JPS6079707A - アルミニウム電解コンデンサ - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6079707A JPS6079707A JP58186030A JP18603083A JPS6079707A JP S6079707 A JPS6079707 A JP S6079707A JP 58186030 A JP58186030 A JP 58186030A JP 18603083 A JP18603083 A JP 18603083A JP S6079707 A JPS6079707 A JP S6079707A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- etching
- aluminum
- ions
- electrolytic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 17
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-L Oxalate Chemical compound [O-]C(=O)C([O-])=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 8
- 229940039748 oxalate Drugs 0.000 description 7
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 2
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- JTEJPPKMYBDEMY-UHFFFAOYSA-N 5-methoxytryptamine Chemical compound COC1=CC=C2NC=C(CCN)C2=C1 JTEJPPKMYBDEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006629 SLC13A2 Proteins 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- IRXRGVFLQOSHOH-UHFFFAOYSA-L dipotassium;oxalate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)C([O-])=O IRXRGVFLQOSHOH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940085991 phosphate ion Drugs 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- ZNCPFRVNHGOPAG-UHFFFAOYSA-L sodium oxalate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)C([O-])=O ZNCPFRVNHGOPAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940039790 sodium oxalate Drugs 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
- C25D11/08—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing inorganic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/04—Etching of light metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)
- Engine Equipment That Uses Special Cycles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はアルミニウム電解コンデンサに関するものであ
る。
る。
(従来例の構成とその問題点)
従来のこの種のアルミニウム電解コンデンサは通常塩素
イオンを含む電解液中で電解エツチングを行ない実効表
面積を拡大したアルミニウム箔と絶縁紙とを巻回し、駆
動用電解液を含浸して構成している。
イオンを含む電解液中で電解エツチングを行ない実効表
面積を拡大したアルミニウム箔と絶縁紙とを巻回し、駆
動用電解液を含浸して構成している。
