JPS61140174A - ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Publication number
JPS61140174A
JPS61140174A JP26075684A JP26075684A JPS61140174A JP S61140174 A JPS61140174 A JP S61140174A JP 26075684 A JP26075684 A JP 26075684A JP 26075684 A JP26075684 A JP 26075684A JP S61140174 A JPS61140174 A JP S61140174A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
transistor
gto
anode
diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26075684A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Koga
健司 古賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP26075684A priority Critical patent/JPS61140174A/ja
Publication of JPS61140174A publication Critical patent/JPS61140174A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
    • H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
    • H03K17/732—Measures for enabling turn-off

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はゲートターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯと略
す）に係り、特にアノードショートエミッタ構造に好適
なＧＴＯに関する。
〔発明の背景〕
従来のＧＴＯを第２図に示すような電圧形インバータに
適用する場合、負荷３からの回生電流や循環電流を流す
ためにダイオード２をＧＴＯｌに逆並列に接続する必要
がある。この電圧形インバータを小形化、低価格化させ
る一要因としてＧＴＯと共にダイオードを組込んだ、い
わゆる逆導通ＧＴＯがある。その他に第３図に示すよう
にアノードショートエミッタ構造はゲート・アノード間
はＰＮ接合であるので、カソード・ゲート間にスイッチ
ング素子を設ければ、ダイオード２は不要となる。
アノードショートエミッタに関する先行技術（特開昭５
３−１８４８４号）には、ショートを適度に行なうこと
によりショート抵抗をコントロールし、重金属を用いる
ことなくＧＴＯが製作できることが開示されている。し
かし、アノードショートを利用して逆導通を行なうとい
う認識はない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、アノードショートエミッタ構造を利用
して逆導通ｃＴ（ｌＩＴｈ供するにある。
〔発明の概要〕
本発明は、ＧＴＯのアノード・カソード間電圧を検出し
、アノード電位がカソード電位に対して負となる場合に
、ＧＴＯのゲート・カソード間に挿入したスイッチング
素子を導通させることにより逆導通ＧＴＯを実現するよ
うにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。
ＧＴＯｌの７ノード・カソード間にダイオード４．５及
びトランジスタ６を直列に接続する。ここでダイオード
４のカソード側の電位は、ＧＴＯｌがオフ状態時では、
ＧＴＯｌのアノード電位と同一であり、ＧＴＯＩがオン
状態時はＧＴＯのオン電圧と同一であり５回生時はＧＴ
Ｏｌのカソード電位より低くなる。
ＧＴＯｌと逆並列に接続されるダイオード２はフリーホ
イーリングダイオードと呼ばれ、負荷３からの回生電流
や循環電流を流す、上述かられかるように回生時はダイ
オード４のカソード電位はＧＴＯｌのカソード電位より
低くなり、ダイオード４の漏れ電流がトランジスタ６の
エミッタ・ペース、ダイオード５を通って流れる。これ
により。
トランジスタ６はオン状態となり、さらにトランジスタ
７をオン状態へ導く。トランジスタ７はＧ　Ｔ　Ｏ１の
ゲート・カソード間に挿入してあり、このトランジスタ
からＧＴＯｌのゲート・７ノードを通って電流を流すこ
とができる。トランジスタ７は、ＧＴＯｌの耐圧は不要
であり低耐圧（例えば５０Ｖ程度）で十分である。又、
並列接続も十分可能であり、トランジスタ１ヶ当りの電
流定格は小さいものを選択できる。
本発明の一実施例によれば、フリーホイーリングダイオ
ードの効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、逆導通ＧＴＯが実現できるので、従来
用いていたフリーホイ−リグダイオードを省略すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の回路構成図、第２図は電圧
形インバータ主回路図、第３図はアノードショートエミ
ッタ形ＧＴＯ模式図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、アノードショートエミッタの構造を有するゲートタ
    ーンオフサイリスタにおいて、ゲート・カソード間にス
    イッチング素子を挿入することを特徴とするゲートター
    ンオフサイリスタ。
JP26075684A 1984-12-12 1984-12-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ Pending JPS61140174A (ja)

Priority Applications (1)

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JP26075684A JPS61140174A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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JP26075684A JPS61140174A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Publication Number Publication Date
JPS61140174A true JPS61140174A (ja) 1986-06-27

Family

ID=17352292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26075684A Pending JPS61140174A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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JP (1) JPS61140174A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01278257A (ja) * 1988-04-28 1989-11-08 Fuji Electric Co Ltd Ｇｔｏサイリスタのゲート駆動回路
US5156130A (en) * 1989-12-28 1992-10-20 Hitachi, Ltd. Fuel injection system
FR2688941A1 (fr) * 1992-03-20 1993-09-24 Sgs Thomson Microelectronics Interrupteur de tension alternative a declenchement sur une alternance determinee et conduction par periode.

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US5471074A (en) * 1992-03-20 1995-11-28 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. A.c. switch triggered at a predetermined half-period
US5569940A (en) * 1992-03-20 1996-10-29 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. AC switch triggered at a predetermined half-period
US5596292A (en) * 1992-03-20 1997-01-21 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. A.C. switch triggered at a predetermined half-period

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