JPS6097347A - 画像形成性感光性組成物 - Google Patents
画像形成性感光性組成物Info
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- JPS6097347A JPS6097347A JP20560083A JP20560083A JPS6097347A JP S6097347 A JPS6097347 A JP S6097347A JP 20560083 A JP20560083 A JP 20560083A JP 20560083 A JP20560083 A JP 20560083A JP S6097347 A JPS6097347 A JP S6097347A
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- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive composition
- phenol resin
- pattern
- sensitizer
- molecular weight
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、微細加工用リソグラフィー技術に適した画像
形成性感光性組成物に関する。
形成性感光性組成物に関する。
アルミニウム、シリコーン、ガリウム・ヒ素。
クロム等の基板と感光性組成物の密着性は、露光。
現像後のベーキング温度に左右され、加熱温度が高くな
ると密着性も増す。一般には、軟化点近くでベークされ
るのがよい。しかし、フェノール樹脂はその化学構造か
ら、軟化点が１２０℃程度と低いため、この樹脂を用い
た感光性組成物はベーキング温度が低く、密着性の向上
が計れず、１５０℃の加熱に耐えるゴム系の感光性組成
物に比べ密着力が弱い。仁のためエツチング工程で不要
な部分がエツチングされて寸法精度が悪くなる。また。
ると密着性も増す。一般には、軟化点近くでベークされ
るのがよい。しかし、フェノール樹脂はその化学構造か
ら、軟化点が１２０℃程度と低いため、この樹脂を用い
た感光性組成物はベーキング温度が低く、密着性の向上
が計れず、１５０℃の加熱に耐えるゴム系の感光性組成
物に比べ密着力が弱い。仁のためエツチング工程で不要
な部分がエツチングされて寸法精度が悪くなる。また。
半導体製造工程でプラズフエッチングやスパッタエツチ
ングのマスク材料として使用した場合、処理条件によっ
ては１２０℃以」二になることが多く。
ングのマスク材料として使用した場合、処理条件によっ
ては１２０℃以」二になることが多く。
基板処理用のマスク材として充分な働きができない欠点
がある。
がある。
これらの技術に関連して、特開昭５７−８６８３０号「
パターン形成材料」及び特開昭５７−８６８３１号「パ
ターン形成材料」が公開さねている。本発明者らは、平
均分子量あるいは分子計分布ということとは別に特定の
分子量以下の低分子量体を含崩しないフェノール樹脂を
用いることにより、平均分子量の大小１分子量分布の大
小とはほとんど関係なくレリーフパターンの耐熱変形温
度を向上させる仁とができることを見出し本発明に至っ
た。
パターン形成材料」及び特開昭５７−８６８３１号「パ
ターン形成材料」が公開さねている。本発明者らは、平
均分子量あるいは分子計分布ということとは別に特定の
分子量以下の低分子量体を含崩しないフェノール樹脂を
用いることにより、平均分子量の大小１分子量分布の大
小とはほとんど関係なくレリーフパターンの耐熱変形温
度を向上させる仁とができることを見出し本発明に至っ
た。
すなわち９本発明者らは、液体クロマトグラフィーを用
いたカラム分取、溶液分別、沈殿分別などを利用して、
フェノール樹脂の特定値以下の分子量成分を除くことに
より、この樹脂を用いた感光性組成物の耐熱性を改善で
きることを見いだした。
いたカラム分取、溶液分別、沈殿分別などを利用して、
フェノール樹脂の特定値以下の分子量成分を除くことに
より、この樹脂を用いた感光性組成物の耐熱性を改善で
きることを見いだした。
本発明は２重量平均分子勲２０００以下の成分を含まな
いフェノール樹脂及び感光剤を含有してなる画像形成性
感光性組成物に関する。
いフェノール樹脂及び感光剤を含有してなる画像形成性
感光性組成物に関する。
本発明になる感光性組成物に用いることができるフェノ
ール樹脂としては９例えば式［１）で示されるノボラッ
ク型フェノール樹脂が用いられる。
ール樹脂としては９例えば式［１）で示されるノボラッ
ク型フェノール樹脂が用いられる。
Ｒｔ 、几４はＨ、Ｃ１１ｓ 、 ＣｚｌＩ５． Ｃ３
Ｈｙ 、 Ｃ４１１，またはＣ）［２０Ｈ、Ｉも、はＣ
１−ｂ 、 ＣｚＨｓ 、 Ｃ３Ｈ７またはＣ４Ｈ９、
ＲｓはＩＩでるり、＋１１．ｎは２５０００）ｍ＋ｎ）
６である整数、 Ｉｎあるいはｎは０であっても良い。
Ｈｙ 、 Ｃ４１１，またはＣ）［２０Ｈ、Ｉも、はＣ
１−ｂ 、 ＣｚＨｓ 、 Ｃ３Ｈ７またはＣ４Ｈ９、
ＲｓはＩＩでるり、＋１１．ｎは２５０００）ｍ＋ｎ）
６である整数、 Ｉｎあるいはｎは０であっても良い。
本発明で用いられる重１１平均分子量が２０００以下の
成分を含まないフェノール樹脂は、既に公知の方法１例
えばカラム分取、溶液分別、沈殿分別等の方法によって
得ることができる。
成分を含まないフェノール樹脂は、既に公知の方法１例
えばカラム分取、溶液分別、沈殿分別等の方法によって
得ることができる。
感光剤としては９例えば次Ｗ示す化合物の１種または２
