JP3194784B2

JP3194784B2 - 弾性表面波装置

Info

Publication number: JP3194784B2
Application number: JP12410892A
Authority: JP
Inventors: 勉永塚; 幸一郎三須; 友則木村; 修三和高; 恭久玉川
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-04-17
Filing date: 1992-04-17
Publication date: 2001-08-06
Anticipated expiration: 2016-08-06
Also published as: JPH05299964A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、各種通信装置や各種
電子システムなどに用いられる弾性表面波装置、いわゆ
る弾性表面波コンボルバに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図８は、例えば文献Ｐｒｏｃ．１９８２
ＩＥＥＥＵｌｔｒａｓｏｎｉｃｓＳｙｍｐ．，１９
８２，ｐｐ．４４７−４５１に示された従来のこの種の
弾性表面波コンボルバの構成を示したものである。図８
において、１は半導体基板、２は絶縁体膜、３は圧電体
層であり、それぞれ、Ｓｉ、ＳｉＯ₂ 、ＺｎＯを用いて
いる。また、４は対向する幹部４ａ，４ｂより突出しか
つ互に平行となった電極指７，７より成るすだれ状電
極、５はゲート電極、６は接地電極である。半導体基板
１上には絶縁体膜２と圧電体層３が形成され、この圧電
体層３上には２つのすだれ状電極４と、上記２つのすだ
れ状電極４の間のゲート電極５が設けられている。圧電
体層３は場所によらず一定の厚さにしてある。

【０００３】次に、この従来例の動作について説明す
る。左右２つのすだれ状電極４に、それぞれ、電気信号
を入力すると、圧電体層３の圧電効果により、半導体基
板１上に、弾性表面波が励振される。励振された弾性表
面波は、それぞれ、ゲート電極５を逆方向に伝搬し、ゲ
ート電極５のある位置ですれちがう。このとき、半導体
基板１での非線形効果により、２つの波の積の成分が生
じる。この積の成分は、ゲート電極５全体で加算され、
再び電気信号として、ゲート電極５から取り出される。
ゲート電極５での加算は、弾性表面波がゲート電極５を
伝搬する時間にわたっての積分に相当しているので、上
記出力電気信号は、上記２つの入力信号の畳み込み積分
になる。

【０００４】上述したような従来の弾性表面波コンボル
バでは、すだれ状電極４における、電気信号から弾性表
面波への変換効率（以下、第１の変換効率と呼ぶ）は、
すだれ状電極４を設けた領域の圧電体層３の厚さにより
変化する。また、ゲート電極５での弾性表面波から電気
信号への変換効率（以下、第２の変換効率と呼ぶ）も、
ゲート電極５を設けた領域の圧電体層３の厚さにより変
化することが考えられる。さらに、すだれ状電極４での
電気信号から弾性表面波への第１の変換効率が最大にな
る圧電体層３の厚さと、ゲート電極５での弾性表面波か
ら電気信号への第２の変換効率が最大になる圧電体層３
の厚さとは異なることが考えられる。しかし、図８に示
した従来の構成では、圧電体層３は、厚さを場所によら
ず一定として構成されていた。したがって、すだれ状電
極４での第１の変換効率とゲート電極５での第２の変換
効率を共に、高くすることはできない。

【０００５】図９は、例えば文献「ＩＥＥＥＴｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＳｏｎｉｃｓａｎｄＵｌ
ｔｒａｓｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．ＳＵ−３２，Ｎｏ．５，
１９８５」６７０−６７４頁に記載された従来の弾性表
面波コンボルバの構成を示したものである。図９におい
て、１は半導体基板、２は絶縁体層、３は圧電体層であ
り、ここでは、それぞれの材料としてＳｉ、ＳｉＯ₂ 、
ＺｎＯを用いている。４はすだれ状電極、５はゲート電
極、６は接地電極である。半導体基板１上には等厚の絶
縁体層２と圧電体層３が形成され、この圧電体層３には
２つのすだれ状電極４と、上記２つのすだれ状電極の間
のゲート電極５が設けられている。

