリコンとシリコンの界面にシリコンの未
結合電子対が発生することが知られている。これらが電
荷の捕獲準位として働くためシリコン電界効果トランジ
スタの素子特性に悪影響を及ぼすことが問題になってい
た。Furthermore, in a silicon field effect transistor, it is known that unbonded electron pairs of silicon are generated at the interface between silicon dioxide, which is a gate insulating film, and silicon due to high energy rays generated during the transistor manufacturing process. Since these act as charge trapping levels, there has been a problem that they have an adverse effect on the device characteristics of silicon field effect transistors.
これらの問題を解決し、素子特性の向上を図るため、シ
リコン中に水素を添加することにより５ｉ−Ｈ結合を形
成し、シリコンの未結合電子対を低減化することが試み
られてきた。シリコン中への水素を添加する方法として
は、水素雰囲気中や水素を含むプラズマ雰囲気中で熱処
理する方法、水素をイオン打ち込みした後、熱処理する
方法、水素を多量に含む雰囲気中でシリコン薄膜を作成
し、薄膜形成過程で薄膜に水素を取り込ませる方法など
の多数の方法が発明されてきた。これらの方法はいずれ
もシリコン中の未結合電子対の低減化に効果があり、素
子特性の向上を図るうえで重要な役割を果たしてきた。In order to solve these problems and improve device characteristics, attempts have been made to add hydrogen to silicon to form 5i-H bonds and to reduce the number of unbonded electron pairs in silicon. Methods for adding hydrogen into silicon include heat treatment in a hydrogen atmosphere or plasma atmosphere containing hydrogen, heat treatment after ion implantation of hydrogen, and creation of silicon thin films in an atmosphere containing a large amount of hydrogen. However, many methods have been invented, such as a method for incorporating hydrogen into a thin film during the thin film formation process. All of these methods are effective in reducing the number of unbonded electron pairs in silicon, and have played an important role in improving device characteristics.
しかしながら、シリコン中に添加されたこれらの水素は
Ｓ’ｉ −Ｈ結合力が弱いために容易に脱離しやすいと
いう欠点があった。However, these hydrogens added to silicon have a weak S'i--H bonding force and are therefore easily desorbed.
第１図は赤外線吸収スペクトルより求めた５ｔ−Ｈ結合
の熱安定性を示したものである。図中、横軸は熱処理温
度、縦軸は５ｔ−Ｈ結合の相対濃度を表している０図よ
り明らかなように、２５０℃以上の熱処理により５ｔ−
Ｈ結合に相当する赤外線吸収ピークが減少し、水素が脱
離していることがわかる。このような水素の脱離特性の
ため、水素添加によってシリコン中の電荷捕獲準位の低
減を図った場合、水素添加後の素子製造工程の最高温度
が制限され、素子設計の自由度が大幅に制約されている
。また、室温においても水素の脱離が徐々に進行するた
め、半導体素子の特性の長期安定性の向上を図る上で問
題になっており、水素の脱離を防止した半導体素子が求
められている。FIG. 1 shows the thermal stability of the 5t-H bond determined from the infrared absorption spectrum. In the figure, the horizontal axis represents the heat treatment temperature and the vertical axis represents the relative concentration of 5t-H bonds.
It can be seen that the infrared absorption peak corresponding to H bonds decreases, indicating that hydrogen is eliminated. Due to these desorption characteristics of hydrogen, when attempting to reduce the charge trapping level in silicon by hydrogen addition, the maximum temperature in the device manufacturing process after hydrogen addition is limited, and the degree of freedom in device design is greatly increased. Restricted. Furthermore, hydrogen desorption progresses gradually even at room temperature, which poses a problem in improving the long-term stability of semiconductor device characteristics, and there is a need for semiconductor devices that prevent hydrogen desorption. .
これまで、窒化シリコンや二酸化シリコンを用いて半導
体素子全体を被覆することにより、半導体素子を保護す
る試みが成されてきた。このような被覆は耐湿機能は有
するものの含有水素の脱離防止機能を果たさないという
欠点がある。したがって、シリコンに含まれる水素の脱
離防止にあっては、なんら有効な手段がないというのが
現状である。Up to now, attempts have been made to protect semiconductor devices by coating the entire semiconductor device with silicon nitride or silicon dioxide. Although such a coating has a moisture-resistant function, it has the disadvantage that it does not function to prevent the contained hydrogen from being desorbed. Therefore, the current situation is that there is no effective means for preventing the desorption of hydrogen contained in silicon.
