JPS6055521B2 - 有機高分子物質の表層部に存在するスルホニル基の分解方法 - Google Patents
有機高分子物質の表層部に存在するスルホニル基の分解方法Info
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- JPS6055521B2 JPS6055521B2 JP12938176A JP12938176A JPS6055521B2 JP S6055521 B2 JPS6055521 B2 JP S6055521B2 JP 12938176 A JP12938176 A JP 12938176A JP 12938176 A JP12938176 A JP 12938176A JP S6055521 B2 JPS6055521 B2 JP S6055521B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スルホニル基を有する有機高分子物質の表
層部に存在するスルホニル基の分解方法に係る。
層部に存在するスルホニル基の分解方法に係る。
本発明におけるスルホニル基とは、スルホン酸基(−
S0aH)又はそのアルカリ金属、アルカリ土類金属等
の金属塩或いは、スルホニルクロリド(−S02C1)
、スルホニルフロラード(−S02F)の如きスルホニ
ルハライドャスルホン酸エステル基(−SO、R:但し
Rは炭化水素、フロロカーボン等の有機残基)、スルホ
ン酸アマイド基(−SO、NRR’:但しR、R’はエ
ステルの場合に準する)、その他の−500一の官能基
であり、特に本発明の効果が大きいのは、スルホニルハ
ライド及びスルホン酸である。
S0aH)又はそのアルカリ金属、アルカリ土類金属等
の金属塩或いは、スルホニルクロリド(−S02C1)
、スルホニルフロラード(−S02F)の如きスルホニ
ルハライドャスルホン酸エステル基(−SO、R:但し
Rは炭化水素、フロロカーボン等の有機残基)、スルホ
ン酸アマイド基(−SO、NRR’:但しR、R’はエ
ステルの場合に準する)、その他の−500一の官能基
であり、特に本発明の効果が大きいのは、スルホニルハ
ライド及びスルホン酸である。
従来有機高分子物質にスルホニル基が化学的に結合し
ているもので代表的な物質は、陽イオン交換体又は、そ
の中間体であり、イオン交換体の性能を改良する目的で
、表層部のスルホニル基を除去することが必要となる場
合がある。
ているもので代表的な物質は、陽イオン交換体又は、そ
の中間体であり、イオン交換体の性能を改良する目的で
、表層部のスルホニル基を除去することが必要となる場
合がある。
一般にスルホニル基を除去する方法として、五塩化リ
ン、オキシ塩化リンで処理し、加熱するとか、或いは苛
性アルカリによるアルカリ溶融で加水分解する等の手段
が知られている。
ン、オキシ塩化リンで処理し、加熱するとか、或いは苛
性アルカリによるアルカリ溶融で加水分解する等の手段
が知られている。
またスルホニルハライドである場合等は加熱によつて除
去することも可能である。勿論、これらの他にも種々の
化学的手段が一般に存在する。しかしながら、高分子物
質の表層部、例えば表面から50p以内の部分のみを処
理して、スルホニル基を除去することは仲々困難である
。特にスルホニル基の結合し1ている炭素原子にふつ素
等のハロゲンが存在する場合は、容易に除去することが
できず、激烈な試剤の使用を余義なくされる場合が多い
。このような場合は、どうしても、反応が内部まで進行
し、所望の処理が行い難いものである。特にテトラフ門
ノレオロエチレンとパーフノレオロアノレキノレビニノ
レエーテルスルホニルハライドとの共重合体を加水分解
