JPS6053036A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS6053036A JPS6053036A JP16215983A JP16215983A JPS6053036A JP S6053036 A JPS6053036 A JP S6053036A JP 16215983 A JP16215983 A JP 16215983A JP 16215983 A JP16215983 A JP 16215983A JP S6053036 A JPS6053036 A JP S6053036A
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- H01L24/27—Manufacturing methods
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、シリコンウェハの一方の主表面に金属板を
載置して合金する半導体素子の製造方法に関するもので
、その目的は合金時にシリコンウェハと金属板に適当な
外圧を加えた状!八:にすることによりシリコンウェハ
と金属板どの熱膨張のハ゛・により発生する半導体素子
のソリを減りし、上だ、半z島体素子内部に発生する残
留応力を小さく−!ることKある。
載置して合金する半導体素子の製造方法に関するもので
、その目的は合金時にシリコンウェハと金属板に適当な
外圧を加えた状!八:にすることによりシリコンウェハ
と金属板どの熱膨張のハ゛・により発生する半導体素子
のソリを減りし、上だ、半z島体素子内部に発生する残
留応力を小さく−!ることKある。
第1図は従来の合金方法の一例をル免1男するための断
面図であり、第2図は第1図の従来の合金方法によって
合金された半導体素子を示す断面図である。これらの図
で、1はシリコンウニノ\、2(ま−ウ材、3は前記シ
リコンウェー・1をロウ材2でpつ付けする金属板、4
は合金治具、5iま重りを示す。−例として金属板3と
してモリブデン板を使用した場合を説明すると、第1図
に示すようにシリコンウニl〜1に接する重り5σ)自
力l平面、また、モリブデン板3に接する合金治具4の
面も平面なので合金時にシリコンウェー1.モリフ′テ
ン板3には重り5による圧縮力のみカー働し・てし・ろ
だけである。このような状態で、例えif 700°C
でロウ材2を溶かして合金すると、熱膨張係数カーシリ
コンウエノヘ1よりモリブデン板3の方カー太き℃・た
め、合金後、常温まで冷却するとモリフ′テン板3には
収縮しようとする力か働くため第2図に7tすようにシ
リコンウニノー 111111を凸にする反りh−発生
する。半導体素子は700°Cもの品温では使用しない
ためシリコンウェハ1に発生した内R1i la;力は
残留応力として残る。
面図であり、第2図は第1図の従来の合金方法によって
合金された半導体素子を示す断面図である。これらの図
で、1はシリコンウニノ\、2(ま−ウ材、3は前記シ
リコンウェー・1をロウ材2でpつ付けする金属板、4
は合金治具、5iま重りを示す。−例として金属板3と
してモリブデン板を使用した場合を説明すると、第1図
に示すようにシリコンウニl〜1に接する重り5σ)自
力l平面、また、モリブデン板3に接する合金治具4の
面も平面なので合金時にシリコンウェー1.モリフ′テ
ン板3には重り5による圧縮力のみカー働し・てし・ろ
だけである。このような状態で、例えif 700°C
でロウ材2を溶かして合金すると、熱膨張係数カーシリ
コンウエノヘ1よりモリブデン板3の方カー太き℃・た
め、合金後、常温まで冷却するとモリフ′テン板3には
収縮しようとする力か働くため第2図に7tすようにシ
リコンウニノー 111111を凸にする反りh−発生
する。半導体素子は700°Cもの品温では使用しない
ためシリコンウェハ1に発生した内R1i la;力は
残留応力として残る。
第2図に示すこのような残留応力や変形は外部からの熱
的2機械的衝撃に対してシリコンνruれを起こす大き
な原因となっていて、特に大口径素子において起こりや
すく問題となっ−Cいた。
的2機械的衝撃に対してシリコンνruれを起こす大き
な原因となっていて、特に大口径素子において起こりや
すく問題となっ−Cいた。
この発明は、上記欠点を除去するためになされたもので
、合金する金属板とシリコンウェハの熱膨張係数の差を
考慮し熱膨張係数の小さい側をあらかじめ凹面に形成し
て合金するようにし、半導体素子の残留応力や変形を低
減するようにしたものである。
、合金する金属板とシリコンウェハの熱膨張係数の差を
考慮し熱膨張係数の小さい側をあらかじめ凹面に形成し
て合金するようにし、半導体素子の残留応力や変形を低
減するようにしたものである。
第3図はこの発明の一実施例の合金方法を説明するため
の断面図である。この図で、6は表面を凹1tiiとし
た凹面合金治具、7は前記凹面合金治具6の凹面に対応
した凸面が形成された凸面合金治具、8は締め付は台、
9は締め付はボルトを示す。
の断面図である。この図で、6は表面を凹1tiiとし
た凹面合金治具、7は前記凹面合金治具6の凹面に対応
した凸面が形成された凸面合金治具、8は締め付は台、
9は締め付はボルトを示す。
第3図に示すように、凹面台金治具6.凸面合金治具1
の各々モリ7′テン板3.シリコンウェハ1に接する面
を球面に加工し、その曲率は第2図の反りの場合の曲率
に等しくなるようにする。そして、シリコンウェハ1側
、すなわち熱膨張係数が小さい側が凹面になるようにセ
ットし、締め付はボルト9でシリコンウェハ1.モリブ
テン3が各々凸面合金治具1.凹面合金治具6に密着す
るまで締め付ける。この第3図の状態では、第1図の場
合と比較してシリコンウニ・・1のpつ材211+Hの
主面がより引っ張られた状態になり、モリブデン板3の
ロウ材211111の主面がより圧縮された状態になる
。このような状態で、700°Cに温度を上げロウ材2
を溶かして合金後冷却して常温になった後、締め付はボ
ルト9をはずして半導体素子を取り出すと、この場合は
モリブデン板3とシリコンウェハ1の熱膨張の差に相当
する分だけ合金時に髪形しであるので、第4図に示すよ
うに半導体素子の変形や残留応力を大幅に減少すること
ができ、反りの極めて少なし・半導体素子が得られろ。
の各々モリ7′テン板3.シリコンウェハ1に接する面
を球面に加工し、その曲率は第2図の反りの場合の曲率
に等しくなるようにする。そして、シリコンウェハ1側
、すなわち熱膨張係数が小さい側が凹面になるようにセ
ットし、締め付はボルト9でシリコンウェハ1.モリブ
テン3が各々凸面合金治具1.凹面合金治具6に密着す
るまで締め付ける。この第3図の状態では、第1図の場
合と比較してシリコンウニ・・1のpつ材211+Hの
主面がより引っ張られた状態になり、モリブデン板3の
ロウ材211111の主面がより圧縮された状態になる
。このような状態で、700°Cに温度を上げロウ材2
を溶かして合金後冷却して常温になった後、締め付はボ
