JPS6030314A - ダイシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　発明の技術分野 本発明はダイシング装置の改良ｌこ係り、特にダイシン
グ・ブレードを固持するフランジ構造の改良に関する。

（ｂ）　従来技術と問題点 ウェーハ・プロセスを完了した半導体基板をダイシング
・ブレード（ダイアモンド・ホイール）を用いてダイシ
ングするに際し、アップ・カットではそれ程問題がない
がダウン・カットの場合、ダイシング・ラインの近傍に
配設されているボンディング・パッドの表面−こ、除去
が困難な汚染物質（半導体の粉末）が被着し、そのため
に該ボンディング・バットに対する配線のボンディング
不良や配線接続抵抗の増大を招き、半導体装置の品質や
信頼性が損われるという問題があっ友。

これは第１図（イ）に示すように従来のダイシング装置
１こ於ては、ダイシング・ブレード１を固持するフラン
ジを軽くするためｌこ、該フランジ２縁部の厚さｔｌが
薄く（２００〜３００〔μｍ〕程度）形成され、且つそ
の先端部の角度θ１が非常Ｉこシャープ（１０〜１２度
程度）に形成されていたため擾こ、注水ノズル３からフ
ランジ２の側面に注ぎかけられた冷却水Ｗが、該フラン
ジ２面に沿い且つ３００００［：ｒｐｍ：］程度の高速
で回転しているフランジ２の遠心力ｌこよって加速され
て、半導体基板４のダイシング・ライン５から通常１０
０〔μｍ〕程度の近傍領域に配設されている通常アルミ
ニウムＣＡＬ）等よりなるボンディング・パッド６面１
こ衝突し、該ボンディング・パッド６上ｔこ耐着してい
る切り粉即ち半導体の粉粒等を該ボンディング・パッド
６面に叩き込むためである。

第１図（ロ）はこの状態を示す模式図で、図中１はダイ
シング・ブレード、２はフランジ、３は注水ノズル、４
は半導体基板、６はボンディング・パッド、７はフラン
ジの側面に当った冷却水の飛程１［す矢印し、Ｗは冷却
水を示している。

（Ｃン　発明の目的 本発明は、ダイシングに際して、ダイシング・ブレード
を固持し高速回転しているフランジの側面に注ぎかけら
れた冷却水の飛程をダイシング・ラインから所定のＷ離
だけ離隔せしめるような形状を有するフランジを具備し
、且つ冷却水をダイシング・ブレードの先端部即ち切削
部に集中的に注きかける冷却水ノズルを具備したダイシ
ング装置を提供するものであり、その目的とするところ
はウェーハ・プロセスを完了した半導体基板をダイシン
グする際Ｅこ於けるボンディング・パッドの汚染を防止
するをこある。

（ｄ）　発明の構成 即ち本発明は、ウェーハ・プロセスの完了した半導体基
板に、そのダイシング・ラインｌこ沿って切削溝を形成
する際に主として用いるダイシング装置であって、ダイ
シング・ブレードを固持するフランジの縁部が、前記ダ
イシング・ライン近傍のボンディング・パッド配線領域
の上部をカバーし、且つ該フランジ縁部の側面の延長面
がダイシング・ラインから見てボンディング・バッド配
設領塚の外側ｌこ交差するような厚さｌこ形成されてな
り、且つ被切削基板面醗こ対して斜めの方向から切削部
に向って冷却水を噴射する注水ノズルを有してなること
を特徴とする。

（ｅ）　発明の実施例 以下本発明を実施例について、口金用いて詳細に説明す
る。

３− 第２図は本発明が適用されたダイシング装置の要部を模
式的に表わした正面図（イ）及びそのＡ−Ａｆ矢視断面
図（ロ）で、第３図（イ）乃至（ハ）は本発明に係るフ
ランジをこ於ける異なる周縁部形状例を模式的をこ示す
断面図、第４図（イ）、（ロ）。

（ハ）は冷却水注水ノズルの実施例を模式的に示す正面
図（ａ）及び断面図（ｂ）である。

第２図は本発明を適用したダイシング装置ｔこ於ける半
導体基板をダウン・カットによって切削している状態を
示したもので、同図Ｊこ於て１１はダイシング・ブレー
ド、１２は高速回転軸、１３ａ。

１３ｂはフランジ、１４はナツト、１５は冷却水注水ノ
ズル、１６は冷却水、１７はステージ、１８は半導体基
板、１９ａ、１９ｂはボンデインク争パッド、２０はブ
レードの回転方向矢印し、２１はブレード進行方向矢印
しを表わしている。

