JPS6041438B2 - エレクトロルミネツセンス表示素子のエ−ジング方法 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス表示素子のエ−ジング方法Info
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- JPS6041438B2 JPS6041438B2 JP55085705A JP8570580A JPS6041438B2 JP S6041438 B2 JPS6041438 B2 JP S6041438B2 JP 55085705 A JP55085705 A JP 55085705A JP 8570580 A JP8570580 A JP 8570580A JP S6041438 B2 JPS6041438 B2 JP S6041438B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ェレクトロルミネッセンス発光層を一対の電
極でサンドイッチして構成されるェレクトロルミネッセ
ンス表示素子における輝度などの物理的特性および絶縁
破壊特性などを安定化するエージング方法に関する。
極でサンドイッチして構成されるェレクトロルミネッセ
ンス表示素子における輝度などの物理的特性および絶縁
破壊特性などを安定化するエージング方法に関する。
一般にェレクトロルミネッセンス表示素子をエージング
処理するにあたって、エージソグ完了時間を短縮するに
は、電極に与えるストレスとしての電力の電圧、パルス
幅、周波数などを大きくすることが考えられる。
処理するにあたって、エージソグ完了時間を短縮するに
は、電極に与えるストレスとしての電力の電圧、パルス
幅、周波数などを大きくすることが考えられる。
しかし、ストレスを大きくすると、絶縁破壊の発生が増
加するという新たな問題が生じる。そのため現実には、
通常の表示動作中における電圧よりも低い電圧で、小さ
いストレスでヱレクトロルミネッセンス表示素子を駆動
してエージングを行なっている。したがってエージング
完了時間はたとえば50〜6幼時間以上もの長時間を必
要としている。したがって本発明は、ヱレクトロルミネ
ツセンス表示素子の絶縁破壊を防いでしかもエージング
完了時間を短縮するエージング方法を提供することを目
的とする。
加するという新たな問題が生じる。そのため現実には、
通常の表示動作中における電圧よりも低い電圧で、小さ
いストレスでヱレクトロルミネッセンス表示素子を駆動
してエージングを行なっている。したがってエージング
完了時間はたとえば50〜6幼時間以上もの長時間を必
要としている。したがって本発明は、ヱレクトロルミネ
ツセンス表示素子の絶縁破壊を防いでしかもエージング
完了時間を短縮するエージング方法を提供することを目
的とする。
本発明は、ェレクトロルミネッセンス発光層を一対の電
極でサンドィッチして構成されるェレクトロルミネッセ
ンス表示素子のエージング方法において、周波数を、5
00HZ〜10KHZの範囲に定め、パルス幅を、20
仏sec〜100舷secの範囲に定め、エージング処
理がなされていないェレクトロルミネッセンス素子が1
フートランベルトの輝度を得るときの発光開始電圧をV
thとするとき、電圧を、(Vth+30)ボルト〜(
Vth+60)ボルトの範囲に定め、このような矩形波
交流電力を、前記電極間に与えることを特徴とするェレ
クトロルミネツセンス表示素子のエージング方法である
。
極でサンドィッチして構成されるェレクトロルミネッセ
ンス表示素子のエージング方法において、周波数を、5
00HZ〜10KHZの範囲に定め、パルス幅を、20
仏sec〜100舷secの範囲に定め、エージング処
理がなされていないェレクトロルミネッセンス素子が1
フートランベルトの輝度を得るときの発光開始電圧をV
thとするとき、電圧を、(Vth+30)ボルト〜(
Vth+60)ボルトの範囲に定め、このような矩形波
交流電力を、前記電極間に与えることを特徴とするェレ
クトロルミネツセンス表示素子のエージング方法である
。
第1図は、本発明が実施され得るェレクトロルミネッセ
ンス表示素子1の断面図である。
ンス表示素子1の断面図である。
ェレクトロルミネッセンス表示素子1では、ガラス基板
2上に、ln203の透明な前面電極3、厚みがたとえ
ば2000AであるY203の絶縁膜4、Mnがドープ
された厚みがたとえば6000A〜8000Aを有する
ェレクトロルミネッセンス発光層5、厚みがたとえば2