電解エツチングによる電極箔の表面積拡大作用は、多数
の要因、例えばエツチング電流波形、電流密度、エノチ
ンダ液の種類、濃度、温度、そして添加剤の種類及び濃
度さらにエツチング前処理、中間処理、後処理、アルミ
生箔の種類等により影響を受ける。
の要因、例えばエツチング電流波形、電流密度、エノチ
ンダ液の種類、濃度、温度、そして添加剤の種類及び濃
度さらにエツチング前処理、中間処理、後処理、アルミ
生箔の種類等により影響を受ける。
その中で電流波形に関する検討も以前から行なわれてお
り、通常直流、交流、・ぐルス電流が工業的に使用され
ている。
り、通常直流、交流、・ぐルス電流が工業的に使用され
ている。
・ぐルス電流波形を利用するエツチング法も種々検討さ
れており、塩素イオンを含む電解液中でパルス電流波形
を用いる方法としては、英国特許1.169,234、
公開特許公報昭57−132322号等が知られている
。
れており、塩素イオンを含む電解液中でパルス電流波形
を用いる方法としては、英国特許1.169,234、
公開特許公報昭57−132322号等が知られている
。
又塩素イオンと添加剤としてクロム酸イオンを含む電解
液中でパルス電流波形を用いてエツチングを行なう方法
としては、特公昭55−36280号が知られている。
液中でパルス電流波形を用いてエツチングを行なう方法
としては、特公昭55−36280号が知られている。
特公昭55−36 ’280号にあるクロム酸イオンを
添加する方法では、エツチング廃液が人体に有害である
上、廃水中の濃度が0.05’PPm以下と規制され還
元−水酸化物沈殿法やイオン交換法による1発液の無公
害化処理に、手間と時間がかかり、危険を伴ないかつコ
ストアップになるという欠点があった。
添加する方法では、エツチング廃液が人体に有害である
上、廃水中の濃度が0.05’PPm以下と規制され還
元−水酸化物沈殿法やイオン交換法による1発液の無公
害化処理に、手間と時間がかかり、危険を伴ないかつコ
ストアップになるという欠点があった。
この方法では、酸化皮膜生成作用の強いクロム酸イオン
を使用しているため、最初に生じたl昌蝕孔以外の部分
は皮膜で採掘され、新たな腐蝕孔を作りにくく最初に生
じた腐蝕孔のみがアルミ箔内部に深く進行する。その結
果腐蝕孔の深さが100μ〜150μになり厚み150
μ以下のアルミニウム箔については、アルミニウム箔の
耐折強度が弱くなり工業化に向かなかった。
を使用しているため、最初に生じたl昌蝕孔以外の部分
は皮膜で採掘され、新たな腐蝕孔を作りにくく最初に生
じた腐蝕孔のみがアルミ箔内部に深く進行する。その結
果腐蝕孔の深さが100μ〜150μになり厚み150
μ以下のアルミニウム箔については、アルミニウム箔の
耐折強度が弱くなり工業化に向かなかった。
又、使用する電流密度が0.5 A/an2以下であり
、生産性を上げるために、電流密度を上げようとすると
、エツチング形状が不均一になり、表面拡大率が低下し
、エツチング時開を短縮できず、生産性向上に限界があ
るという欠点もあった。
、生産性を上げるために、電流密度を上げようとすると
、エツチング形状が不均一になり、表面拡大率が低下し
、エツチング時開を短縮できず、生産性向上に限界があ
るという欠点もあった。
(発明の目的)
本発明は、このような従来の欠点を解決しようとするも
のであり、各種の要因を組合せ検討すること&Cより、
従来よりも高倍率の表面拡大率で、しかも安全に低コス
トで得られるアルミニウムエツチング箔を用いたアルミ
電解コンデンサを提供することを目的とするものである
。
のであり、各種の要因を組合せ検討すること&Cより、
従来よりも高倍率の表面拡大率で、しかも安全に低コス
トで得られるアルミニウムエツチング箔を用いたアルミ
電解コンデンサを提供することを目的とするものである
。
(発明の構成)
この目的を達成するために、本発明は塩素イオン濃度1
.0 mot、/ l〜4.5 mol / lおよび
硫酸イオンもしくは蓚酸イオン0.1 mo、L /
A’〜Imot/lを含む液温50℃〜100℃の電解
液中において、アルミニウム箔を陽極として、対極との
間に周波n 5 Hz 〜100 Hz 、デユーティ
−比40%〜95%の電流密度IA〜5 A/CTn”
ルス電流を印加し、表面に酸化皮膜を形成しながら、同
時にアルミニウム箔をエツチングするというものである
。
.0 mot、/ l〜4.5 mol / lおよび
硫酸イオンもしくは蓚酸イオン0.1 mo、L /
A’〜Imot/lを含む液温50℃〜100℃の電解
液中において、アルミニウム箔を陽極として、対極との
間に周波n 5 Hz 〜100 Hz 、デユーティ
