JPS609012A - 極細多芯化合物系超電導導体の製造方法 - Google Patents
極細多芯化合物系超電導導体の製造方法Info
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- JPS609012A JPS609012A JP58115456A JP11545683A JPS609012A JP S609012 A JPS609012 A JP S609012A JP 58115456 A JP58115456 A JP 58115456A JP 11545683 A JP11545683 A JP 11545683A JP S609012 A JPS609012 A JP S609012A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超電導導体、特にＮｂ３Ｓｎ又はＶ３Ｇａ 極
細多芯化合物系超電導導体の製造方法に関するものであ
る。
細多芯化合物系超電導導体の製造方法に関するものであ
る。
罹常のブロンズ法によりＮｂ３Ｓｎ又はＶ３Ｇａ細、嵜
ヒ合物系超亀導導体を製造する場合、ブロンズ（Ｃｕ−
８ｎ合金）またはＣｕ−Ｇａ合金の加工硬化が激しいだ
めに、中間焼鈍を加えながら加工する。この中間焼鈍の
際に、Ｎｂフィラメント（またはＶ−フィラメント）−
ブロンズ（又はＣｕ−Ｇ）マトリックス界面およびＮｂ
（−ｊたはＶ）拡散障壁−ブロンズ（またはＣｕ−Ｇ
ａ）マトリックス界面に脆いＮｂ５Ｓｎ（またはｖ３Ｇ
）化合物層が生成するため、特にフィラメント径が２μ
ｍ以下になると断線するという現象が見られる。一方、
超電導（ｔ（−Ｊｃ）特性は、フィラメント径が細い程
高くなる傾向が見られる（ Ｃ，Ｈ，Ｒｏｓｎｅｒ 、
ＩＣＭＣ、１９８０、Ｉ −Ｅ−ｂ 、 ６９〜７９
頁参照）。従って、中間焼鈍時の上記の如き化合物層生
成を抑制することが断線を防止し、フィラメント径を細
くしてＨ−Ｊ ｃ特性を高めるだめの不可欠な条件であ
る。
ヒ合物系超亀導導体を製造する場合、ブロンズ（Ｃｕ−
８ｎ合金）またはＣｕ−Ｇａ合金の加工硬化が激しいだ
めに、中間焼鈍を加えながら加工する。この中間焼鈍の
際に、Ｎｂフィラメント（またはＶ−フィラメント）−
ブロンズ（又はＣｕ−Ｇ）マトリックス界面およびＮｂ
（−ｊたはＶ）拡散障壁−ブロンズ（またはＣｕ−Ｇ
ａ）マトリックス界面に脆いＮｂ５Ｓｎ（またはｖ３Ｇ
）化合物層が生成するため、特にフィラメント径が２μ
ｍ以下になると断線するという現象が見られる。一方、
超電導（ｔ（−Ｊｃ）特性は、フィラメント径が細い程
高くなる傾向が見られる（ Ｃ，Ｈ，Ｒｏｓｎｅｒ 、
ＩＣＭＣ、１９８０、Ｉ −Ｅ−ｂ 、 ６９〜７９
頁参照）。従って、中間焼鈍時の上記の如き化合物層生
成を抑制することが断線を防止し、フィラメント径を細
くしてＨ−Ｊ ｃ特性を高めるだめの不可欠な条件であ
る。
本発明の目的は、前記した如き従来のブロンズ法による
超電導導体の製造方法における欠点を解消し、加工性を
改善し、且つ超電導特性を高めることができるＮｂ３Ｓ
ｎ又はＶ３Ｇａ極細多芯化合物系超電導導体の製造方法
を提供することにある。
超電導導体の製造方法における欠点を解消し、加工性を
改善し、且つ超電導特性を高めることができるＮｂ３Ｓ
ｎ又はＶ３Ｇａ極細多芯化合物系超電導導体の製造方法
を提供することにある。
すなわち、本発明は、ブロンズ法によりＮｂ３Ｓｉ又は
Ｖ３Ｇａ極細多芯化合物系超電導導体を製造するに際し
、Ｎｂ（又はＶ）フィラメントとブロンズ（Ｃｕ−−Ｓ
ｎ合金）マトリックス（寸だはＣｕ −Ｇａ合金マトリ
