JPS607751A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS607751A JPS607751A JP58115565A JP11556583A JPS607751A JP S607751 A JPS607751 A JP S607751A JP 58115565 A JP58115565 A JP 58115565A JP 11556583 A JP11556583 A JP 11556583A JP S607751 A JPS607751 A JP S607751A
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- cap
- sealed
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a)発明の技術分野
本発明はガラス封止する密閉構造の半導体装置に係り、
特に気密性を高め、外部衝撃に耐えられるリードフレー
ム形状に関する。
特に気密性を高め、外部衝撃に耐えられるリードフレー
ム形状に関する。
(b) 技術の背景
通常高信頼性を要求される半導体装置は外部豚囲気例え
ば化学的、機械的ストレスを受けない気密封止構造とす
るのが一般的である。半導体チップを収容したセラミッ
ク容器等の封正にガラスを用いたザーデイツプ(Cer
−Dip)mがあり、コスト面の有利性から多用される
。
ば化学的、機械的ストレスを受けない気密封止構造とす
るのが一般的である。半導体チップを収容したセラミッ
ク容器等の封正にガラスを用いたザーデイツプ(Cer
−Dip)mがあり、コスト面の有利性から多用される
。
一般に外部からの化学的、機械的ストレスを半導体パッ
ケージによって緩和することを前提に半導体素子のデバ
イスデザインがなされており半導体パッケージの気密不
良は素子表面の劣化や配線パターン不良の原因となる。
ケージによって緩和することを前提に半導体素子のデバ
イスデザインがなされており半導体パッケージの気密不
良は素子表面の劣化や配線パターン不良の原因となる。
従って機械的ショック或いは熱ショックに対して十分耐
えられる構造とすることが望まれる。
えられる構造とすることが望まれる。
(C) 従来技術と問題点
第1図はサーディッグ型半導体装置を示す断面図、第2
図は第1図の上面一部を切欠いた半導体装置を示す平面
図である。
図は第1図の上面一部を切欠いた半導体装置を示す平面
図である。
第1図においてセラミック等の耐熱性絶縁相で形成され
るベース1の中火四部に半導体チップ2をマウントし半
導体チップ2の周辺に備えた信号線接続用パッドとリー
ドフレーム3をワイヤ4でボンデング接続する。ベース
1にセラミック又は金属のキャップ5をガラス封止して
カバーする。
るベース1の中火四部に半導体チップ2をマウントし半
導体チップ2の周辺に備えた信号線接続用パッドとリー
ドフレーム3をワイヤ4でボンデング接続する。ベース
1にセラミック又は金属のキャップ5をガラス封止して
カバーする。
予じめベース1及びキャップ5の制止部に低融点ガラス
6.7でコーテングを施し加熱によりぺ−ス1、リード
フレーム3、キャップ5を一体的に融着固定する。
6.7でコーテングを施し加熱によりぺ−ス1、リード
フレーム3、キャップ5を一体的に融着固定する。
半導体チップ2の高集積化に伴−収容する半導体パッケ
ージは大型化し接続用端子8のビン数が増大するにつれ
てガラス封止部の気泡の発生が問題となる。その具体例
を第2図に示す。
ージは大型化し接続用端子8のビン数が増大するにつれ
てガラス封止部の気泡の発生が問題となる。その具体例
を第2図に示す。
気泡8は外気と遮断され、その境界と十分間隔を保って
封止領域内部に閉じ込められるととが望ましい。近年半
導体パッケージの大型化が進むにつれて封止領域の広い
即ちリードフレーム3のリード長を長くした両端に顕著
に発生する。
封止領域内部に閉じ込められるととが望ましい。近年半
導体パッケージの大型化が進むにつれて封止領域の広い
即ちリードフレーム3のリード長を長くした両端に顕著
に発生する。
このためリードフレーム3の終端に突起3aを設は発生
する気泡8が外部に洩れないよう配慮しているが十分な
効果は期待できない。
する気泡8が外部に洩れないよう配慮しているが十分な
効果は期待できない。
か\る気泡の発生はベース1とキャップ5の重ね合せ時
大気が閉じ込みられたり、又はベース1化した半導体パ
ッケージでは加熱時の温度分布が不均一となレガ2スの
融解が不規則に進行することも気泡発生の一因とさfl
、ている。
大気が閉じ込みられたり、又はベース1化した半導体パ
ッケージでは加熱時の温度分布が不均一となレガ2スの
融解が不規則に進行することも気泡発生の一因とさfl
、ている。
気泡8はリードフレーム3のリード間に跨り外気との境
界に達するような大きな気泡となる場合即ち図示する外
気との間隔lが小ぢくなるにつれてリード端子に加わる
外部応力によりガラス封止部にクラックを止し半導体装
置の気密性が劣化し半浴体素子特性に影響を与え、また
外部@撃により破損し易くなる。
界に達するような大きな気泡となる場合即ち図示する外
気との間隔lが小ぢくなるにつれてリード端子に加わる
外部応力によりガラス封止部にクラックを止し半導体装
置の気密性が劣化し半浴体素子特性に影響を与え、また
外部@撃により破損し易くなる。
(d) 発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、カラス封止時に発生する気泡
を封止域内に閉じ込め得るリードフレーム形状を提供[
2、気密性の向上を計ることを目的とする。
を封止域内に閉じ込め得るリードフレーム形状を提供[
2、気密性の向上を計ることを目的とする。
(e〕 発明の構成
上記目的は本発明によれば半導体チップを搭載する基板
と蓋板との間に複数のリードを保持し1、該基板と該薔
板をガラスで接着して成り、ガラス封止の際に生ずる気
泡を勅jじ込め得るように、隣り合う該リードの間隔を
部分的に広けることにより達せられる。
と蓋板との間に複数のリードを保持し1、該基板と該薔
板をガラスで接着して成り、ガラス封止の際に生ずる気
泡を勅jじ込め得るように、隣り合う該リードの間隔を
部分的に広けることにより達せられる。
(f) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。
第3図は本発明の一実施例であるリードフレームのリー
