JPS6046764A - スナバ回路 - Google Patents
スナバ回路Info
- Publication number
- JPS6046764A JPS6046764A JP15551383A JP15551383A JPS6046764A JP S6046764 A JPS6046764 A JP S6046764A JP 15551383 A JP15551383 A JP 15551383A JP 15551383 A JP15551383 A JP 15551383A JP S6046764 A JPS6046764 A JP S6046764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- snubber
- turn
- diodes
- series
- gto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/06—Circuits specially adapted for rendering non-conductive gas discharge tubes or equivalent semiconductor devices, e.g. thyratrons, thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し技術分野の説明］
本発明はＧＴＯ（ターンオフサイリスタ）のスナバ回路
に関するものである。
に関するものである。
［発明の技Ｈｊ的背景とその問題点］
第１図は第２図のグー１〜ターンＡ７サイリスタ（以下
ＧＴＯと記す）のターンオフ初期に発生する陽極・陰極
間電圧波形＜ａ ＞とスナバコンデンサの電圧波形であ
る。
ＧＴＯと記す）のターンオフ初期に発生する陽極・陰極
間電圧波形＜ａ ＞とスナバコンデンサの電圧波形であ
る。
時刻１．以前まで、ＧＴＯＩがオンしていて、負荷には
電流ＩＭが通流している。時刻ｔＯからＧＴＯｌがター
ンオフを開始し、時刻ｔ１でＧＴｏｌのオン賞流は約〆
０に減衰を完了し、その後ティルミ流としてしばらく流
れる。負荷電流Ｉ ＴＪは時刻ｔｔｌからスナバ回路へ
移り始め、スナバコンデンサ４を充電する。時刻１２に
おいて、スナバコンデンサ４はピーク充電される。電圧
■ｐｅａｋは主回路の配線のインダクタンス５分だけて
なく、スナバ回路の配線やスナバコンデンサ４の内部イ
ンダクタンスにも影響される。ＧＴＯのターンオフ能力
の限界耐且を高めるために、スナバ回路の配線をできる
だけ短かくして、インダクタンスを小さくし、スナバコ
ンデンサ４の内部インダクタンスをできるだけ小さくす
るように、配慮する必要がある。又、時刻ｔ ｓ ｃ二
おいて発生するＧＴＯの陽極・陰面間のスパイク電圧Ｖ
Ｗは、ＧＴＯのターンオフの限界を示す判定基準となっ
ているため、できるだけ低減することが必要である。ス
ナバダイオードのターンオン特性を第３図に示す。
電流ＩＭが通流している。時刻ｔＯからＧＴＯｌがター
ンオフを開始し、時刻ｔ１でＧＴｏｌのオン賞流は約〆
０に減衰を完了し、その後ティルミ流としてしばらく流
れる。負荷電流Ｉ ＴＪは時刻ｔｔｌからスナバ回路へ
移り始め、スナバコンデンサ４を充電する。時刻１２に
おいて、スナバコンデンサ４はピーク充電される。電圧
■ｐｅａｋは主回路の配線のインダクタンス５分だけて
なく、スナバ回路の配線やスナバコンデンサ４の内部イ
ンダクタンスにも影響される。ＧＴＯのターンオフ能力
の限界耐且を高めるために、スナバ回路の配線をできる
だけ短かくして、インダクタンスを小さくし、スナバコ
ンデンサ４の内部インダクタンスをできるだけ小さくす
るように、配慮する必要がある。又、時刻ｔ ｓ ｃ二
おいて発生するＧＴＯの陽極・陰面間のスパイク電圧Ｖ
Ｗは、ＧＴＯのターンオフの限界を示す判定基準となっ
ているため、できるだけ低減することが必要である。ス
ナバダイオードのターンオン特性を第３図に示す。
（黄軸にピーク繰り返し逆電圧、縦軸にターンオン時間
を示す。前記した陽極・陰極間のスパイク電１１Ｖ〜゛
は、スナバダイオードの定烙ビーク繰り返し逆汚圧の高
い素子はど人きくなる傾向にある。
を示す。前記した陽極・陰極間のスパイク電１１Ｖ〜゛
は、スナバダイオードの定烙ビーク繰り返し逆汚圧の高
い素子はど人きくなる傾向にある。
たどえば、３０００Ｖ素子は、１２００Ｖ素子Ｊ：りも
丁０１１か約３１１９も大きい。Ｔｏｎが大きいと前）
ホの＼ハＶか大きくなり、ＧＴＯのターンオフ能力が低
下する。
丁０１１か約３１１９も大きい。Ｔｏｎが大きいと前）
ホの＼ハＶか大きくなり、ＧＴＯのターンオフ能力が低
下する。