して得たイオン交換体は極めて安定であり、耐薬品性に
優れ、その表層部のみのスルホン酸基(−SO3H)を
除去することは至難である。このため、五塩化リンとオ
キシ塩化リンの混合物を用いる方法が特許として出願さ
れている。本発明は炭化水素系,含ハロゲン系に関係な
く、上述の如き激烈な試薬を用いず、容易にスルホン基
を除去する方法を提案するものであり、その要旨は、被
処理高分子物質に紫外線を照射することにある。
去することも可能である。勿論、これらの他にも種々の
化学的手段が一般に存在する。しかしながら、高分子物
質の表層部、例えば表面から50p以内の部分のみを処
理して、スルホニル基を除去することは仲々困難である
。特にスルホニル基の結合し1ている炭素原子にふつ素
等のハロゲンが存在する場合は、容易に除去することが
できず、激烈な試剤の使用を余義なくされる場合が多い
。このような場合は、どうしても、反応が内部まで進行
し、所望の処理が行い難いものである。特にテトラフ門
ノレオロエチレンとパーフノレオロアノレキノレビニノ
レエーテルスルホニルハライドとの共重合体を加水分解
して得たイオン交換体は極めて安定であり、耐薬品性に
優れ、その表層部のみのスルホン酸基(−SO3H)を
除去することは至難である。このため、五塩化リンとオ
キシ塩化リンの混合物を用いる方法が特許として出願さ
れている。本発明は炭化水素系,含ハロゲン系に関係な
く、上述の如き激烈な試薬を用いず、容易にスルホン基
を除去する方法を提案するものであり、その要旨は、被
処理高分子物質に紫外線を照射することにある。
本発明は、都合のよいことに紫外線の高分子内の透過力
が小さいため、表層部のみ、スルホニル基を除去するこ
とができるのである。更に照射時間によつて、スルホニ
ル基の除去率を任意に調整することも可能である。この
ような調整は、陽イオン交換膜の水酸イオン透過性防止
のための改良、或いは、有機イオン物質による汚染防止
などのための改良において極めて重要で、少なくとも一
方の面の表層部の交換容量を内部のそれの3〜70%の
間に目的に応じて形成させる必要性が生ずるが、本発明
にあつては、照射時間により、容易になし得るのである
。即ち、本発明では、固体高分子物質の表面及びその極
近傍部分のみを処理し得るのである。
が小さいため、表層部のみ、スルホニル基を除去するこ
とができるのである。更に照射時間によつて、スルホニ
ル基の除去率を任意に調整することも可能である。この
ような調整は、陽イオン交換膜の水酸イオン透過性防止
のための改良、或いは、有機イオン物質による汚染防止
などのための改良において極めて重要で、少なくとも一
方の面の表層部の交換容量を内部のそれの3〜70%の
間に目的に応じて形成させる必要性が生ずるが、本発明
にあつては、照射時間により、容易になし得るのである
。即ち、本発明では、固体高分子物質の表面及びその極
近傍部分のみを処理し得るのである。
紫外線の照射方法は、特に限定されず、通常の水銀ラン
プ等公知の線源が使用される。また照射時に増感剤を存
在させてもよい。増感剤は例えば、水銀蒸気,カドニウ
ム蒸気,アンモニア,アルデヒド化合物等の蒸気等を存
在させるとか、又はベンゾフェノン等のカルボニル化合
物,アゾビスブチロニトリル等のアゾ化合物,テトラア
ルキールチウラムジスルフイド,ジチオカーバメート等
のイオウ化合物,ハロゲン及びα−クロロナフタリン等
のハロゲン誘導体,過酸化水素,ジーt−ブヂルパーオ
キシド等の過酸化物、その他鉄イオン,ウラニルイオン
等の無機系錯塩等であり、こζれらを雰囲気中に、或い
は、高分子物質表面又はその近傍に存在させておくとよ
い。また、紫外線の照射は、減圧、或いは窒素,アルゴ