000AであるY203の絶縁膜6、およびAIの背面
電極7が蒸着などによって順次積層されて形成される。
前面電極3および背面電極7は、たとえばテレビジョン
映像表示を優れた精細度で実現するために、その幅dが
200〜300仏仇を有する帯状に形成され、互いに直
交するマトリックス状に配列される。こうして表示画面
が形成され、このマトリックスの交点位置が1絵素に相
当する。前面電極3と背面電極7とには、第2図の波形
を有する矩形波交流電力が与えられる。これによって第
1図のェレクトロルミネツセンス表示素子1は、典型的
には第3図のように、電圧VIこ対する発光輝度の特性
を有する。ここで、輝度1フ−トランベルト(以下、F
Lと略記する)を得るときの電圧Vを、発光開始電圧V
thと定義する。この発光開始電圧Vthは、典型的に
は第4図のように、エージング時間の初期に大きく変化
し、或る時間Tだけ経過した後には安定となる。この時
間Tをエージング完了時間と定義する。第4図では、周
波数はIKH2であり、パルス幅WIは40山secで
ある。第2図示の矩形波をェレクトロルミネッセンス表
示素子1の駆動のために用いることによって、所望の発
光輝度を効率良く達成することができる。ェレクトロル
ミネッセンス表示素子1の駆動のために、正弦波や三角
波などを用いることは、効率の観点から、好ましくない
。本件本発明の実験によると、エージング完了時間Tは
、前面電極3と背面電極7との間に与えられる第2図示
の波形を有する電力の周波数に第5図のように依存する
ことが判った。
2上に、ln203の透明な前面電極3、厚みがたとえ
ば2000AであるY203の絶縁膜4、Mnがドープ
された厚みがたとえば6000A〜8000Aを有する
ェレクトロルミネッセンス発光層5、厚みがたとえば2
000AであるY203の絶縁膜6、およびAIの背面
電極7が蒸着などによって順次積層されて形成される。
前面電極3および背面電極7は、たとえばテレビジョン
映像表示を優れた精細度で実現するために、その幅dが
200〜300仏仇を有する帯状に形成され、互いに直
交するマトリックス状に配列される。こうして表示画面
が形成され、このマトリックスの交点位置が1絵素に相
当する。前面電極3と背面電極7とには、第2図の波形
を有する矩形波交流電力が与えられる。これによって第
1図のェレクトロルミネツセンス表示素子1は、典型的
には第3図のように、電圧VIこ対する発光輝度の特性
を有する。ここで、輝度1フ−トランベルト(以下、F
Lと略記する)を得るときの電圧Vを、発光開始電圧V
thと定義する。この発光開始電圧Vthは、典型的に
は第4図のように、エージング時間の初期に大きく変化
し、或る時間Tだけ経過した後には安定となる。この時
間Tをエージング完了時間と定義する。第4図では、周
波数はIKH2であり、パルス幅WIは40山secで
ある。第2図示の矩形波をェレクトロルミネッセンス表
示素子1の駆動のために用いることによって、所望の発
光輝度を効率良く達成することができる。ェレクトロル
ミネッセンス表示素子1の駆動のために、正弦波や三角
波などを用いることは、効率の観点から、好ましくない
。本件本発明の実験によると、エージング完了時間Tは
、前面電極3と背面電極7との間に与えられる第2図示
の波形を有する電力の周波数に第5図のように依存する
ことが判った。
第5図では、エージング完了時間Tと周波数とは両対数
で目盛がつけられている。この第5図では、電圧Vは2
00ボルトであり、パルス幅W.は40ムsecである
。この第5図のグラフから、エージング完了時間Tは周
波数にほぼ反比例し、エージング完了時間Tを実務上せ
し、ぜし、2日(4鞘時間)未満とするために周波数を
500HZ以上とする必要がある。
で目盛がつけられている。この第5図では、電圧Vは2
00ボルトであり、パルス幅W.は40ムsecである
。この第5図のグラフから、エージング完了時間Tは周
波数にほぼ反比例し、エージング完了時間Tを実務上せ
し、ぜし、2日(4鞘時間)未満とするために周波数を
500HZ以上とする必要がある。
この周波数を10KHZ以上とすれば、パルス幅WIが
きわめて短時間となる結果、所望の発光輝度が充分に得
られなくなる。また10kHZ以上の周波数では、ヱレ
クトロルミネッセンス表示素子1の発熱が著しくなるこ
とが判った。こうして10KHZ以上の周波数では、エ
ージング処理を行なうことができなくなる。したがって
前面電極3と背面電極7とに与えられる電力の周波数は
