JPS607825B2 - メモリ−システム - Google Patents

メモリ−システム

Info

Publication number
JPS607825B2
JPS607825B2 JP1093178A JP1093178A JPS607825B2 JP S607825 B2 JPS607825 B2 JP S607825B2 JP 1093178 A JP1093178 A JP 1093178A JP 1093178 A JP1093178 A JP 1093178A JP S607825 B2 JPS607825 B2 JP S607825B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
register
data
memory
address
decoder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1093178A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS54104246A (en
Inventor
幸夫 北川
由明 森谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP1093178A priority Critical patent/JPS607825B2/ja
Publication of JPS54104246A publication Critical patent/JPS54104246A/ja
Publication of JPS607825B2 publication Critical patent/JPS607825B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10Decoders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアドレスデータを蓄わえたレジスタからメモリ
ー(記憶装置)のアドレス指定を行なうメモリーシステ
ムに関するものである。
従来、メモリー内の一領域をアクセスする場合、2つの
方式がある。
第1の方式は、アクセスするメモリーのアドレス(番地
)を外部より直接メモリー内に入力し、メモリー内のデ
コーダを通して指定されたメモリーのアドレスをアクセ
スする方式がある。第2の方式は、レジス外こアクセス
するメモリーのアドレスを格納しておき、その内容をデ
コーダを通して指定されたメモリーのアドレスをアクセ
スする方式である。第1図は上記第2の方式によるメモ
リーシステムを示し、1はメモリーセルアレイ、2はセ
レクト信号でデータバス3からアドレスデータを取込む
レジスタ、4はデコーダ、5はセレクト信号と講出し・
書込み信号R/Wでセルアレィ1からデータをバス3に
議出したり、セルアレィ1にデータを書込んだりするた
めのゲート回路である。
この方式の欠点は、割込み命令時にレジスタ2内のデー
タを補助レジスタとかスタツクに退避させる更成であっ
たため、該補助レジスタとかスタツクが高価となり、ま
たデータを退避させたり戻したりするステップをプログ
ラムに付加しなければならないため、プログラムステッ
プ数が増加する等の問題があった。本発明は上記事情に
鑑みてなされたもので、メモリー(もしくはメモリーセ
ルアレイ)自体を上記補助レジスタとかスタツクの代り
に使用できる構成とすることにより、コストの低減化及
びプログラムステップの簡略化がはかれるメモリーシス
テムを提供しようとするものである。
以下第2図を参照して本発明の一実施例を説明する。
なお本実施例はMOS集積回路でシステムを実現した場
合の例である。図において11は例えば演算データを記
憶しておくためのメモリーセルアレィで、このメモリー
セルアレイ11は例えばRAM(ランダム・アクセス・
メモリー)で実現される。12はデータバス13に接続
される議出し・書込み可能なしジスタで、このレジスタ
12は、例えばCPU(中央処理装置)側からの選択信
号S,で駆動されかつ読出し・書込み信号R/Wで動作
モードが指定される。
デコーダ14はしジスタ12に格納されたアドレス内容
をデコードしメモリーセルアレイ(以下単にメモリーと
云う)11のアドレス指定を行なう。デコーダ14はフ
リツプフロツプ15からの信号とCPU側からの選択信
号S2とが共に所定レベルにある時のみメモリー11の
アドレス指定を行なう。レジスタ16はデータバス11
3に接続されるもう一つのレジスタで、このレジスタ1
6はCPU側からの選択信号S3で駆動されるとデータ
の書込みを行なう。このレジスタ16のビット長はしジ
スタ12のそれと同じでよい。デコーダ17はしジスタ
16に格納されたアドレス内容をデコードし、メモリー
11のアドレス指定を行なう。このデコーダ17はフリ
ップフロツプ15からの信号とCPU側からの選択信号
S2とが共に所定レベルにある時にのみメモリー11の
アドレス指定を行なう。つまりメモリー11はデコーダ
14側からでもデコーダー7側からでもアドレス指定さ
れるものである。フリップフロップ15は、信号S3に
よりセット状態となってデコーダー7を選択し、信号S
2を遅延回路18で少し遅らせた信号でリセット状態と
なってデコーダー4を選択する。メモリー11のデータ
入出力端とバス13との間にはゲート回路19が設けら
れる。このゲート回路19は選択信号S2が与えられる
と、信号R/Wが議出しモード‘こあるか或いは書込み
モードにあるかに応じてデータの通過方向を選択してい
る。なおこの時信号R/Wはメモリー11の講出し/書
込みモードも選択する。次に上記のように構成されたメ
モリーシステムの動作を説明する。
まずデータ議出しの場合の説明を行なう。いまフリツプ
フロツプ15がリセツト状態でデコーダ14が選択され
ている場合、選択信号S,とR/Wの書込み信号でレジ
ス夕12にバス13からアドレスデータが格納される。
ここで選択信号S2とR/Wの論出し信号でデコーダ1
4を通してメモリー11内のアドレスが指定され、その
アドレス内のデータがゲート回路19を通してバス13
に出力される。この時デコーダ17はフリップフロップ
15で非能動状態とされているため、アクセスに関して
全く無視される。次にメモリー11にデータの書込みを
行なう場合には、信号S2でフリツプフロッブ15はリ
セット状態にありかつデコーダー4は能動状態にされる
から、レジスター2のアドレス内容に応じてメモリ11
のアドレス指定が行なわれる。またこの時上記信号S2
とR/Wの書込み信号でゲート回路19が開くから、バ
ス13のデータはメモリー11の指定された番地に書込