ン,ヘリウム等の不活性ガスの共存下に行うと効果的で
ある。
プ等公知の線源が使用される。また照射時に増感剤を存
在させてもよい。増感剤は例えば、水銀蒸気,カドニウ
ム蒸気,アンモニア,アルデヒド化合物等の蒸気等を存
在させるとか、又はベンゾフェノン等のカルボニル化合
物,アゾビスブチロニトリル等のアゾ化合物,テトラア
ルキールチウラムジスルフイド,ジチオカーバメート等
のイオウ化合物,ハロゲン及びα−クロロナフタリン等
のハロゲン誘導体,過酸化水素,ジーt−ブヂルパーオ
キシド等の過酸化物、その他鉄イオン,ウラニルイオン
等の無機系錯塩等であり、こζれらを雰囲気中に、或い
は、高分子物質表面又はその近傍に存在させておくとよ
い。また、紫外線の照射は、減圧、或いは窒素,アルゴ
ン,ヘリウム等の不活性ガスの共存下に行うと効果的で
ある。
尚紫外線の照射によるスルホニル基の分解の程度は表層
部の赤外反射スペクトルによる方法が最も直接的である
。
部の赤外反射スペクトルによる方法が最も直接的である
。
また、染料による染色テストによつても判定することが
できる。また、本発明方法により極めて効果的な、パー
ロロカーボンを骨格とするアルカリ金属ハロゲ7化物水
溶液の電解用の隔膜の改質をすることができる。
できる。また、本発明方法により極めて効果的な、パー
ロロカーボンを骨格とするアルカリ金属ハロゲ7化物水
溶液の電解用の隔膜の改質をすることができる。
実施例1
テトラフルオロエチレンとパーフルオロ(3,6ージオ
キサー4−メチルー7−オクテンスルホニルフルオライ
ド)からなる共重合物で作られた二種のスルホニルフル
オライドの含量の違う膜をノ融着して得た一枚のスルホ
ニルフルオライド基を有する高分子膜状物を用いた。
キサー4−メチルー7−オクテンスルホニルフルオライ
ド)からなる共重合物で作られた二種のスルホニルフル
オライドの含量の違う膜をノ融着して得た一枚のスルホ
ニルフルオライド基を有する高分子膜状物を用いた。
即ち厚さ2ミルの共重合体シート〔加水分解してスルホ
ニルフルオライド基をスルホン酸基に変えたときの交換
容量が0.91ミリ当量(H型110哩量当量)〕二枚
の間にポリテトラフルオロエチレン製の平織布をはさみ
融着したものの上に、更に厚みが2ミルのシート〔加水
分解したときの交換容量が0.67ミリ当量(H型15
0(至)I当量)〕を加熱・加圧融着して一枚の高分子
膜状物としたものてある。これを円筒型のガラス容器の
中に封入し、ガラス容器の壁面に内側に交換容量が0.
67ミリ当量に相当する側を向けて、円筒容器の中心に
紫外ランプ(東芝紫外ランプSHL−1002B)を配
し、円筒型のガラス容器の中を窒素ガスで置換した。な
お、封入したスルホニルフルオライド型の高分子膜状物
は封入する前に予めベンゼン1(1)部,ベンゾフェノ
ン1部からなる溶液中に室温で3時間浸漬し、膜表層部
にベンゾフェノンを含浸後減圧乾燥した。紫外線ランプ
と膜表面との距離は8C1tで5時間照射したのち、8
%のNaOH−メタノール溶液に60℃で16時間浸漬
して後、6.0NNa0H<55.0NNaC1の間で
交流1000サイクルによつて80℃で電気抵抗を測定
したところ、29Ω−dであつた。
ニルフルオライド基をスルホン酸基に変えたときの交換
容量が0.91ミリ当量(H型110哩量当量)〕二枚
の間にポリテトラフルオロエチレン製の平織布をはさみ
融着したものの上に、更に厚みが2ミルのシート〔加水
分解したときの交換容量が0.67ミリ当量(H型15
0(至)I当量)〕を加熱・加圧融着して一枚の高分子
膜状物としたものてある。これを円筒型のガラス容器の
中に封入し、ガラス容器の壁面に内側に交換容量が0.