、500HZ〜1皿HZの範囲が好ましく、実務上の使
用にあたって一般に必要とされる発光輝度30〜4価L
をエージング処理中に充分に得るためには、500日2
以上2.靴HZ未満が特に好ましい。前面電極3および
背面電極7間に与えられるェレクトロルミネッセンス表
示素子1は、いわゆるブレークダウンと称されている絶
縁破壊を生じて穴があくことがある。
きわめて短時間となる結果、所望の発光輝度が充分に得
られなくなる。また10kHZ以上の周波数では、ヱレ
クトロルミネッセンス表示素子1の発熱が著しくなるこ
とが判った。こうして10KHZ以上の周波数では、エ
ージング処理を行なうことができなくなる。したがって
前面電極3と背面電極7とに与えられる電力の周波数は
、500HZ〜1皿HZの範囲が好ましく、実務上の使
用にあたって一般に必要とされる発光輝度30〜4価L
をエージング処理中に充分に得るためには、500日2
以上2.靴HZ未満が特に好ましい。前面電極3および
背面電極7間に与えられるェレクトロルミネッセンス表
示素子1は、いわゆるブレークダウンと称されている絶
縁破壊を生じて穴があくことがある。
この絶縁破壊を生じた穴の直径(以下、「絶縁破壊の大
きさ」と称する)1は、前面電極3および背面電極7の
幅に比べて充分に小さくなければならない。さもなけれ
ば、絶縁破壊によって前面電極3または背面電極7が断
線し、表示を行なうことができなくなるからである。こ
の絶縁破壊の大きさ1は、本件発明者の実験によると、
第6図のように、周波数にほとんど依存しないことがわ
かった。
きさ」と称する)1は、前面電極3および背面電極7の
幅に比べて充分に小さくなければならない。さもなけれ
ば、絶縁破壊によって前面電極3または背面電極7が断
線し、表示を行なうことができなくなるからである。こ
の絶縁破壊の大きさ1は、本件発明者の実験によると、
第6図のように、周波数にほとんど依存しないことがわ
かった。
第6図において、パルス幅WIは40ムsecとし、周
波数に拘らず一定とする。絶縁破壊の大きさ1は、第7
図のようにパルス幅WIに依存して変わる。第7図にお
いて、曲線11,12,13は、電圧Vが170ボルト
、180ボルト、190ボルトの場合をそれぞれ示し、
周波数はいずれも500HZ〜10KHZである。この
グラフから、パルス幅WIを20仏sec以上、100
仏sec未満の範囲に選ぶことによって、絶縁破壊の大
きさ1を前面電極3および背面電極7の幅200〜30
0仏のに比べて充分に小さい値とすることができ、エー
ジング処理中において絶縁破壊によってェレクトロルミ
ネッセンス表示素子1の歩蟹りが低下することが妨がれ
る。パルス幅WIが約20仏sec未満である範囲では
、エージング処理に必要な発光輝度を得ることができず
エージング処理を行なうことができない。このパルス幅
WIは、最も好ましくは40仏sec以上70仏sec
未満であり、これによって充分な輝度を得ることができ
るとともに、絶縁破壊の大きさ1を約50ムm以下に抑
えることができる。こうして絶縁破壊の大きさ1は、第
7図のようにパルス幅WIに依存し、第8図のように周
波数に無関係である。
波数に拘らず一定とする。絶縁破壊の大きさ1は、第7
図のようにパルス幅WIに依存して変わる。第7図にお
いて、曲線11,12,13は、電圧Vが170ボルト
、180ボルト、190ボルトの場合をそれぞれ示し、
周波数はいずれも500HZ〜10KHZである。この
グラフから、パルス幅WIを20仏sec以上、100
仏sec未満の範囲に選ぶことによって、絶縁破壊の大
きさ1を前面電極3および背面電極7の幅200〜30
0仏のに比べて充分に小さい値とすることができ、エー
ジング処理中において絶縁破壊によってェレクトロルミ
ネッセンス表示素子1の歩蟹りが低下することが妨がれ
る。パルス幅WIが約20仏sec未満である範囲では
、エージング処理に必要な発光輝度を得ることができず
エージング処理を行なうことができない。このパルス幅
WIは、最も好ましくは40仏sec以上70仏sec
未満であり、これによって充分な輝度を得ることができ
るとともに、絶縁破壊の大きさ1を約50ムm以下に抑
えることができる。こうして絶縁破壊の大きさ1は、第
7図のようにパルス幅WIに依存し、第8図のように周
波数に無関係である。
エージング完了時間Tは、電圧Vに依存して第8図のよ
うに変わることが本件発明者の実験によってわかった。
うに変わることが本件発明者の実験によってわかった。