［発明の目的Ｊ
本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、ＧＴＯ
のターンオフの限界耐坦を高めるスナバ回路を１車用づ
ることを目的と１）１；ものである。
のターンオフの限界耐坦を高めるスナバ回路を１車用づ
ることを目的と１）１；ものである。
［発明の１１え要］
本発明ｔ、ｔ Ｇ Ｔ Ｏのターンオフ特性はスナバダ
イアＩ−１〜のターンオフ特性によって左右されること
、更にスナバタイオードのターンオン特性は所定の定格
電圧のグイオード１１Ｊ：りも定格電圧の低いクーｒオ
ードを？Ｒ数個直列にしｌ；方が良いことに着目し、ス
ナバクイオードを少なくとも２測置列にして使用するよ
うにしたものである。
イアＩ−１〜のターンオフ特性によって左右されること
、更にスナバタイオードのターンオン特性は所定の定格
電圧のグイオード１１Ｊ：りも定格電圧の低いクーｒオ
ードを？Ｒ数個直列にしｌ；方が良いことに着目し、ス
ナバクイオードを少なくとも２測置列にして使用するよ
うにしたものである。
［発明の実施例〕
前記しｌ；ように、スパイク電圧Ｖｗを小さくするだめ
には、ターンオフの早い素子を用いればよく、第４図に
本発明の一実施例を示す。ＧＴＯｌに並列にターンオフ
時間の小さいダイオード２ａ。
には、ターンオフの早い素子を用いればよく、第４図に
本発明の一実施例を示す。ＧＴＯｌに並列にターンオフ
時間の小さいダイオード２ａ。
２ ｌＴの直列体をスナバダイオードとしてスナバコン
デンサ４と直列に接続する。タイオードの直列数は、ス
ナバコンデンサ充電電圧から決め、少なくとも２個以上
とする。３ａ、３１）は抵抗で、スナバタイオート３ａ
、３ｂの電圧分担を平均化づる効果も兼ねる。
デンサ４と直列に接続する。タイオードの直列数は、ス
ナバコンデンサ充電電圧から決め、少なくとも２個以上
とする。３ａ、３１）は抵抗で、スナバタイオート３ａ
、３ｂの電圧分担を平均化づる効果も兼ねる。
第５図は、本発明の他の実施例を示す。スナバタイオー
ド２ａ 、 ２’ｏと並列に、各々、コンデンサ６ａと
抵抗７ａの直列体及びコンデンサ６１）と抵抗７１）の
直列体を接続し、スナバタイオードの逆阻止能力回復時
に生ずる逆スパイク電圧を抑制する効果のあるスナバ回
路である。第６図は、ターンオフ初期に生ずるＧＴＯｌ
の陽極・陰（り間電圧波形（ａ ＞とスナバダイオード
２ａ、２１＋を流れる電流波形（Ｉ））を示している。
ド２ａ 、 ２’ｏと並列に、各々、コンデンサ６ａと
抵抗７ａの直列体及びコンデンサ６１）と抵抗７１）の
直列体を接続し、スナバタイオードの逆阻止能力回復時
に生ずる逆スパイク電圧を抑制する効果のあるスナバ回
路である。第６図は、ターンオフ初期に生ずるＧＴＯｌ
の陽極・陰（り間電圧波形（ａ ＞とスナバダイオード
２ａ、２１＋を流れる電流波形（Ｉ））を示している。
＜Ｉ＞は、第４図に示した本発明の実施例による場合、
＜ＩＩ＞は、第５図に示した本発明の他の実施例による
場合の波形である。逆スパイク貢圧Ｅ ｒを小さくする
ためには、スナバダイオード２ａ、２ｔ＋の蓄積キｉリ
アができるだ１．−Ｊ小さくかつ、逆阻止能力回復特性
のゆるやかなほど小さい。（［）は、コンデン９１３ａ
、６１＋を用いて、逆阻止能力回復特牲をゆるやかにし
、かつ抵抗７ａ、７ｂは、ｔ３〜【４の期間の回路共振
を抑制覆る定数に選定したことを特徴どづ−る変形例の
！ｉ’Ｊ （’ｆ濾波形ある。
＜ＩＩ＞は、第５図に示した本発明の他の実施例による
場合の波形である。逆スパイク貢圧Ｅ ｒを小さくする
ためには、スナバダイオード２ａ、２ｔ＋の蓄積キｉリ
アができるだ１．−Ｊ小さくかつ、逆阻止能力回復特性
のゆるやかなほど小さい。（［）は、コンデン９１３ａ
、６１＋を用いて、逆阻止能力回復特牲をゆるやかにし
、かつ抵抗７ａ、７ｂは、ｔ３〜【４の期間の回路共振
を抑制覆る定数に選定したことを特徴どづ−る変形例の
！ｉ’Ｊ （’ｆ濾波形ある。
し発明の効果］
以上、説明したように本発明によれば、ターンオフの初
期に発生する陽（氾・陰口間スパイク電圧を低減し、Ｇ
ＴＯ素子のクーンオ）能力の限界用爪を高める効果の多
大なスナバ回路を提供できる。
期に発生する陽（氾・陰口間スパイク電圧を低減し、Ｇ
ＴＯ素子のクーンオ）能力の限界用爪を高める効果の多
大なスナバ回路を提供できる。
鎮１図は、グー１−ターンオフサイリスタの代表的なタ
ーンオフ初期に光生する波形変１ヒを示す図、第２図は
グー１へターンオフサイリスタのスナバ回路の１１を来
例を示寸接続図、第３図はタイオードのターンオフ特１
１を示１図、第４図は本発明の一実施例を示ず接続図、
第５図は本発明の他の実施例を示す接続図、第６図は、
