JPS61104624A - ドライエツチング方法 - Google Patents

ドライエツチング方法

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Publication number
JPS61104624A
JPS61104624A JP22574584A JP22574584A JPS61104624A JP S61104624 A JPS61104624 A JP S61104624A JP 22574584 A JP22574584 A JP 22574584A JP 22574584 A JP22574584 A JP 22574584A JP S61104624 A JPS61104624 A JP S61104624A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
gas
etchant
radical
dry etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22574584A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoaki Sato
佐藤　仁昭
Yoshie Tanaka
田中　佳恵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP22574584A priority Critical patent/JPS61104624A/ja
Publication of JPS61104624A publication Critical patent/JPS61104624A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はドライエツチング方法に係り、特にＭドライエ
ツチング、Ｐｏ１ｙ　−８１エツチング、８．０２エツ
チングに好適なドライエツチング方法に関するものであ
る。
〔発明の背景〕
Ｍ、　　Ｐｏ１ｙ　−Ｓｉ　、　８１０２等のドライエ
ツチングでは、例えば、特開昭５８−１４４４７６号公
報に記載のように、エツチング処理の終点検出の精度を
高めることにより、下地材料へのダメージな抑えるよう
な方法が知られている。しかし、エツチング処理の終点
検出後のサイドエッヂ、下地ダメージの原因であるエッ
チャントを除去又は減少させる八番こついては配慮され
ていなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、エツチング処理の終点検出後添必要な
エッチャントを除去又は減少させることにより、サイド
エッチの発生を防止できると共に、下地材料への損傷が
なく下地材料と選択比のよいドライエツチング方法を提
供する二とにある。
〔発明の概要〕
本発明は、エツチング処理の終点を検出した時点で被処
理物の主なるエッチャントを吸収するガスを処理室に導
入することを特徴とするもので、エツチング処理の終点
検出後、不必要なエッチャントを除去又は減少させるよ
うにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。
第１図でガス導入管７を経てガス流量制御装置６ａで流
量制御されたエツチングガスが真空容器１へ導入され、
」二部電極２と下部型＄３の間でグロー放電を発生させ
、下部電極３　ｊ−に設置された被処理物８をエツチン
グする。エツチングの発生スペクトル強度はエツチング
モニター装置５により検出される。なお、４は、真空ポ
ンプである。
例えば、ＭエツチングガスとしてＳｉ　ＣＪ、、　ＣＣ
Ｊ４゜ＢＣＪ３．　ＣＪ２等を使用した場合、Ｍのエッ
チャントであるＣＩ！″ラジカルが発生し、オーバエツ
チング時（第２図Ｂ−Ｃ間）では、サイドエッチの要因
となる。そこで、第２図のエツチング処理の終点Ｂ点に
おいて、Ｃ１＊ラジカルと反応して吸収するガス、例え
ば、水素ガス２をガス流量制御装置６ｂで流量制御して
ガス導入管７より導入することにより不必要なＣＩ！“
ラジカルを除去又は減少させる。
本実施例では、次のような効果を得ることができる。
（１）　　Ａ４　　Ｐｏ１ｙ−８＋　ノドライｘ　ノチ
ンクテハ、サイドエッチの発生を防止できる。
＋２］　　５ｉｏ２　のドライエツチングでは、下地材
料への損傷を抑制でき下地材料との選択比が良好なエツ
チング処理を行うことができる。
（３）　　エツチング処理検出後、オーバエ・ノチング
時間を長くすることができ、Ｍドライエツチングにおけ
る残渣を除去することができる。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、エツチング処理の終点
検出後、不必要なエッチャントを除去又は減少できるの
で、Ｍ、　　Ｐｏ１ｙ−８＋のドライエツチングではサ
イドエッチの発生を防止でき、５１０２のドライエツチ
ングでは下地材料との選択比が良好なエツチング処理を
行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を実施したドライエツチング装置の一例
を示す構成図、第２図はＭドライエツチング時のモニタ
ー信号強度の時間による変化を示したグラフである。 ｌ・・・・・・真空容器、５・・・・・・エツチングモ
ニター装置、ａ・・・・・・水素ガス、Ｂ・・・・・エ
ツチング処理の終点 ！ノ′ 才１ｔ２１ 才２図 ８−一一エッケンク歿理めｒトタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、処理室内でプラズマを発生せしめ該プラズマを利用
    して被処理物をエッチング処理する方法において、前記
    被処理物のエッチング処理の終点を検出した時点で被処
    理物の主なるエッチャントを吸収するガスを前記処理室
    内に導入することを特徴とするドライエッチング方法。
JP22574584A 1984-10-29 1984-10-29 ドライエツチング方法 Pending JPS61104624A (ja)

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JP22574584A JPS61104624A (ja) 1984-10-29 1984-10-29 ドライエツチング方法

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JPS61104624A true JPS61104624A (ja) 1986-05-22

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JP (1) JPS61104624A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0574736A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Nec Corp ドライエツチング方法
US5702562A (en) * 1995-04-27 1997-12-30 Nec Corporation Dry etching apparatus and method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0574736A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Nec Corp ドライエツチング方法
US5702562A (en) * 1995-04-27 1997-12-30 Nec Corporation Dry etching apparatus and method

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