JPS6030118A - 電解コンデンサ - Google Patents
電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6030118A JPS6030118A JP13904383A JP13904383A JPS6030118A JP S6030118 A JPS6030118 A JP S6030118A JP 13904383 A JP13904383 A JP 13904383A JP 13904383 A JP13904383 A JP 13904383A JP S6030118 A JPS6030118 A JP S6030118A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- region
- lead
- core material
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子部品用リードフレームに係り、特に電解
コンデンサ素子等の電子部品において、その素子リード
に接続するとともに、外装部材より外部に引き出されて
半田イ」番ノされる端子部材に関する。
コンデンサ素子等の電子部品において、その素子リード
に接続するとともに、外装部材より外部に引き出されて
半田イ」番ノされる端子部材に関する。
デツプ型電解コンデンサでは、外装される電解コンデン
サ素子の内部に電解液を含浸しているため、リードフレ
ームを構成する金属がその電解液と化学反応を起こし、
腐食する恐れがある。そこで、リードフレームは、係る
作用を持たない金属材料で形成することが必要であり、
形成材料が限定される。しかも、電解コンデンサでは外
装部材の気密性は耐湿性等と関連し、電気的な性能に直
接影響することから、エポキシ（Ｈ脂等の外装樹脂との
密着性が問題となる。さらに、リードフレームと外装樹
脂の線膨張係数が大きく異なると、熱的ストレスが発生
し、長時間使用に伴う外装部材の気密性を阻害すること
もある。
サ素子の内部に電解液を含浸しているため、リードフレ
ームを構成する金属がその電解液と化学反応を起こし、
腐食する恐れがある。そこで、リードフレームは、係る
作用を持たない金属材料で形成することが必要であり、
形成材料が限定される。しかも、電解コンデンサでは外
装部材の気密性は耐湿性等と関連し、電気的な性能に直
接影響することから、エポキシ（Ｈ脂等の外装樹脂との
密着性が問題となる。さらに、リードフレームと外装樹
脂の線膨張係数が大きく異なると、熱的ストレスが発生
し、長時間使用に伴う外装部材の気密性を阻害すること
もある。
従来、この種のリードフレームには心材の表面にアルミ
ニウム層を形成したアルミクラツド材を使用し、電解コ
ンデンサ素子のアルミニウムで形成されたリードとの溶
接を可能にし、且つ電解液との接触による腐食を防止し
ている。
ニウム層を形成したアルミクラツド材を使用し、電解コ
ンデンサ素子のアルミニウムで形成されたリードとの溶
接を可能にし、且つ電解液との接触による腐食を防止し
ている。
しかしながら、このようにアルミニウム層で覆ったリー
ドフレームでは、半田付けが困難であり、フェイスボン
ディングによる電気的接続の信頼性を高めるため、外装
部材より引き出されたリード部には半田付は可能な金属
を鍍金する処理（後鍍金処理）を必要としている。この
ような処理は、製造工程の増加を伴い、製造時間を増加
し、製造価格を高くするものである。
ドフレームでは、半田付けが困難であり、フェイスボン
ディングによる電気的接続の信頼性を高めるため、外装
部材より引き出されたリード部には半田付は可能な金属
を鍍金する処理（後鍍金処理）を必要としている。この
ような処理は、製造工程の増加を伴い、製造時間を増加
し、製造価格を高くするものである。
また、半田付けを容易にするとともに、完成品に対する
半田付は可能な金属の鍍金処理の工程を除くため、素子
リードに接続される部分にのみアルミニウム層を形成し
た所謂アルミニウムストライブクラッド材でリードフレ
ームを形成した場合、後鍍金処理でそのアルミニウム層
が侵され、性能が不安定化するとともに、鍍金処理価格
が高く、しかも１＆鍍金処理は製造工程を中断して行わ
なければならない等の欠点がある。
半田付は可能な金属の鍍金処理の工程を除くため、素子
リードに接続される部分にのみアルミニウム層を形成し
た所謂アルミニウムストライブクラッド材でリードフレ
ームを形成した場合、後鍍金処理でそのアルミニウム層
が侵され、性能が不安定化するとともに、鍍金処理価格
が高く、しかも１＆鍍金処理は製造工程を中断して行わ
なければならない等の欠点がある。
この発明は、製造工程の簡略化を図るとともに、安定し
た性能を持つ電子部品用リードフレームの提供を１」的
とする。
た性能を持つ電子部品用リードフレームの提供を１」的
とする。
この発明は、リードフレームを素子リードが接続、され