−比40%〜95%の電流密度IA〜5 A/CTn”
ルス電流を印加し、表面に酸化皮膜を形成しながら、同
時にアルミニウム箔をエツチングするというものである
。
この構成により公害上有害なりロム酸イオンを含まない
電解液を用い、蓚酸イオンあるいは硫酸イオンの添加剤
を添加し、表面に酸化皮膜を形成する事により、・Pル
ス電流の効果を従来より高める事ができるため、従来法
によるエツチング箔よりも高倍率の電極箔を得ることが
できる。
電解液を用い、蓚酸イオンあるいは硫酸イオンの添加剤
を添加し、表面に酸化皮膜を形成する事により、・Pル
ス電流の効果を従来より高める事ができるため、従来法
によるエツチング箔よりも高倍率の電極箔を得ることが
できる。
(実施例の説明)
以下に本発明の実施例について説明する。
本発明者等は、まず前述した特公昭55−36280号
に記載されているクロム酸イオン以外に効果のめる添加
剤を見出す事を目標として検討を開始したO 種々の薬品を検討した結果、酸化皮膜形成作用のある薬
品の中で硫酸イオンと蓚酸イオンが添加剤として有望で
ある事を見出した。(実施例1参照) 次に従来例よりも高い電流密度を高倍率が得られるエツ
チング条件の検問に着手した。
に記載されているクロム酸イオン以外に効果のめる添加
剤を見出す事を目標として検討を開始したO 種々の薬品を検討した結果、酸化皮膜形成作用のある薬
品の中で硫酸イオンと蓚酸イオンが添加剤として有望で
ある事を見出した。(実施例1参照) 次に従来例よりも高い電流密度を高倍率が得られるエツ
チング条件の検問に着手した。
なぜなら、高い電流密度を用いる事により、単位面槓当
りのエツチング時間の短縮が可能になり、生産性の向上
ができるからである。
りのエツチング時間の短縮が可能になり、生産性の向上
ができるからである。
その為に、本発明者等は、従来条件よりも塩素イオン濃
度を増加させて行き、電解液と電極箔との界面付近での
塩素イオン濃度の安定化を図った。
度を増加させて行き、電解液と電極箔との界面付近での
塩素イオン濃度の安定化を図った。
その結果、従来の1.5倍以上の電流密度で工、。
チングを行っても、電解エツチングが均一に進行して高
い表面倍率が短時間で得られる条件を見出す事ができた
。(実施例2参照) これらの検討により、硫酸イオンもしくは蓚酸イオンを
添加した塩素イオンを含む水溶液を電解液として用い、
・ξルス電流を用いる事により従来よりも高い電流密度
で、高い表面拡大率を得ることができた。
い表面倍率が短時間で得られる条件を見出す事ができた
。(実施例2参照) これらの検討により、硫酸イオンもしくは蓚酸イオンを
添加した塩素イオンを含む水溶液を電解液として用い、
・ξルス電流を用いる事により従来よりも高い電流密度
で、高い表面拡大率を得ることができた。
次に具体的な実施事例について記載する。
実施例1
第1図に添加剤について検討した際のデータを記載する
。添加剤としては(11硫酸イオン、(2)蓚酸イオン
、(3)リン酸イオン、(4)硝酸イオンのそれぞれの
ナトリウム塩を添加し、電解エツチングを行ない、表面
拡大率を調べた。(表面拡大率とは50V化成時におけ
るエツチング後の静電容量とエツチング前の静電容量と
の比である〕エツチング条件: 電解液: NaC1: 0.2 m’ot/ l、液温:90℃、
電流密度:0、2 A/crn2 電流波形: 周波数50Hz、デー−ティ比(通電時間/通電時間十
断電時間)80チのノ9ルス波形、エツチング時間5分 本例でも明らかなように、硫酸イオンと蓚酸イオンで高
倍率が得られている事がわかる。
。添加剤としては(11硫酸イオン、(2)蓚酸イオン
、(3)リン酸イオン、(4)硝酸イオンのそれぞれの
ナトリウム塩を添加し、電解エツチングを行ない、表面
拡大率を調べた。(表面拡大率とは50V化成時におけ
るエツチング後の静電容量とエツチング前の静電容量と
の比である〕エツチング条件: 電解液: NaC1: 0.2 m’ot/ l、液温:90℃、
電流密度:0、2 A/crn2 電流波形: 周波数50Hz、デー−ティ比(通電時間/通電時間十
断電時間)80チのノ9ルス波形、エツチング時間5分 本例でも明らかなように、硫酸イオンと蓚酸イオンで高
倍率が得られている事がわかる。
その理由は、両者ともアルマイト皮膜作成に利用される
薬品であり、アルマイト皮膜がエツチングの進行に好影
響を与えると考えられる。
薬品であり、アルマイト皮膜がエツチングの進行に好影
響を与えると考えられる。
実施例2
塩素イオン濃度と電流密度との間係についての調査結果
を第2図に示す。
を第2図に示す。
電解液二NaC1水溶液、添加剤: Na25o40.