ックス）との中間にＣｕまだは該マトリックス中のブロ
ンズ又はＣｕ−ＧａよりもＳｎ（またはＧａ）濃度の小
さいＣｕ−Ｓｎ合金（−またはＣｕ−Ｇａ合金）の層を
配置し且つ拡散障壁としてのＮｂ （まだはＶ）まだは
その合金の内側または外側にもＣｕｉたは前記マトリッ
クスのＳｎ （まだはＧａ ）濃度より低濃度のＣｕ−
Ｓｎ合金（またはＣｕ−Ｇａ合金）の層を配置した複合
材料に押出、引抜等の加工を加え、次いで拡散熱処理を
行うことを特徴とするＮｂ３ＳｎまたはＶ３Ｇａ極細多
芯化合物系超電導導体の製造方法である。
Ｖ３Ｇａ極細多芯化合物系超電導導体を製造するに際し
、Ｎｂ（又はＶ）フィラメントとブロンズ（Ｃｕ−−Ｓ
ｎ合金）マトリックス（寸だはＣｕ −Ｇａ合金マトリ
ックス）との中間にＣｕまだは該マトリックス中のブロ
ンズ又はＣｕ−ＧａよりもＳｎ（またはＧａ）濃度の小
さいＣｕ−Ｓｎ合金（−またはＣｕ−Ｇａ合金）の層を
配置し且つ拡散障壁としてのＮｂ （まだはＶ）まだは
その合金の内側または外側にもＣｕｉたは前記マトリッ
クスのＳｎ （まだはＧａ ）濃度より低濃度のＣｕ−
Ｓｎ合金（またはＣｕ−Ｇａ合金）の層を配置した複合
材料に押出、引抜等の加工を加え、次いで拡散熱処理を
行うことを特徴とするＮｂ３ＳｎまたはＶ３Ｇａ極細多
芯化合物系超電導導体の製造方法である。
本発明においては上記のようにマトリックス中のブロン
ズ（まだはＣｕ −Ｇａ ）のＳｎ （まだはＧａ）ａ
度より低濃度のＣｕ’−３ｎ（１だはＣｕ −Ｇａ ）
層を配置させることにより、複合材料を押出、引抜等の
加工中の中間焼鈍時に脆いＮｂ３Ｓｎ （またはＶ３Ｇ
ａ）化合物層が生成するのを抑止し、断線を生ずること
なく加工することができる。一方、最終的にＮｂ５Ｓｎ
（またはＶ３Ｇａ）生成のだめの拡散熱処理の際には熱
処理温度が上船中間焼鈍時の焼鈍篩１１℃よりはるかに
高いので、上記のＣｕまたはＣｕ −８口（ｔたはＣｕ
−Ｇａ ）層中をＮｂ （またばＶ）が十分に拡散す
るのでＮｂ５ｓｎ（またはＶ３Ｇａ ）が生成し、超電
導特性の陵れたＮｂ３ＳｎまたはＶ３Ｇａ極細多芯化合
物超准導導体を得ることができる。
ズ（まだはＣｕ −Ｇａ ）のＳｎ （まだはＧａ）ａ
度より低濃度のＣｕ’−３ｎ（１だはＣｕ −Ｇａ ）
層を配置させることにより、複合材料を押出、引抜等の
加工中の中間焼鈍時に脆いＮｂ３Ｓｎ （またはＶ３Ｇ
ａ）化合物層が生成するのを抑止し、断線を生ずること
なく加工することができる。一方、最終的にＮｂ５Ｓｎ
（またはＶ３Ｇａ）生成のだめの拡散熱処理の際には熱
処理温度が上船中間焼鈍時の焼鈍篩１１℃よりはるかに
高いので、上記のＣｕまたはＣｕ −８口（ｔたはＣｕ
−Ｇａ ）層中をＮｂ （またばＶ）が十分に拡散す
るのでＮｂ５ｓｎ（またはＶ３Ｇａ ）が生成し、超電
導特性の陵れたＮｂ３ＳｎまたはＶ３Ｇａ極細多芯化合
物超准導導体を得ることができる。
本発明においてＮｂ （またはＶ）とマトリックスとの
中間及び拡散障壁の内側又は外側配置させるＣｕ−８ｎ
″！だはＣｕ−ＧａのＳｎまだはＧａの濃度をマトリッ
クスのＣｕ−８ｎ捷だはＣｕ−Ｇａより小さくしたのは
、界面に生成するＮｂ３ＳｎまたはＶ３Ｇａ層を薄くさ
せること及びマトリックスと介在させるブロンズ又はｃ
ｕ−Ｇａの変形能をできるだけ一致させるだめである。
中間及び拡散障壁の内側又は外側配置させるＣｕ−８ｎ
″！だはＣｕ−ＧａのＳｎまだはＧａの濃度をマトリッ
クスのＣｕ−８ｎ捷だはＣｕ−Ｇａより小さくしたのは
、界面に生成するＮｂ３ＳｎまたはＶ３Ｇａ層を薄くさ
せること及びマトリックスと介在させるブロンズ又はｃ
