JPS603148A - 単結晶シリコン半導体装置用基板およびその製造方法 - Google Patents
単結晶シリコン半導体装置用基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS603148A JPS603148A JP11134783A JP11134783A JPS603148A JP S603148 A JPS603148 A JP S603148A JP 11134783 A JP11134783 A JP 11134783A JP 11134783 A JP11134783 A JP 11134783A JP S603148 A JPS603148 A JP S603148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- single crystal
- crystal silicon
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 abstract description 2
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 abstract description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000004227 thermal cracking Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単結晶シリコン半導体装置用基板、特に絶縁体
膜上に形成された単結晶シリコン半導体装置用基板およ
びその製造方法に関するものである。
膜上に形成された単結晶シリコン半導体装置用基板およ
びその製造方法に関するものである。
ＬＳＩ技術の進歩に伴い、絶縁体膜上に形成された単結
晶シリコン膜はデバイスの低消費電力化。
晶シリコン膜はデバイスの低消費電力化。
高速化、更には三次元化に有用な半導体装置用基板とし
て注目されている。いわゆる、８０Ｉ（８ｉｏｎ Ｉｎ
５ｕｌａｔｏｒ ）技術においては、レーザビーム。
て注目されている。いわゆる、８０Ｉ（８ｉｏｎ Ｉｎ
５ｕｌａｔｏｒ ）技術においては、レーザビーム。
電子ビーム、加熱ランプにより、あらかじめ絶縁体基板
表面上に堆積させておいた非晶質もしくは多結晶シリコ
ン膜をアニールし、再結晶化させて得たシリコン膜を半
導体装置用基板として用いようとするものであるが、い
づれの方法においても、該再結晶化シリコン膜を大面積
に形成したり、完全な結晶学的方位を制御することは困
難であった。
表面上に堆積させておいた非晶質もしくは多結晶シリコ
ン膜をアニールし、再結晶化させて得たシリコン膜を半
導体装置用基板として用いようとするものであるが、い
づれの方法においても、該再結晶化シリコン膜を大面積
に形成したり、完全な結晶学的方位を制御することは困
難であった。
本発明は従来のもののこのような欠点を除去し。
大面積に渡って均一な膜厚をもち結晶学的方位を制御し
た単結晶シリコン半導体装置用基板を提供するものであ
る。
た単結晶シリコン半導体装置用基板を提供するものであ
る。
本発明単結晶シリコン半導体装置用基板は保持用基板本
体上に順次第１の非晶質絶縁体膜、金属シリサイド層、
第２の非晶質絶縁体膜、単結晶シリコン膜が形成されて
構成される。
体上に順次第１の非晶質絶縁体膜、金属シリサイド層、
第２の非晶質絶縁体膜、単結晶シリコン膜が形成されて
構成される。
また、本発明単結晶シリコン半導体装置用基板の製造方
法は、第１の単結晶シリコン保持用基板なくとも表面に
絶縁体層が形成された第２の保持用基板を用意し、第１
の基板の絶縁体膜と、第２の基板の絶縁体層との間に金
属シリサイド膜を形成することによって接着して、然る
後前記第１の保持用基板を除去することを特徴とする。
法は、第１の単結晶シリコン保持用基板なくとも表面に
絶縁体層が形成された第２の保持用基板を用意し、第１
の基板の絶縁体膜と、第２の基板の絶縁体層との間に金
属シリサイド膜を形成することによって接着して、然る
後前記第１の保持用基板を除去することを特徴とする。
以下５本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図は本発明の単結晶シリコン半導体装置用基板を
形成する工程を説明する模式図である。第１図（ａ）は
、直径７５＃Ｉｍ、板厚４５０μｍの単結晶シリコン基
板ｌ上に化学気相成長法で堆積させｔ膜厚１μｍの二酸
化シリコン膜２を用ｂ１電子線加加熱式の真空蒸着装置
で該二酸化シリコン膜２上に、順次、蒸着シリコン膜３
を０．４μｍ堆積し、次いで、同一蒸着装置内で蒸着金
属モリブデン膜４を０．３μｍ堆積させた基板断面の模
式前記シリコン基板ｌは本発明における単結晶シリコン
膜を保持する保持用基板本体として用いた。
。第１図は本発明の単結晶シリコン半導体装置用基板を
形成する工程を説明する模式図である。第１図（ａ）は
、直径７５＃Ｉｍ、板厚４５０μｍの単結晶シリコン基
板ｌ上に化学気相成長法で堆積させｔ膜厚１μｍの二酸
化シリコン膜２を用ｂ１電子線加加熱式の真空蒸着装置
で該二酸化シリコン膜２上に、順次、蒸着シリコン膜３
を０．４μｍ堆積し、次いで、同一蒸着装置内で蒸着金
属モリブデン膜４を０．３μｍ堆積させた基板断面の模
式前記シリコン基板ｌは本発明における単結晶シリコン
膜を保持する保持用基板本体として用いた。
前記蒸着シリコン膜３及び蒸着金属モリブデン膜４は多
重連式のターゲットを有する真空蒸着装置によハ真空系
を切ることなく、連続して蒸着を行った。なお蒸着中の
真空度は１０ＴＯｒｒであった。
重連式のターゲットを有する真空蒸着装置によハ真空系
を切ることなく、連続して蒸着を行った。なお蒸着中の
