JPS6090412A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPS6090412A JPS6090412A JP19849683A JP19849683A JPS6090412A JP S6090412 A JPS6090412 A JP S6090412A JP 19849683 A JP19849683 A JP 19849683A JP 19849683 A JP19849683 A JP 19849683A JP S6090412 A JPS6090412 A JP S6090412A
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- Japan
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- electrode
- insulating film
- surface acoustic
- acoustic wave
- lift
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
- H03H9/02622—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the surface, including back surface
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
- H03H9/0285—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections of triple transit echo
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、弾性表向波素子に関し、特に弾性表面波に対
するｇ ％インピーダンスを改善した弾性表面波素子に
関するものである。
するｇ ％インピーダンスを改善した弾性表面波素子に
関するものである。
従来の弾性表面波素子は、第１図に示すように、ＬｉＮ
ｂ０ａ（＝オプ酸すチウＡ）Ｉ ＬｉＴａ０３（タンタ
ル酸リチウム）、圧電セラミックス等の圧電体基板１上
に大刀電気信号を弾性表１１１１波４に変換する入力電
極２と、伝搬してきた弾性表面波を電気信号に俊侠し、
取シ出す出力電極３から成る。
ｂ０ａ（＝オプ酸すチウＡ）Ｉ ＬｉＴａ０３（タンタ
ル酸リチウム）、圧電セラミックス等の圧電体基板１上
に大刀電気信号を弾性表１１１１波４に変換する入力電
極２と、伝搬してきた弾性表面波を電気信号に俊侠し、
取シ出す出力電極３から成る。
通常、′ａ電極部、アルミニウム（Ａ７）等の金属を基
板表面に被着し、これをフォトエツチング技術を用いて
Ｑｒ定形状の′Ｉ４極パターンを形成している。入力電
極２から励振された弾性表面波４は、基板表面を出力電
極３に向って伝搬し、出力信号として取り出される。こ
の時、弾性表面波４の一部は出力電極で反射され、入力
電極２に戻るが、ここでも上記と同様に反射が起こる。
板表面に被着し、これをフォトエツチング技術を用いて
Ｑｒ定形状の′Ｉ４極パターンを形成している。入力電
極２から励振された弾性表面波４は、基板表面を出力電
極３に向って伝搬し、出力信号として取り出される。こ
の時、弾性表面波４の一部は出力電極で反射され、入力
電極２に戻るが、ここでも上記と同様に反射が起こる。
この波は、最初に伝搬した波に対して、３倍の遅延時間
を経た後、受信されるため、トリプルトランジットエコ
ー（以下ＴＴＥと略す）波と呼ばれ、たとえば弾性表面
波フィルタにおいては、通過帯域内での振幅特性リップ
ルや、群遅延特性リップル等の主なる発生原因となって
いた。
を経た後、受信されるため、トリプルトランジットエコ
ー（以下ＴＴＥと略す）波と呼ばれ、たとえば弾性表面
波フィルタにおいては、通過帯域内での振幅特性リップ
ルや、群遅延特性リップル等の主なる発生原因となって
いた。
ＴＴＥは、電極部と電極が存在しない伝搬路との音響イ
ンビータ゛ンスの不連続による反射成分と、負荷と電極
との電気的相互作用による反射成分から成ることがよく
知られている。後者の場合１よ、外部負荷との整合条件
によシ、ある仕度反射強度を抑圧することがｈ］能であ
る。
ンビータ゛ンスの不連続による反射成分と、負荷と電極
との電気的相互作用による反射成分から成ることがよく
知られている。後者の場合１よ、外部負荷との整合条件
によシ、ある仕度反射強度を抑圧することがｈ］能であ
る。
一方、前者の場合、電極指を２分割（タプル′Ｑｊ、極
構造）にする力１人や、人力電極に対し出力電極を傾け
て反射波が入力端に直接戻らないようＫする方法、ある
いは入出力１１ｉ極の一方を段状にする方法が用いられ