種以上が用いられる。
種以上が用いられる。
几１および几２は、Ｈ６るいはアルギル基であり、Ｒ１
１と几２とは連結して環状構造を形成する場合もあり。
１と几２とは連結して環状構造を形成する場合もあり。
ＭおよびＭ′は水素、アルカリ金栖、アンモニウム等の
水溶液中において陽イオンとなりうる原子ろるいは原子
団である。
水溶液中において陽イオンとなりうる原子ろるいは原子
団である。
Ｑは水素、ハロゲン又は水素基を表わし、Ｒはフェニル
基、フェニレン基、ナフチル基、ナフチレン基（これら
は１個又は２個のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
、カルボキシ基、アセチルアミノ基、ジアルキルアミノ
基、ニトロ基、水酸基あるいはモルホリニル基で置換さ
れていてよい）。
基、フェニレン基、ナフチル基、ナフチレン基（これら
は１個又は２個のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
、カルボキシ基、アセチルアミノ基、ジアルキルアミノ
基、ニトロ基、水酸基あるいはモルホリニル基で置換さ
れていてよい）。
又はビリジニレン基を表わし、基−Ｎ３は基−ＣＨ＝Ｎ
−Ｒ，に対してメタ位、又はパラ位にある。
−Ｒ，に対してメタ位、又はパラ位にある。
ＡはＯ、Ｓ 、 ＣＨ２、ＣＩｈＣＨ２，８（ｈ又はＳ
２なる元素又は置換基を表わし、 Ｘｌ−１Ｈ又はＨ８
なる元素又は置換基を表わし、２はＸがＨであるときは
Ｎ３なる置換基を、またＸがＮ３であるときはＨ又はＣ
／なる元素を表わす。
２なる元素又は置換基を表わし、 Ｘｌ−１Ｈ又はＨ８
なる元素又は置換基を表わし、２はＸがＨであるときは
Ｎ３なる置換基を、またＸがＮ３であるときはＨ又はＣ
／なる元素を表わす。
ＣＨ３
ＣＨａ
ＣＨ。
１
Ｃ晶
Ｃ）
本発明においては、上記のフェノール樹脂及び感光剤は
、耐熱性の点からフェノール樹脂１００重量部に対して
感光剤を５〜１００重量部の範囲とすることが好ましく
、１０〜５０重量部の範囲とすることがさらに好捷しい
。
、耐熱性の点からフェノール樹脂１００重量部に対して
感光剤を５〜１００重量部の範囲とすることが好ましく
、１０〜５０重量部の範囲とすることがさらに好捷しい
。
本発明になる感光性組成物中にはこの他９通常用いられ
る添加剤として、界面活性剤、塗料、密着付与剤などを
混合して用いることもできる。
る添加剤として、界面活性剤、塗料、密着付与剤などを
混合して用いることもできる。
使用にあたっては、樹脂と感光剤を適当な溶剤に溶解し
、暴利に塗布し乾燥してから、電子線。
、暴利に塗布し乾燥してから、電子線。
Ｘ線、紫外線等の活性光線をパターン状に露光し。
溶解性の差を与えた後、適当な溶液で現像を行ないパタ
ーンを得ることができる。
ーンを得ることができる。
以下実施例により説明を行なう。
合成例１
ノボラックフェノール樹脂の合成を以下の配合と手順で
行なった。
行なった。
をａ ｏ ｏ ｍｌフラスコにとり、徐々に加熱した。
１００℃から水とブチルセロソルブを共沸脱水し。
１８０℃まで２時ｍｊ半かけて合成１７た。水は１８ｍ
１とれた。
１とれた。
その後、 （３Ｑ Ｑ Ｉｎｍ）（ｇの減圧にしてブチ
ルセロソルブと残っている水をとり除いた。３０分で２
６０℃まで昇温して行なった。
ルセロソルブと残っている水をとり除いた。３０分で２
６０℃まで昇温して行なった。
実施例１
合成例１で得たノボラック型フェノール樹脂から高速液
体クロマトグラフィーを用い重量平均分子Ｍ１３４００
以下のものを含まない樹脂（上記の式Ｃｌ］ ＶＣオイ
テ、 Ｒｔ 、 Ｒ２Ｍ ヒＲ４をＣＨ３、Ｒ３をＲ９
２５０００）ｍ＋ｎ ＞ｉ ４とＬ７’ＣモＣＤ ）
部分取り。
体クロマトグラフィーを用い重量平均分子Ｍ１３４００
以下のものを含まない樹脂（上記の式Ｃｌ］ ＶＣオイ
テ、 Ｒｔ 、 Ｒ２Ｍ ヒＲ４をＣＨ３、Ｒ３をＲ９
２５０００）ｍ＋ｎ ＞ｉ ４とＬ７’ＣモＣＤ ）
部分取り。
この樹脂１００重員部と３，３′−ジアジドジフェニル
スルホン２０重量部をシクロへキサノン４００１Ｒ−ｍ
部に溶解し、感光液を調整した。この感光液をシリコン
基板上に塗布し、８０℃で２０分間乾燥させ、膜厚１．
２μｎ１の皮膜を形成した。
スルホン２０重量部をシクロへキサノン４００１Ｒ−ｍ
部に溶解し、感光液を調整した。この感光液をシリコン
基板上に塗布し、８０℃で２０分間乾燥させ、膜厚１．
２μｎ１の皮膜を形成した。
′次に上述の皮膜上にクロムネガマスクを密着させ、波
長２５４冊で６．７ｍＷ／ｃｍ２の照射強度を有する高
圧水銀灯で１２秒間露光してから、０．６５規定のテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキシド溶液で現像し、
パターンを得た。このパターンを１５０℃で２０分間ベ
ーキングしたものを走査型電子顕微鏡で写真観察したと
ころパターンには熱による変型は見られず、ベーキング
前と伺ら変わりがなかった。このとき上述の条件で、１
．５μＩｎのラインパターンが解像された。
長２５４冊で６．７ｍＷ／ｃｍ２の照射強度を有する高
圧水銀灯で１２秒間露光してから、０．６５規定のテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキシド溶液で現像し、
パターンを得た。このパターンを１５０℃で２０分間ベ
ーキングしたものを走査型電子顕微鏡で写真観察したと
ころパターンには熱による変型は見られず、ベーキング