.2mol / l 、温度:90℃、電流波形二層波
数50Hz 、デユーティ比80チのパルス電流。
.2mol / l 、温度:90℃、電流波形二層波
数50Hz 、デユーティ比80チのパルス電流。
エツチングの際、溶解載置は電気量によって決定される
ので、エツチング時間は通電電気量が60クーロン/6
n2になるよう定めた。
ので、エツチング時間は通電電気量が60クーロン/6
n2になるよう定めた。
グラフでも明らかなように、塩素イオン濃度が増加する
と、電流密度が高い方が表面拡大率が高い。即ち、塩素
イオン濃度と電流密度との間には、交互作用が存在する
事が見出さ゛れた。
と、電流密度が高い方が表面拡大率が高い。即ち、塩素
イオン濃度と電流密度との間には、交互作用が存在する
事が見出さ゛れた。
よって塩素イオン濃度を従来より増加させる事により、
高い電流密度でも、高い表面拡大率が得られ、生産性向
上が得られた〇 実施例3 実施例1および実施例2で得られた条件について従来の
エツチング条件と表面拡大率を比較検削を行った。その
結果を第3図に示す。
高い電流密度でも、高い表面拡大率が得られ、生産性向
上が得られた〇 実施例3 実施例1および実施例2で得られた条件について従来の
エツチング条件と表面拡大率を比較検削を行った。その
結果を第3図に示す。
従来例とは特公昭55−36280号に基く方法である
。
。
従来例
エツチング液 NacL O,] mol / l添加
剤 CrO30,1mot/l 液温 90℃ 電流波形 デユーティ比 80%2周波数50Hz本発
明例として実施した条件は下記の通りである。
剤 CrO30,1mot/l 液温 90℃ 電流波形 デユーティ比 80%2周波数50Hz本発
明例として実施した条件は下記の通りである。
エツチング液 NaC11mol/11添加剤 (1)
Na25o4o、 、2 mot/ 1(2) Na
2C204o、 2 mot/ l液温・電流波形は従
来例と同じ。
Na25o4o、 、2 mot/ 1(2) Na
2C204o、 2 mot/ l液温・電流波形は従
来例と同じ。
(エツチング時間は通電電気量が60クーロン/Cr’
12になるように定めた。) 第3図で明らかなように、パルス電流波形を基本として
、他の要因として塩素イオン濃度、添加剤の種類及び濃
度、電流密度を検討する事により、従来よりも高い電流
密度で、高い表面拡大率を得る条件の組合せを得た。
12になるように定めた。) 第3図で明らかなように、パルス電流波形を基本として
、他の要因として塩素イオン濃度、添加剤の種類及び濃
度、電流密度を検討する事により、従来よりも高い電流
密度で、高い表面拡大率を得る条件の組合せを得た。
実施例4
従来例1として電解液としてNaCL2 mol/l水
溶液を利用し、IA/cm2の直流を加え90℃で1分
間電解エツチングを行った。
溶液を利用し、IA/cm2の直流を加え90℃で1分
間電解エツチングを行った。
従来例2としてNaCL2 mot/IJ Na25o
4o、 5 mot/l水溶液中でIA/an2の直流
を加え、90℃で1分間エツチングを行った。
4o、 5 mot/l水溶液中でIA/an2の直流
を加え、90℃で1分間エツチングを行った。
従来例3としてNaC42mO4/l、水溶液中でIA
/crn2(平均値〕の・ぞルス電流(デユーティ比8
0%、周波敬100 Hz )を加え90℃で1分間エ
ツチングを行っ1こ。
/crn2(平均値〕の・ぞルス電流(デユーティ比8
0%、周波敬100 Hz )を加え90℃で1分間エ
ツチングを行っ1こ。
次に本発明例としてNaCL 2 mat−/l、 N
a2SO40、5mot/ l水溶液中でl A/cT
n2(平均値)の・!ルス電流(デーーティ比80%9
周波数10011z)を加え90℃で1分間エツチング
を行った。
a2SO40、5mot/ l水溶液中でl A/cT
n2(平均値)の・!ルス電流(デーーティ比80%9
周波数10011z)を加え90℃で1分間エツチング
を行った。
このようにして行った4種類の電極箔の表面積拡大率と
、従来例1に対する増加率を表に示す。
、従来例1に対する増加率を表に示す。
表
(従来例3は公開公報昭57−132322号の方法)
例1と例2との比較をすれば直流電流の場合電解液中の
塩素イオンに硫酸イオンを加える事により20%の表面
積拡大率の増加が得られる事がわかる。この事実は公知
であり、その理由としては、硫酸イオンの添加により、
エツチング界面付近の塩素イオン濃度に勾配を生じ、腐
蝕速度に変化が生じる。その結果表面にミクロな凹凸が
生じ、これが、表面拡大率に役立つためと考えられる。
例1と例2との比較をすれば直流電流の場合電解液中の
塩素イオンに硫酸イオンを加える事により20%の表面
積拡大率の増加が得られる事がわかる。この事実は公知
であり、その理由としては、硫酸イオンの添加により、
エツチング界面付近の塩素イオン濃度に勾配を生じ、腐
蝕速度に変化が生じる。その結果表面にミクロな凹凸が
生じ、これが、表面拡大率に役立つためと考えられる。
又従来例1と従来例3とを比較すれば、直流からパルス
電流にする事によシ20チの表面積拡大率の増加が得ら
れた。この理由はieルス電流の断電時に、通電時に生
じた腐蝕孔中の水素等のガスや腐蝕生成物が掃き出され
、新しい電解液が孔の中に入り通電時に電解エツチング
が均一に進むためと思われる。
電流にする事によシ20チの表面積拡大率の増加が得ら
れた。この理由はieルス電流の断電時に、通電時に生
じた腐蝕孔中の水素等のガスや腐蝕生成物が掃き出され
、新しい電解液が孔の中に入り通電時に電解エツチング
が均一に進むためと思われる。
さらに本実施例において、塩素イオンに硫酸イオンを加
えた電解液を利用し、パルス電流を加えた所、従来例1
〜3から予想される効果よりもはるかに高い140係の
表面積拡大率の増加が得られた。この事実は、硫酸イオ
ンの添加効果が直流よりも・やルス電流の方がはるかに
高いという事を示し、パルス電流の効果は硫酸イオンを
添加した電解液を利用する事により一層高める事ができ
る事を示している。
えた電解液を利用し、パルス電流を加えた所、従来例1
〜3から予想される効果よりもはるかに高い140係の
表面積拡大率の増加が得られた。この事実は、硫酸イオ
ンの添加効果が直流よりも・やルス電流の方がはるかに
高いという事を示し、パルス電流の効果は硫酸イオンを
添加した電解液を利用する事により一層高める事ができ
る事を示している。
その理由は、・ぐルス電流は通電と断電とのくり返しで
あり、電解液中に皮膜生成作用を有する(jtE酸イオ
ンもしくは蓚酸イオンを加えると、断電時には塩素イオ
ンの攻撃をうけないので、断電時にアルミニウム箔表面
に均一に皮膜を形成する事ができるからである。
あり、電解液中に皮膜生成作用を有する(jtE酸イオ
ンもしくは蓚酸イオンを加えると、断電時には塩素イオ
ンの攻撃をうけないので、断電時にアルミニウム箔表面
に均一に皮膜を形成する事ができるからである。
この事により、溶解と皮膜生成とが断続的にくり返され