ている。
構造）にする力１人や、人力電極に対し出力電極を傾け
て反射波が入力端に直接戻らないようＫする方法、ある
いは入出力１１ｉ極の一方を段状にする方法が用いられ
ている。
さらに、電極にＩｊＱｆｉｔの小さな相料を用いたり、
電極膜厚を薄くすることで音響インピーダンスの不連続
量を小ζ＜シ、反射強度を減少きせている。
電極膜厚を薄くすることで音響インピーダンスの不連続
量を小ζ＜シ、反射強度を減少きせている。
しかし、これらの方法は、゛開極パターンや製作工程が
複雑であったり、また電極の占有面積も広くなる反ｉｒ
＋Ｊ、 Ｔ Ｔ Ｅ波の充分な抑圧は得られなかった。
複雑であったり、また電極の占有面積も広くなる反ｉｒ
＋Ｊ、 Ｔ Ｔ Ｅ波の充分な抑圧は得られなかった。
さらに′電極膜厚を薄くする方法は、電極での入力４８
号の１１（抗損を増大芒セ゛、電気イｉ」号を弾性表面
波に変換する効率が劣化するなどの欠点があった。
号の１１（抗損を増大芒セ゛、電気イｉ」号を弾性表面
波に変換する効率が劣化するなどの欠点があった。
本発明は、上記の欠点を除去したものであｐ１弾性表血
波素子の？１３．極都を除く基板全面にリフトオフ法で
絶縁膜を設け、電極指端での反射波を減少させた弾性表
面波素子を提供することを目的としている。
波素子の？１３．極都を除く基板全面にリフトオフ法で
絶縁膜を設け、電極指端での反射波を減少させた弾性表
面波素子を提供することを目的としている。
以下、本発明の実施例を図に従って、詳細に説明する。
第２図は本発明に係る弾性表面波素子の製作工程の実施
例を示す図である。まず、同図（ａｌのように、ＬｉＮ
ｂ０．、ＬｉＴａＯ３，圧電セラミックス等の圧電体基
板１上に、絶縁膜５、たとえばＳｉ Ｏｔ＋ Ａ Ｉｔ
’ｓ膜等を真空蒸着法やスパッタリング法あるいはＣＶ
Ｄ法によって形成する。次に、その上にポジ型フォトレ
ジスト６を塗布し、フォト技術を用い同図（ｂ）のよう
に、入出ＷＴ、 極部（ターンの惑あけを行なう。
例を示す図である。まず、同図（ａｌのように、ＬｉＮ
ｂ０．、ＬｉＴａＯ３，圧電セラミックス等の圧電体基
板１上に、絶縁膜５、たとえばＳｉ Ｏｔ＋ Ａ Ｉｔ
’ｓ膜等を真空蒸着法やスパッタリング法あるいはＣＶ
Ｄ法によって形成する。次に、その上にポジ型フォトレ
ジスト６を塗布し、フォト技術を用い同図（ｂ）のよう
に、入出ＷＴ、 極部（ターンの惑あけを行なう。
さらに、同図（ｃｌのように化学エツチングまたはドラ
イエツチング等により惑部の絶縁膜５を除去する。レジ
スト６はそのまま残し、さらにこの上に電極用の金属７
、たとえばアルミニウムを真空蒸着法やスパッタリング
法で同図（ｄ）のように全面に被層後、リフトオフ法で
入出力電極以外の部分の金Ｊｊ５を除去し、素子は完成
する（絹２図（ｅ））。
イエツチング等により惑部の絶縁膜５を除去する。レジ
スト６はそのまま残し、さらにこの上に電極用の金属７
、たとえばアルミニウムを真空蒸着法やスパッタリング
法で同図（ｄ）のように全面に被層後、リフトオフ法で
入出力電極以外の部分の金Ｊｊ５を除去し、素子は完成
する（絹２図（ｅ））。
上記工程により、入出力電極２，３以外の部分をｉ緑１
１４５で覆つノこ弾性表面波素子が得られる。
１４５で覆つノこ弾性表面波素子が得られる。
次に、本発明の作用について説明する。
第３図は第２図ｔｅｌの人力電極２の１部拡大図である
。ここで、ｆｆ１１．極部２と絶縁膜部５の音響インピ
ータンスをそｉＬぞれｚｌと２．とする。°従来、自由
表面であったｉｔ電極間隙絶縁膜５で埋めることでｚｉ
と２．の比を１に近づけることがν１能となる。
。ここで、ｆｆ１１．極部２と絶縁膜部５の音響インピ
ータンスをそｉＬぞれｚｌと２．とする。°従来、自由
表面であったｉｔ電極間隙絶縁膜５で埋めることでｚｉ
と２．の比を１に近づけることがν１能となる。
一般に、電極指端で発生する反射波の強さは電イ１に部
と間隙との音響インピータンスの不連続量ξの関数とし
て表わこれる。ここで、たとえＵ′、１ξ１≦ｉ１．０
５程度で、かつ電極指幅と電極間隙とが等しい場合、反
射波の振幅反射率１ ｒＪ １は、 １ Ｐ １−ｗ １ ｔａｎｈ（Ｎξ〕１ここで、Ｎ：
電極の対数 となる。本発明の弾性表面波素子によれば、１ξ１≧０
となり、上式より音響インピーダンスの不連続に起因し
た反射波の反射率ｌｐ１もほとんど零にすることができ
る。
と間隙との音響インピータンスの不連続量ξの関数とし
て表わこれる。ここで、たとえＵ′、１ξ１≦ｉ１．０
５程度で、かつ電極指幅と電極間隙とが等しい場合、反
射波の振幅反射率１ ｒＪ １は、 １ Ｐ １−ｗ １ ｔａｎｈ（Ｎξ〕１ここで、Ｎ：
電極の対数 となる。本発明の弾性表面波素子によれば、１ξ１≧０
となり、上式より音響インピーダンスの不連続に起因し