第8図において、周波数はIKHZであり、パルス幅は
40山secであり、エージング完了時間Tを表わす縦
軸には対数で目盛がつけるれている。このグラフから、
電圧Vを高くするにつれてエージング完了時間Tが短縮
されることがわかる。エージング完了時間Tをたとえば
2目未満に抑えるには、電圧Vを約180V以上に選ぶ
必要がある。エージング処理を行なっていないときにお
ける発光開始電圧y仇は、第1図示の構造を有するェレ
クトロルミネッセンス表示素子1では、前述の第4図か
ら約150Vである。したがってエージング完了時間T
を2日禾満に抑えるには、一般に、電圧Vを、(エージ
ング処理がなされていないェレクトロルミネッセンス素
子1の発光開始電圧V仇十30)ボルト以上に選ぶこと
が望ましいことになる。また本件発明者の実験によれば
、電圧Vを高くするにつれて、絶縁破壊の大きさ1は、
第9図のように変化することがわかった。
40山secであり、エージング完了時間Tを表わす縦
軸には対数で目盛がつけるれている。このグラフから、
電圧Vを高くするにつれてエージング完了時間Tが短縮
されることがわかる。エージング完了時間Tをたとえば
2目未満に抑えるには、電圧Vを約180V以上に選ぶ
必要がある。エージング処理を行なっていないときにお
ける発光開始電圧y仇は、第1図示の構造を有するェレ
クトロルミネッセンス表示素子1では、前述の第4図か
ら約150Vである。したがってエージング完了時間T
を2日禾満に抑えるには、一般に、電圧Vを、(エージ
ング処理がなされていないェレクトロルミネッセンス素
子1の発光開始電圧V仇十30)ボルト以上に選ぶこと
が望ましいことになる。また本件発明者の実験によれば
、電圧Vを高くするにつれて、絶縁破壊の大きさ1は、
第9図のように変化することがわかった。
この第9図において、曲線14および15はパルス幅W
Iが40山secおよび70Asecの場合を示し、周
波数はいずれも500HZ〜10KHZである。電圧V
が210ボルト以上では、絶縁破壊の大きさ1が前面電
極2および背面電極7の幅に比べて大きくなりすぎ、そ
のためエージング処理中におけるェレクトロルミネツセ
ンス表示素子1の歩留りが低下する。換言すると、一般
に、電圧Vは、(エージング処理がなされていないェレ
クトロルミネッセンス表示素子1の発光開始電圧Vth
+60)ボルト禾満であることが望まれる。発光開始電
圧Vthは、ェレクトロルミネッセンス表示素子1の構
造によって異なり、一般には約150V〜190Vの範
囲にある。要約すると、前面電極3および背面電極7間
に与えられる電力の電圧Vは、(エージング処理前の発
光開始電圧Vth+30)ボルト以上、(エージング処
理前の発光開始電圧Vth+60)ボルト未満にあるこ
とが好ましい。本発明は、ェレクトロルミネッセンス発
光層を一対の電極でサンドィッチして構成された構造を
有するェレクトロルミネッセンス表示素子であれば、前
述の構造だけでなく、その他のいわゆる真正のェレクト
ロルミネッセンス表示素子であってもよく、また、いわ
ゆる注入形のェレクトロルミネッセンス表示素子に関連
してもまた実施されることができる。
Iが40山secおよび70Asecの場合を示し、周
波数はいずれも500HZ〜10KHZである。電圧V
が210ボルト以上では、絶縁破壊の大きさ1が前面電
極2および背面電極7の幅に比べて大きくなりすぎ、そ
のためエージング処理中におけるェレクトロルミネツセ
ンス表示素子1の歩留りが低下する。換言すると、一般
に、電圧Vは、(エージング処理がなされていないェレ
クトロルミネッセンス表示素子1の発光開始電圧Vth
+60)ボルト禾満であることが望まれる。発光開始電
圧Vthは、ェレクトロルミネッセンス表示素子1の構
造によって異なり、一般には約150V〜190Vの範
囲にある。要約すると、前面電極3および背面電極7間
に与えられる電力の電圧Vは、(エージング処理前の発
光開始電圧Vth+30)ボルト以上、(エージング処
理前の発光開始電圧Vth+60)ボルト未満にあるこ
とが好ましい。本発明は、ェレクトロルミネッセンス発
光層を一対の電極でサンドィッチして構成された構造を
有するェレクトロルミネッセンス表示素子であれば、前
述の構造だけでなく、その他のいわゆる真正のェレクト
ロルミネッセンス表示素子であってもよく、また、いわ
ゆる注入形のェレクトロルミネッセンス表示素子に関連
してもまた実施されることができる。
第10図は、表示素子1の表面温度と、それに与えられ