る。その結果エツチングが進行、して腐蝕孔が深く、細
くなっても、皮膜で表面がおおわれているため、腐蝕孔
がくずれに<<、深い腐蝕孔が得られ、表面積拡大に好
影響をもたらすからであると考えられる。
る。その結果エツチングが進行、して腐蝕孔が深く、細
くなっても、皮膜で表面がおおわれているため、腐蝕孔
がくずれに<<、深い腐蝕孔が得られ、表面積拡大に好
影響をもたらすからであると考えられる。
なお本発明例では塩素イオンを含む物質として食塩を利
用したが、塩酸でも同様の効果が得られる。添加剤とし
ては硫酸ナトリウムを利用したが、蓚酸ナトリウム、硫
酸カリウム、蓚酸カリウムでも同様の効果が得られる。
用したが、塩酸でも同様の効果が得られる。添加剤とし
ては硫酸ナトリウムを利用したが、蓚酸ナトリウム、硫
酸カリウム、蓚酸カリウムでも同様の効果が得られる。
(発明の効果)
以上のように、塩素イオン及び酸化皮膜形成作用をもつ
硫酸イオンもしくは蓚酸イオンの陰イオンを含んだ電解
液中で、パルス電流を加える事に°より、従来の方法に
比べて、安全にかつ短時間で高倍率電極箔が得られるエ
ツチング条件の組合せを琴、出12、アルミニウム雷角
¥コンデンサ用冨&箔の安定生産と生産性向上によるコ
ストダウンVS得られた。
硫酸イオンもしくは蓚酸イオンの陰イオンを含んだ電解
液中で、パルス電流を加える事に°より、従来の方法に
比べて、安全にかつ短時間で高倍率電極箔が得られるエ
ツチング条件の組合せを琴、出12、アルミニウム雷角
¥コンデンサ用冨&箔の安定生産と生産性向上によるコ
ストダウンVS得られた。
これによりアルミニウム電解コンデンサのコストダウン
が得られるという効果が得られる。
が得られるという効果が得られる。
第1図は添加剤の種類および濃度と倍率との関係を示す
。第2図は、塩素イオン濃度、電流密度と倍率との関係
を示す。第3図は従来例と本発明例との電流密度の差を
示すグラフである。 特許出願人 松下電器産業株式会社−1−9代 理 人
星 野 恒 司
。第2図は、塩素イオン濃度、電流密度と倍率との関係
を示す。第3図は従来例と本発明例との電流密度の差を
示すグラフである。 特許出願人 松下電器産業株式会社−1−9代 理 人
星 野 恒 司
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 m 塩素イオンを含む液温50℃〜1oo℃の水溶液に
アルミニウム表面に酸化皮膜形成作用のある陰イオンを
添加し、アルミニウム箔と対極との間にアルミニウム箔
を陽極として、パルス電流(周波数5 Hz 〜100
Hz 、デユーティ−比40%〜95%)を通電して
表面に酸化皮膜を形成しながら同時にアルミニウム箔を
電解エツチングしたアルミニウム箔を陽極箔として用い
た事を特徴とするアルミニウム電解コンデンサ。 (2)酸化皮膜形成作用のある陰イオンとして、硫酸イ
オンもしくは、蓚酸イオンを添加する事を特徴とする特
許請求の範囲第(1)項記載のアルミニウム電解コンデ
ンサ。 (3)陰イオン濃度が0.1 mol / 71〜]
mol / /である事を特徴とする特許請求の範囲第
(2)項記載のアルミニウム電解コンデンサ。 (4)塩素イオン濃度1.0 mot/ /〜4.5
mob /4、電流密度1〜5A/crn2である事を
特徴とする特許請求の範囲第(3)項記載のアルミニウ
ム電解コンデンサ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58186030A JPS6079707A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | アルミニウム電解コンデンサ |
EP84903664A EP0165318B1 (en) | 1983-10-06 | 1984-10-05 | Process for producing anode foil for use in electrolytic aluminum capacitor |
US06/744,489 US4671858A (en) | 1983-10-06 | 1984-10-05 | Method for making anode foil for an aluminum electrolytic capacitor |
DE8484903664T DE3481567D1 (de) | 1983-10-06 | 1984-10-05 | Verfahren zur herstellung einer anodenfolie zur verwendung in einem elektrolytischen kondensator aus aluminium. |
PCT/JP1984/000472 WO1985001612A1 (en) | 1983-10-06 | 1984-10-05 | Process for producing anode foil for use in electrolytic aluminum capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58186030A JPS6079707A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | アルミニウム電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6079707A true JPS6079707A (ja) | 1985-05-07 |
JPS6352448B2 JPS6352448B2 (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=16181162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58186030A Granted JPS6079707A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | アルミニウム電解コンデンサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4671858A (ja) |
EP (1) | EP0165318B1 (ja) |
JP (1) | JPS6079707A (ja) |
DE (1) | DE3481567D1 (ja) |
WO (1) | WO1985001612A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61242010A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | スプラグ・エレクトリツク・カンパニ− | コンデンサ−用アルミニウム箔のエツチング法 |