前と伺ら変わりがなかった。このとき上述の条件で、１
．５μＩｎのラインパターンが解像された。
実施例２
合成例１で得たノボラック型フェノール４ｆｆｌＪ 脂
から高速液体クロマトグラフィーを用い１１重笥平均分
子量２４００以下のものを含壕ない樹脂（上記の式（１
）において＋ＲＩ＋几２及び几４をＣｌｂ 、 ＆をＨ
，２５０００）ｎｌ＋ｎ）９としたもの）を分取し、こ
の樹脂を用い、実施例１と同じ配合で感光液を調整した
。この感光液をシリコン基板上に塗布し、８０℃で２０
分間乾燥させ、膜厚１．６μｍの皮膜を形成した。
から高速液体クロマトグラフィーを用い１１重笥平均分
子量２４００以下のものを含壕ない樹脂（上記の式（１
）において＋ＲＩ＋几２及び几４をＣｌｂ 、 ＆をＨ
，２５０００）ｎｌ＋ｎ）９としたもの）を分取し、こ
の樹脂を用い、実施例１と同じ配合で感光液を調整した
。この感光液をシリコン基板上に塗布し、８０℃で２０
分間乾燥させ、膜厚１．６μｍの皮膜を形成した。
次にこの皮膜の上にクロムネガマスクを密着させ、実施
例１と同じ条件で露光したのち、０．５４規定のテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキシド溶液で現像しバタ
ー／を得た。このパターンを１５０℃で２０分間ベーキ
ングしたものを走査型電子顕微鏡で写真観察したところ
、パターンは熱による変型は見られず、ベーキング前と
何ら変わりがなかった。このとき上述の条件で、ｌ、５
／Ａｍのラインパターンが解像された。
例１と同じ条件で露光したのち、０．５４規定のテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキシド溶液で現像しバタ
ー／を得た。このパターンを１５０℃で２０分間ベーキ
ングしたものを走査型電子顕微鏡で写真観察したところ
、パターンは熱による変型は見られず、ベーキング前と
何ら変わりがなかった。このとき上述の条件で、ｌ、５
／Ａｍのラインパターンが解像された。
比較例１
実施例１および２で使用したノボラックフェノール樹脂
の分別前の樹脂（上記の式〔Ｉ〕ＶＣおいて１も１．Ｒ
２及びＲｉをＣＨ３、Ｒ３をＩ−Ｉ 、 ２５０００
）ＩＩ］−１−１１＞ ０としたもの）１００重量部と
、３．３’−ジアジドジフェニルスルホン２０重量部を
シクロヘキ。
の分別前の樹脂（上記の式〔Ｉ〕ＶＣおいて１も１．Ｒ
２及びＲｉをＣＨ３、Ｒ３をＩ−Ｉ 、 ２５０００
）ＩＩ］−１−１１＞ ０としたもの）１００重量部と
、３．３’−ジアジドジフェニルスルホン２０重量部を
シクロヘキ。
ザノン４００ｎ量部に溶解し、感光液を調整した。
この感光液を７リコンウエハー上に塗布し、８０℃で２
０分間乾燥させ、膜厚１．１μｍの皮膜を形成した。
０分間乾燥させ、膜厚１．１μｍの皮膜を形成した。
次に上述の皮膜上にクロムネガマスクを密着させ、実施
例と同じ条件で露光してから、濃度約３条のアルカリ性
溶液で現像し、パターンを得た。
例と同じ条件で露光してから、濃度約３条のアルカリ性
溶液で現像し、パターンを得た。
このパターンを１４０℃で２０分間ベーキングしたもの
を走査型電子顕微鏡で写真観察したところ。
を走査型電子顕微鏡で写真観察したところ。
パターンは丸味を帯びて変型を生じていた。
合成例２
５００ ｍｌの三角フラスコに粉末にした参考例１で得
たフェノール樹脂１０９とエタノール２５ ｒＨｌを入
れ、ときどきかきまぜて３時間放置し、溶液の部分だけ
を５００ ｍｌのビーカーに分け、これをかきまぜなが
ら濁りができるまで沈殿媒として水を入れた。沈殿媒の
入った溶液は、半日放愼し低い分子量体を含んでいる溶
液をビーカー中にデカンテーションで移した。
たフェノール樹脂１０９とエタノール２５ ｒＨｌを入
れ、ときどきかきまぜて３時間放置し、溶液の部分だけ
を５００ ｍｌのビーカーに分け、これをかきまぜなが
ら濁りができるまで沈殿媒として水を入れた。沈殿媒の
入った溶液は、半日放愼し低い分子量体を含んでいる溶
液をビーカー中にデカンテーションで移した。
分別した重合体は４０〜６０℃の減圧乾燥器中で６時間
かわかした。
かわかした。
以上の方法により重量平均分子量２ｏｏｏ以下の成分を
除いた。
除いた。
実施例３
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル３重量部と９
合成例２で得たフェノール樹脂（上記の式〔Ｉ〕におい
てＲｉ 、 １１，２及びＲ４をＣｌｌ３ 、 ＆をＩ
−Ｉ 。
合成例２で得たフェノール樹脂（上記の式〔Ｉ〕におい
てＲｉ 、 １１，２及びＲ４をＣｌｌ３ 、 ＆をＩ
−Ｉ 。
２５０００ ）Ｉｎ＋１１ ）７としたもの）９重Ｍ：
部をエチルセロソルブアセテート１００重量部に溶解し
感光液を作製した。以下、現像液として１．０チ苛性ソ
ーダ水溶液を使用し、実施例１〜２と同様にしてポジ画
像を得た。このポジ画像は、１５０℃で２０分間ベーキ
ングしてもパターンの変型等は見られず、ベーキング前
と何ら変わりがなかった。
部をエチルセロソルブアセテート１００重量部に溶解し
感光液を作製した。以下、現像液として１．０チ苛性ソ
ーダ水溶液を使用し、実施例１〜２と同様にしてポジ画
像を得た。このポジ画像は、１５０℃で２０分間ベーキ
ングしてもパターンの変型等は見られず、ベーキング前
と何ら変わりがなかった。
低分子量のものを除いたフェノール樹脂を用いた感光性
組成物を用いてパターニングし、ベーキングした場合、
低分子量体を含んだ樹脂を利用したものが、１４０℃で