ド間に気泡閉じ込め用空隙部を設けて構成する半導体装
置の平面図である。
ド間に気泡閉じ込め用空隙部を設けて構成する半導体装
置の平面図である。
図においてリードフレーム11のリード形1湾曲させて
、外気との境界より十分な間隔を保った封止領域に円形
状の空隙部12を形成する。
、外気との境界より十分な間隔を保った封止領域に円形
状の空隙部12を形成する。
この空隙部12け実装域を減少させない範囲で、大きく
とることが望ましい。この空隙部12に前述したガラス
封止時に発生する気泡13を強制的に閉じ込めるように
したものである。
とることが望ましい。この空隙部12に前述したガラス
封止時に発生する気泡13を強制的に閉じ込めるように
したものである。
空隙部12は外気との境面より十分距離を保っているか
ら気泡13の端面と外界との間隔lが大きくとれガラス
シール部を十分保つことができ所定の封止強度が維持で
きる。
ら気泡13の端面と外界との間隔lが大きくとれガラス
シール部を十分保つことができ所定の封止強度が維持で
きる。
このようなり−ド7レーム構造とすることにノこり半導
体パンケージの形状を変更することなくリードフレーム
形状を変更することにより対処でき気密性が向上する。
体パンケージの形状を変更することなくリードフレーム
形状を変更することにより対処でき気密性が向上する。
本実施例では略円形状の空隙部12としたがこれに限ら
れるものではなく空隙面接が大きくとれしかも外界との
間隔lが確保できればよいっ(9)発明の効果 以上詳細に説明したように本発明のリードフレーム形状
とすることにより気密性(ケ回上し、外部応力に耐えら
れる半導体装置が得られる。
れるものではなく空隙面接が大きくとれしかも外界との
間隔lが確保できればよいっ(9)発明の効果 以上詳細に説明したように本発明のリードフレーム形状
とすることにより気密性(ケ回上し、外部応力に耐えら
れる半導体装置が得られる。
第1図はサーティップ型半導体装置を示す断面図、第2
図は第1図の上面一部を切欠いた半導体装置を示す平面
図、第3図は本発明の一実施例であるリードフレームの
リード間に気泡閉じ込め用空隙部を設けて構成する半導
体装置の平面図であるO 図中1・・・ベース、2・・・半導体チップ、3.11
・・・リードフレーム、4・・・ワイヤ、5・・・キャ
ップ、6゜7・・・低融点ガラス、8.13・気泡、1
2・・・空隙部。
図は第1図の上面一部を切欠いた半導体装置を示す平面
図、第3図は本発明の一実施例であるリードフレームの
リード間に気泡閉じ込め用空隙部を設けて構成する半導
体装置の平面図であるO 図中1・・・ベース、2・・・半導体チップ、3.11
・・・リードフレーム、4・・・ワイヤ、5・・・キャ
ップ、6゜7・・・低融点ガラス、8.13・気泡、1
2・・・空隙部。
Claims (1)
- 半導体チップを搭載する基板と蓋板との間に複数のリー
ドを保持し、該基板と該蓋板をガラスで接着して成り、
ガラス封止の際に生ずる気泡を閉じ込め得るように、隣
り合う該リードの間隔を部分的に広げたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58115565A JPS607751A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58115565A JPS607751A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607751A true JPS607751A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14665693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58115565A Pending JPS607751A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607751A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62191528A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-08-21 | 中塚 善造 | 両面模様引箔原反の製造法 |
JPS62191527A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-08-21 | 中塚 善造 | 両面模様引箔原反 |
US5773879A (en) * | 1992-02-13 | 1998-06-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cu/Mo/Cu clad mounting for high frequency devices |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115565A patent/JPS607751A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62191528A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-08-21 | 中塚 善造 | 両面模様引箔原反の製造法 |
JPS62191527A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-08-21 | 中塚 善造 | 両面模様引箔原反 |
JPH0252014B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1990-11-09 | Zenzo Nakatsuka | |
JPH0314929B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1991-02-27 | Zenzo Nakatsuka | |
US5773879A (en) * | 1992-02-13 | 1998-06-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cu/Mo/Cu clad mounting for high frequency devices |
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