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、水素透過
性の低い膜によって水素を含有するシリコンを覆うこと
によりシリコンからの水素の脱離を防止した半導体素子
を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor element that prevents desorption of hydrogen from silicon by covering silicon containing hydrogen with a film having low hydrogen permeability. It is something.
したがって本発明による半導体素子は、未結合電子対を
低減せしめるために水素を添加したシリコンを半導体と
して用いる半導体素子において、前記素子をＴａｇ’ｓ
薄膜で被覆したことを特徴とするものである。Therefore, the semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device that uses silicon to which hydrogen is added to reduce unbonded electron pairs as a semiconductor, and in which the device is used as a tag.
It is characterized by being coated with a thin film.
本発明による半導体素子によれば、すでに水素を吸蔵し
たシリコンを水素透過特性の低いＴａ２Ｏ５膜で覆った
ので、水素が脱離することがなくなり、半導体素子の特
性の長期安定性が向上するという利点がある。According to the semiconductor device according to the present invention, since silicon that has already absorbed hydrogen is covered with a Ta2O5 film having low hydrogen permeability, hydrogen is not desorbed, and the long-term stability of the characteristics of the semiconductor device is improved. There is.
本発明による半導体素子は前述のように未結合電子対を
低減せしめるために水素を添加したシリコンを半導体と
して用いる半導体素子であるが、前述のようなシリコン
としては、上述のように多結晶シリコンあるいは非晶質
シリコンが効果的であるが、必要ならば単結晶シリコン
であってもよい。すなわち、本発明においてシリコンは
基本的に限定されるものではない。As mentioned above, the semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device that uses silicon to which hydrogen is added in order to reduce the number of unbonded electron pairs. Amorphous silicon is effective, but single crystal silicon may be used if desired. That is, in the present invention, silicon is not fundamentally limited.
さらにシリコンに水素を含有せしめる方法も、本発明に
おいて限定されるものではなく、たとえば前述の水素雰
囲気中や水素を含むプラズマ雰囲気中で熱処理する方法
、水素をイオン打ち込みした後、熱処理する方法、水素
を多量に含む雰囲気中でシリコン薄膜を作成し、薄膜形
成過程で薄膜に水素を取り込ませる方法などを有効に用
いることが可能である。Furthermore, the method of impregnating silicon with hydrogen is not limited in the present invention; for example, the method of heat treatment in a hydrogen atmosphere or a plasma atmosphere containing hydrogen, the method of heat treatment after ion implantation of hydrogen, the method of heat treatment in a hydrogen atmosphere or a plasma atmosphere containing hydrogen, It is possible to effectively use a method in which a silicon thin film is formed in an atmosphere containing a large amount of hydrogen, and hydrogen is incorporated into the thin film during the thin film formation process.
前述のような半導体素子の水素の脱離を防止するために
は水素透過性の低い薄膜により前記シリコンを被覆する
ことが有効である。このような水素透過性の低い薄膜と
して本発明によればＴａ２Ｏ５膜を選択したものである
。In order to prevent the desorption of hydrogen from the semiconductor element as described above, it is effective to cover the silicon with a thin film having low hydrogen permeability. According to the present invention, a Ta2O5 film is selected as such a thin film with low hydrogen permeability.
第２図は水素透過特性の評価用素子の断面図であって、
評価対象の薄膜を絶縁膜とする金属−絶縁膜一半導体（
旧Ｓ）キャパシタである。図中、１はシリコン基板、２
は絶縁膜、３はＡＩ電極である。FIG. 2 is a cross-sectional view of an element for evaluating hydrogen permeation characteristics,
Metal-insulating film-semiconductor where the thin film to be evaluated is an insulating film (
Old S) capacitor. In the figure, 1 is a silicon substrate, 2
is an insulating film, and 3 is an AI electrode.