第５図の勤ｆｒを説明するための）皮形図でおる。 １ ・＝ Ｇ −ｒ Ｏ１２，２ａ 、 ２１＋ −ス
ｊ−ハ’ＩＥ オード、３．３ａ 、３１．＋・・・抵
抗、１１・・・スナバコンデンサ、５・・・配線のｒン
タクタンス、（３ａ、６ｂ・・・コンデンサ、７ａ、７
１＋・・・抵抗。 出−人代理人 弁理士 鈴江武彦 第４図 ２ａ 第６ （１） 第５図 ＣＩｔ）
ーンオフ初期に光生する波形変１ヒを示す図、第２図は
グー１へターンオフサイリスタのスナバ回路の１１を来
例を示寸接続図、第３図はタイオードのターンオフ特１
１を示１図、第４図は本発明の一実施例を示ず接続図、
第５図は本発明の他の実施例を示す接続図、第６図は、
第５図の勤ｆｒを説明するための）皮形図でおる。 １ ・＝ Ｇ −ｒ Ｏ１２，２ａ 、 ２１＋ −ス
ｊ−ハ’ＩＥ オード、３．３ａ 、３１．＋・・・抵
抗、１１・・・スナバコンデンサ、５・・・配線のｒン
タクタンス、（３ａ、６ｂ・・・コンデンサ、７ａ、７
１＋・・・抵抗。 出−人代理人 弁理士 鈴江武彦 第４図 ２ａ 第６ （１） 第５図 ＣＩｔ）
Claims (1)
- スナバダイオードとスナバコンデンサの直列回路及び該
スナバタイオードと並列に抵抗が接続されたスナバ回路
において、該スナバダイオードは、少なくとも２個以上
のダイオードを直列接続することを特徴とするスナバ回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15551383A JPS6046764A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | スナバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15551383A JPS6046764A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | スナバ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046764A true JPS6046764A (ja) | 1985-03-13 |
| JPH035151B2 JPH035151B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15607691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15551383A Granted JPS6046764A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | スナバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046764A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03102629U (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-25 | ||
| JP2006039764A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nittan Co Ltd | 終端回路、感知器、中継器及び防災システム |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15551383A patent/JPS6046764A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03102629U (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-25 | ||
| JP2006039764A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nittan Co Ltd | 終端回路、感知器、中継器及び防災システム |
| JP4714436B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2011-06-29 | ニッタン株式会社 | 終端回路、感知器、中継器及び防災システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035151B2 (ja) | 1991-01-24 |
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