【０００６】次に、この従来例の動作について説明す
る。すだれ状電極４に電気信号が入力されると、圧電体
層３の圧電効果により、半導体基板１上に弾性表面波が
励振される。２つのすだれ状電極４で励振された弾性表
面波は、それぞれ半導体基板１を逆方向に伝搬し、ゲー
ト電極５ですれちがう。このとき、ゲート電極５下部の
半導体基板１の非線形効果により、２つの弾性表面波の
積の成分が生じる。この積の成分は、ゲート電極５全体
で加算され、電気信号として取り出される。ゲート電極
５での加算は、弾性表面波がゲート電極５を伝搬する時
間にわたる積分に相当している。したがって、出力電気
信号は２つの入力電気信号の畳み込み積分となってい
る。

【０００７】上述したように弾性表面波コンボルバの効
率は、前述した従来例で説明したように、主に、すだれ
状電極４での電気信号から弾性表面波への第１の変換効
率と、ゲート電極５での弾性表面波から電気信号への第
２の変換効率で定まる。それぞれの変換効率は、すだれ
状電極４部分の圧電体層３の厚さとゲート電極５部分の
圧電体層３の厚さに依存する。

【０００８】第１の変換効率を示す指標として電気機械
結合係数がある。例えば「弾性表面波工学（柴山乾夫
著、電子通信学会、１９８３年版）」７１頁などで良く
知られるように、電気機械結合係数は、弾性表面波の周
波数と圧電体層３の厚さによって変化する。従来の弾性
表面波コンボルバでは、電気機械結合係数が最大となる
ように、例えば中心周波数２１５ＭＨｚで圧電体層３の
厚さを約５μｍとしている。

【０００９】次に、第２の変換効率について述べる。絶
縁体層２と圧電体層３はともに酸化物層であるので、畳
み込み積分を行なうゲート電極５部分は、金属電極と酸
化物と半導体からなるＭＯＳダイオード構造となってい
る。畳み込み積分はこのＭＯＳダイオードの容量の非線
形性を利用して行なわれる。ＭＯＳダイオードでは、ゲ
ート電圧に対する容量の変化率が大きいほど、非線形性
が大きくなる。例えば「半導体工学（深海登世司著、東
京電機大学出版局、１９８７年版）」１５０頁に記載さ
れているように、ＭＯＳダイオードの容量の変化率を大
きくするためには、酸化物層の容量を大きくすればよ
い。ところで、酸化物層の容量は直列に並んだ絶縁体層
２と圧電体層３との容量により求められる。従来の弾性
表面波コンボルバでは、例えば絶縁体層２の厚さを約
０．１μｍ、圧電体層３の厚さを約５μｍとしている。
したがって、酸化物層の容量は厚く容量の小さい圧電体
層３の容量によって支配的に決定される。圧電体層３の
容量を小さく、すなわち、薄くすれば非線形効果が大き
くなり、第２の変換効率を向上することができる。

【００１０】以上のように、変換効率が最大になる圧電
体層３の厚さが、第１の変換効率と第２の変換効率とで
異なるため、従来のように圧電体層３の厚さを一定とし
た場合、双方の変換効率をともに最大とすることはでき
ない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように図
８や図９に示す構成を有する従来の弾性表面波コンボル
バでは、圧電体層３の厚さを場所によらず一定として圧
電体層３を構成していたので、第１の変換効率及び第２
の変換効率を共に高くすることができず、したがって動
作効率の向上を図ることが難しいという問題点があっ
た。換言すれば、これらの従来の弾性表面波コンボルバ
では、圧電体層３が等厚であるため、すだれ状電極４を
設けた領域とゲート電極５を設けた領域とで必ずしも変
換効率が最大にならず、大きな動作効率が得られないと
いう問題点があった。