た反射波の反射率ｌｐ１もほとんど零にすることができ
る。
なお、絶縁膜５の膜厚ｈ２は、′電極に用いた金桟材料
の’］量７７１１及び絶縁膜材料の質量ηＬ２がら、近
似的にり、＝−シーｈ、とめられる。
の’］量７７１１及び絶縁膜材料の質量ηＬ２がら、近
似的にり、＝−シーｈ、とめられる。
２
なお、上記実施例では、圧電体基板１上に、絶縁膜５を
被着後、す７トオフ法によって電極膜７を設けたものを
示したが、迎に、電極膜７を被Ｎ後、リフトオフ法によ
って絶縁膜５を設けてもよい。
被着後、す７トオフ法によって電極膜７を設けたものを
示したが、迎に、電極膜７を被Ｎ後、リフトオフ法によ
って絶縁膜５を設けてもよい。
第３図において、゛電極部７の高さをｈ１１絶縁膜５の
茜芒をり、とすると、ｈｚ＞ｈｌの場合、っまル絶縁膜
厚り、が電極膜厚ｈ１より大きい場合はリフトオフ法に
よるパターン形成の容易式から前者の製作工程を採用す
るのが望舊しい。一方、１１ｓ＞ｈｔの場合には、後者
の製作工程か望まし。
茜芒をり、とすると、ｈｚ＞ｈｌの場合、っまル絶縁膜
厚り、が電極膜厚ｈ１より大きい場合はリフトオフ法に
よるパターン形成の容易式から前者の製作工程を採用す
るのが望舊しい。一方、１１ｓ＞ｈｔの場合には、後者
の製作工程か望まし。
一方、ｈｌ＞ｈ２の場合には、後者の製作工程が望まし
い。ｈ、＝ｈ、の場合はどららの工程を採用しても構わ
ない。
い。ｈ、＝ｈ、の場合はどららの工程を採用しても構わ
ない。
また、上記実施例では、電極部を除く基板全面に絶縁族
を設けた揚台について説明しだが、反射波の発生蝕であ
る入出力電極部のみに絶縁膜を設けたものであってもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
を設けた揚台について説明しだが、反射波の発生蝕であ
る入出力電極部のみに絶縁膜を設けたものであってもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、本発明の弾性表面波素子は、入出力電極
部を除く圧電基板全面にリフトオフ法という極めて簡単
な方法によシ絶縁膜を設け、電４■部とその間隙部との
音響インピーダンスの差か無くなるように構成したので
、電極指端での弾性的な反射波の発生は減少し、ＴＴＥ
による特性上への影響を除去あるいは著しく軽減するこ
とができる。
部を除く圧電基板全面にリフトオフ法という極めて簡単
な方法によシ絶縁膜を設け、電４■部とその間隙部との
音響インピーダンスの差か無くなるように構成したので
、電極指端での弾性的な反射波の発生は減少し、ＴＴＥ
による特性上への影響を除去あるいは著しく軽減するこ
とができる。
なお、絶縁膜厚ｈ２≧電極膜厚ｈ１の場合には、絶縁膜
が電極の１１！１面を保膿することになるので、追加エ
ツチングにより、電極ｊ換厚を薄くする場合、電極側面
がエツチングされて電極が細くなるという不具合も起こ
らない。
が電極の１１！１面を保膿することになるので、追加エ
ツチングにより、電極ｊ換厚を薄くする場合、電極側面
がエツチングされて電極が細くなるという不具合も起こ
らない。
第１図ｒ／ｉ従来の弾性表面波装置を示す図、第２図（
ａｔ乃至８２図（ｅｌは、本発明に係る弾性表面波素子
の製造工程ごとの断面図、第３図ｔよ本発明により形成
された第２図（ｅ）における電極の１部を示す拡大断面
図でおる。 １・・・・・・圧電体基板 ２・・・・・・入力電極 ３・・・・・・出力電極 ４・・・・・・弾性表面波 ５・・・・・・絶縁膜 ６・・・・・・レジスト ７・・・・・・金属膜 喘許出願人 パイオニア株式会社 第１図 第２図 第３図
ａｔ乃至８２図（ｅｌは、本発明に係る弾性表面波素子
の製造工程ごとの断面図、第３図ｔよ本発明により形成
された第２図（ｅ）における電極の１部を示す拡大断面
図でおる。 １・・・・・・圧電体基板 ２・・・・・・入力電極 ３・・・・・・出力電極 ４・・・・・・弾性表面波 ５・・・・・・絶縁膜 ６・・・・・・レジスト ７・・・・・・金属膜 喘許出願人 パイオニア株式会社 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 圧電基板上に互いに対向して形成された入力電極および
出力電極と、前記基板上の人出電極指端の部分傾形成さ
れた絶縁膜とを備え、前記人出電極指端での反射波を抑
圧したことを特−徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19849683A JPS6090412A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19849683A JPS6090412A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090412A true JPS6090412A (ja) | 1985-05-21 |