まれる。次にプログラムの途中で割込みがかかり、レジ
スター2内のデータを退避させる場合には、アドレスデ
ータをバス13にのせかつ選択信号S3によりレジスタ
16を能動状態とし、バス13のデータをレジスタ16
に書込む。
この時上記信号S3によりフリップフロップ15がセッ
ト状態に反転する。次に信号S2が供給されるとデコー
ダ17は能動状態となり、レジスター6内のデー外こ応
じたメモリー11のアドレス指定が行なわれる。なお前
記フリップフロップ15は上記信号S2が供給されても
、遅延回路13の動きで、一定時間セット状態を保って
いる。ここで選択信号S,が供給されるとき、R/Wが
議出しモードであるとすると、レジスタ12のアドレス
データはバス13に送出され、バス13に一時記憶され
る。なおこのデータの一時記憶は本システムがMOS集
積回路構成であることにより可能である。ここでデータ
が記憶されている間にR/Wが書込みモ−ド‘こ切換わ
り、選択信号S2が供給された時点でゲート回路19が
開くから、バス13で記憶されているレジスタ12から
のデータは、デコーダ17で指定されるメモリー11の
アドレスに記憶される。次にレジスタ12にもとあった
データを再びレジスタ12に戻すには、信号S3で、レ
ジスタ12に戻すべきデータが記憶されているメモリー
11のアドレス内容をバス13を介してレジス夕16に
書込む。
この時上記信号S3でフリップフロツプ15はセット状
態にあるから、信号S2が供されるとデコーダ17はフ
リッブフロップ15が遅延回路18を介してリセットさ
れるまでの間能動状態となり、レジスタ16の内容に応
じたメモリー11の番地指定が行なわれる。これにより
レジスター2に戻すべきデータは、ゲート回路19を介
してバス13に出力され、該バス13に一時記憶される
。なお上記信号S2によるフリップフロツブ1、5の切
換えは、メモリー11のデータがバス13に出力される
まで遅延回路18で遅延されるので、デコーダ17に動
作上の問題は生じない。次にR/Wを書込みモード‘こ
切換えて選択信号S,をレジスタ12に供給すると、バ
ス13に記憶されたデータはしジスタ12に格納される
。第2図の如き構成であれば、次のような利点が具備さ
れる。
即ちプログラム処理中に割込みがかかった場合のレジス
ター2のデータ退避にメモリー.1 1が使用できるの
で、従来のようにデータ退避用の補助レジスタとかスタ
ツクを別途設ける必要がないため、構成が簡単化される
。またレジスター2の内容を固定して通常は該内容に応
じたメモリー11のアドレス指定を行ない、途中で一時
アドレス内容を変更するような処理を行なう場合、レジ
スタ12内のデータをそのまま残しておき、一時レジス
タ16側からのアドレス指定に切換え、再びレジスタ1
2側に戻せば、該レジスター2には前のデータが残存し
たままであるから、前の処理を続行することができる。
この場合レジスタ12のデータをメモリー11に退避さ
せたり元にもどしたりする必要がないから、その分だけ
プログラムステップ数を減少させることができるもので
ある。なお本発明は上記実施例のみに限定されるもので
はなく、例えばメモリー11のアドレス指定の能動/非
能動の切換えを、デコーダ14,17側ではなく、レジ
スター2,16側で行なうようにしてもよい。
また上記実施例ではMOS集積回路構造としたため、バ
ス13にデータを一時記憶できたが、バィポーラ集積回
路で第2図の構成を実現した場合はバス13上にデータ
を一時記憶することが困難である。したがってこの場合
には、レジスタ12側のR/W線と、メモリー11及び
ゲート19側のR/W線とを共通とせず、レジスター2
のデータをメモリー11に退避する場合は上記しジスタ
12側のR/W線を議出しモードとしかつメモリー11
及びゲート19側のR/W線を書込みモードとすること
により、上記データ退避が可能となる。この退避データ
をレジスタ12に戻す場合は上記各R/W線の動作モー
ドを逆関係にすればよい。以上説明した如く本発明によ
れば、従来システムで必要としたデータ退避用の補助レ
ジスタとかスタックを省略できるのでコスト低減が可能
となり、また同じアドレス指定をしている際一時のみア
ドレス変更を行なうのにアドレスデータの退避を行なう
必要がないから、プログラムが簡単化されるメモリーシ
ステムが提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のメモリーシステムを示す構成図、第2図
は本発明の一実施例を示す構成図である。 11……メモリーセルアレイ、12,16……レジスタ
、13……データバス、14,17…・・・デコーダ、
15……フリツプフロツプ、19……ゲート回路。 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 データの読出し及び書込み可能なメモリーセルアレ
    イと、該セルアレイのアドレスを指定するための第1の
    レジスタ及び第1のデコーダと、前記セルアレイのアド
    レスを指定するための第2のレジスタ及び第2のデコー
    ダと、前記第2のレジスタにアドレスデータが書込まれ
    ると前記第2のレジスタと第2のデコーダを選択し、前
    記セルアレイを前記第2のレジスタと第2のデコーダに
    よりアクセスすると自動的に前記第1のレジスタと第1
    のデコーダを選択する手段と、前記第1及び第2のレジ
    スタに接続されるデータバスと、該バスと前記セルアレ
    イのデータ入出力端との間に設けられるゲート回路とを
    具備し、割込みに対し、前記第1のレジスタの内容を前
    記セルアレイの一領域に退避することを特徴とするメモ
    リーシステム。
JP1093178A 1978-02-02 1978-02-02 メモリ−システム Expired JPS607825B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1093178A JPS607825B2 (ja) 1978-02-02 1978-02-02 メモリ−システム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1093178A JPS607825B2 (ja) 1978-02-02 1978-02-02 メモリ−システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54104246A JPS54104246A (en) 1979-08-16
JPS607825B2 true JPS607825B2 (ja) 1985-02-27