パターンの変型が生じたのに対して、１５０℃でもパタ
ーンの変型は見、られす、ベーキング前と変わりがなく
、解像度、感度は良好であった。一定の低分子量体を含
捷ない本発明になる感光性組成物により面１熱性は少な
くとも１０℃向上される。
組成物を用いてパターニングし、ベーキングした場合、
低分子量体を含んだ樹脂を利用したものが、１４０℃で
パターンの変型が生じたのに対して、１５０℃でもパタ
ーンの変型は見、られす、ベーキング前と変わりがなく
、解像度、感度は良好であった。一定の低分子量体を含
捷ない本発明になる感光性組成物により面１熱性は少な
くとも１０℃向上される。
Claims (1)
- １、重量平均分子量が２０００以下の成分を含まないフ
ェノール樹脂及び感光剤を含有してなる画像形成性感光
性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20560083A JPS6097347A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 画像形成性感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20560083A JPS6097347A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 画像形成性感光性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097347A true JPS6097347A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16509553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20560083A Pending JPS6097347A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 画像形成性感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097347A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS62172341A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジスト用ノボラツク樹脂の製造法 |
| JPH02282745A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物および該組成物を使用した微細パターンの形成方法 |
| WO1991004512A1 (en) * | 1989-09-07 | 1991-04-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions |
| JPH03125152A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト塗布組成物 |
| US5188921A (en) * | 1989-09-07 | 1993-02-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins in radiation-sensitive resist compositions |
| US5196289A (en) * | 1989-09-07 | 1993-03-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in radiation-sensitive resist compositions |
| US5232819A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-03 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions |
| US5235022A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-10 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins |
| US5234795A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-10 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process of developing an image-wise exposed resist-coated substrate |
| EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
| EP1044394A1 (en) * | 1998-01-16 | 2000-10-18 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for preparing a radiation-sensitive composition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5786831A (en) * | 1980-11-20 | 1982-05-31 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
