JPS6053070A - Mos−fet集積回路装置 - Google Patents
Mos−fet集積回路装置Info
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- JPS6053070A JPS6053070A JP58161405A JP16140583A JPS6053070A JP S6053070 A JPS6053070 A JP S6053070A JP 58161405 A JP58161405 A JP 58161405A JP 16140583 A JP16140583 A JP 16140583A JP S6053070 A JPS6053070 A JP S6053070A
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- mos
- integrated circuit
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- oxide film
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はb’ MOS−FET(絶縁ゲート型電界効果
トランジスタ)集積回路装置に関し、特に過電圧の入力
信号に対し入力部のM、08−FETを保護する装置(
入力保護袋@)が備えであるMOS−FET集積回路装
置に関する。
トランジスタ)集積回路装置に関し、特に過電圧の入力
信号に対し入力部のM、08−FETを保護する装置(
入力保護袋@)が備えであるMOS−FET集積回路装
置に関する。
第1図は従来のMOS−FET集積回路装置における入
力保護装置の回路図である。Qlは促成対象としてのゲ
ート酸化膜300〜1000λ程度の第1のMOS−P
ETである。Q2はQlのゲート堝子に接続してあり、
フィールド酸化膜(5000λ以上)をゲート酸化膜と
した寄生MO8−I!’ETである第2のMOS−FE
Tである。Rは、入力端子1と保護されるべき第1のM
OS−FETQIのゲート端子間に接続しである保護抵
抗器でるる。
力保護装置の回路図である。Qlは促成対象としてのゲ
ート酸化膜300〜1000λ程度の第1のMOS−P
ETである。Q2はQlのゲート堝子に接続してあり、
フィールド酸化膜(5000λ以上)をゲート酸化膜と
した寄生MO8−I!’ETである第2のMOS−FE
Tである。Rは、入力端子1と保護されるべき第1のM
OS−FETQIのゲート端子間に接続しである保護抵
抗器でるる。
この様な構成の入力保護装置においては、保護抵抗器R
の抵抗値と前記第2のMO8−FETQZのしきい値電
圧及び導通時抵抗により保護装置としての能力が決定さ
れる。
の抵抗値と前記第2のMO8−FETQZのしきい値電
圧及び導通時抵抗により保護装置としての能力が決定さ
れる。
一般に、集積回路装置の高性能化に伴い、MO8−FE
Tのゲート酸化膜厚は薄くなる傾向にある。
Tのゲート酸化膜厚は薄くなる傾向にある。
しかし、過電圧、保護効果を高める為にM 08−FE
T集積回路装置の全体について、フィールド酸化膜を薄
くしたり、チャンネルストッパーの不純物濃度を低くす
ると、寄生容量の増大や、第2のMO8−F’ET Q
2と同構造の内部領域にある寄生MO8−PET(Q2
以外の寄生MO3−F’ET )による漏れ電流の増加
を招く。そこで、フィールド酸化膜を薄くし又はチャン
イルストッパーの不純物濃度を低くする処理は探れない
。その故、前記の様に、内部の寄生Mo5−vETと同
じしきい値をもった第2のMO8−FETQZを用いた
従来の入力保護装置では、第1のMO8−FETQIの
ゲート酸化膜が静電気等の過電圧印加にょシ破壊される
場合が多かった。
T集積回路装置の全体について、フィールド酸化膜を薄
くしたり、チャンネルストッパーの不純物濃度を低くす
ると、寄生容量の増大や、第2のMO8−F’ET Q
2と同構造の内部領域にある寄生MO8−PET(Q2
以外の寄生MO3−F’ET )による漏れ電流の増加
を招く。そこで、フィールド酸化膜を薄くし又はチャン
イルストッパーの不純物濃度を低くする処理は探れない
。その故、前記の様に、内部の寄生Mo5−vETと同
じしきい値をもった第2のMO8−FETQZを用いた
従来の入力保護装置では、第1のMO8−FETQIの
ゲート酸化膜が静電気等の過電圧印加にょシ破壊される
場合が多かった。
第2図(a)は第1図の第2のMO8−FETQZ の
平面図、同図(b)はそのA−A’矢祝断面図である。
平面図、同図(b)はそのA−A’矢祝断面図である。
半導体基板6の上に拡散層領域2.熱酸化膜5゜層間絶
縁膜4及び金属配線(又は多結晶半導体配線)3が形成
しである。本図(a)では、層間絶縁膜4及び熱酸化膜
5を除去して、拡散領域2と配線3との相対位置が明瞭
に分るように描いである。
縁膜4及び金属配線(又は多結晶半導体配線)3が形成
しである。本図(a)では、層間絶縁膜4及び熱酸化膜
5を除去して、拡散領域2と配線3との相対位置が明瞭
に分るように描いである。
熱酸化膜5の内の厚い部分(厚さd、)がフィールド酸
化膜でろシ、その厚さd、は8000Aである。
化膜でろシ、その厚さd、は8000Aである。
この従来の構造では、フィールド酸化膜の厚さが92部
分とMO8−FET集積回路装置の他の領域とで同じで