真空度は１０ＴＯｒｒであった。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）で示した単結晶シリコン膜
保持用基板に保持させる単結晶シリコン膜を含む基板断
面の模式図である。５は高濃度（１０１９／Ｃｌ１）の
ボロンを有する直径７６ｙｒｉ、板厚４５０μｍの面方
位が（１００）の単結晶シリコン基板である。
保持用基板に保持させる単結晶シリコン膜を含む基板断
面の模式図である。５は高濃度（１０１９／Ｃｌ１）の
ボロンを有する直径７６ｙｒｉ、板厚４５０μｍの面方
位が（１００）の単結晶シリコン基板である。
６は該単結晶シリコン基板５上にホモエピタキシャル成
長させた低不純物濃度の単結晶シリコン膜であるっ該単
結晶シリコン膜６は成長温度を１０５０℃とし、シラン
ガス（５ｉＨａ ） の熱分解法により成長させたもの
で膜厚は１μｍとした。７は前記単結晶シリコン膜６上
に化学気相成長法で堆積させた二酸化シリコン膜で、膜
厚は１μｍとした。
長させた低不純物濃度の単結晶シリコン膜であるっ該単
結晶シリコン膜６は成長温度を１０５０℃とし、シラン
ガス（５ｉＨａ ） の熱分解法により成長させたもの
で膜厚は１μｍとした。７は前記単結晶シリコン膜６上
に化学気相成長法で堆積させた二酸化シリコン膜で、膜
厚は１μｍとした。
８は真空蒸着装置を用いて、該二酸化シリコン膜７上に
堆積させた蒸着シリコン膜で、膜厚は０．４μｍである
。
堆積させた蒸着シリコン膜で、膜厚は０．４μｍである
。
次に、これら二つの基板をモリブデン膜４の表面と蒸着
シリコン膜８の表面が互いに向い合うように接着させた
。互いに接着させた基板を温度７００℃、雰囲気が窒素
ガス中の炉内で、加圧接着させながら、３０分間の熱処
理を施し、モリブデン膜４をはさんで蒸着シリコン膜３
．８との間で金属シリサイド形成化学反応を進行させ、
モリブデンシリサイド膜を形成させた。
シリコン膜８の表面が互いに向い合うように接着させた
。互いに接着させた基板を温度７００℃、雰囲気が窒素
ガス中の炉内で、加圧接着させながら、３０分間の熱処
理を施し、モリブデン膜４をはさんで蒸着シリコン膜３
．８との間で金属シリサイド形成化学反応を進行させ、
モリブデンシリサイド膜を形成させた。
第２図は、以上のごとく、モリブデンシリサイド膜９を
形成し接着させた保持用基板と単結晶シリコン膜を含む
基板において、第１図（ｂ）で示した（１００）単結晶
シリコン基板５を取り除いた基板断面の模式図である。
形成し接着させた保持用基板と単結晶シリコン膜を含む
基板において、第１図（ｂ）で示した（１００）単結晶
シリコン基板５を取り除いた基板断面の模式図である。
次に、単結晶シリコン基板５を取り除く工程について説
明する。先ず、研摩加工により、保持用基板である単結
晶シリコン基板５の板厚を４５０μｍから２０μｍ程度
に減少さ一＋！：たつ次いで、ダラシユニ・ソテ／ダ液
（組成はふつ酸ｌ、硝酸３゜氷酢酸９の割合）により、
ボロンを高濃度に含む単結晶シリコン基板５を工・ソテ
ングして、その板厚を減少させた。ダッシュエツチング
液はボロンを高濃度に含むシリコンと低不純物濃度のシ
リコンに対して、低不純物濃度のシリコンのエツチング
速度ｅｌとすると、そのエツチング速度の選択比は５０
にも達し、エツチングの最終工程において、ボロンを高
濃度に含むシリコンのみがエツチングされ、低不純物濃
度の単結晶シリコン膜６が得られる。
明する。先ず、研摩加工により、保持用基板である単結
晶シリコン基板５の板厚を４５０μｍから２０μｍ程度
に減少さ一＋！：たつ次いで、ダラシユニ・ソテ／ダ液
（組成はふつ酸ｌ、硝酸３゜氷酢酸９の割合）により、
ボロンを高濃度に含む単結晶シリコン基板５を工・ソテ
ングして、その板厚を減少させた。ダッシュエツチング
液はボロンを高濃度に含むシリコンと低不純物濃度のシ
リコンに対して、低不純物濃度のシリコンのエツチング
速度ｅｌとすると、そのエツチング速度の選択比は５０
にも達し、エツチングの最終工程において、ボロンを高
濃度に含むシリコンのみがエツチングされ、低不純物濃
度の単結晶シリコン膜６が得られる。
以上のごとく、第２図に示したように、保持用基板本体
であるシリコン基板１上に非晶質絶縁体膜である二酸化
シリコン膜２が形成され、該二酸化シリコン膜２上に金
属シリサイド形成化学反りにより形成されたモリブデン
シリサイド膜９を備え、更に該モリブデンシリサイド膜
９上に二酸化シリコン膜７を備え、該二酸化シリコン膜
７上に面方位が（１００）である単結晶シリコン膜６が
形成された単結晶シリコン半導体装置用基板を得た。
であるシリコン基板１上に非晶質絶縁体膜である二酸化
シリコン膜２が形成され、該二酸化シリコン膜２上に金
属シリサイド形成化学反りにより形成されたモリブデン
シリサイド膜９を備え、更に該モリブデンシリサイド膜
９上に二酸化シリコン膜７を備え、該二酸化シリコン膜
７上に面方位が（１００）である単結晶シリコン膜６が
形成された単結晶シリコン半導体装置用基板を得た。
本発明により得られた単結晶シリコン膜の結晶性をＸ線
回折、電子線回折、ラマン散乱法により評価したところ
、転位、積層欠陥、結晶欠陥が含ま九でおらず、また残
留歪がないことが明らかとな９、また膜厚むらが１μｍ
±０．０３μｍ で直径７６１ｍの大面積に渡って、高
品質であることがわかった。
回折、電子線回折、ラマン散乱法により評価したところ
、転位、積層欠陥、結晶欠陥が含ま九でおらず、また残
留歪がないことが明らかとな９、また膜厚むらが１μｍ
±０．０３μｍ で直径７６１ｍの大面積に渡って、高
品質であることがわかった。
本発明で保持基板と非晶質絶縁体膜をはさんで単結晶シ
リコン膜を接着しているモリブデンシリサイド膜はその
溶融温度は１８７０℃で、シリコンの溶融温度１４２０
℃よりも高く、その耐熱性は非常に優れており５通常の
デバイスプロセスにも十分に耐えうるう本実施例では金
属シリサイドとしてモリブデンシリサイドを用いた例を