絶縁膜２中の水素透過特性はＡＩ電極３形成時に絶縁膜
２／シリコンｌ界面に発生したシリコンの未結合電子対
に対する水素熱処理効果により評価する。水素熱処理効
果は未結合電子対が種々の応答速度を持った電荷捕獲準
位として働くことに着目し、ＬＭＨｚの信号周波数で測
定した場合のＭＩＳキャパシタの容量−電圧特性から求
められるフラットバンド電圧ＶＦＢ’ とＩＯＭＨ２の
信号周波数で測定した場合の？ｌＩＳキャパシタの容量
−電圧特性から求められるフラットバンド電圧ＶＦ８′
との差、ΔＶＦ８ （＝ＶＦ８’ ＶＦ８”） ニ
より表すことがテキる。ΔＶＦＩＩが大きい程未結合電
子対が多数存在し、水素熱処理効果が低いことを意味す
る。すなわち、ΔＶＦＢが大きいほど絶縁膜２中の水素
透過特性が低い膜と評価できる。The hydrogen permeation characteristics in the insulating film 2 are evaluated based on the effect of hydrogen heat treatment on unbonded silicon electron pairs generated at the insulating film 2/silicon l interface during the formation of the AI electrode 3. The hydrogen heat treatment effect focuses on the fact that unbonded electron pairs act as charge trapping levels with various response speeds, and the flat band voltage VFB determined from the capacitance-voltage characteristics of an MIS capacitor when measured at a signal frequency of LMHz. ' and when measured at the signal frequency of IOMH2? Flat band voltage VF8' determined from the capacitance-voltage characteristics of the IS capacitor
It is best to express the difference between the two and The membrane 2 can be evaluated as having low hydrogen permeation characteristics.
第３図（ａ）は、第２図における絶縁膜がＳｉ０２の場
合およびＳｉＯｔとＴａ２Ｏ５の二層からなっている場
合のＭＩＳキャパシタの断面図である。４が第１絶縁層
でＳｉＯ２もしくはＴａ２Ｏ５膜、５が第２絶縁層でＳ
ｉ０２である。FIG. 3(a) is a cross-sectional view of the MIS capacitor in which the insulating film in FIG. 2 is made of SiO2 and consists of two layers of SiOt and Ta2O5. 4 is the first insulating layer, which is a SiO2 or Ta2O5 film, and 5 is the second insulating layer, which is S
It is i02.
このような第２図（ａｌに示したキャパシタを用いＴａ
２Ｏ５膜の水素透過特性を試験した。Using a capacitor like this shown in FIG.
The hydrogen permeation properties of the 2O5 membrane were tested.
Ｓｉ０２はシリコン基板を酸素雰囲気中で熱酸化。For Si02, a silicon substrate is thermally oxidized in an oxygen atmosphere.
することにより形成し、Ｔａ２Ｏ５はＴ′ａ２Ｏｓ焼結
体をターゲットとしてマグネトロンスパッタ法により形
成した。ここで用いるスパッタ法とは低真空中で放電を
起こし、ガスをイオン化し、そのイオンを電界で加速し
てターゲットに衝突させ、ターゲットより構成原子を弾
き飛ばし、基板上に堆積する技術である。特にマグネト
ロンスパッタ法は磁場を同時に印加することにより、一
般のスパッタ法に比べて低い圧力下で放電が生じるよう
にしたもので、緻密な薄膜を得ることができる。Ta2O5 was formed by magnetron sputtering using a T'a2Os sintered body as a target. The sputtering method used here is a technique in which a discharge is generated in a low vacuum to ionize gas, the ions are accelerated by an electric field and collide with a target, and constituent atoms are ejected from the target and deposited on a substrate. In particular, the magnetron sputtering method simultaneously applies a magnetic field so that discharge occurs under a lower pressure than in general sputtering methods, making it possible to obtain a dense thin film.
第３図（′ｂ）は４５０℃水素雰囲気中で熱処理した後
のΔＶＦＢと第１絶縁膜厚との関係を示したものである
。第１絶縁層をＴａ２Ｏ５で構成した場合、Ｔａｆｆ１
０５の厚さが１０００Å以上の領域でΔＶＦ８は増加す
る傾向を示している（図中、Ｏで示す）。これに対し、
第１絶縁膜をＳｉＯ１１とした場合には全ての膜厚領域
においてΔＶＦＢは０．０２Ｖ以下である（図中Δで示
す）。この結果はＴａｇ’ｓ薄膜中の水素透過特性が低
いことを示すものである。FIG. 3('b) shows the relationship between ΔVFB and the first insulating film thickness after heat treatment in a hydrogen atmosphere at 450°C. When the first insulating layer is made of Ta2O5, Taff1
ΔVF8 shows a tendency to increase in a region where the thickness of 05 is 1000 Å or more (indicated by O in the figure). On the other hand,
When the first insulating film is SiO11, ΔVFB is 0.02 V or less in all film thickness regions (indicated by Δ in the figure). This result indicates that the hydrogen permeation properties in the Tag's thin film are low.
