JPS61119092A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61119092A JPS61119092A JP24115984A JP24115984A JPS61119092A JP S61119092 A JPS61119092 A JP S61119092A JP 24115984 A JP24115984 A JP 24115984A JP 24115984 A JP24115984 A JP 24115984A JP S61119092 A JPS61119092 A JP S61119092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- substrate
- multilayer thin
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種電子機器、光学機器の光源として、近年
急速に用途が拡大し、需要の高まっている半導体レーザ
装置の製造方法て関するものである。
急速に用途が拡大し、需要の高まっている半導体レーザ
装置の製造方法て関するものである。
従来例の構成とその問題点
電子機器、光学機器のコヒーレント光源とじて半導体レ
ーザに要求される重要な性能に、低電流動作、単−横モ
ード発振があげられる。これらを実現するためには、レ
ーザ光が伝播する活性領域付近にレーザ素子中を流れる
電流を集中するようにその拡がりを抑制し、かつ光を閉
じ込める必要がある。このような構造を有する半導体レ
ーザは通常ストライプ型半導体レーザと呼ばれている。
ーザに要求される重要な性能に、低電流動作、単−横モ
ード発振があげられる。これらを実現するためには、レ
ーザ光が伝播する活性領域付近にレーザ素子中を流れる
電流を集中するようにその拡がりを抑制し、かつ光を閉
じ込める必要がある。このような構造を有する半導体レ
ーザは通常ストライプ型半導体レーザと呼ばれている。
比較的簡単なストライプ化の方法に、電流狭さくだけを
用いるものがある。具体的には、プL/ −す型半導体
レーザにプロトン照射を施したもの、Zn拡散を施した
もの、酸化膜などの絶縁膜を形成したもの、結晶成長等
により内部に電流狭さく領域をつくりつけたものが挙げ
られる。しかしながら、これらの方法にはそれぞれ重大
な欠点がある。プロトン照射を施すと、プロトン照射時
に半導体レーザの各層の一部の結晶が損傷を受け、半導
体レーザの特性を損う事がある。Zn拡散型の場合、7
00〜850 ’Cというような高温でZn拡散を行な
う事が多く、Zn等のドーパントが結晶中を移動したり
して、p/n 接合を設計通り形成するのが難しいとい
う問題がある。酸化膜などの絶縁膜による方法は前記二
つの方法と比べ作製された半導体レーザ中での電流狭さ
くの効果が弱い。
用いるものがある。具体的には、プL/ −す型半導体
レーザにプロトン照射を施したもの、Zn拡散を施した
もの、酸化膜などの絶縁膜を形成したもの、結晶成長等
により内部に電流狭さく領域をつくりつけたものが挙げ
られる。しかしながら、これらの方法にはそれぞれ重大
な欠点がある。プロトン照射を施すと、プロトン照射時
に半導体レーザの各層の一部の結晶が損傷を受け、半導
体レーザの特性を損う事がある。Zn拡散型の場合、7
00〜850 ’Cというような高温でZn拡散を行な
う事が多く、Zn等のドーパントが結晶中を移動したり
して、p/n 接合を設計通り形成するのが難しいとい
う問題がある。酸化膜などの絶縁膜による方法は前記二
つの方法と比べ作製された半導体レーザ中での電流狭さ
くの効果が弱い。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、強い電流狭さく用ストライプ
構造を容易に形成できる半導体レーザ装置の製造方法を
提供するものである。
構造を容易に形成できる半導体レーザ装置の製造方法を
提供するものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の半導体レーザ装置の
製造方法は、有機金属気相エピタキシャル成長法(MO
CVD法)を用いて、ストライプ状凸部を有する基板上
に二重ヘテロ構造を含む多層薄膜を前記多層薄膜の最上
層の膜厚が、凸部上で薄く、他の部分で厚くなるように
形成し、次いで前記多層薄膜の最上層の導電型が凸部上
で前記基板と同一となるよう、ドーパント拡散やイオン
注入などを用いて形成することから構成される。
製造方法は、有機金属気相エピタキシャル成長法(MO
CVD法)を用いて、ストライプ状凸部を有する基板上
に二重ヘテロ構造を含む多層薄膜を前記多層薄膜の最上
層の膜厚が、凸部上で薄く、他の部分で厚くなるように
形成し、次いで前記多層薄膜の最上層の導電型が凸部上
で前記基板と同一となるよう、ドーパント拡散やイオン
注入などを用いて形成することから構成される。
この構成によって、強い電流狭さく効果を有するストラ
イプ構造が形成され、単−横モード発振。
イプ構造が形成され、単−横モード発振。
低しきい値動作の半導体レーザ装置を比較的容易に実現
することとなる。
することとなる。
実施例の説明