あったから、過電圧保護能力が低くかった0 本発明の目的は、過電圧保護能力の高いMO5−FET
集積回路装置の提供にある。
分とMO8−FET集積回路装置の他の領域とで同じで
あったから、過電圧保護能力が低くかった0 本発明の目的は、過電圧保護能力の高いMO5−FET
集積回路装置の提供にある。
本発明の構成は、入力信号が加えられる入力MO8−F
ETのゲート端子に過電圧の前記入力信号に対し前記入
力MO8−FETを保護する保礁用寄生MO8−FET
が接続しであるMO8−FE’r集積回路装置において
、前記保護用寄生MO8−F’ETのしきい値電圧がそ
の他の寄生MO8−FETのしきい値電圧より低く前記
入力MO8−FBTのしきい値電圧よシ高いことを特徴
とする。
ETのゲート端子に過電圧の前記入力信号に対し前記入
力MO8−FETを保護する保礁用寄生MO8−FET
が接続しであるMO8−FE’r集積回路装置において
、前記保護用寄生MO8−F’ETのしきい値電圧がそ
の他の寄生MO8−FETのしきい値電圧より低く前記
入力MO8−FBTのしきい値電圧よシ高いことを特徴
とする。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第3図(a)は本発明の一実施例における第2のMO8
−FETの部分の平面図、同図(b)はそのB−B′矢
視断面図で必る。この実施例の入力保護装置の回路図は
従来と同様に第1図の如く現わせる。
−FETの部分の平面図、同図(b)はそのB−B′矢
視断面図で必る。この実施例の入力保護装置の回路図は
従来と同様に第1図の如く現わせる。
この実施例が第2図の従来例と異なるのは、第2のMO
8−FET(保護用寄生M0.8−FET ) Q 2
を構成する領域のフィールド酸化膜7の厚さd2が40
0OAでアシ、その部分のフィールド酸化膜厚さ800
0Aよシ薄いことである。このようにQ2のフィールド
酸化膜が薄Xしであるから、Q2のしきい値電圧は他の
寄生MO8−PETのしきい値電圧より低い。但し、Q
2のフィールド酸化膜はゲート酸化膜よシはるかに厚い
から、Q2のしきい値電圧はQlのしきい値電圧よシは
高い。
8−FET(保護用寄生M0.8−FET ) Q 2
を構成する領域のフィールド酸化膜7の厚さd2が40
0OAでアシ、その部分のフィールド酸化膜厚さ800
0Aよシ薄いことである。このようにQ2のフィールド
酸化膜が薄Xしであるから、Q2のしきい値電圧は他の
寄生MO8−PETのしきい値電圧より低い。但し、Q
2のフィールド酸化膜はゲート酸化膜よシはるかに厚い
から、Q2のしきい値電圧はQlのしきい値電圧よシは
高い。
第4図は入力保護装置の電圧−電流特性を示す図であり
、8は第2図の従来の入力保護装置の電圧・電流特性線
、9は第3図の本発明の一実施例における入力保護装置
の電圧・電流特性線である0保護されるべき第1のMO
8−FBTQIのゲート電位は保護抵抗RS負荷とした
場合の交点V l、V2となり、第2のMO8−FET
QZのしきい値電圧を下げた事によシ、第1のMO8−
F’ETQIのゲート電位も低い電位にフラングされ、
過電圧保護能力が向上する。
、8は第2図の従来の入力保護装置の電圧・電流特性線
、9は第3図の本発明の一実施例における入力保護装置
の電圧・電流特性線である0保護されるべき第1のMO
8−FBTQIのゲート電位は保護抵抗RS負荷とした
場合の交点V l、V2となり、第2のMO8−FET
QZのしきい値電圧を下げた事によシ、第1のMO8−
F’ETQIのゲート電位も低い電位にフラングされ、
過電圧保護能力が向上する。
以上の様にしきい値電圧の低いMO8−FETQZを保
護素子として使用する事により、過電圧保護能力の高い
Mss−FET集積回路装置が得られる。なお、第3図
の実施例において、フィールド酸化膜f:薄くするのに
ペリットコンタクトのスルーホール形成時に同時にエツ
チングず1ば、工程を増やす事なくフィールド酸化膜が
薄くできる。
護素子として使用する事により、過電圧保護能力の高い
Mss−FET集積回路装置が得られる。なお、第3図
の実施例において、フィールド酸化膜f:薄くするのに
ペリットコンタクトのスルーホール形成時に同時にエツ
チングず1ば、工程を増やす事なくフィールド酸化膜が
薄くできる。
保護素子としてのMO8−FETのしきい値電圧金工げ
る手段は、第3図の実施例に限定されず、チャンネルス
トッパーの不純物濃度を保護素子としてのMO8−FE
TQZに限って低くする事によっても実現できる。
る手段は、第3図の実施例に限定されず、チャンネルス
トッパーの不純物濃度を保護素子としてのMO8−FE
TQZに限って低くする事によっても実現できる。
第1図は従来例及び本発明の一実施例に共通な入力保護
装置の回路図、第2図(a)は従来のMOS−FET集
積回路装置の入力保護装置における保護用寄生MO8−
FETを示す平面図、同図(b)はそのA −A、 ’
矢視断面図、第3図(a)は本発明の一実施例における
同様な保護用寄生MO8−FETの平面図、同図(b)
はそのB−B’矢視断面図、第4図は従来例及び本発明
の一実施例における入力保護装置の電圧−電流特性を示
す図である。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・拡散層領域、
3・・・・・・金属配線(又は多結晶半導体配線)、4