示したが、一般に他の金属シリサイドも耐熱性に優れ、
他のタングステンシリサイド、メンタルシリ丈イド。
リコン膜を接着しているモリブデンシリサイド膜はその
溶融温度は１８７０℃で、シリコンの溶融温度１４２０
℃よりも高く、その耐熱性は非常に優れており５通常の
デバイスプロセスにも十分に耐えうるう本実施例では金
属シリサイドとしてモリブデンシリサイドを用いた例を
示したが、一般に他の金属シリサイドも耐熱性に優れ、
他のタングステンシリサイド、メンタルシリ丈イド。
チタンシリサイドを用いても本発明は有効である。
また、本実施例では保持用基板本体として単結晶シリコ
ン基板を用いたが、他のガラス基板、絶縁体基板を用い
ても良く、非晶質絶縁体膜として化学気相成長法で成長
させた二酸化シリコン膜以外にも、他の熱酸化膜、絶縁
体膜を用いても本発明は同様に達せられる。
ン基板を用いたが、他のガラス基板、絶縁体基板を用い
ても良く、非晶質絶縁体膜として化学気相成長法で成長
させた二酸化シリコン膜以外にも、他の熱酸化膜、絶縁
体膜を用いても本発明は同様に達せられる。
本発明は、大面積に渡って均一な膜厚をもつ単結晶シリ
コン半導体装置用基板が得られ、８０Ｉを用すた高集積
度回路デバイス形成に与える経済的効果は犬なるもので
ある。
コン半導体装置用基板が得られ、８０Ｉを用すた高集積
度回路デバイス形成に与える経済的効果は犬なるもので
ある。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の単結晶シリコン半導体装
置用基板製造方法を説明するために用いた基板断面の一
例の模式図っ第２図は本発明の基板の一実施例の模式図
である。 １．５・・・・・・単結晶シリコン基板、２．７・・・
・・・二酸化シリコ／膜、３，８・・・・・・蒸着シリ
コン膜、４・・・・・・蒸着モリブデン膜、９・・・・
・・モリブデン７リサイド膜、６・−・・・・単結晶シ
リコン膜。 皿 、′ 代理人 弁理士 内 原 ヨ（ 栢 １ （ａ） （ｂ）
置用基板製造方法を説明するために用いた基板断面の一
例の模式図っ第２図は本発明の基板の一実施例の模式図
である。 １．５・・・・・・単結晶シリコン基板、２．７・・・
・・・二酸化シリコ／膜、３，８・・・・・・蒸着シリ
コン膜、４・・・・・・蒸着モリブデン膜、９・・・・
・・モリブデン７リサイド膜、６・−・・・・単結晶シ
リコン膜。 皿 、′ 代理人 弁理士 内 原 ヨ（ 栢 １ （ａ） （ｂ）
Claims (2)
- （１） 保持用基板本体上に順次第１の非晶質絶縁体膜
、金属シリサイド層、第２の非晶質絶縁体膜。 単結晶シリコン膜が形成されていることを特徴とする単
結晶シリコン半導体装置用基板。 - （２）第１の単結晶シリコン保持用基板上に単結晶も表
面に絶縁体層が形成された第２の保持側基板金用意し第
１の基板の絶縁体膜と第２の基板の絶縁体層との間に金
属シリサイド膜を形成することによって接着して、然る
後前記第１の保持用基板を除去することを特徴とする単
結晶シリコン半導体装置用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11134783A JPS603148A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 単結晶シリコン半導体装置用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11134783A JPS603148A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 単結晶シリコン半導体装置用基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603148A true JPS603148A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14558882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11134783A Pending JPS603148A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 単結晶シリコン半導体装置用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603148A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216352A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6310376U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | ||
| EP0371861A2 (en) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Mcnc | High density semiconductor structure and method of making the same |
| US5168078A (en) * | 1988-11-29 | 1992-12-01 | Mcnc | Method of making high density semiconductor structure |
| FR2682811A1 (fr) * | 1991-09-10 | 1993-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteurs de type empile et procede de fabrication. |