ルト9をはずして半導体素子を取り出すと、この場合は
モリブデン板3とシリコンウェハ1の熱膨張の差に相当
する分だけ合金時に髪形しであるので、第4図に示すよ
うに半導体素子の変形や残留応力を大幅に減少すること
ができ、反りの極めて少なし・半導体素子が得られろ。
実験例によるとシリコンウェハ1として直径が3J配φ
、厚みが350μm、金属板3として直径が311廁φ
、厚みが1.0mmのモリブデン板、ロウ材2として3
1咽、厚みが50μmのアルミ箔を使用した場合、第1
図に示すように従来の合金方法では半導体素子の反りが
70〜80μInであったものが、第3図釦示す合金方
法では曲率半径を1600mにとると合金後の半導体素
子の反りが10μm程度に大幅に改善された。
、厚みが350μm、金属板3として直径が311廁φ
、厚みが1.0mmのモリブデン板、ロウ材2として3
1咽、厚みが50μmのアルミ箔を使用した場合、第1
図に示すように従来の合金方法では半導体素子の反りが
70〜80μInであったものが、第3図釦示す合金方
法では曲率半径を1600mにとると合金後の半導体素
子の反りが10μm程度に大幅に改善された。
以上説明したように、この発明によれは、半導体素子の
残留応力や変形を低減することができるため、外部から
の熱的2機械的衝撃に強い半導体ふ子をつくることがで
きる利点がある。
残留応力や変形を低減することができるため、外部から
の熱的2機械的衝撃に強い半導体ふ子をつくることがで
きる利点がある。
第1図は従来の合金方法による半導体素子の合金時の状
態を示す断面図、第2図は従来の合金方法による半導体
素子の合金後の状態を示す断面図、第3図はこの発明の
一実施例を示す半導体素子の合金時の状態を示す断面図
、第4図はこの発明の合金方法による半導体素子の合金
後の状態を示す断面図である。 図中、1はシリコンウニ/・、2はロウ材、3は金属板
、6は凹面合金治具、7は凸面合金治具、8は締め付は
台、9は締め付はボルトである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 (ほか2名)
態を示す断面図、第2図は従来の合金方法による半導体
素子の合金後の状態を示す断面図、第3図はこの発明の
一実施例を示す半導体素子の合金時の状態を示す断面図
、第4図はこの発明の合金方法による半導体素子の合金
後の状態を示す断面図である。 図中、1はシリコンウニ/・、2はロウ材、3は金属板
、6は凹面合金治具、7は凸面合金治具、8は締め付は
台、9は締め付はボルトである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 (ほか2名)
Claims (1)
- 金属板上にシリコンウェハの一方の主表面をロウ材を介
して載置して合金する半導体素子の製造方法において、
前記金属板とシリコンウェハの熱膨張係数の差により合
金時の温度と半導体素子の使用時の温度差で素子が変形
する分だけ熱膨張係数が小さい側を凹面となるように変
形した状態で合金することを特徴とする半導体メ・−子
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16215983A JPS6053036A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16215983A JPS6053036A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6053036A true JPS6053036A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15749149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16215983A Pending JPS6053036A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053036A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5492866A (en) * | 1992-07-31 | 1996-02-20 | Nec Corporation | Process for correcting warped surface of plastic encapsulated semiconductor device |
CN103295937A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 芯片的绑定设备和方法 |
CN105118789A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-12-02 | 宁波芯科电力半导体有限公司 | 一种晶闸管芯片的低温结合方法 |
CN112123938A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 东芝泰格有限公司 | 喷墨头和喷墨打印机 |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP16215983A patent/JPS6053036A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5492866A (en) * | 1992-07-31 | 1996-02-20 | Nec Corporation | Process for correcting warped surface of plastic encapsulated semiconductor device |
CN103295937A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 芯片的绑定设备和方法 |
US20160254246A1 (en) * | 2013-05-21 | 2016-09-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Apparatus and method for bonding chips |
CN105118789A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-12-02 | 宁波芯科电力半导体有限公司 | 一种晶闸管芯片的低温结合方法 |
CN112123938A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 东芝泰格有限公司 | 喷墨头和喷墨打印机 |
CN112123938B (zh) * | 2019-06-24 | 2022-06-17 | 东芝泰格有限公司 | 喷墨头和喷墨打印机 |
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