67ミリ当量に相当する側を向けて、円筒容器の中心に
紫外ランプ(東芝紫外ランプSHL−1002B)を配
し、円筒型のガラス容器の中を窒素ガスで置換した。な
お、封入したスルホニルフルオライド型の高分子膜状物
は封入する前に予めベンゼン1(1)部,ベンゾフェノ
ン1部からなる溶液中に室温で3時間浸漬し、膜表層部
にベンゾフェノンを含浸後減圧乾燥した。紫外線ランプ
と膜表面との距離は8C1tで5時間照射したのち、8
%のNaOH−メタノール溶液に60℃で16時間浸漬
して後、6.0NNa0H<55.0NNaC1の間で
交流1000サイクルによつて80℃で電気抵抗を測定
したところ、29Ω−dであつた。
他方、紫外線を照射しないで、スルホニルフルオライド
型の高分子膜状物をそのまま8%−NaOH−メタノー
ル溶液で加水分解したところ、同じ条件の電気抵抗は2
6Ω−dであった。また、これら2種類の膜状物をPH
l.Oに調整したクリスタルバイオレットの水溶液中に
6(代)で16時間浸漬して染色した後、薄片状に切断
し断面を顕微鏡で観察したところ未処理膜は交換容量の
違う二つのシートの部分で染色の程度は異なつていたが
各々の部分は均一に染色されていた。
型の高分子膜状物をそのまま8%−NaOH−メタノー
ル溶液で加水分解したところ、同じ条件の電気抵抗は2
6Ω−dであった。また、これら2種類の膜状物をPH
l.Oに調整したクリスタルバイオレットの水溶液中に
6(代)で16時間浸漬して染色した後、薄片状に切断
し断面を顕微鏡で観察したところ未処理膜は交換容量の
違う二つのシートの部分で染色の程度は異なつていたが
各々の部分は均一に染色されていた。
然るに本発明の膜は交換容量の高い部分は均一に染色さ
れていたが、交換容量の低い、紫外線を照射した側は表
層がごく薄くしか染色されなかつた。次いで本発明の膜
と紫外線照射していない膜について、有効通電面積0.
5dWtの二室式の電解槽によつて飽和食塩水の電気分
解を実施した。陽極としてはチタンのラス材の上に酸化
チタンと酸化ルテニウムをコーティングしたものを用い
、陰極としては軟鉄の金網を用いた。電解の電流密度は
35A1d耐で温度85℃,飽和食塩水の分解率65%
であつた。陰極室には純水を供給して陰極室のNaOH
の濃度を6.0Nに調整した。なお膜は照射面を陰極に
向けて用いた。その結果、電流効率は87%で、NaO
H中のNaClの量は50%NaOHに換算して52p
pmであり、電摺電圧は3.75Vであつた。他方、紫
外線照射をしていない陽イオン交換膜を用いて同じ条件
で電解を実施したところ、6.0NNa0Hを取得して
、電流効率80%でNaOH中のNaClの量は50%
NaOHに換算して65ppmであり電摺電圧は3.7
0■であつた。実施例2 テトラフルオロエチレンとパーフルオロ(3,6ージオ
キサー4−メチルー7−オクテンスルホニルフルオライ
ド)の共重合体を成型して得た厚さ3ミルのシートの2
枚の間にポリテトラフルオロエチレンの平織布をはさみ
、加熱加圧して一枚の高分子膜状物とし、これをメタノ
−ルーNaOH中に60′Cで24f!!間浸漬して加
水分解したところ、交換容量は0.833ミリ当量(H
型1200重量当量)であつた。
れていたが、交換容量の低い、紫外線を照射した側は表
層がごく薄くしか染色されなかつた。次いで本発明の膜
と紫外線照射していない膜について、有効通電面積0.
