JPS6055624A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS6055624A JPS6055624A JP58163223A JP16322383A JPS6055624A JP S6055624 A JPS6055624 A JP S6055624A JP 58163223 A JP58163223 A JP 58163223A JP 16322383 A JP16322383 A JP 16322383A JP S6055624 A JPS6055624 A JP S6055624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- shutter
- light
- sor
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は牛導体集積回路の微細パターンを軟Ｘ線を用い
て転写形成するＸ線リングラフィに係り、特に軟Ｘ線光
源としてシンクロトロン軟道放射光（以下、ｓｏＲと称
す）を用いたＸ線露光装置に関するものである。
て転写形成するＸ線リングラフィに係り、特に軟Ｘ線光
源としてシンクロトロン軟道放射光（以下、ｓｏＲと称
す）を用いたＸ線露光装置に関するものである。
第１図はｓ ｏ ｉｔを用いたＸ線露光装置の概略図で
ある。この図において％ １は電子シンクロトロン、２
はシンクロトロン軌道放射光８０Ｒ，４はＸ線７２２％
５はＳ１ウエハなどの被露光試料、８はマスク・ウェハ
のアライメント光学系である。
ある。この図において％ １は電子シンクロトロン、２
はシンクロトロン軌道放射光８０Ｒ，４はＸ線７２２％
５はＳ１ウエハなどの被露光試料、８はマスク・ウェハ
のアライメント光学系である。
マスク・ウェハの相７ｊ位置合せはＸ線マスク４および
被露光試料５に形成されたアライメントマーク６および
７をアライメント光学系により光センサ９上に結像し、
両マーク間のずれ量を検出する方法で行なわれる。３は
ＳＯＲ用シャッタで従来、８０Ｒを完全に遮蔽する金属
材料で主に作られ、マスク魯ウェハのアライメント完了
後、Ｘ線マスク４上にＳＯＲを露光する。
被露光試料５に形成されたアライメントマーク６および
７をアライメント光学系により光センサ９上に結像し、
両マーク間のずれ量を検出する方法で行なわれる。３は
ＳＯＲ用シャッタで従来、８０Ｒを完全に遮蔽する金属
材料で主に作られ、マスク魯ウェハのアライメント完了
後、Ｘ線マスク４上にＳＯＲを露光する。
１０は前記アライメント光学系におけるマーク検出用の
光源である。従来はＩｃｅ−Ｎｅレーザや水銀灯等が使
用されているが１発熱が多いためうンプハウスの特別の
冷却系が必要なことや発光線中の熱線を除去するための
光学系の工夫が必要となる。これらの問題はアライメン
ト光学系を複雑にするとともに、マスク・ウェハのアラ
イメント精度を劣化させる原因となっていた。
光源である。従来はＩｃｅ−Ｎｅレーザや水銀灯等が使
用されているが１発熱が多いためうンプハウスの特別の
冷却系が必要なことや発光線中の熱線を除去するための
光学系の工夫が必要となる。これらの問題はアライメン
ト光学系を複雑にするとともに、マスク・ウェハのアラ
イメント精度を劣化させる原因となっていた。
本発明は上記従来技術の実情に鑑みてなされたもので、
その目的は、従来必要であったアライメントマーク検出
用の光源を不要として、構造が簡略なＸ線露光装置を提
供することにある。
その目的は、従来必要であったアライメントマーク検出
用の光源を不要として、構造が簡略なＸ線露光装置を提
供することにある。
上記目的を達成するために１本発明のＸ線露光装置の特
徴は、５ＯＲＫ営まれる高輝度の紫外〜可視領域の光を
マスク・ウェハアライメント用のマーク検出光として利
用することにあシ、上記光に対し高透過率の材料でＸ線
リングラフィに必要な軟Ｘ線波長領域の８０Ｒ，が容易
に遮蔽でき、かつ％ＳＯＲの前記波長領域の光がアライ
メントマーク検出に十分利用できるほど高輝度であるこ
とに着目した結果、発明できたものである。
徴は、５ＯＲＫ営まれる高輝度の紫外〜可視領域の光を
マスク・ウェハアライメント用のマーク検出光として利
用することにあシ、上記光に対し高透過率の材料でＸ線
リングラフィに必要な軟Ｘ線波長領域の８０Ｒ，が容易
に遮蔽でき、かつ％ＳＯＲの前記波長領域の光がアライ
メントマーク検出に十分利用できるほど高輝度であるこ
とに着目した結果、発明できたものである。
以下、本発明の詳細を実施例により説明する。
〈実施例〉
第２図曲線ａは電子の加速エネルギーＥ ＝ １．００
ｅＶ、加速’［ｆｉＩ ＝ １００ｍＡ、 １ｋＬ子軌
道の曲率半径ρ＝１ｍにおいて発生するＳＯＲのスペク
トルを示したものである。図中の一点破線すは通常使用
きれる５ｉａＮ４．８１０２ 、ＢＮ およびポリイミ
ドを基材とｉ−たＸ線マスクを透過したあとのＳ ＯＲ
スペクトルを示したもので、大略％ ４０人より長波長
のＳ Ｏｒ（は殆んで透過せず、したがって％Ｘ線感応
月別に照射さむるＸ線は３〜４０人の領域に限らｊる。
ｅＶ、加速’［ｆｉＩ ＝ １００ｍＡ、 １ｋＬ子軌
道の曲率半径ρ＝１ｍにおいて発生するＳＯＲのスペク
トルを示したものである。図中の一点破線すは通常使用
きれる５ｉａＮ４．８１０２ 、ＢＮ およびポリイミ
ドを基材とｉ−たＸ線マスクを透過したあとのＳ ＯＲ
スペクトルを示したもので、大略％ ４０人より長波長
のＳ Ｏｒ（は殆んで透過せず、したがって％Ｘ線感応
月別に照射さむるＸ線は３〜４０人の領域に限らｊる。
また、同図中の破線Ｃは本発明に係るシャッタの月別と
して溶融石英を用いた場合の、該溶融石英透過後のＳＯ
Ｒスペクトルを示Ｉ−たものである。波長λが３００Ｏ
Ａ以上の８０ Ｉｔはほぼ１００％透過し、逆にＸ線リ
ングラフィに寄与する３〜４０人のＸ線は殆んど透過し
ないことが判る。
して溶融石英を用いた場合の、該溶融石英透過後のＳＯ
Ｒスペクトルを示Ｉ−たものである。波長λが３００Ｏ
Ａ以上の８０ Ｉｔはほぼ１００％透過し、逆にＸ線リ
ングラフィに寄与する３〜４０人のＸ線は殆んど透過し
ないことが判る。
この溶融石英シャッタ透過後のＳＯＲの総光量は１０ｆ
ｆｌＷ以上でおり％Ｘ線マスクおよび被露光基板上のア
ライメントマークを検出が十分、可能な値である。本実
施例ではシャッタの材料溶融石英を使用したが、これ以
上にも、紫外〜可視領域の光に対する透過率が高く、軟