本発明の半導体レーザ装置の製造方法の一実施例を、図
を用いて具体的に説明する。
を用いて具体的に説明する。
−例として、基板にn型G a A gを用いる。第1
図に示す様に、n型G a A s基板1上にフォトリ
ングラフィにより<011>方向に平行に幅5μm。
図に示す様に、n型G a A s基板1上にフォトリ
ングラフィにより<011>方向に平行に幅5μm。
高さ1.6μ鵠の順メサのストライプ状凸部を設ける。
次に第2図に示すようにMOCVD法により、n型G
a A trバッファ層2を平坦部で1μ−n型G a
1− tA l 、A sクラッド層3を1.5μm
、G a 1++ y A Z y A s活性層4(
0≦y<x )を0.07ttm 、p型G a 1−
x AZ x A sクラッド層6を1.2μm1n型
GaAs電流阻止層6を表面が平坦になるまで結晶成長
させる。成長条件は、−例として、成長速度2μm/時
、成長温度770’C1全ガス流量5 t/’;3−、
II族元素に対するI族元素のモル比は40である。
a A trバッファ層2を平坦部で1μ−n型G a
1− tA l 、A sクラッド層3を1.5μm
、G a 1++ y A Z y A s活性層4(
0≦y<x )を0.07ttm 、p型G a 1−
x AZ x A sクラッド層6を1.2μm1n型
GaAs電流阻止層6を表面が平坦になるまで結晶成長
させる。成長条件は、−例として、成長速度2μm/時
、成長温度770’C1全ガス流量5 t/’;3−、
II族元素に対するI族元素のモル比は40である。
この成長条件では、MOCVD法で特徴的なほぼ基板の
凹凸形状をそのまま保存した結晶成長となっている。
凹凸形状をそのまま保存した結晶成長となっている。
この後、第2図に示す様にn型G a A s電流阻止
層6の表面10より、マスクレスでZn拡散を行なう。
層6の表面10より、マスクレスでZn拡散を行なう。
この時、凸部中央の結晶成長層は凸部以外の部分より薄
いので、Zn拡散深さを第2図のdより少し大きくとる
ことにより、Zn拡散領域8のフロント7をp型Ga1
−エAtxAsクラッド層6の凸部上部のみに入れる事
ができる。MOCV D法で成長したエビ層の膜厚は、
6%以内におさまり、再現性良(Zn拡散を行なうこと
ができる。
いので、Zn拡散深さを第2図のdより少し大きくとる
ことにより、Zn拡散領域8のフロント7をp型Ga1
−エAtxAsクラッド層6の凸部上部のみに入れる事
ができる。MOCV D法で成長したエビ層の膜厚は、
6%以内におさまり、再現性良(Zn拡散を行なうこと
ができる。
この結果、n型G a A s層のZn拡散領域はp型
G a A sとなり、p型G a 1.、、 x A
Z x A sクラッド層3の凸部上部に幅Wの電流
狭さく用ストライブ構造が構成される。エビ成長面1o
にp側片−ミック電極、n型G a A s基板9にn
側オーミック電極を付は電流を流したところ、40 m
A程度のしきい値で単−横モード発振する半導体レー
ザ装置が得られた。
G a A sとなり、p型G a 1.、、 x A
Z x A sクラッド層3の凸部上部に幅Wの電流
狭さく用ストライブ構造が構成される。エビ成長面1o
にp側片−ミック電極、n型G a A s基板9にn
側オーミック電極を付は電流を流したところ、40 m
A程度のしきい値で単−横モード発振する半導体レー
ザ装置が得られた。
なお、本実施例では、G a A s系、、 G a
A tA s 系半導体レーザについて述べたが、In
P系や他の多元混晶系を含む化合物半導体を材料とする
半導体レーザ装置についても本発明を適用することは可
能である。
A tA s 系半導体レーザについて述べたが、In
P系や他の多元混晶系を含む化合物半導体を材料とする
半導体レーザ装置についても本発明を適用することは可
能である。
発明の効果
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、低しきい値で
単−横モード発振する半導体レーザ装置を与えるもので
あり、その実用的効果は大きい。
単−横モード発振する半導体レーザ装置を与えるもので
あり、その実用的効果は大きい。
第1図は本実施例で述べた半導体レーザ装置を構成する
凹凸を有する基板の断面図、第2図は本発明の製造方法
を用いて作製した半導体レーザ装置の一例を示す図であ
る。 1・・・・・・n型G a A s基板、2・・・・・
・n型G a A sバッファ層、3・・・・・・n型
GaAtAs クラッド層、4・・・・・・GaA7
As 活性層、6・・・・・・p型G a A tA
s クラッド層、6・・・・・・n型G a A s電
流阻止層、7・・・・・・Zn拡散フロント、8・・・
・・・Znn拡散梨型領域9・・・・・n側電極作製面
、10・・・・・・p制電、極作製面、d・・・・・・
拡散の深さ、W・・・・・・ストライプ幅。
凹凸を有する基板の断面図、第2図は本発明の製造方法
を用いて作製した半導体レーザ装置の一例を示す図であ
る。 1・・・・・・n型G a A s基板、2・・・・・
・n型G a A sバッファ層、3・・・・・・n型
GaAtAs クラッド層、4・・・・・・GaA7