Family

ID=11763968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1093178A Expired JPS607825B2 (ja) 1978-02-02 1978-02-02 メモリ−システム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS607825B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147333A (ja) * 1984-12-20 1986-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd レジスタセレクト回路
JPS629445A (ja) * 1985-07-05 1987-01-17 Fujitsu Ltd 外部レジスタの書込・読出制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54104246A (en) 1979-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7782683B2 (en) Multi-port memory device for buffering between hosts and non-volatile memory devices
US6625699B2 (en) Multi-port memory device with multiple modes of operation and improved expansion characteristics
US20040100823A1 (en) Mode selection in a flash memory device
JPH0612863A (ja) デュアルポートdram
JPH0472255B2 (ja)
US20020145920A1 (en) Semiconductor memory device
US6532529B1 (en) Microcomputer including flash memory overwritable during operation and operating method thereof
US4627035A (en) Switching circuit for memory devices
US5737566A (en) Data processing system having a memory with both a high speed operating mode and a low power operating mode and method therefor
JPS607825B2 (ja) メモリ−システム
US6266762B1 (en) Information processing apparatus
US5757698A (en) Nonvolatile semiconductor for reading data at a read request even during the writing of data
JP2001135083A (ja) マルチポートメモリ
JP3061835B2 (ja) メモリ回路
JPH05166391A (ja) メモリ装置
JPS5931154B2 (ja) 半導体記憶装置
JP2002319292A (ja) メモリ装置及びメモリ装置の読出方法
JPS62286143A (ja) 半導体記憶装置
JPH052529A (ja) フラツシユ・メモリのアクセス方法及びその回路
JPH0765586A (ja) Eepromアクセス方式
JPS62279597A (ja) 半導体記憶装置
JPS63142589A (ja) 半導体メモリ
JPH0391191A (ja) マルチポートメモリ
JPH08202617A (ja) メモリインターフェース回路およびマイクロプロセッサ システム
JPS6322397B2 (ja)