したがって、本発明による半導体素子においては前記Ｔ
ａ２Ｏ ｓ 膜の厚さは好ましくは１０００Å以上であ
るのがよいことは明らかである。Therefore, in the semiconductor device according to the present invention, the T
It is clear that the thickness of the a2O s film is preferably 1000 Å or more.
前述のようなＴａ２Ｏ５薄膜の形成方法は、本発明にお
いて基本的に限定されるものではなく、たとえばマグネ
トロンスパッタ法のほかに、ＣＶＤ法、電子サイクトロ
ン共鳴堆積法、熱酸化法などの方法を用いることができ
る。The method of forming the Ta2O5 thin film as described above is not fundamentally limited in the present invention; for example, in addition to the magnetron sputtering method, methods such as the CVD method, the electron cyclotron resonance deposition method, and the thermal oxidation method may be used. I can do it.
実施例１
第４図は本発明による一実施例の断面図であり、非晶質
シリコン薄膜トランジスタに適用した場合を示している
。ここで、６は石英基板、７はＭｏ電極、８はＣＶＤ
ＳｉＯ２薄膜、９はへｌ電極、１０は水素含有非晶質シ
リコン薄膜、１１は膜厚２Ｏ００人のＴａ２Ｏ５薄膜で
ある。Embodiment 1 FIG. 4 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention, showing a case where the present invention is applied to an amorphous silicon thin film transistor. Here, 6 is a quartz substrate, 7 is a Mo electrode, and 8 is a CVD
10 is a hydrogen-containing amorphous silicon thin film; 11 is a Ta2O5 thin film having a thickness of 2000 mm.
この第４図より明らかなように、石英基板６上にＭｏ電
極７を形成するとともに、ＣＶＤ Ｓｉ０２薄膜８を積
層し、Ａ１電極９を形成する。このＣＶＤ ＳｉＯ！薄
Ｉｍ！８およびＡＩ電極９上に水素を含有する非晶質シ
リコン薄膜１０を形成するとともに膜厚２Ｏ００人のＴ
ａｌｌ０５薄膜で覆ったものである。As is clear from FIG. 4, a Mo electrode 7 is formed on a quartz substrate 6, and a CVD Si02 thin film 8 is laminated to form an A1 electrode 9. This CVD SiO! Thin Im! 8 and the AI electrode 9, an amorphous silicon thin film 10 containing hydrogen is formed and the film thickness is 2000.
It is covered with an all05 thin film.
このように水素含有非晶質シリコン薄膜上にＴａ１１０
５を形成した構造を採用することにより、非晶質シリコ
ン薄膜中の水素の脱離を防止することができ、素子特性
の長期安定性が向上した。In this way, Ta110 is deposited on a hydrogen-containing amorphous silicon thin film.
By adopting the structure in which 5 was formed, desorption of hydrogen in the amorphous silicon thin film could be prevented, and the long-term stability of device characteristics was improved.
実施例２
第５図は本発明による他の実施例の断面図であり、多結
晶シリコン薄膜トランジスタに適用した例を示す。この
第５図より明らかなように、この実施例においては石英
基板６上に多結晶シリコン薄１１１２を形成するととも
に、この多結晶シリコン薄膜１２にＣＶＤ ３１０２薄
膜８を形成し、ＡＩ電極９を設ける。このような素子を
２５００人のＴａ２Ｏ５薄膜１１で覆い、本発明による
半導体素子を製造した。Embodiment 2 FIG. 5 is a sectional view of another embodiment of the present invention, showing an example applied to a polycrystalline silicon thin film transistor. As is clear from FIG. 5, in this example, a polycrystalline silicon thin film 1112 is formed on a quartz substrate 6, a CVD 3102 thin film 8 is formed on this polycrystalline silicon thin film 12, and an AI electrode 9 is provided. . This device was covered with a 2,500-thick Ta2O5 thin film 11 to fabricate a semiconductor device according to the present invention.
このような構造を採用することにより、多結晶シリコン
中の結晶粒界中の電荷捕獲準位を不活性化するために含
有させた水素の脱離を防止することができ、素子特性の
向上が可能になった。By adopting such a structure, it is possible to prevent the desorption of hydrogen contained in polycrystalline silicon to inactivate the charge trapping levels in the grain boundaries, and improve device characteristics. It's now possible.