【００１２】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、第１の変換効率及び第２の変換
効率を共に最適値に近い値にする構成にし、動作効率の
向上を図れる弾性表面波装置（弾性表面波コンボルバ）
を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る弾
性表面波装置は、すだれ状電極４を設けた領域の圧電体
層３の厚さと、ゲート電極５を設けた領域の圧電体層３
の厚さとを異ならせ、かつ、圧電体層３の厚さが異なり
変化する領域において、圧電体層３の厚さを弾性表面波
の伝搬方向に対して階段状に変化させて構成したもので
ある。請求項２の発明に係る弾性表面波装置は、ゲート
電極５を圧電体層３に埋め込んで構成したものである。
請求項３の発明に係る弾性表面波装置は、圧電体層３の
表面と、ゲート電極５の表面との段差をなくして構成し
たものである。

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【作用】請求項１の発明に係る弾性表面波装置において
は、すだれ状電極４を設けた領域の圧電体層３の厚さ
と、ゲート電極５を設けた領域の圧電体層３の厚さとを
異ならせ、かつ、圧電体層３の厚さが異なり変化する領
域において、圧電体層３の厚さを弾性表面波の伝搬方向
に対して階段状に変化させたので、圧電体層３の厚さが
異なり変化する領域における弾性表面波の反射を小さく
抑えることができる。請求項２の発明に係る弾性表面波
装置においては、弾性表面波信号を出力電気信号として
取り出すために設けられたゲート電極５を圧電体層３に
埋め込んだので、すだれ状電極４を設けた領域の圧電体
層３の厚さと、ゲート電極５を設けた領域の圧電体層３
の厚さとを異なって設定できる。したがって、すだれ状
電極４と、ゲート電極５での変換効率を共に最適値に近
い値にすることができる。請求項３の発明に係る弾性表
面波装置においては、圧電体層３の表面と、ゲート電極
５の表面との段差をなくしたので、圧電体層３とゲート
電極５との段差があった場合に生じた反射による弾性表
面波の伝搬損失が小さくなる。

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【実施例】実施例１．図１はこの発明の実施例１に係る弾性表面波装置として
の弾性表面波コンボルバの構成図である。図１におい
て、１は半導体基板、３はこの半導体基板１の上に位置
される圧電体層で、左，右が一段高く成形される。４は
対向する幹部４ａ，４ｂより突出しかつ互に平行となっ
たすだれ状電極で、圧電体層３の左右側に位置される。
５は圧電体層３の中央側に位置されるゲート電極、６は
半導体基板１の裏面に位置される接地電極である。

【００２４】次にこの実施例１の動作を説明する。左右
２つのすだれ状電極４に、それぞれ、電気信号を入力す
ると、半導体基板１上に、弾性表面波が励振される。励
振された弾性表面波は、ゲート電極５のある位置ですれ
ちがい、このとき、半導体基板１での非線形効果によ
り、２つの波の積の成分が生じる。この積の成分は、ゲ
ート電極５全体で加算され、再び電気信号になり、２つ
の入力電気信号の畳み込み積分として取り出される。以
上の動作は図８に示した従来例の構成と同様である。

【００２５】ところが、この実施例１では従来例と異な
り、圧電体層３の厚さを、すだれ状電極４を設けた領域
で厚く、ゲート電極５を設けた領域で薄くなるように異
ならせているため、従来例に比べて、弾性表面波コンボ
ルバの動作効率を高くできる効果が得られる。この効果
について、図２と図３を用いて以下に説明する。