| US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11134783A patent/JPS603148A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216352A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6310376U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | ||
| JPH0541330Y2 (ja) * | 1986-07-08 | 1993-10-19 | ||
| EP0371861A2 (en) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Mcnc | High density semiconductor structure and method of making the same |
| EP0371861A3 (en) * | 1988-11-29 | 1991-04-10 | Mcnc | High density semiconductor structure and method of making the same |
| US5168078A (en) * | 1988-11-29 | 1992-12-01 | Mcnc | Method of making high density semiconductor structure |
| FR2682811A1 (fr) * | 1991-09-10 | 1993-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteurs de type empile et procede de fabrication. |
| US5355022A (en) * | 1991-09-10 | 1994-10-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stacked-type semiconductor device |
| US5504376A (en) * | 1991-09-10 | 1996-04-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stacked-type semiconductor device |
| US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
| US8389385B2 (en) | 2009-02-04 | 2013-03-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58130517A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| US5470619A (en) | Method of the production of polycrystalline silicon thin films | |
| JPS63133650A (ja) | 多結晶シリコン層上にシリサイドの接着層を形成する方法 | |
| JPS603148A (ja) | 単結晶シリコン半導体装置用基板およびその製造方法 | |
| JPS60189922A (ja) | 単結晶層の製造方法 | |
| JPH02143415A (ja) | 単結晶シリコン膜の形成方法 | |
| JPH0411722A (ja) | 半導体結晶化膜の形成方法 | |
| KR19990013304A (ko) | 비정질 막을 결정화하는 방법 | |
| JPS5840820A (ja) | シリコン単結晶膜形成法 | |
| JPH11251241A (ja) | 結晶質珪素層の製造方法、太陽電池の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0284772A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19990023052A (ko) | 비정질 막을 결정화하는 방법 | |
| JPS62124736A (ja) | シリコン薄膜およびその作成方法 | |
| JPH05343685A (ja) | シリコン薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05259458A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JP3168655B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPH03284831A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| JP2592984B2 (ja) | シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPS59197129A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2737152B2 (ja) | Ｓｏｉ形成方法 | |
| JPS6248014A (ja) | 半導体層の固相成長方法 | |
| JPH1167663A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62297289A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPH0397698A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS61270294A (ja) | Ｓｉ単結晶膜の形成方法 |