As 活性層、6・・・・・・p型G a A tA
s クラッド層、6・・・・・・n型G a A s電
流阻止層、7・・・・・・Zn拡散フロント、8・・・
・・・Znn拡散梨型領域9・・・・・n側電極作製面
、10・・・・・・p制電、極作製面、d・・・・・・
拡散の深さ、W・・・・・・ストライプ幅。
Claims (1)
- 有機金属気相エピタキシャル成長法を用いて、ストラ
イプ状凸部を有する基板上に二重ヘテロ構造を含む多層
薄膜を、前記多層薄膜の最上層の膜厚が、凸部上で薄く
、他の部分で厚くなるように形成し、その後前記多層薄
膜の最上層の導電型が凸部上で前記基板と逆で、他の部
分で前記基板と同一となるように、不純物を導入するこ
とを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24115984A JPS61119092A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24115984A JPS61119092A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61119092A true JPS61119092A (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=17070136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24115984A Pending JPS61119092A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61119092A (ja) |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP24115984A patent/JPS61119092A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4948753A (en) | Method of producing stripe-structure semiconductor laser | |
JPS6318877B2 (ja) | ||
JPS6144485A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
JPS61119092A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
JPS6184888A (ja) | 埋込みヘテロ型半導体レ−ザ | |
JPS60235485A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
JPS6118189A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 | |
JPS6190489A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
JPS6191990A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
JPS62179790A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
JP2000174388A (ja) | 半導体レーザその製造方法 | |
JPS60251687A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
KR940011276B1 (ko) | 레이저다이오드 및 그 제조방법 | |
JPH0373584A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2547459B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
KR940011275B1 (ko) | 레이저다이오드 및 그 제조방법 | |
JPS60258991A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPH04120788A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPS6167285A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPS6118191A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
JPS60258990A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
JPS60258986A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
JPS61171185A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPS60258992A (ja) | 半導体レ−ザ装置 |