【００２６】図２と図３は、前記文献Ｐｒｏｃ．１９８
２ＩＥＥＥＵｌｔｒａｓｏｎｉｃｓＳｙｍｐ．，
１９８２，ｐｐ．４４７−４５１から引用したものであ
り、図２は、電気機械結合係数と圧電体層３の厚さとの
間の関係を示す特性図、図３は、すだれ状電極４の４つ
の異なる構成法を示す構成図である。図３において、１
は半導体基板、３は圧電体層、７はすだれ状電極４の電
極指、８は対向電極である。図３においてａ，ｂ，ｃ，
ｄはすだれ状電極４の４つの異なる構成を示し、図２に
おけるＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは構成ａ，ｂ，ｃ，ｄにそれぞれ
対応する特性曲線を示す。図２は、詳しくは、圧電体層
３の厚さを変えたときの、電気機械結合係数の変化を示
したものであり、半導体基板１がＳｉ、圧電体層３がＺ
ｎＯの場合の、弾性表面波の高次モードであるセザワ波
に対する特性が示してある。なお、横軸は、弾性表面波
の角周波数をωで表し、圧電体層３の厚さをｈで表した
とき、ωとｈとの積ωｈで表わされている。

【００２７】さて、図１のゲート電極５の下部におい
て、圧電体層３と半導体基板１との境界部に、弾性表面
波によって電位が生じるが、この電位が大きいほうが、
非線形効果によって生じる出力信号が大きくなるので、
高い動作効率が得られる。

【００２８】ゲート電極５は、図３において、構成ｄに
おける対向電極８に対応するものとみなせる。さらに、
上記電位は、電気機械結合係数が大きいほど大きくなる
ので、上記出力信号は、図２に示す特性曲線Ｄにおい
て、電気機械結合係数が大きいほど大きくなる。図２に
おいて、ωｈを例えば７０００付近としたとき電気機械
結合係数が最も大きい。したがって、ωｈを７０００付
近にしたとき、非線形効果によって生じる出力信号が大
きくなり、動作効率が高くなる。

【００２９】一方、図１に示した実施例１において、す
だれ状電極４の構成は、図３中の構成ａとなっている。
したがって、図２中の特性曲線Ａから、ωｈを例えば１
２０００付近としたとき電気機械結合係数が最も大き
く、すだれ状電極４から効率よく弾性表面波を励振でき
る。

【００３０】このように、すだれ状電極４の部分とゲー
ト電極５の部分とでは、変換効率が最大となる圧電体層
３の厚さが大きく異なっている。

【００３１】図１に示す実施例１では、圧電体層３の厚
さｈを、弾性表面波の角周波数をωとして、すだれ状電
極４の部分では、ωｈが１２０００程度になるように
し、ゲート電極５の部分では、ωｈが７０００程度にな
るように、場所により変化させている。したがって、す
だれ状電極４部とゲート電極５部での変換効率をともに
最適値に近い値にでき、従来例に比べ効率の大きい弾性
表面波コンボルバが得られる効果がある。

【００３２】実施例２．図４は、この発明の実施例２に係る弾性表面波コンボル
バを示す構成図である。図４において、１は半導体基
板、３は圧電体層、４はすだれ状電極、５はゲート電
極、６は接地電極である。半導体基板１上には圧電体層
３が形成され、この圧電体層３上には２つのすだれ状電
極４と、上記２つのすだれ状電極４の間のゲート電極５
が設けられている。また、圧電体層３の厚さを、すだれ
状電極４を設けた領域で厚く、ゲート電極５を設けた領
域で薄くなるように異ならせている。さらに、圧電体層
３の厚さが異なり変化する領域において、圧電体層３の
厚さを、弾性表面波の伝搬方向に対し階段状に２段階に
変化させている。

【００３３】この実施例２の動作は、実施例１と同様で
ある。

【００３４】ところが、図４では、圧電体層３の厚さが
異なり変化する領域において、圧電体層３の厚さを、弾
性表面波の伝搬方向に対し階段状に２段階に変化させて
いる。したがって、弾性表面波が上記領域を伝搬すると
き、段差による反射が生じにくく、すだれ状電極４から
励振された弾性表面波が、効率良くゲート電極５に入射
する。したがって、図４の構成では、より動作効率の高
い弾性表面波コンボルバが得られる効果がある。

【００３５】さらに、図４では、上述したように、段差
による弾性表面波の反射を小さくできるので、出力信号
に反射による不要な時間軸上のスプリアス応答が生じ
ず、特性の良好な弾性表面波コンボルバが得られる効果
がある。