る矩形波交流電力の対数目盛りによる周波数との関係を
示す。
る矩形波交流電力の対数目盛りによる周波数との関係を
示す。
周囲温度は000であり、電圧は(Vth十30)ボル
トであり、パルス幅WIは40仏Secある。ライン1
6は表示素子1の発光領域が9×12伽の場合であり、
ライン16は発光領域が1×1伽の場合であり、いずれ
も放熱板が取付けられている。この実験結果から判るよ
うに、発光領域が比較的小さく、しかも冷却効率をよく
した表示素子1であっても、周波数が10kHZ越える
と、表示素子1の温度が百数十。0となり、表示素子1
が破壊される。
トであり、パルス幅WIは40仏Secある。ライン1
6は表示素子1の発光領域が9×12伽の場合であり、
ライン16は発光領域が1×1伽の場合であり、いずれ
も放熱板が取付けられている。この実験結果から判るよ
うに、発光領域が比較的小さく、しかも冷却効率をよく
した表示素子1であっても、周波数が10kHZ越える
と、表示素子1の温度が百数十。0となり、表示素子1
が破壊される。
第11図は、表示素子11こ与えられる矩形波交流電力
のパルス幅WIと、発光輝度との関係を示すグラフであ
る。
のパルス幅WIと、発光輝度との関係を示すグラフであ
る。
電圧は(Vth+30)ボルトであり、その周波数はl
kHZである。このグラフからパルス幅WIが20ムs
ecであるとき、発光輝度が急激に小さくなり、効率が
悪化することが判る。第12図は、表示素子1のエージ
ング完了時間と、パルス幅WIとの関係を示すグラフで
ある。この第12図では、矩形波交流電力の電圧は(V
th+30)ボルトであり、その周波数は2.球日2で
ある。このグラフを参照すると、パルス幅WIが20仏
sec未満では、エージング完了時間を著しく長くしな
ければならなくなることが判る。第13図は、絶縁破壊
の大きさ1と、不良率Pとの関係を示すグラフである。
ここで、P=1−比p〔−NeXp{『害毒空}〕…。
kHZである。このグラフからパルス幅WIが20ムs
ecであるとき、発光輝度が急激に小さくなり、効率が
悪化することが判る。第12図は、表示素子1のエージ
ング完了時間と、パルス幅WIとの関係を示すグラフで
ある。この第12図では、矩形波交流電力の電圧は(V
th+30)ボルトであり、その周波数は2.球日2で
ある。このグラフを参照すると、パルス幅WIが20仏
sec未満では、エージング完了時間を著しく長くしな
ければならなくなることが判る。第13図は、絶縁破壊
の大きさ1と、不良率Pとの関係を示すグラフである。
ここで、P=1−比p〔−NeXp{『害毒空}〕…。
,ここでNは絶縁破壊を生じた表示素子1の数であり、
この実験では30の固とする。またLは電極3,7の幅
dであり、225ム肌である。この第13図によると、
絶縁破壊の大きさ1が50山肌以上となると、不良率が
極めて大きくなることが判る。したがって第7図から、
絶縁破壊の大きさ1が50仏の未満であるようにするた
めには、パルス幅WIはライン12,13で示されるよ
うに約100Asec未満でなければならないことが判
る。第14図は、エージング時間と初期不良発生率との
関係を示すグラフである。エージング時間が2日(4細
時間)とすれば、初期不良をほぼ完全に除去することが
可能となり、これ以上エージング時間を長くしても無駄
であり、製造原価の無駄となる。エージング時間をこの
ように2日に定めると、第8図に関連して述べたように
、表示素子1の駆形波交流電力の電圧は(Vth+30
)ボルト以上に定める必要があることが判る。なお、発
光開始電圧y仇は、発光素子1の構造によって異なる値
となり、たとえば150〜190ボルトの範囲にある。
この実験では30の固とする。またLは電極3,7の幅
dであり、225ム肌である。この第13図によると、
絶縁破壊の大きさ1が50山肌以上となると、不良率が
極めて大きくなることが判る。したがって第7図から、
絶縁破壊の大きさ1が50仏の未満であるようにするた
めには、パルス幅WIはライン12,13で示されるよ
うに約100Asec未満でなければならないことが判
る。第14図は、エージング時間と初期不良発生率との
関係を示すグラフである。エージング時間が2日(4細
時間)とすれば、初期不良をほぼ完全に除去することが
可能となり、これ以上エージング時間を長くしても無駄
であり、製造原価の無駄となる。エージング時間をこの
ように2日に定めると、第8図に関連して述べたように
、表示素子1の駆形波交流電力の電圧は(Vth+30