5dWtの二室式の電解槽によつて飽和食塩水の電気分
解を実施した。陽極としてはチタンのラス材の上に酸化
チタンと酸化ルテニウムをコーティングしたものを用い
、陰極としては軟鉄の金網を用いた。電解の電流密度は
35A1d耐で温度85℃,飽和食塩水の分解率65%
であつた。陰極室には純水を供給して陰極室のNaOH
の濃度を6.0Nに調整した。なお膜は照射面を陰極に
向けて用いた。その結果、電流効率は87%で、NaO
H中のNaClの量は50%NaOHに換算して52p
pmであり、電摺電圧は3.75Vであつた。他方、紫
外線照射をしていない陽イオン交換膜を用いて同じ条件
で電解を実施したところ、6.0NNa0Hを取得して
、電流効率80%でNaOH中のNaClの量は50%
NaOHに換算して65ppmであり電摺電圧は3.7
0■であつた。実施例2 テトラフルオロエチレンとパーフルオロ(3,6ージオ
キサー4−メチルー7−オクテンスルホニルフルオライ
ド)の共重合体を成型して得た厚さ3ミルのシートの2
枚の間にポリテトラフルオロエチレンの平織布をはさみ
、加熱加圧して一枚の高分子膜状物とし、これをメタノ
−ルーNaOH中に60′Cで24f!!間浸漬して加
水分解したところ、交換容量は0.833ミリ当量(H
型1200重量当量)であつた。
これを30%HNO3中に60℃で浸漬してナトリウム
イオン型をスルホン酸に変換した。これをジターンヤリ
ブチルパーオキサイドのエタノール1%溶液中に2時間
浸漬して膜表面近傍に上記パーオキサイドを含浸させた
のち充分にエタノールを飛散除去したのちに、実施例1
と同じ紫外.1線照射用の密閉容器中に封入し窒素雰囲
気において紫外線を同じ条件で北時間照射した。次いで
この膜を6.0NNa0H中に浸漬して後、実施例1と
同じ条件で電気抵抗を測定したところ、紫外線を照射し
ていない膜がnΩ−dであつたのに対して照射処理した
ものは2.3Ω−dであつた。この膜を用いて実施例1
と同じ条件で照射面を陰極に向けて飽和食塩水の電気分
解をしたところ、未照射膜が6.0NNa0Hを取得し
て電流効率71%であつたのに対して、紫外線を照射し
た膜は電流効率83%であつた。なお、NaOH中のN
aClの量は梠%NaOH換算で未照射膜は140pp
mであつたのに対して、照射膜は35ppmであつた。
これらの膜状物を実施例1と同じに染色したところ、脱
スルホニルした膜はほとんど染らなかつた。
イオン型をスルホン酸に変換した。これをジターンヤリ
ブチルパーオキサイドのエタノール1%溶液中に2時間
浸漬して膜表面近傍に上記パーオキサイドを含浸させた
のち充分にエタノールを飛散除去したのちに、実施例1
と同じ紫外.1線照射用の密閉容器中に封入し窒素雰囲
気において紫外線を同じ条件で北時間照射した。次いで
この膜を6.0NNa0H中に浸漬して後、実施例1と
同じ条件で電気抵抗を測定したところ、紫外線を照射し
ていない膜がnΩ−dであつたのに対して照射処理した
ものは2.3Ω−dであつた。この膜を用いて実施例1
と同じ条件で照射面を陰極に向けて飽和食塩水の電気分
解をしたところ、未照射膜が6.0NNa0Hを取得し
て電流効率71%であつたのに対して、紫外線を照射し
た膜は電流効率83%であつた。なお、NaOH中のN
aClの量は梠%NaOH換算で未照射膜は140pp
mであつたのに対して、照射膜は35ppmであつた。
これらの膜状物を実施例1と同じに染色したところ、脱
スルホニルした膜はほとんど染らなかつた。
実施例3
dup0nt社のパーフルオロスルホン酸型の陽イオン
交換膜(商品名NafiOn3l5H型)を常法に・よ
りオキシ塩化リンと五塩化リンの混合溶液によつて処理
してスルホン酸をスルホニルクロライドに変換した。
交換膜(商品名NafiOn3l5H型)を常法に・よ
りオキシ塩化リンと五塩化リンの混合溶液によつて処理
してスルホン酸をスルホニルクロライドに変換した。
次いで、これを充分に4塩化炭素で洗滌したのちに実施
例1で用いたと同じ紫外線照射装置によつて紫外線を照
射した。容器の中には・特に置換しないで空気の存在下
であつた。なお、照射面は上記陽イオン交換膜の交換容
量の少ない側であつた。照射時間を2時間,4時間,8
時間と変えて照射して、実施例1の方法で電気抵抗を測
定し、更に実施例1と同じ条件て飽和食塩水を)電気分
解し陰極室から6.0NNa0Hを定常的に取得した。
なお、照射面は陰極に向けて電解をした。また、実施例