【００３６】なお、図４では、圧電体層３の厚さを、２
段階に変化させた場合を示しているが、圧電体層３の厚
さを３段階以上に変化させても良く、この場合には、段
差による弾性表面波の反射がより小さくなり、上述した
と同様の効果が、より顕著に得られる。

【００３７】実施例３．図５は、この発明の実施例３に係る弾性表面波コンボル
バを示す構成図である。図５において、１は半導体基
板、３は圧電体層、４はすだれ状電極、５はゲート電
極、６は接地電極である。半導体基板１上には圧電体層
３が形成され、この圧電体層３上には２つのすだれ状電
極４と、上記２つのすだれ状電極４の間のゲート電極５
が設けられている。また、圧電体層３の厚さを、すだれ
状電極４を設けた領域で厚く、ゲート電極５を設けた領
域で薄くなるように異ならせている。さらに、圧電体層
３の厚さが変化する領域において、圧電体層３の厚さが
弾性表面波の伝搬方向に対し徐々に変化するように、圧
電体層３の表面に斜めのテーパ３ａを設けている。

【００３８】この実施例３の動作は、実施例１および実
施例２と同様である。

【００３９】図５では、圧電体層３の厚さが変化する領
域において、圧電体層３の厚さが、弾性表面波の伝搬方
向に対し徐々に変化するように斜めのテーパ３ａを設け
ているので、圧電体層３の厚さの変化に伴なう段差をな
くすことができる。このため、弾性表面波がこのテーパ
３ａの部分を伝搬するとき、段差による反射がほとんど
生じず、すだれ状電極４から励振された弾性表面波が、
効率良くゲート電極５に入射する。したがって、実施例
２と同様に、動作効率が高く、特性の良好な弾性表面波
コンボルバが得られる効果がある。また、この効果は上
述した実施例２よりもさらに顕著に得られる。

【００４０】なお、図５では、上記テーパ３ａを斜めに
して構成したが、このようなテーパは、これに限らず、
滑らかな曲面となるように構成しても構わない。

【００４１】以上示した実施例１，２，３では、半導体
基板１と圧電体層３にそれぞれＳｉ、ＺｎＯを用いた場
合について説明したが、半導体基板１と圧電体層３の組
み合わせは、弾性表面波が励振されれば、どのようなも
のでも良い。また、弾性表面波としてセザワ波以外のモ
ードを用いても構わない。これらの組み合わせによって
は、すだれ状電極４の部分での変換効率が大きくなる圧
電体層３の厚さが、ゲート電極５の部分での変換効率が
大きくなる圧電体層３の厚さより薄くなる場合もある
が、この場合は、圧電体層３の厚さをすだれ状電極４の
部分で薄く、ゲート電極５の部分で厚くすれば良い。

【００４２】また、圧電体層３は１層である必要はなく
２層以上あっても良いし、圧電体層３と半導体基板１の
間に、ＳｉＯ₂ などの絶縁体膜を１層以上設けても良
い。また、以上の実施例１，２，３では、すだれ状電極
４やゲート電極５を圧電体層３の上に設けた場合を示し
たが、本発明はこれに限らず、すだれ状電極４やゲート
電極５の少なくとも一部を、半導体基板１と圧電体層３
の間に設けても良い。

【００４３】さらに、以上の実施例１，２，３では、簡
単のためすだれ状電極４の対数を１対として示している
が、対数のより多いすだれ状電極４を用いても良く、こ
のときも同様の効果が得られる。この場合、すだれ状電
極４に、アポダイズや間引きなどによる重み付けを施し
ても良い。また、以上の実施例１，２，３では、すだれ
状電極４をシングル電極で表しているが、本発明はこれ
に限らず、すだれ状電極４にダブル電極や他の形状の電
極を用いても良い。