実施例３
第６図は本発明による第３の実施例の断面図であり、非
晶質シリコン太陽電池に通用した例を示す。この第６図
より明らかなように石英基板６上にＡｌ電極９を形成す
るとともに、ｎ型非晶質シリコン１６を積層し、さらに
ｐ型非晶質シリコン１４を積層する。このρ型非晶質シ
リコン１４にさらにｎ型非晶質シリコン１５、ｎ型非晶
質シリコン１６および透明電極１３を順次積層するとと
もに、２５００人の膜厚のＴａ２Ｏ５薄膜１１で素子全
体を覆った。Embodiment 3 FIG. 6 is a sectional view of a third embodiment of the present invention, showing an example applicable to an amorphous silicon solar cell. As is clear from FIG. 6, an Al electrode 9 is formed on a quartz substrate 6, an n-type amorphous silicon 16 is laminated thereon, and a p-type amorphous silicon 14 is further laminated thereon. On this ρ-type amorphous silicon 14, an n-type amorphous silicon 15, an n-type amorphous silicon 16, and a transparent electrode 13 were further laminated in sequence, and the entire device was covered with a Ta2O5 thin film 11 with a thickness of 2,500 mm. .
このように素子全体をＴａ２Ｏ５で被覆した構造とする
ことにより、非晶質シリコンルミｎ層からの水素親離を
防止することが可能になり、出力特性の安定化が図られ
た。By forming a structure in which the entire device is coated with Ta2O5, it becomes possible to prevent hydrogen detachment from the amorphous silicon lumi n layer, thereby stabilizing the output characteristics.
実施例４
第７図は本発明による第４の実施例の断面図であり、非
晶質シリコンイメージセンサのフォトダイオードに適用
した例を示す。この第７図より明らかなように、石英基
板６上に透明電極１３を形成。Embodiment 4 FIG. 7 is a cross-sectional view of a fourth embodiment of the present invention, showing an example in which it is applied to a photodiode of an amorphous silicon image sensor. As is clear from FIG. 7, a transparent electrode 13 is formed on the quartz substrate 6.
するとともに、水素含有非晶質シリコン薄膜１０を積層
するとともに、前記透明電極１３および非晶質シリコン
薄膜１０にそれぞれ工程を第４図に示す。At the same time, a hydrogen-containing amorphous silicon thin film 10 is laminated, and the steps for forming the transparent electrode 13 and the amorphous silicon thin film 10 are shown in FIG.
まず石英基板６に、多結晶シリコン薄膜７を積層しく第
４図Ｔ）、この多結晶シリコン薄膜７上にＡｌ電極９を
形成し、素子全体を２Ｏ００人のＴａ２Ｏ５薄膜１１で
覆ったものである。このようにＴａ２Ｏ５薄膜１１で素
子全体を覆うことによりフォトダイオードの動作安定性
を図ることができた。First, a polycrystalline silicon thin film 7 is laminated on a quartz substrate 6 (Fig. 4T), an Al electrode 9 is formed on this polycrystalline silicon thin film 7, and the entire device is covered with a Ta2O5 thin film 11 of 2000 nm. . By covering the entire device with the Ta2O5 thin film 11 in this way, it was possible to improve the operational stability of the photodiode.
以上説明したように、水素透過特性の低いＴａ８０５で
水素含有のシリコンを半導体とする素子を覆ったので、
前記シリコンに含有される水素が離脱することがなくな
り、素子の長期安定性が向上するという利点がある。As explained above, since an element whose semiconductor is hydrogen-containing silicon is covered with Ta805, which has low hydrogen permeability,
There is an advantage that the hydrogen contained in the silicon is not released and the long-term stability of the device is improved.