る第１の領域と、素子を被覆する外装部材から引き出さ
れて半田イ１けされる第２の領域に区分し、第１の領域
を形成する心材の表面には溶接可能な金属層を形成し、
前記第２の領域を形成する心材の表面には半田イ」り可
能な金属層を形成したことを特徴とする。
る第１の領域と、素子を被覆する外装部材から引き出さ
れて半田イ１けされる第２の領域に区分し、第１の領域
を形成する心材の表面には溶接可能な金属層を形成し、
前記第２の領域を形成する心材の表面には半田イ」り可
能な金属層を形成したことを特徴とする。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図及び第２図はこの発明の実施例を示し、第１図は
リードフレームの構成、第２図は第１図のｎ−ｎ線に沿
う断面を示している。図において、リー）−フレーム２
には電解コンデンサ素子等の素子から直接引き出される
素子リードを溶接する第１の領＠へを設定するとともに
、この領域への両側に半田イτｊけを可能にした第２の
領ＩＩｉ！２Ｂを設定する。そして、このリードフレー
ム２には対向してリード部４Ａ、４Ｂが形成され、各リ
ード部４Ａ、４Ｂはアーム部６で支持されている。各リ
ードフレーム４Ａ、４Ｂの前縁部は、第１の領域へに含
まれ、その後部は第２の領域Ｂに含まれる。透孔部８は
接続に際して電解コンデンサ素子を挿入するために形成
された空間部である。また、各リード部４Ａ、４Ｂの先
端部分には、外装樹脂の流動を助け、外装樹脂との密着
性を向上させるため透孔１０が形成されている。
リードフレームの構成、第２図は第１図のｎ−ｎ線に沿
う断面を示している。図において、リー）−フレーム２
には電解コンデンサ素子等の素子から直接引き出される
素子リードを溶接する第１の領＠へを設定するとともに
、この領域への両側に半田イτｊけを可能にした第２の
領ＩＩｉ！２Ｂを設定する。そして、このリードフレー
ム２には対向してリード部４Ａ、４Ｂが形成され、各リ
ード部４Ａ、４Ｂはアーム部６で支持されている。各リ
ードフレーム４Ａ、４Ｂの前縁部は、第１の領域へに含
まれ、その後部は第２の領域Ｂに含まれる。透孔部８は
接続に際して電解コンデンサ素子を挿入するために形成
された空間部である。また、各リード部４Ａ、４Ｂの先
端部分には、外装樹脂の流動を助け、外装樹脂との密着
性を向上させるため透孔１０が形成されている。
このリードフレーム２の各側辺部には、連続して移送す
るためのスプロケットに係合するスプロケットホールＩ
２．１４が一定の間隔で形成されている。
るためのスプロケットに係合するスプロケットホールＩ
２．１４が一定の間隔で形成されている。
このリードフレーム２の心ＪＡ１６には、第２図に示す
ように半導体素子、電解コンデンサ素子等の素子に応じ
て鉄、銅、４２アロイ、コバール、ステンレススチール
等の金属材料からその１つを選択し、その心材１６の第
１の領域Ａの表面部には溶接可能なアルミニウム、金、
銀等の金属層１８が形成され、第２の領域Ｂに含まれる
心材１６の表面には半田イ」り可能な錫、半田等の金属
層２０が形成されている。即ち、リードフレーム２の第
１の領域Ａは素子リードとの溶接可能なりラフト材構成
とし、第２の領域Ｂは半田付り可能なりラッド材構成と
する。このようなりラッド処理は、リードフレーム２を
成形する前にその心材６の表面に形成するものとする。
ように半導体素子、電解コンデンサ素子等の素子に応じ
て鉄、銅、４２アロイ、コバール、ステンレススチール
等の金属材料からその１つを選択し、その心材１６の第
１の領域Ａの表面部には溶接可能なアルミニウム、金、
銀等の金属層１８が形成され、第２の領域Ｂに含まれる
心材１６の表面には半田イ」り可能な錫、半田等の金属
層２０が形成されている。即ち、リードフレーム２の第
１の領域Ａは素子リードとの溶接可能なりラフト材構成
とし、第２の領域Ｂは半田付り可能なりラッド材構成と
する。このようなりラッド処理は、リードフレーム２を
成形する前にその心材６の表面に形成するものとする。
このように処理されたリードフレーム２には、第３図に
示すように、リード部４Ａ、４Ｂの表面に電解コンデン
サ素子２４の素子リード２６Ａ１２６Ｂを重ねて溶接す
る。次に、ジ−１フレーム２からリード部４Ａ、４Ｂを
プレス加工等によって切り離し、電解液を含浸した後、
合成樹脂で外装を施す。なお、電解液は合成樹脂で外装
を形成した後、小孔を外装゛部材に形成しておき、その
小孔から注入しても良い。
示すように、リード部４Ａ、４Ｂの表面に電解コンデン
サ素子２４の素子リード２６Ａ１２６Ｂを重ねて溶接す
る。次に、ジ−１フレーム２からリード部４Ａ、４Ｂを
プレス加工等によって切り離し、電解液を含浸した後、
合成樹脂で外装を施す。なお、電解液は合成樹脂で外装
を形成した後、小孔を外装゛部材に形成しておき、その
小孔から注入しても良い。
第４図は前記リードフレーム２を用いたチップ型電解コ
ンデンサを示している。即ち、素子リード２６Ａ、２６