Ｘ線領域を遮蔽し得る他の材料を使用できることはいう
までもない。
ｆｌＷ以上でおり％Ｘ線マスクおよび被露光基板上のア
ライメントマークを検出が十分、可能な値である。本実
施例ではシャッタの材料溶融石英を使用したが、これ以
上にも、紫外〜可視領域の光に対する透過率が高く、軟
Ｘ線領域を遮蔽し得る他の材料を使用できることはいう
までもない。
本発明によればＳＯＲ中の真空紫外から可視光領域の光
がアライメントマーク検出用として使用できるため、従
来、別に必要であった光源およびこの光をアライメント
マーク部に照射するだめの光学系が不要となり、露光装
置としての構造が簡略化でき％また、光源からの熱発生
によるアライメント精度低下も除去できる。
がアライメントマーク検出用として使用できるため、従
来、別に必要であった光源およびこの光をアライメント
マーク部に照射するだめの光学系が不要となり、露光装
置としての構造が簡略化でき％また、光源からの熱発生
によるアライメント精度低下も除去できる。
第１図は８０Ｒ，を用いたときのＸ線露光装置の概略図
、第２図はＳＯＲスペクトルの特性線図である。
、第２図はＳＯＲスペクトルの特性線図である。
Claims (1)
- １、 シンクロトロン軌道放射光によりＸ線マスク上の
パターンを該Ｘ線マスク後方に位置する放射線感応材料
に転写するＸ線リングラフィに於て、該Ｘ線マスク前方
、シンクロトロン軌道放射光光源側に可視光と軟Ｘ線に
対し透過性が低く、且つ紫外〜可視領域にある光に対し
て高透過性の材料から成り前記シンクロトロン軌道放射
光の光路内に脱入可能なシャッタと、該シャッタと前記
Ｘ線マスクの間に位置し、該シャッタを透過した前記波
長領域の光により前記Ｘ線マスクおよび放射線感応材料
を塗布した基板上のマークを検出する光学系を設けたこ
とを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163223A JPS6055624A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163223A JPS6055624A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055624A true JPS6055624A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15769653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163223A Pending JPS6055624A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055624A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101630A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｘ線露光装置における位置検出装置 |
| JPH01109721A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｘ線露光装置における位置検出装置 |
| US5168512A (en) * | 1990-03-13 | 1992-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacture of semiconductor devices |
| US5276725A (en) * | 1988-05-10 | 1994-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure system |
| US5317615A (en) * | 1990-03-02 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US5524131A (en) * | 1988-10-06 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus and SOR x-ray exposure apparatus having same |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP58163223A patent/JPS6055624A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101630A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｘ線露光装置における位置検出装置 |
| JPH01109721A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｘ線露光装置における位置検出装置 |
| US5276725A (en) * | 1988-05-10 | 1994-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure system |
| US5524131A (en) * | 1988-10-06 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus and SOR x-ray exposure apparatus having same |
| US5822389A (en) * | 1988-10-06 | 1998-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus and SOR X-ray exposure apparatus having same |
| US5317615A (en) * | 1990-03-02 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US5168512A (en) * | 1990-03-13 | 1992-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacture of semiconductor devices |
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