JP2009170550A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nippon Steel Corp | 酸化物超伝導マグネット及びその製造方法、並びに冷却方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3911814A1 (de) * | 1989-04-11 | 1990-10-18 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen einer aufgerauhten aluminiumfolie |
DE3914000C2 (de) * | 1989-04-27 | 1994-04-14 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer aufgerauhten Aluminiumfolie |
JPH0427852U (ja) * | 1990-06-28 | 1992-03-05 | ||
FR2672157B1 (fr) * | 1990-12-05 | 1993-05-28 | Telemecanique | Procede et dispositif pour la fabrication de silicium poreux. |
JPH0568346U (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-17 | シロキ工業株式会社 | リクライニング装置 |
US5715133A (en) * | 1995-06-21 | 1998-02-03 | Philips Electronics North America Corporation | Method of producing aluminum foil for electrolytic capacitors and product thereof |
KR100361643B1 (ko) * | 2000-01-13 | 2002-11-21 | 한국과학기술원 | 고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 |
US7737066B2 (en) * | 2001-05-15 | 2010-06-15 | Showa Denko K.K. | Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body |
US6802954B1 (en) * | 2002-07-18 | 2004-10-12 | Pacesetter, Inc. | Creation of porous anode foil by means of an electrochemical drilling process |
US7428899B2 (en) | 2004-10-14 | 2008-09-30 | Kee Action Sports I Llc | Device for storing projectile balls and feeding them into the projectile chamber of a gun |
US20070017495A1 (en) | 2004-10-14 | 2007-01-25 | Heddies Andresen | Procedure and device for feeding balls into the projectile chamber of a handgun |
US7385802B1 (en) * | 2005-10-05 | 2008-06-10 | Pacesetter Inc. | Electrolytic capacitor |
US8251050B2 (en) | 2005-10-11 | 2012-08-28 | Kee Action Sports I Llc | Magnetic drive bypass system for paintball loader |
CN1848322B (zh) * | 2006-03-17 | 2010-06-30 | 北京科技大学 | 一种可控高压阳极铝箔隧道孔长度的腐蚀方法 |
JP1595451S (ja) * | 2017-06-20 | 2018-01-22 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51142442A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-08 | Fujitsu Ltd | Method of producing porous anodic elements of aluminum |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1564486A1 (de) * | 1951-01-28 | 1970-03-19 | Paehr Dr Hans Werner | Verfahren zum Vergroessern der wirksamen Oberflaeche von Aluminiumelektroden oder -folien fuer Elektrolytkondensatoren |
GB715525A (en) * | 1951-06-19 | 1954-09-15 | British Dielectric Res Ltd | Improvements in or relating to electrolytic capacitors |
FR1187532A (fr) * | 1956-12-08 | 1959-09-11 | Aluminium Walzwerke Singen | Procédé de gravure électrolytique de surfaces d'aluminium |
GB902827A (en) * | 1959-02-20 | 1962-08-09 | British Aluminium Co Ltd | Improvements in or relating to the treatment of aluminium |
NL282834A (ja) * | 1961-09-15 | |||
GB966627A (en) * | 1962-04-09 | 1964-08-12 | British Dielectric Res Ltd | Improvements in or relating to the electrolytic etching of anodisable metal foil |
JPS5194438A (ja) * | 1975-02-17 | 1976-08-19 | ||
US4140599A (en) * | 1975-06-04 | 1979-02-20 | Fujitsu Limited | Process for producing porous aluminum anode element |