第１図は５ｉ−Ｈ結合の赤外線吸収強度の熱処理温度依
存性を示すグラフ、第２図は水素透過特性を評価するた
めのＭＩＳキャパシタの基本的構成を示す断面図、第３
図は実際に水素透過特性を評価試験に用いたＭＩＳキャ
パシタの構成を示す断面図および評価結果を示すための
グラフ、第４図は本発明による一実施例の断面図、第５
図は本発明による他の実施例の断面図、第６図は本発明
による第３の実施例の断面図、第７図は本発明による第
３の実施例の断面図である。
６ ・・・石英基板、 ７ ・・・Ｍｏ電極、８ ’
・’ＣＶＤ Ｓｉ０２薄膜、 ９ ・・・Ａｌ電極
、１０・・・水素含有非晶質シリコン薄膜、１１・・・
Ｔａ２Ｏ５薄膜、１２・・・水素含有多結晶シリコン薄
膜、 １３・・・透明電極、１４・・・ｐ型水素合有゛
非晶質シリコン、１５・・・ｉ型水素含有非晶質シリコ
ン、１６・・・ｎ型水素含有非晶質シリコン。
（ａ）
第３図
（ｂ）
狛地１１偽履４（入）Figure 1 is a graph showing the heat treatment temperature dependence of the infrared absorption intensity of 5i-H bonds, Figure 2 is a cross-sectional view showing the basic configuration of an MIS capacitor for evaluating hydrogen permeation characteristics, and Figure 3
The figures are a cross-sectional view showing the configuration of a MIS capacitor that was actually used in an evaluation test for hydrogen permeation characteristics, and a graph showing the evaluation results.
6 is a sectional view of another embodiment of the invention, FIG. 6 is a sectional view of a third embodiment of the invention, and FIG. 7 is a sectional view of a third embodiment of the invention. 6...Quartz substrate, 7...Mo electrode, 8'
・'CVD Si02 thin film, 9...Al electrode, 10...Hydrogen-containing amorphous silicon thin film, 11...
Ta2O5 thin film, 12... Hydrogen-containing polycrystalline silicon thin film, 13... Transparent electrode, 14... P-type hydrogen-containing amorphous silicon, 15... I-type hydrogen-containing amorphous silicon, 16 ...N-type hydrogen-containing amorphous silicon. (a) Figure 3 (b) Komaji 11 fake sandals 4 (included)
Claims (1)
たシリコンを半導体として用いる半導体素子において、
前記素子をＴａ＿２Ｏ＿５薄膜で被覆したことを特徴と
する半導体素子。(1) In a semiconductor device using silicon to which hydrogen is added to reduce unbonded electron pairs as a semiconductor,
A semiconductor device characterized in that the device is coated with a Ta_2O_5 thin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245349A JPS61121444A (en) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245349A JPS61121444A (en) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Semiconductor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121444A true JPS61121444A (en) | 1986-06-09 |
Family
ID=17132348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59245349A Pending JPS61121444A (en) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121444A (en) |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP59245349A patent/JPS61121444A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5376590A (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
| KR20070077438A (en) | A method of fabricating a composite substrate | |
| CA2100065A1 (en) | Polysilicon thin film transistor | |
| US6297092B1 (en) | Method and structure for an oxide layer overlaying an oxidation-resistant layer | |
| JP2002353218A (en) | Method for improved plasma nitridation of ultra thin gate dielectric | |
| JP2008252118A (en) | Electronic component with doped metal oxide dielectric material, and process for manufacturing electronic component with doped metal oxide dielectric material | |
| JP2589327B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor | |
| JPS59213137A (en) | Method of producing semiconductor device | |
| US20010024860A1 (en) | Method for manufacturing a gate structure incorporating therein aluminum oxide as a gate dielectric | |
| JP3746478B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US6090675A (en) | Formation of dielectric layer employing high ozone:tetraethyl-ortho-silicate ratios during chemical vapor deposition | |
| US6235594B1 (en) | Methods of fabricating an integrated circuit device with composite oxide dielectric | |
| KR920007106A (en) | Solid state electronic device and manufacturing method thereof | |
| US5569619A (en) | Method for forming a capacitor of a semiconductor memory cell | |
| US5683946A (en) | Method for manufacturing fluorinated gate oxide layer | |
| JPH10120413A (en) | Enhancement of hydrogenation of material encapsulated by oxide | |
| JPS61121444A (en) | Semiconductor element | |
| JP2806999B2 (en) | Polycrystalline silicon thin film transistor and method of manufacturing the same | |
| JPS61121425A (en) | Method of adding hydrogen to silicon | |
| JPH0689968A (en) | Capacitor and its manufacture | |
| JPH0242725A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0367350B2 (en) | ||
| JPH0389549A (en) | Semiconductor device | |
| JP2000208645A (en) | Forming method for silicon group dielectric film and manufacture of nonvolatile semiconductor storage device | |
| JPH03185736A (en) | Manufacture of semiconductor device |