【００４４】また、電極指７の間隔を必ずしも一定にす
る必要はなく、チャープ電極など電極指７の間隔が場所
により異なるすだれ状電極４を用いても良い。さらに、
ゲート電極５は１つである必要はなく、ゲート電極５を
弾性表面波の伝搬方向に２つ以上に分割した構成でも良
いし、ゲート電極５を弾性表面波の伝搬方向と垂直な方
向に２つ以上設けた構成でも良く、これらの場合も本発
明の効果が得られる。

【００４５】実施例４．図６はこの発明の実施例４に係る弾性表面波コンボルバ
を示す構成図である。図９の従来例と同一、または相当
部分には同一符号を用いて重複説明を省略する。図６に
おいて、半導体基板１上には圧電体層３が形成され、こ
の圧電体層３上に、２つのすだれ状電極４と、上記２つ
のすだれ状電極４の間のゲート電極５が設けられてい
る。また、ゲート電極５が圧電体層３に埋められてお
り、ゲート電極５の部分の圧電体層３の厚さが、すだれ
状電極４の部分の圧電体層３の厚さより薄くなってい
る。

【００４６】次にこの実施例４の動作について説明す
る。すだれ状電極４に電気信号が入力されると、圧電効
果により半導体基板１上に弾性表面波が励振される。２
つのすだれ状電極４で励振された弾性表面波は、ゲート
電極５ですれちがい、半導体基板１部の非線形効果によ
り、２つの弾性表面波の積の成分が生じる。この積の成
分は、ゲート電極５全体で加算され、２つの入力電気信
号の畳み込み積分となって取り出される。以上の動作は
図９に示した従来例と同様である。

【００４７】すだれ状電極４部分の圧電体層３の厚さ
は、すだれ状電極４での電気信号から弾性表面波への変
換効率が大きくなるように設定されている。一方、ゲー
ト電極５の部分の圧電体層３の厚さは、ゲート電極５が
圧電体層３に埋められた厚さの分だけすだれ状電極４の
部分の圧電体層３の厚さより薄くなっている。上記の説
明のように、ゲート電極５の部分の圧電体層３の厚さを
うすくすることにより、ゲート電極５の部分に構成され
たＭＯＳダイオードの酸化物層の容量を増加することが
できる。これにより、ゲート電圧に対するＭＯＳダイオ
ードの容量の変化率が大きくでき、ゲート電極５下部近
傍の半導体基板１での非線形効果が大きくなる。したが
って、ゲート電極５での弾性表面波から電気信号への変
換効率が大きくなる。

【００４８】実施例５．図７はこの発明の実施例５に係る弾性表面波コンボルバ
を示す構成図である。図７においては、圧電体層３に埋
め込まれたゲート電極５の表面を圧電体層３と同一表面
としており、ゲート電極５の端部での、圧電体層３とゲ
ート電極５との段差をなくしている。これにより、圧電
体層３とゲート電極５との段差で生じる反射による損失
を抑えることができる。また、ゲート電極５の材料を圧
電体層３の材料と音響インピーダンスの整合を取れた材
料から選ぶことにより、ゲート電極５の圧電体層３間の
伝搬損失を抑えることができる。

【００４９】

【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
すだれ状電極を設けた領域の圧電体層の厚さと、ゲート
電極を設けた領域の圧電体層の厚さとを異ならせ、か
つ、上記圧電体層の厚さが異なり変化する領域におい
て、上記圧電体層の厚さを弾性表面波の伝搬方向に対し
て階段状に変化させたため、上記圧電体層の厚さが異な
り変化する領域における弾性表面波の反射を小さく抑え
ることができるので、動作効率が高く、かつ、時間軸上
に不要なスプリアス応答が生じにくく、特性の良好な弾
性表面波装置を実現できるという効果が得られる。ま
た、本願のようなデバイスにおいては、製作上、「階段
状」を形成する方が「テーパ状」を形成するより容易か
つ低コスト化が図れるという効果もある。「テーパ」を
製作する場合は、この部分に何らかの連続的な処理を必
要とするが、「階段」を製作する場合は、一部の膜を積
み上げるか、あるいは、一部の膜を削る等、数回の工程
により容易に製作できるからである。請求項２の発明に
よれば、半導体基板上に形成された圧電体層と、弾性表
面波を励振するすだれ状電極と、出力信号を取り出すた
めに設けられた上記圧電体層に埋められたゲート電極と
を備えたもので、すだれ状電極を設けて領域の圧電体層
の厚さと、ゲート電極を設けた領域の圧電体層の厚さと
を異なって設定できるので、すだれ状電極部分と、ゲー
ト電極部分の変換効率をともに大きくすることができ、
動作効率の高い弾性表面波装置を実現できるという効果
が得られる。請求項３の発明によれば、圧電体層の表面
と、ゲート電極の表面との段差をなくしたので、圧電体
層とゲート電極との段差で生じる反射による損失を抑え
ることができ、動作効率の高い弾性表面波装置を実現で
きるという効果が得られる。