)ボルト以上に定める必要があることが判る。なお、発
光開始電圧y仇は、発光素子1の構造によって異なる値
となり、たとえば150〜190ボルトの範囲にある。
表示素子1の発光開始電圧ythが150ボルトである
とき、(V仇十30)ボルト、すなわち180ボルト以
上で発光が行なわれるけれども、Vthが190ボルト
の発光素子は電圧180ボルトを印加しても発光するこ
とはない。したがって本発明では、表示素子1に与えら
れる矩形波交流電力の電圧は、発光開始電圧Vthを用
いて前述のように(Vth十30)〜(Vth+60)
ボルトの範囲に定めることが重要となる。前述の第8図
および第9図の特性は発光開始電圧Vthが150ボル
トである表示素子を用いたときの実験結果である。
とき、(V仇十30)ボルト、すなわち180ボルト以
上で発光が行なわれるけれども、Vthが190ボルト
の発光素子は電圧180ボルトを印加しても発光するこ
とはない。したがって本発明では、表示素子1に与えら
れる矩形波交流電力の電圧は、発光開始電圧Vthを用
いて前述のように(Vth十30)〜(Vth+60)
ボルトの範囲に定めることが重要となる。前述の第8図
および第9図の特性は発光開始電圧Vthが150ボル
トである表示素子を用いたときの実験結果である。
発光開始電圧Vthが190ボルトである表示素子1の
特性は、第8図および第9図の電圧Vが40ボルト減少
するようにスライドすることによって、第8図および第
9図の類似の特性を得ることができる。以上のように本
発明によれば、エージング完了時間は周波数と電圧とに
依存し、絶縁破壊は電圧とパルス幅に依存することに着
目し、ェレクトロルミネッセンス表示素子を矩形波交流
電力で駆動し、この矩形波交流電力は、‘1’エージン
グ完了時間を短縮し得る周波数を有し、{2}絶縁破壊
を抑え得るパルス幅を有し、‘3’エージング完了時間
を短縮しかつ絶縁破壊を抑え得る電圧を有するように選
ばれる。
特性は、第8図および第9図の電圧Vが40ボルト減少
するようにスライドすることによって、第8図および第
9図の類似の特性を得ることができる。以上のように本
発明によれば、エージング完了時間は周波数と電圧とに
依存し、絶縁破壊は電圧とパルス幅に依存することに着
目し、ェレクトロルミネッセンス表示素子を矩形波交流
電力で駆動し、この矩形波交流電力は、‘1’エージン
グ完了時間を短縮し得る周波数を有し、{2}絶縁破壊
を抑え得るパルス幅を有し、‘3’エージング完了時間
を短縮しかつ絶縁破壊を抑え得る電圧を有するように選
ばれる。
そのため、絶縁破壊を抑えてしかもエージング完了時間
を短縮してエージング処理を行なうことができるように
なる。
を短縮してエージング処理を行なうことができるように
なる。
第1図は本発明が実施されうるェレクトロルミネツセン
ス表示素子1の断面図、第2図は前面電極3と背面電極
7との間に与えられる電圧波形を示す図、第3図は電圧
Vと発光輝度との関係を示すグラフ、第4図はエージン
グ時間と発光開始電圧Vthとの関係を示すグラフ、第
5図は周波数とエージング完了時間Tとの関係を示すグ
ラフ、第6図は周波数と絶縁破壊の大きさ1との関係を
示すグラフ、第7図はパルス幅WIと絶縁破壊の大きさ
1との関係を示すグラフ、第8図は電圧Vとエージング
完了時間Tとの関係を示すグラフ、第9図は電圧Vと絶
縁破壊の大きさ1との関係を示すグラフ、第10図は周
波数と表示素子1の表面温度との関係を示すグラフ、第
11図はパルス幅WIと発光輝度との関係を示すグラフ
、第12図はパルス幅WIとエージング完了時間との関
係を示すグラフ、第13図は絶縁破壊の大きさ1と不良
率Pとの関係を示すグラフ、第14図はエージング時間
と初期不良発生率と関係を示すグラフである。 1・・・…ェレクトロルミネッセンス表示素子、2・・
・・・・ガラス基板、3・・・・・・前面電極、4,6
…・・・絶縁膜、5・・・・・・ェレクトロルミネッセ
ンス発光層、7・・・・・・背面電極。 第1図 第2図 第3図 第ム図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 第11図 第12図 第13図 第仏図
ス表示素子1の断面図、第2図は前面電極3と背面電極
7との間に与えられる電圧波形を示す図、第3図は電圧
Vと発光輝度との関係を示すグラフ、第4図はエージン
グ時間と発光開始電圧Vthとの関係を示すグラフ、第
5図は周波数とエージング完了時間Tとの関係を示すグ
ラフ、第6図は周波数と絶縁破壊の大きさ1との関係を