ｕ−Ｇａの変形能をできるだけ一致させるだめである。
次に添付図面を参照しつつ本発明を説明する。
第１−１図及び第１−２図は本発明の１実／＠例すなわ
ち、第ｉ−１図は本発明により押出し、引抜き等の加工
後、拡散処理する前の複合体の断面図である。Ｎｂ （
またはＶ）フィラメントまたはコア２とブロンズマトリ
ックス（またはｃｕ−Ｇａ合金マトリックス）４の間に
Ｃｕまだは該マトリックスのＳｎ （ｉだはＧａ）４度
より低濃度のｃｕ−８ｎ（−１，たはＣｕ −Ｇａ）の
１−３を配置した多数の芯材（１部のみ図示しだ）の集
合体の周囲にＣｕ（またはＡｌ２）よりなる安定化拐層
１、Ｎｂ（またはＶ）よりなる拡散障壁ｌ１ｉｉ？５、
及びその内側に配置されたＣｕまたは前ｄ己マトリック
スのＳｎ （まだはＧａ）濃度より低濃度のＣｕ−Ｓｎ
合金（またはｃｕ−Ｇａ合金）の層６が設けられている
。層６は前記層２と同じ材料であってもよい。
ち、第ｉ−１図は本発明により押出し、引抜き等の加工
後、拡散処理する前の複合体の断面図である。Ｎｂ （
またはＶ）フィラメントまたはコア２とブロンズマトリ
ックス（またはｃｕ−Ｇａ合金マトリックス）４の間に
Ｃｕまだは該マトリックスのＳｎ （ｉだはＧａ）４度
より低濃度のｃｕ−８ｎ（−１，たはＣｕ −Ｇａ）の
１−３を配置した多数の芯材（１部のみ図示しだ）の集
合体の周囲にＣｕ（またはＡｌ２）よりなる安定化拐層
１、Ｎｂ（またはＶ）よりなる拡散障壁ｌ１ｉｉ？５、
及びその内側に配置されたＣｕまたは前ｄ己マトリック
スのＳｎ （まだはＧａ）濃度より低濃度のＣｕ−Ｓｎ
合金（またはｃｕ−Ｇａ合金）の層６が設けられている
。層６は前記層２と同じ材料であってもよい。
この：連合体は押出し、引抜き等の加工で中間焼鈍処理
が殉されているが、本発明に従って前記層２及び６を配
置したことにより、従来法による場合のように１１牧い
Ｎｂ３Ｓｎ層捷だはＶ３ Ｇａ層の生成は抑制されてお
り、加工中に破断を生ずることはなく、寸だ腹合材料に
用いるＮｂ（−ｉだは■）フィラメントの径を１μｍ以
下に加工することができる。
が殉されているが、本発明に従って前記層２及び６を配
置したことにより、従来法による場合のように１１牧い
Ｎｂ３Ｓｎ層捷だはＶ３ Ｇａ層の生成は抑制されてお
り、加工中に破断を生ずることはなく、寸だ腹合材料に
用いるＮｂ（−ｉだは■）フィラメントの径を１μｍ以
下に加工することができる。
第１−２図は第１−１図に示す加工後の複合体を拡散熱
処理して得られた超電導導体の断面図である。すなわち
、第１−１図に示した層２及び３の存在にもかかわらず
、各芯材のブロンズ（ｉｉたはＣｎ −Ｇａ ） マト
リックス４にＮｂ３Ｓｎ （まだはＶ３Ｇａ ）コア７
が生成され、またＮｂ（またはＶ）層５とブロンズマト
リックス（−！たはＣｕ −Ｇａ合金マトリックス）４
との間にＮｂ３Ｓｎ （’ｌ：だはＶ３ Ｇａ ）層８
が生成されている。すなわち、１響２及び６の存在によ
り中間焼鈍時に竜いＮｂ５Ｓｎ（またはＶ３ Ｇａ ）
化合物層の生成を抑制し、拡散熱処理によりＮｂ５Ｓｎ
（捷だはＶ３Ｇａ）層を生成させることができる。さら
に丑だ、本発明による場合にはＮｂ（またはＶ）フィラ
メントの径を１μｍ以下にすることができるので、最終
熱処理により生成するＮｂ３Ｓｎ （まだはＶ３Ｇａ）
の結晶粒を微細化させて超覗導特１生（ｉ（−Ｊｃ）を
飛躍的に向上させることができる。
処理して得られた超電導導体の断面図である。すなわち
、第１−１図に示した層２及び３の存在にもかかわらず
、各芯材のブロンズ（ｉｉたはＣｎ −Ｇａ ） マト
リックス４にＮｂ３Ｓｎ （まだはＶ３Ｇａ ）コア７