Family
ID=16392088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19849683A Pending JPS6090412A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090412A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996004713A1 (fr) * | 1994-08-05 | 1996-02-15 | Japan Energy Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de production |
| EP0744830A1 (en) * | 1994-10-20 | 1996-11-27 | Japan Energy Corporation | Surface acoustic wave device and production method thereof |
| WO2002031974A1 (fr) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | Fujitsu Limited | Dispositif d'ondes acoustiques superficielles et procede de fabrication dudit dispositif |
| WO2004059837A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子部品およびこの電子部品を用いた電子機器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420947U (ja) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | ||
| JPS5651535A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Kobe Steel Ltd | Sintered ore of iron ores and its manufacture |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP19849683A patent/JPS6090412A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420947U (ja) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | ||
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| US5923231A (en) * | 1994-08-05 | 1999-07-13 | Kinseki Limited | Surface acoustic wave device with an electrode insulating film and method for fabricating the same |
| EP0744830A1 (en) * | 1994-10-20 | 1996-11-27 | Japan Energy Corporation | Surface acoustic wave device and production method thereof |
| EP0744830A4 (en) * | 1994-10-20 | 1999-02-03 | Japan Energy Corp | SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND PRODUCTION METHOD |
| WO2002031974A1 (fr) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | Fujitsu Limited | Dispositif d'ondes acoustiques superficielles et procede de fabrication dudit dispositif |
| WO2004059837A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子部品およびこの電子部品を用いた電子機器 |
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