| JPS5825629A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-02-15 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | ｏ−ナフトキノンジアジドをベ−スとする感光性混合物及び該混合物から製造した感光性複写材料 |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP20560083A patent/JPS6097347A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5786831A (en) * | 1980-11-20 | 1982-05-31 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
| JPS5825629A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-02-15 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | ｏ−ナフトキノンジアジドをベ−スとする感光性混合物及び該混合物から製造した感光性複写材料 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342657B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1991-06-27 | ||
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS62172341A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジスト用ノボラツク樹脂の製造法 |
| JPH02282745A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物および該組成物を使用した微細パターンの形成方法 |
| US5188921A (en) * | 1989-09-07 | 1993-02-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins in radiation-sensitive resist compositions |
| WO1991004512A1 (en) * | 1989-09-07 | 1991-04-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions |
| US5196289A (en) * | 1989-09-07 | 1993-03-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in radiation-sensitive resist compositions |
| US5232819A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-03 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions |
| US5235022A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-10 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block copolymer novolak binder resins |
| US5234795A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-10 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process of developing an image-wise exposed resist-coated substrate |
| US5302688A (en) * | 1989-09-07 | 1994-04-12 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions |
| JPH03125152A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジスト塗布組成物 |
| EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
| EP1044394A1 (en) * | 1998-01-16 | 2000-10-18 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for preparing a radiation-sensitive composition |
| EP1044394A4 (en) * | 1998-01-16 | 2001-04-04 | Olin Microelectronic Chem Inc | METHOD FOR PRODUCING A RADIO-SENSITIVE COMPOSITION |
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