が生成され、またＮｂ（またはＶ）層５とブロンズマト
リックス（−！たはＣｕ −Ｇａ合金マトリックス）４
との間にＮｂ３Ｓｎ （’ｌ：だはＶ３ Ｇａ ）層８
が生成されている。すなわち、１響２及び６の存在によ
り中間焼鈍時に竜いＮｂ５Ｓｎ（またはＶ３ Ｇａ ）
化合物層の生成を抑制し、拡散熱処理によりＮｂ５Ｓｎ
（捷だはＶ３Ｇａ）層を生成させることができる。さら
に丑だ、本発明による場合にはＮｂ（またはＶ）フィラ
メントの径を１μｍ以下にすることができるので、最終
熱処理により生成するＮｂ３Ｓｎ （まだはＶ３Ｇａ）
の結晶粒を微細化させて超覗導特１生（ｉ（−Ｊｃ）を
飛躍的に向上させることができる。
第２−１図及び第２−２図は本発明の他の実施例により
製造される導体、すなわち、安定化材を芯材及び拡散障
壁の内側に配置した構造の複合材料を用いて超電導導体
を製造する例を示している。
製造される導体、すなわち、安定化材を芯材及び拡散障
壁の内側に配置した構造の複合材料を用いて超電導導体
を製造する例を示している。
第２−１図は本発明により押出し、引抜き等の加工後、
拡散熱処理を行う前の複合体の断面図である。Ｃｕ （
まだはＡｌ１ ）よりなる安定化材１１を中心とし、そ
の外側にＮｂ（または■）よりなる拡散障壁層１２とそ
の外側に芯材に用いるブロンズマトリックス（寸だけＣ
ｕ −Ｇａマトリックス）の５ｎ（ｉたばＧａ ）濃度
より低濃度のＣｕ−８図合金（捷たはＣｕ −Ｇａ合金
）層１３を配置し、その周囲にＮｂ（−ｉたはＶ）フィ
ラメント１４とブロンズマトリックス（またはＣｕ −
Ｇａマトリックス）１５との間に該マトリックスのＳｎ
（まだはＧａ ）濃度より低濃度のＣｕ−８図合金（
ｉだはＣｕ −Ｇａ合金）層１６を配置した多数の芯材
を配設しである。この例においてもｌｌ１ｉｉ１３及び
１６を設けることにより、中間焼鈍時のＮｂ５Ｓｎ（ま
たはＶ３Ｇａ ）化合物層の生成が抑制さ五ている。
拡散熱処理を行う前の複合体の断面図である。Ｃｕ （
まだはＡｌ１ ）よりなる安定化材１１を中心とし、そ
の外側にＮｂ（または■）よりなる拡散障壁層１２とそ
の外側に芯材に用いるブロンズマトリックス（寸だけＣ
ｕ −Ｇａマトリックス）の５ｎ（ｉたばＧａ ）濃度
より低濃度のＣｕ−８図合金（捷たはＣｕ −Ｇａ合金
）層１３を配置し、その周囲にＮｂ（−ｉたはＶ）フィ
ラメント１４とブロンズマトリックス（またはＣｕ −
Ｇａマトリックス）１５との間に該マトリックスのＳｎ
（まだはＧａ ）濃度より低濃度のＣｕ−８図合金（
ｉだはＣｕ −Ｇａ合金）層１６を配置した多数の芯材
を配設しである。この例においてもｌｌ１ｉｉ１３及び
１６を設けることにより、中間焼鈍時のＮｂ５Ｓｎ（ま
たはＶ３Ｇａ ）化合物層の生成が抑制さ五ている。
ｒａｇ ２−２図は第２−１図に示す加工後の腹合体を
拡散熱処理することによって得られた極細多芯化合物系
超電導４木の断面図を示す。すなわち、芯材のマトリッ
クス１５の中心部にＮｂ３Ｓｎ （またｉ’ｔ： Ｖ３
Ｇａ ） １７が生成されており、まだ拡散障壁層１２
と外局のマトリックス１５の間にＮｂ３Ｓｎ （または
Ｖ３ Ｇａ ） ’＠１８が生成されている。
拡散熱処理することによって得られた極細多芯化合物系
超電導４木の断面図を示す。すなわち、芯材のマトリッ
クス１５の中心部にＮｂ３Ｓｎ （またｉ’ｔ： Ｖ３
Ｇａ ） １７が生成されており、まだ拡散障壁層１２
と外局のマトリックス１５の間にＮｂ３Ｓｎ （または
Ｖ３ Ｇａ ） ’＠１８が生成されている。
本発明により製造された超電導導体を複数本または多数
本Ｃｕ管等に組込み再マルチ化して犬、容情の導１本と