Ｂが引き出された電解コンデンサ素子２４は、ｐｐｓ樹
脂等で形成された第１の外装部材３０の内部空間３２に
密封され、この第１の外装部材３０の表面部にはエポキ
シ樹脂等で形成される第２の外装部材３４が積層形成さ
れている。
ンデンサを示している。即ち、素子リード２６Ａ、２６
Ｂが引き出された電解コンデンサ素子２４は、ｐｐｓ樹
脂等で形成された第１の外装部材３０の内部空間３２に
密封され、この第１の外装部材３０の表面部にはエポキ
シ樹脂等で形成される第２の外装部材３４が積層形成さ
れている。
そして、リード部４Ａと素子リード２６Ａとの溶接部、
並びにリード部４Ｂと素子リード２６Ｂとの溶接部は、
第１及び第２の外装部材３０．３４の側壁内に埋込まれ
、第２の外装部材３４の側壁部から露出しているリード
部４Ａ、４Ｂは側壁部に沿って曲げられ、その先端は第
２の外装部材３４の下面部に配置されている。
並びにリード部４Ｂと素子リード２６Ｂとの溶接部は、
第１及び第２の外装部材３０．３４の側壁内に埋込まれ
、第２の外装部材３４の側壁部から露出しているリード
部４Ａ、４Ｂは側壁部に沿って曲げられ、その先端は第
２の外装部材３４の下面部に配置されている。
このように心材１６の表面層を第１及び第２の領域Ａ、
Ｂに設定し、その表面に溶接可能な金属層１８及び半田
付は可能な金属層２０を選択的に形成したので、従来の
製造工程にお＆、ｌる後鍍金処理等を省略できるととも
に、電解コンデンサ等の電子部品の製造工程を簡略化で
き、しかも製造工程の中断等がなく、連続処理が可能に
なることから、製造価格を低減することができる。
Ｂに設定し、その表面に溶接可能な金属層１８及び半田
付は可能な金属層２０を選択的に形成したので、従来の
製造工程にお＆、ｌる後鍍金処理等を省略できるととも
に、電解コンデンサ等の電子部品の製造工程を簡略化で
き、しかも製造工程の中断等がなく、連続処理が可能に
なることから、製造価格を低減することができる。
特に、従来必要としていた露出リード部に対する半田付
は可能な金属の鍍金処理は、処理液に強酸、強アルカリ
の薬品を使用するため、外装内部の素子への影響が問題
となるが、この発明にかかるリードフレームではそのよ
うな処理を伴わないので、製品の安定化が図れるととも
に、性能低下等の不都合を解消できる。
は可能な金属の鍍金処理は、処理液に強酸、強アルカリ
の薬品を使用するため、外装内部の素子への影響が問題
となるが、この発明にかかるリードフレームではそのよ
うな処理を伴わないので、製品の安定化が図れるととも
に、性能低下等の不都合を解消できる。
また、前記実施例の場合、第１の領域Ａの溶接可能な金
属層１８は、外装部材３０．３４の内部部に設定したが
、第５図に示すように、外装部材３０．３４の側壁部の
中間位置まで、第１の領域へに設定し、その領域Ａに溶
接可能な金属層１８を形成しても、第２の領域Ｂを十分
に取ることができるので、半田付けを阻害することはな
い。この実施例のように、外装部材３０．３４の合成樹
脂を通過する部分の金属層１８にアルミニウムクラツド
材を用いると、合成樹脂との密着性が高まり、耐湿性を
改善することができる。
属層１８は、外装部材３０．３４の内部部に設定したが
、第５図に示すように、外装部材３０．３４の側壁部の
中間位置まで、第１の領域へに設定し、その領域Ａに溶
接可能な金属層１８を形成しても、第２の領域Ｂを十分
に取ることができるので、半田付けを阻害することはな
い。この実施例のように、外装部材３０．３４の合成樹
脂を通過する部分の金属層１８にアルミニウムクラツド
材を用いると、合成樹脂との密着性が高まり、耐湿性を
改善することができる。
なお、実施例では電解コンデンサを例に取って説明した
が、この発明のリードフレームは半導体素子等の電解コ
ンデンサ以外の電子部品のリードフレームにも使用でき
、この場合には第１及び第２の領域には接続される素子
に対応した金属層を形成するものとする。
が、この発明のリードフレームは半導体素子等の電解コ
ンデンサ以外の電子部品のリードフレームにも使用でき
、この場合には第１及び第２の領域には接続される素子
に対応した金属層を形成するものとする。
以上説明したようにこの発明によれば、製造工程の簡略
化を図ることができるとともに、製品の完成後に鍍金処
理に伴う薬品に触れさせることがないので、製品の安定
化を図ることができる。
化を図ることができるとともに、製品の完成後に鍍金処
理に伴う薬品に触れさせることがないので、製品の安定
化を図ることができる。
第１図はこの発明の電子部品用リードフレームの実施例
を示す平面図、第２図は第１ＴＩ！ＪのＩＩ−Ｕ線に沿
う断面図、第３図は電解コンデンザ素子を取付けたリー
ドフレームを示す平面図、第４図はこの発明の実施例で
あるチップ型電解コンデンサを示す縦断面図、第５図は
この発明の他の実施例であるチップ型電解コンデンサを
示す縦断面図である。 ２・・・リードフレーム、Ａ・・・第１の領域、Ｂ・・