1と同じ条件で染色した時の状況も次表に示す。実施例
4 実施例3で用いたDupOut社製のパーフルオロ系ス
ルホン酸型の陽イオン交換膜を酸型に変えて、実施例1
と同じ紫外線の照射装置を用いて、真空下において、6
0Cで1凹時間照射した。
例1で用いたと同じ紫外線照射装置によつて紫外線を照
射した。容器の中には・特に置換しないで空気の存在下
であつた。なお、照射面は上記陽イオン交換膜の交換容
量の少ない側であつた。照射時間を2時間,4時間,8
時間と変えて照射して、実施例1の方法で電気抵抗を測
定し、更に実施例1と同じ条件て飽和食塩水を)電気分
解し陰極室から6.0NNa0Hを定常的に取得した。
なお、照射面は陰極に向けて電解をした。また、実施例
1と同じ条件で染色した時の状況も次表に示す。実施例
4 実施例3で用いたDupOut社製のパーフルオロ系ス
ルホン酸型の陽イオン交換膜を酸型に変えて、実施例1
と同じ紫外線の照射装置を用いて、真空下において、6
0Cで1凹時間照射した。
得られた膜の電気抵抗は28Ω−dであり、実施例1と
同じ条件で飽和食塩水を電気分解したところ、6.0N
Na0Hを取得して電流効率86%であつた。なお紫外
線を照射しない膜については電気抵抗は25Ω−dで、
6.0NNa0Hを同じ条件で取得して電流効率80%
であつた。電解にあたつて紫外線を照射した面を陰極に
向けて電解した。実施例1と同様に膜を染色して断面を
見たところ、紫外線を照射した側は染色が薄かつた。実
施例5 常法によつてスチレンージビニルベンゼンを水に懸濁し
て重合させ、球状の共重合体を得た。
同じ条件で飽和食塩水を電気分解したところ、6.0N
Na0Hを取得して電流効率86%であつた。なお紫外
線を照射しない膜については電気抵抗は25Ω−dで、
6.0NNa0Hを同じ条件で取得して電流効率80%
であつた。電解にあたつて紫外線を照射した面を陰極に
向けて電解した。実施例1と同様に膜を染色して断面を
見たところ、紫外線を照射した側は染色が薄かつた。実
施例5 常法によつてスチレンージビニルベンゼンを水に懸濁し
て重合させ、球状の共重合体を得た。
粒径は約60メッシュであつた。次いでこれをエチレン
ジクロライド中に常温で田時間浸漬して膨潤させたのち
、純度90%のクロスルホン酸2部,エチレンジクロラ
イド1部からなるクロルスルホン化浴に、4℃で1時間
浸漬した。スチレンユニットにクロルスルホン基が導入
した球状共重合体をエチレンジクロライドで充分に洗滌
して後、ベンゼンで洗い、減圧乾燥した。この球状の樹
脂を中央に500Wの高圧紫外ランプを固定した円筒型
の回転容器の中に入れ、空気の存在下に回転させながら
8時間照射した。照射後樹脂をとり出して3.0NNa
0H水溶液中に室温で24Tf間浸漬後、交換容量を測
定したところ4.3ミリ当量/グラム乾燥樹脂であつた
。また紫外線を照射しないで加水分解処理した樹脂の交
換容量も4.3ミリ当量/グラム乾燥樹脂で交換容量で
の差はなかつた。次”に、この二種の樹脂をラウリルピ
リジニウムクロライドの100ppmの水溶液中に5時
間浸漬して、溶液中のラウリルピリジニウムクロライド
の減少量を求めたところ紫外線を照射した樹脂を浸漬し
た液の方も少量減少していたが、紫外線照射しないで加
水分解処理した樹脂の約116の減少量に過ぎなかつた
。つまり耐有機汚染性が紫外線照射によつて発現したこ
とになる。なお、紫外線による脱スルホニルクロライド
の程度を見るために実施例1と同様の条件で染色し、樹
脂を切断し断面を顕微鏡で観察したところ、紫外線を照
射していないものは均一に染色されていたにも拘らず、
紫外線を照射したものは表層部が染色されていなかつた
。
ジクロライド中に常温で田時間浸漬して膨潤させたのち
、純度90%のクロスルホン酸2部,エチレンジクロラ
イド1部からなるクロルスルホン化浴に、4℃で1時間
浸漬した。スチレンユニットにクロルスルホン基が導入
した球状共重合体をエチレンジクロライドで充分に洗滌
して後、ベンゼンで洗い、減圧乾燥した。この球状の樹
脂を中央に500Wの高圧紫外ランプを固定した円筒型
の回転容器の中に入れ、空気の存在下に回転させながら
8時間照射した。照射後樹脂をとり出して3.0NNa
0H水溶液中に室温で24Tf間浸漬後、交換容量を測
定したところ4.3ミリ当量/グラム乾燥樹脂であつた
。また紫外線を照射しないで加水分解処理した樹脂の交
換容量も4.3ミリ当量/グラム乾燥樹脂で交換容量で