即ち本発明は同図に示したような通常の駆動機構金有す
るダイシング装置に於けるダイシング・ブレード固持用
フランジ１３ａ、１３ｂ及び冷却　４− 第１の要旨とするところは、ダイシング・ブレード固持
用フランジ１３ａ、１３ｂの周縁部形状に係り、その端
面の厚さを例えば１〔■〕程度とし、且つ周縁部の側面
を例えばブレード１１の側面と平行即ち被切削面に対し
て直角にすることｌこよって、フランジ１３ａ、１３ｂ
の側面に注水ノズル１５から注ぎかけられた冷却水１６
が、例えば、２００００〜３００００［：ｒ、ｐ、ｍ］
程度の高速で回転しているフランジ１３ａ、１３ｂ面で
該フランジ面一こ沿りて遠心加速され被処理基板１８上
に叩きつけられ、ダイシング・ラインから通常１００〜
２００〔μｍ〕程度しか離れていない位置醗こ形成され
ているボンデインク・パッド１９ａ＊１９ｂ上に衝突す
ることのないよう曇こ、該遠心加速された冷却水の飛程
をブレード１１の側面から遠く離隔ゼしめたこと督こめ
る。なお図に於てフランジ１３ｂ、１３ｂの側面が２段
に形成されているのはフランジ強度を維持するためで、
本発明ｌこ直接関係はない。

種々ある。第３図（イ）乃至（ロ）はその代表的な形状
例とその形状のフランジ側面に於て遠心加速された冷却
水の飛程とを模式約１こ示したものでこれらの図に於て
、１１はダイシング・ブレード、１３ａ、１３ｂはフラ
ンジ、１−’８は被切削半導体基板、１９ａ、１９ｂは
ボンディング・パッド、２２ａ及び２２ｂは遠心加速さ
れた冷却水の飛程を表わしている。

即ち第３図（イ）＃こ示すフランジ１３ａ（１３ｂ）の
周縁部の形状（ば第２図１こ示した実施例と同様で、該
構造のフランジ１３ａ（１３ｂ）の周縁部には被切削半
導体基板１８面と平行で、且つボンディング・バッド１
９ａ（１９ｂ）形成領竣の上部全充分にカバーする例え
ば１〔■〕程度の厚さを有する第１の端面２３ａと、所
定の強度を維持するために更に必要な厚さ例えば３〔勧
〕程度の第２の端面２３ｂとが形成されてなっている。

そしてこの構造に於てフランジ１３ａ（１３ｂ）面で遠
心加速された冷却水の主なる飛程は矢印し２２ａのよう
ｔこなす、従たる飛程は矢印し２２ｂのようｔこなる。

従って該遠心加速された冷却水によってボンディング・
バラ）’］　９ａ　（１９ｂ　Ｈ）１強く叩かれること
はない。

又第３図（ロ）ｌこ示す実施例に於ては、強度を保つた
めに必要な３〜４〔詔〕程度のフランジ厚がフランジ１
３ａ（１３ｂ）の周縁部の端部まで維持され、端面２３
が被処理基板１８面に対して平行に近い角度、即ちダイ
シング・ブレード１１に対して６０〔度〕以上の角度θ
１こ形成されている。そしてこの構造ｆこ於て遠心加速
された冷却水の主たる飛程は矢印し２２ａの如くなり、
微少水量からなる従たる飛程は矢印２２ｂのよう−こダ
イシング・ブレード１１に沿って基板面に達する向きに
なる。従って該構造に於ても７ランク１３ｇ（１３ｂ）
面で遠心加速された冷却水でポンディグ・バッド１９ａ
（１９ｂ）が強く叩かれることはない。

第３図（ハ）はフランジの減量効果を得るためｌこ、フ
ランジに中心から周縁部ｌこ向かう傾斜を持たセた一実
施例である。この構造−こ於てはフラン　７− ジ１３ａ（１３ｂ）側面で遠心加速された冷却水の飛程
は矢印し２２の如くなる。従ってこの構造に於てフラン
ジ端面２３の厚さは前記冷却水の飛程２２がダイシング
・ラインから見てポンディグ・パッド１９ａ（１９ｂ）
の外側になるように選ぶ必要がある。