示すグラフ、第7図はパルス幅WIと絶縁破壊の大きさ
1との関係を示すグラフ、第8図は電圧Vとエージング
完了時間Tとの関係を示すグラフ、第9図は電圧Vと絶
縁破壊の大きさ1との関係を示すグラフ、第10図は周
波数と表示素子1の表面温度との関係を示すグラフ、第
11図はパルス幅WIと発光輝度との関係を示すグラフ
、第12図はパルス幅WIとエージング完了時間との関
係を示すグラフ、第13図は絶縁破壊の大きさ1と不良
率Pとの関係を示すグラフ、第14図はエージング時間
と初期不良発生率と関係を示すグラフである。 1・・・…ェレクトロルミネッセンス表示素子、2・・
・・・・ガラス基板、3・・・・・・前面電極、4,6
…・・・絶縁膜、5・・・・・・ェレクトロルミネッセ
ンス発光層、7・・・・・・背面電極。 第1図 第2図 第3図 第ム図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 第11図 第12図 第13図 第仏図
Claims (1)
- 1 エレクトロルミネツセンス発光層を一対の電極でサ
ンドイツチして構成されるエレクトロルミネツセンス表
示素子のエージング方法において、周波数を、500H
z〜10KHzの範囲に定め、パルス幅を、20μse
c〜100μsecの範囲に定め、エージング処理がな
されていないエレクトロルミネツセンス素子が1フート
ランベルトの輝度を得るときの発光開始電圧をVthと
するとき、電圧を、(Vth+30)ボルト〜(Vth
+60)ボルトの範囲に定め、このような矩形波交流電
力を、前記電極間に与えることを特徴とするエレクトロ
ルミネツセンス表示素子のエージング方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55085705A JPS6041438B2 (ja) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | エレクトロルミネツセンス表示素子のエ−ジング方法 |
US06/274,741 US4412155A (en) | 1980-06-23 | 1981-06-18 | Aging method for thin-film electroluminescent display element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55085705A JPS6041438B2 (ja) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | エレクトロルミネツセンス表示素子のエ−ジング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5711497A JPS5711497A (en) | 1982-01-21 |
JPS6041438B2 true JPS6041438B2 (ja) | 1985-09-17 |
Family
ID=13866231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55085705A Expired JPS6041438B2 (ja) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | エレクトロルミネツセンス表示素子のエ−ジング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4412155A (ja) |
JP (1) | JPS6041438B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4818913A (en) * | 1981-07-31 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Aging method for thin-film electroluminescent display panel |
JPS5777484A (en) * | 1981-09-03 | 1982-05-14 | Showa Rekisei Kogyo Kk | Transport system for asphalt |
US4527096A (en) * | 1984-02-08 | 1985-07-02 | Timex Corporation | Drive circuit for capacitive electroluminescent panels |