【００５０】

【００５１】

【００５２】

【００５３】

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１に係る弾性表面波コンボル
バ（弾性表面波装置）の構成図である。

【図２】この実施例１の動作を説明するための電気機械
結合係数と圧電体層の厚さとの間の関係を示す特性図で
ある。

【図３】この実施例１の動作を説明するためのすだれ状
電極の４つの異なる構成法を示す構成図である。

【図４】この発明の実施例２に係る弾性表面波コンボル
バの構成図である。

【図５】この発明の実施例３に係る弾性表面波コンボル
バの構成図である。

【図６】この発明の実施例４に係る弾性表面波コンボル
バの構成図である。

【図７】この発明の実施例５に係る弾性表面波コンボル
バの構成図である。

【図８】従来の弾性表面波コンボルバの構成図である。

【図９】従来の弾性表面波コンボルバの構成図である。

【符号の説明】

１半導体基板３圧電体層４すだれ状電極５ゲート電極３ａテーパ４ａ，４ｂ幹部７電極指

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者和高修三鎌倉市大船五丁目１番１号三菱電機株式会社電子システム研究所内 (72)発明者玉川恭久鎌倉市大船五丁目１番１号三菱電機株式会社電子システム研究所内 (56)参考文献特開平４−83235（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/25

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成され弾性表面波を励振させ
るための圧電体層と、幹部より突出し、互に平行となっ
た電極指より成って上記圧電体層上に設けられ、かつ入
力電気信号を弾性表面波信号に変換するためのすだれ状
電極と、上記圧電体層上に設けられ上記弾性表面波信号
を出力電気信号として取り出すゲート電極とを備えた弾
性表面波装置において、上記すだれ状電極を設けた領域
の上記圧電体層の厚さと、上記ゲート電極を設けた領域
の上記圧電体層の厚さとを異ならせ、かつ、上記圧電体
層の厚さが異なり変化する領域において上記圧電体層の
厚さを弾性表面波の伝搬方向に対して階段状に変化させ
て構成したことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】基板上に形成され弾性表面波を励振させ
るための圧電体層と、幹部より突出し、互に平行となっ
た電極指より成って上記圧電体層上に設けられ、かつ入
力電気信号を弾性表面波信号に変換するためのすだれ状
電極と、上記圧電体層上に設けられ上記弾性表面波信号
を出力電気信号として取り出すゲート電極とを備えた弾
性表面波装置において、上記ゲート電極を上記圧電体層
に埋め込んで構成したことを特徴とする弾性表面波装
置。
【請求項３】基板上に形成され弾性表面波を励振させ
るための圧電体層と、幹部より突出し、互に平行となっ
た電極指より成って上記圧電体層上に設けられ、かつ入
力電気信号を弾性表面波信号に変換するためのすだれ状
電極と、上記圧電体層上に設けられ上記弾性表面波信号
を出力電気信号として取り出すゲート電極とを備えた弾
性表面波装置において、上記圧電体層の表面と、上記ゲ
ート電極の表面との段差をなくして構成したことを特徴
とする弾性表面波装置。