の差はなかつた。次”に、この二種の樹脂をラウリルピ
リジニウムクロライドの100ppmの水溶液中に5時
間浸漬して、溶液中のラウリルピリジニウムクロライド
の減少量を求めたところ紫外線を照射した樹脂を浸漬し
た液の方も少量減少していたが、紫外線照射しないで加
水分解処理した樹脂の約116の減少量に過ぎなかつた
。つまり耐有機汚染性が紫外線照射によつて発現したこ
とになる。なお、紫外線による脱スルホニルクロライド
の程度を見るために実施例1と同様の条件で染色し、樹
脂を切断し断面を顕微鏡で観察したところ、紫外線を照
射していないものは均一に染色されていたにも拘らず、
紫外線を照射したものは表層部が染色されていなかつた
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 紫外線を照射することを特徴とする有機高分子物質
の表層部に存在するスルホニル基の分解方法。 2 有機高分子物質が、イオン交換体又はイオン交換体
の中間体である特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 スルホニル基がスルホン酸基(−SO_3H)又は
そのアルカリ金属塩である特許請求の範囲第1項記載の
方法。 4 スルホニル基が、スルホニルハライド基である特許
請求の範囲第1項記載の方法。 5 イオン交換体が、パーフロロカーボンを骨格とする
アルカリ金属ハロゲン化物水溶液の電解用隔膜である特
許請求の範囲第2項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12938176A JPS6055521B2 (ja) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | 有機高分子物質の表層部に存在するスルホニル基の分解方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12938176A JPS6055521B2 (ja) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | 有機高分子物質の表層部に存在するスルホニル基の分解方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5355383A JPS5355383A (en) | 1978-05-19 |
JPS6055521B2 true JPS6055521B2 (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=15008163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12938176A Expired JPS6055521B2 (ja) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | 有機高分子物質の表層部に存在するスルホニル基の分解方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6055521B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3381717A1 (en) | 2017-03-30 | 2018-10-03 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Tire |
-
1976
- 1976-10-29 JP JP12938176A patent/JPS6055521B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3381717A1 (en) | 2017-03-30 | 2018-10-03 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Tire |
KR20180111543A (ko) | 2017-03-30 | 2018-10-11 | 스미토모 고무 고교 가부시키가이샤 | 타이어 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5355383A (en) | 1978-05-19 |
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