することもでき、またストランド、プレー１、平角形状
等の形状に加工することもできる。
本Ｃｕ管等に組込み再マルチ化して犬、容情の導１本と
することもでき、またストランド、プレー１、平角形状
等の形状に加工することもできる。
まだＣｕ 、 Ａｌ２等の安定化材の半田等により一体
化し、複合構造の超電導導体とすることもできる。
化し、複合構造の超電導導体とすることもできる。
第３図は従来の方法によって得られだＮｂ３Ｓｎ極′細
多芯化合物超電導導体と本発明により得られた同超電４
導木とのＨ−Ｊ ｃ特性を示すグラフである。
多芯化合物超電導導体と本発明により得られた同超電４
導木とのＨ−Ｊ ｃ特性を示すグラフである。
曲線■は本発明により径が０．５μｍのＮｂフィラメン
トを用いて得られた超電導導体のＨ−Ｊ ｃ特性、曲線
■は従来法により径が４μｍのＮｂフィラメントを用い
て得られた超電導導体のＨ−Ｊｃ特性である。
トを用いて得られた超電導導体のＨ−Ｊ ｃ特性、曲線
■は従来法により径が４μｍのＮｂフィラメントを用い
て得られた超電導導体のＨ−Ｊｃ特性である。
このグラフから明かなようにＨ−Ｊｃ特性は本発明によ
り約８０％アップしていることがわかる。
り約８０％アップしていることがわかる。
第１−１図及θ第１−２図は本発明により製造される超
電導導体の１例を示す断面図、第２−１図及び第２−２
図は本発明によシ得られる超電導導体の他の例を示す断
面図、第３図は、本発明により得られる超電導導体と従
来法により得られる超電導導体のＨ−Ｊ ｃ特性を示す
グラフである。 １− Ｃｕ （捷たはｈｆｌ ）安定化材、２・・・Ｎ
ｂ （またはＶ）フィラメント、３，６・□・低濃度Ｃ
ｏ−３ｎ（まだはＣｕ −Ｇａ ）層、４・−・ブロン
ズマトリックス（°１だはＣｕ−Ｇａマトリックス）、
５ ・−Ｎｂ （またはＶ）拡散障壁層、７ 、８−
Ｎｂ３Ｓｎ （４たはＶ３ Ｇａ ）、１ ］ −Ｃｕ
（ｉだはＡｆｉ ）安定化材、１２・Ｎｂ（またはＶ
）拡散障壁層、１３．１６−・低濃度Ｃｕ −８ｎ（寸
だはＣｕ −Ｇａ ）層、１４−Ｎｂ（まだはＶ）フィ
ラメント ｌ ５・・・ブロンズマトリックス（マタは
Ｃｕ −Ｇａ マトリックス）、１７ 、１８−Ｎｂ３
Ｓｎ（寸だはＶ３Ｇａ ）。 〈 口 ｒつ 計
電導導体の１例を示す断面図、第２−１図及び第２−２
図は本発明によシ得られる超電導導体の他の例を示す断
面図、第３図は、本発明により得られる超電導導体と従
来法により得られる超電導導体のＨ−Ｊ ｃ特性を示す
グラフである。 １− Ｃｕ （捷たはｈｆｌ ）安定化材、２・・・Ｎ
ｂ （またはＶ）フィラメント、３，６・□・低濃度Ｃ
ｏ−３ｎ（まだはＣｕ −Ｇａ ）層、４・−・ブロン
ズマトリックス（°１だはＣｕ−Ｇａマトリックス）、
５ ・−Ｎｂ （またはＶ）拡散障壁層、７ 、８−
Ｎｂ３Ｓｎ （４たはＶ３ Ｇａ ）、１ ］ −Ｃｕ
（ｉだはＡｆｉ ）安定化材、１２・Ｎｂ（またはＶ
）拡散障壁層、１３．１６−・低濃度Ｃｕ −８ｎ（寸
だはＣｕ −Ｇａ ）層、１４−Ｎｂ（まだはＶ）フィ
ラメント ｌ ５・・・ブロンズマトリックス（マタは
Ｃｕ −Ｇａ マトリックス）、１７ 、１８−Ｎｂ３
Ｓｎ（寸だはＶ３Ｇａ ）。 〈 口 ｒつ 計
Claims (1)
- （１） ブロンズ法により、Ｎｂ（まだはＶ）フィラメ
ントとブロンズ（Ｃｕ−８ｎ合金）マトリックス（寸だ
はＣｕ−Ｇａ合金マトリックス）とよりなる多数の芯材
をＮｂ （または■）またはその合金よりなる拡散障壁
の内部または外部に設けた複合材料に押出、引抜き等の
加工を加えた後に拡散熱処理を施すことによりＮｂ３Ｓ