又本発明の第２の要旨とするところは、冷却水注水ノズ
ル１５の構造ｌこ係ジ、第２図に示すよう−こ該注水ノ
ズル１５から噴射される冷却水１６の向きを被切削半導
体基板１８の表面曇こ対して斜めの方向から切削部即ち
ブレード１１の先端部に向くようにしたことにある。な
お本発明ｆこ於ては、前記したようｌこブレード１１を
固持するフランジ１３ａ、１３ｂの縁部が１〔簡〕程度
に厚く形成されるので、切削部擾こ冷却水１６を直かｔ
こ吹きつけるため擾こ冷却水ノズル１５の配設位置は従
来に比べて低い位置即ち被切削半導体基板１８面に近い
位置ｌこなる。

これによって前述したような厚みを有するフラ　８− 保給されるので切削品質を低下させることなく切削スピ
ードを向上ゼしめることができる。

第４図（イ）、（ロ）、（ハ）は冷却水ノズルの実施例
を模式約１こ示した側面図（ａ）及び断面図（ｂ）で、
３１は冷却水供給管、３２は冷却水噴出スリ、ント、３
３はひさし、３４はガイド枠、矢印３５は切削部の方向
ヲ表わしている。なお冷Ｌ 却水噴出部Ｊ上記スリットに限らず複数の孔で形成して
もよい。なお上記ひさし３３は噴出された冷却水が上方
に広がるのを阻止するためのもので又ガイド枠３４は噴
出された冷却水の方向性を強めるためのものである。

（ｆ）　発明の詳細 な説明したよう条こ本発明によれば、ウェーハ・プロセ
スの完了した半導体基板をダイシングする際、ダイシン
グ・ライン近傍に配設されているボンディング・パッド
面が、ブレードを固持し高速回転しているフランジ側面
に沿って遠心加速された冷却水裔こよって強く叩かれる
ことが防止されディング・パッド面が汚染することがな
くなり、半導体装置の組立歩留まりや信頼性が向上する
。

なお父本発明ｆこよれば冷却水を多くかけてもパッド面
が汚染されることはなくなるので、ダイシング効率も向
上する。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）は従来のフランジ構造を示す模式図、第１
図（ロ）は従来の問題点説明図、第２図は本発明の適用
されｆｃダイシング装置の要部を模式的Ｅこ表わした正
面図（イ）及びそのＡ−Ａ’矢視断面図ＣｃＩ）で、第
３図（イ）乃至（ハ）は不発明ｌこ係るフランジに於け
る異なる周縁部形状例を模式的ｌこ示す断面図、第４図
（イ）、（ロ）。 （ハ）は冷却水注水ノズルの実施例を模式的）こ示す側
面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。 図に於て、１１はダイシング・ブレード、１２は高速回
転軸、１３ａ、１３ｂはフランジ、１５は冷却水注水管
、１６は冷却水、１８は半導体基板、１９ａ、１９ｂは
ボンディング・パッド、２０はブレードの回転方向矢印
し、２１はブレードの進行方向矢印し、２２ａ、２２ｂ
は遠心加速された冷却水の飛程、２３はフランジの端面
、２３ａは同第１の端面、２３ｂは同第２の端面を示す
。 １１− 第　２　図 １２− 第　３　図 （イ）　（ロ） （ハ少 ｌ 男　４　Ｐ］　（イ） （α）（ｂ） （ロ） ２ （）＼） （ａ）（す （Ｉ ２ （１）本願特許請求の範囲を次のとおｐ補正する。 手続補正書ｍ発） １事件の表示 昭和夕？年特許願第１２４ダ／７　号 ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　神奈川県用崎市中原区１−小田中１０１５番地（
５２２）名称富士通株式会社 ４　代　理　人　住所　神奈川県川崎市中原区上小田中
１０１５番地富士通株式会社内 ８補正の内容別紙の通り 「ダイシングラインとその近傍にボンディングを特徴と
するダイシング装置。ｊ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ウェーハ・プロセスの完了した半導体基板−こ、そのダ
   イシング・ラインに沿って切削溝を形成する際に用い、
   ダイシング・ブレードを固持するフランジの縁部が、前
   記ダイシング・ライン近傍のボンディング・バッド配設
   領域の上部をカハーシ且つ該フランジ縁部の側面の延長
   面がダイシング・ラインから見てボンディング・パッド
   配設領域の外側に交差するような厚ざ−こ形成されてな
   り、月つ被切削基板面１こ対して斜めの方向から切削部
   に向って冷却水を噴射する注水ノズルを有してなること
   を特徴とするダイシング装置。