・・・・・・層間絶縁膜、5・−・・・・熱酸化膜、6
・・−・・・半導体基板、7・・・・・・エツチングさ
れた領域。 躬 2図 一夕 2 (a)(b) 第 3 図 第4 図
装置の回路図、第2図(a)は従来のMOS−FET集
積回路装置の入力保護装置における保護用寄生MO8−
FETを示す平面図、同図(b)はそのA −A、 ’
矢視断面図、第3図(a)は本発明の一実施例における
同様な保護用寄生MO8−FETの平面図、同図(b)
はそのB−B’矢視断面図、第4図は従来例及び本発明
の一実施例における入力保護装置の電圧−電流特性を示
す図である。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・拡散層領域、
3・・・・・・金属配線(又は多結晶半導体配線)、4
・・・・・・層間絶縁膜、5・−・・・・熱酸化膜、6
・・−・・・半導体基板、7・・・・・・エツチングさ
れた領域。 躬 2図 一夕 2 (a)(b) 第 3 図 第4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)入力信号が加えられる入力MO8−FETのゲー
ト端子に過電圧の前記入力信号に対し前記入力MO8−
FETを保護する保護用寄生MO8−FETが接続しで
あるMOS−FET集積回路装置において、前記保護用
寄生MO8−FETのしきい値電圧がその他の寄生MO
8−1”ETのしきい値電圧より低く前記入力MO8−
FETのしきい値電圧より高いことを特徴とするMOS
−FET集積回路装置。 (2、特許請求の範囲第1項記載のMOS−FET集−
FET集積回路装置。 (3)特許請求の範囲第1項記載のMOS−FET集積
回路装置において、チャンネルストッパノ不純物は前記
保護用MO8−FETの周辺領域において他の領域にお
けるよりも濃度が低いことを特徴とするMOS−F’E
T集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58161405A JPS6053070A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | Mos−fet集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58161405A JPS6053070A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | Mos−fet集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6053070A true JPS6053070A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15734462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58161405A Pending JPS6053070A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | Mos−fet集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053070A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS634666A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US5148250A (en) * | 1988-08-16 | 1992-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Bipolar transistor as protective element for integrated circuits |
JPH05121670A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体入力保護装置 |
JPH08130253A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58161405A patent/JPS6053070A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS634666A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US5148250A (en) * | 1988-08-16 | 1992-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Bipolar transistor as protective element for integrated circuits |
JPH05121670A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体入力保護装置 |
JPH08130253A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
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