ｎまだはＶ３ Ｇ ａ極細多芯化合物超電導導体の製造
方法において、該芯材のＮｂ （まだはＶ）フィラメン
トとブロンズマトリックス（またはＣｕ−Ｇａ合金マト
リックス）とのｔ川にＣｕまたはｎ亥マトリックスのブ
ロンズ（捷たはＣｕ−Ｇａ合金）の５ｎ（ｔたはＧａ）
濃度より低濃度のＣｕ−８ｎ合金（まだはＣｕ −Ｇａ
合金）の層を配置し、且つ該拡散障壁としてのＮｂ（ま
たはＶ）またはその合金の内側（まだは外側）にもＣｕ
または前記マトリックスのＳｎ（またはｖ）ａ度より低
濃度のＣｕ−８ｎ合金（まだはＣｕ−Ｇａ合金）の層を
配置した構造の複合材料を加工及び拡散熱処理すること
を特徴とするＮｂ３ＳｎまたはＶ３Ｇａ極細多芯化合物
系超電導導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115456A JPS609012A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 極細多芯化合物系超電導導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115456A JPS609012A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 極細多芯化合物系超電導導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609012A true JPS609012A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14662996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115456A Pending JPS609012A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 極細多芯化合物系超電導導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609012A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235308A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-22 | 古河電気工業株式会社 | 化合物超電導線の製造方法 |
| JPH0381915A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 複合超電導体の製造方法 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115456A patent/JPS609012A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235308A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-22 | 古河電気工業株式会社 | 化合物超電導線の製造方法 |
| JPH0464124B2 (ja) * | 1984-05-07 | 1992-10-14 | Furukawa Electric Co Ltd | |
| JPH0381915A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 複合超電導体の製造方法 |
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