US4276129A (en) * | 1980-06-25 | 1981-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing foil electrodes for electrolytic capacitor |
NL8006998A (nl) * | 1980-12-23 | 1982-07-16 | Philips Nv | Aluminiumfolie voor elektrolytische kondensatoren. |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP58186030A patent/JPS6079707A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-05 WO PCT/JP1984/000472 patent/WO1985001612A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1984-10-05 EP EP84903664A patent/EP0165318B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-05 DE DE8484903664T patent/DE3481567D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-05 US US06/744,489 patent/US4671858A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51142442A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-08 | Fujitsu Ltd | Method of producing porous anodic elements of aluminum |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61242010A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | スプラグ・エレクトリツク・カンパニ− | コンデンサ−用アルミニウム箔のエツチング法 |
JP2009170550A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nippon Steel Corp | 酸化物超伝導マグネット及びその製造方法、並びに冷却方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0165318A4 (en) | 1987-07-13 |
WO1985001612A1 (en) | 1985-04-11 |
US4671858A (en) | 1987-06-09 |
JPS6352448B2 (ja) | 1988-10-19 |
EP0165318A1 (en) | 1985-12-27 |
EP0165318B1 (en) | 1990-03-07 |
DE3481567D1 (de) | 1990-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6079707A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ | |
CA1072735A (en) | Process for producing an aluminum electrolytic capacitor having a stable oxide film | |
US4481084A (en) | Anodization of aluminum electrolyte capacitor foil | |
JPS6134187A (ja) | 高圧電解コンデンサ用のアルミニウム陽極箔のエッチング方法 | |
KR840004463A (ko) | 우수한 인산염 피복특성을 갖는 강판 제조방법 | |
EP0048988B1 (en) | Method for forming decorative colored streak patterns on the surface of an aluminum shaped article | |
US3733291A (en) | Formation process for producing dielectric aluminum oxide films | |
US4741812A (en) | Method for etching electrode foil aluminum electrolytic capacitors | |
US3297555A (en) | Etching of tantalum and columbium foils | |
RU2001126522A (ru) | Жидкая композиция электролита и способ получения покрытия из этого электролита | |
JP3269818B2 (ja) | 表面粗化銅とその製造方法、及びそれを用いたプリント基板 | |
JPS6357935B2 (ja) | ||
JPS6081817A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 | |
JPS6065517A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
JPH07235456A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
JP2692107B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
JPS60169131A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
JPH0266925A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエッチング方法 | |
JPS6398116A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 | |
JP3460418B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
US3413205A (en) | Electrolytic etching of capacitor metal | |
JPH0365010B2 (ja) | ||
SU833421A1 (ru) | Электролит дл электрохимическойОбРАбОТКи | |
JPS60170928A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
JPH0561769B2 (ja) |