・第２の領域、４Ａ、４Ｂ・・・リード部、１６°・・
心材、１８．２０・・・金属層、２６Ａ、２６Ｂ ・
・ ・素子リード。 第１図 第２図 ４Ｂ ＋８ ２ １（Ｊ ｉＵ 第３図 ２ 第４図
を示す平面図、第２図は第１ＴＩ！ＪのＩＩ−Ｕ線に沿
う断面図、第３図は電解コンデンザ素子を取付けたリー
ドフレームを示す平面図、第４図はこの発明の実施例で
あるチップ型電解コンデンサを示す縦断面図、第５図は
この発明の他の実施例であるチップ型電解コンデンサを
示す縦断面図である。 ２・・・リードフレーム、Ａ・・・第１の領域、Ｂ・・
・第２の領域、４Ａ、４Ｂ・・・リード部、１６°・・
心材、１８．２０・・・金属層、２６Ａ、２６Ｂ ・
・ ・素子リード。 第１図 第２図 ４Ｂ ＋８ ２ １（Ｊ ｉＵ 第３図 ２ 第４図
Claims (3)
- （１） リードフレームを素子リードが接続される第１
の領域と、素子を被覆する外装部材から引き出されて半
田付けされる第２の領域に区分し、第１の領域を形成す
る心材の表面には溶接可能な金属層を形成し、前記第２
の領域を形成する心材の表面には半田付は可能な金属層
を形成したことを特徴とする電子部品用リードフレーム
。 - （２）前記第１の領域には心材の表面にアルミニウム箔
をクラッド処理し、前記第２の領域には前記心材の表面
に半田付は可能な金属箔をクラッド処理したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の電子部品用リード
フレーム。 - （３）前記第２の領域には心材の表面に半田層をクラフ
ト処理したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の電子部品用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13904383A JPS6030118A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13904383A JPS6030118A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030118A true JPS6030118A (ja) | 1985-02-15 |
| JPS6350850B2 JPS6350850B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=15236119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13904383A Granted JPS6030118A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030118A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH674639A5 (ja) * | 1988-06-10 | 1990-06-29 | Arysearch Arylan Ag | |
| JPH0396333U (ja) * | 1990-01-23 | 1991-10-02 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910672A (ja) * | 1972-05-24 | 1974-01-30 | ||
| JPS5151281A (ja) * | 1974-10-31 | 1976-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS56122156A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead frame for semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP13904383A patent/JPS6030118A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4910672A (ja) * | 1972-05-24 | 1974-01-30 | ||
| JPS5151281A (ja) * | 1974-10-31 | 1976-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS56122156A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead frame for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350850B2 (ja) | 1988-10-12 |
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