JPS60244992A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-04 | 富士通株式会社 | 表示パネルのエ−ジング方法 |
JPH01117296A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Sharp Corp | 薄膜elパネルのエージング駆動方法 |
DD293021A5 (de) * | 1990-03-16 | 1991-08-14 | Komb. Veb Narva "Rosa Luxemburg",De | Verfahren zum impulsbetrieb von hochdruckentladungslampen |
US5977720A (en) * | 1997-08-26 | 1999-11-02 | Stmicroelectronics, Inc. | Method and apparatus for driving an electroluminescent lamp |
US5854539A (en) * | 1997-08-26 | 1998-12-29 | Stmicroelectronics, Inc. | Electroluminescent lamp driver circuit with signal tracking |
JP3250561B1 (ja) * | 2000-12-27 | 2002-01-28 | 株式会社デンソー | 有機el素子の製造方法 |
JP4154215B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2008-09-24 | オプトレックス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
DE102007000881A1 (de) | 2007-11-12 | 2009-05-14 | Bundesdruckerei Gmbh | Dokument mit einer integrierten Anzeigevorrichtung, Verfahren zur Herstellung eines Dokuments und Lesegerät |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3185893A (en) * | 1960-12-30 | 1965-05-25 | Honeywell Inc | Control apparatus for restoration of brightness in electroluminescent cells |
US3708708A (en) * | 1971-01-22 | 1973-01-02 | Prudential Insurance Co | Treatment of light emitting films to extend their useful life |
US4206460A (en) * | 1977-03-10 | 1980-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | EL Display drive controlled by an electron beam |
US4253097A (en) * | 1979-03-29 | 1981-02-24 | Timex Corporation | Method and apparatus for reducing power consumption to activate electroluminescent panels |
-
1980
- 1980-06-23 JP JP55085705A patent/JPS6041438B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-06-18 US US06/274,741 patent/US4412155A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5711497A (en) | 1982-01-21 |
US4412155A (en) | 1983-10-25 |
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