JPS6029951A - 光メモリ素子 - Google Patents

光メモリ素子

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JPS6029951A
JPS6029951A JP58139598A JP13959883A JPS6029951A JP S6029951 A JPS6029951 A JP S6029951A JP 58139598 A JP58139598 A JP 58139598A JP 13959883 A JP13959883 A JP 13959883A JP S6029951 A JPS6029951 A JP S6029951A
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    • B29C66/45Joining of substantially the whole surface of the articles
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、レーザ等の光により情報の記録・再生・消去
等を行なう光メモリ素子に関する。
〈従来技術〉 近年、大容量、高密度、高速アクセス化の可能な記憶素
子への要望が高まる中で、光メモリ素子の研究開発が活
発に行なわれている。
先メモリ*子においては−ガラスやアクリル樹脂等の合
成樹脂よりなる基体上に記憶媒体が形成され、傷、汚れ
、はこりといった外乱からの保護の目的から媒体形成面
同士を相対峙する形で貼り合わせ、合わせて両面使用可
能な構成をとるのが一般的である。また、記憶媒体が形
成された基体と、記憶媒体が形成されていない基体とを
、その記憶媒体を挾むように2枚の基体を貼り合わせる
こともある。その際、外気にさらされる周辺部からの媒
体の酸化腐食を避けるために、該周辺部の媒体を除去し
た緩衝部を形成する必要がある。
ところで、上記光メモリ素子の作成にあたっては、次の
2通りの方法が、広く知られている。一つは上記緩衝部
のみをスペーサを介して貼り合わせ、2枚の基体の間隙
には、不活性ガス等を充填する〔エアサンドウィッチ構
造〕方法である。しかしこの方法では、貼り合わせ時の
工程が、煩雑になる点、及び貼り合わせ後の機械的強度
の確保の必要上接着部面積を成る程度、広く確保せねば
ならず、ために記憶素子の全記憶容量の減少はまぬがれ
ない欠点がある。
他の方法では、全面を接着剤にて、貼り合わせる。この
方法であれば、前記問題は回避出来る。
その場合接着剤には、−液性で、オープンタイム(接着
剤塗布から貼り合わせまでの時間)が長(とれ、作業性
でも有利として、紫外線硬化型接着剤が広く使用されて
いる。この場合、主に金属質より成る媒体形成部は、紫
外線が透過しにくいため、その媒体形成部間の接着硬化
を完結するために、嫌気硬化性を付与した紫外線硬化接
着剤を用いる必要がある。そのような接着剤として、例
えばアクリルウレタンオリゴマーにカットモノマー。
光開始剤、安定剤等を適宜調合したものに加えて、嫌気
性付与剤としてハイドロパーオキサイドと3級アミンを
添加したもの等が挙げられる。
一方、光メモリ素子の記憶媒体を構成する物質には、酸
化によって特性劣化するものが多く、特に水分の介在に
よって急速に腐食が進行し畢いため、素子の耐湿性の向
上は実用化にとって不可避の問題となっている。ところ
が;従来の接着剤に基づく前述の封止技術では、例えば
、高温・多湿下といった保存環境によっては、接着剤自
体の吸湿、膨潤による基体からの剥離、密着性低下に伴
って、界面を通しての水分の侵入が加速され、記憶媒体
の腐食の引金となる問題が避は得なかった。
〈目的〉 本発明は、以上の従来技術を改善するためになされたも
のであり、従来の嫌気性を付与した紫外線硬化接着剤に
、密着性付与剤を添加し、特に両面接着後の耐湿性を強
化して信頼性を強化せしめた、光メモリ素子を提供する
ことを目的とする。
〈構成〉 本発明は、光メモリ媒体を基体上に形成した後、媒体部
を挾んで2枚の基体を接着剤にて貼り合わせた光メモリ
素子において、前記接着剤として、紫外線硬化性及び嫌
気硬化性を有する接着剤に、撥水性を有するシランカッ
プリング剤、又はチタンカップリング剤等の密着性付与
剤を添加した接着剤を使用したものである。
本発明の対象となる光メモリ媒体は、Te薄膜。
Te低低級酸化物薄膜1素素薄膜希土類−遷移金属合金
非晶質薄膜等のように、大気あるいは水分5により腐食
されやすい媒体である。希土類−遷移金属合金非晶質薄
膜としては、後に実施例で示すGdTbFe薄膜のほか
、TbDyFe系薄膜などがある。
これらの光メモリ媒体を用いて構成される光メモリ素子
は、貼り合わされた2枚の基体の間に光メモリ媒体が挾
まれた構造になっているが、その光メモリ媒体は、実施
例の如き2層のものであってもよ(、あるいは1層のも
のであってもよい。
本発明で用いられる接着剤は、前述の如き嫌気硬化性を
付与した紫外線硬化接着剤に更に密着性付与剤を添加し
たものであり、具体的、に例示すると以下の如くである
ベースとなるアクリルウレタンオリゴマーとしては、ポ
リエステルウレタンメタクリレート、ポリエーテルウレ
タンメタクリレート、ポリブタジェンウレタンメタクリ
レート等が使用される。さらに詳しく述べればポリエス
テルウレタンメタクリレートは、エチレングリコール、
ジエチレングリコール、1,4−ブタンジオール、1,
6−へキサンジオール、ネオペンチルグリコール等のポ
リオールとアジピン酸、フマル酸、フタル酸、テレフタ
ル酸等のポリカルボン酸を構成成分とする水酸基価が2
0から200を有するポリエステルポリオールに、ポリ
インシアネート、例えば1.6−へキサメチレンジイン
シアネート、メチレン−ビス−(4−フェニルインシア
ネート)、トリレンジインシアネートからなく少くとも
1種を、ポリエステルポリオールの水酸基1個に対しポ
リイソシアネート1個を反応させ、さらにポリイソシア
ネートに残存するインシアネート基1個に水酸基含有メ
タクリレート、例えば2−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート等のうち少
くとも一種、を1個反応させて得られるものを言い、ポ
リエーテルウレタンメタクリレートはポリエチレングリ
コール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレ
ンエーテルグリコール等の水酸基価20から200を有
するポリエーテルポリオールの水酸基1個に前述のポリ
インシアネート1個を反応させ、さらにボリインシアネ
ートに残存するインシアネート基1個に前述の水酸基含
有メタクリレートを反応させて得られるものを言い、ポ
リブタジェンメタクリレートは、末端に水酸基を有す−
るポリブタジェン。
エポキシ変性ポリブタジェン、水素添加したポリブタジ
ェン等の水酸基価20〜200を有するポリブタジェン
の水酸基1個に前述のポリインシアネート1個を反応さ
せ、さらにポリインシアネートに残存するインシアネー
ト基1個に前述の水酸基含有メタクリレート1個を反応
させて得られるものを言う。上記アクリルウレタンオリ
ゴマー30から80部に、接着剤を低粘度化し平面作業
性を改善するカットモノマーとしてヒドロキシアルキル
メタクリレート、例えば2−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート等から
なる少くとも1種、とアルキルメタクリレート、例えば
2−エチルへキシルメタクリレート、ラウリルメタクリ
レート、トリデシルメタクリレート等からなる少くとも
1種、とを20部から70部調合添加し、光増感剤とし
てジメチルベンジルケタール、ベンゾインエチルエーテ
ル、ベンゾインインプロピルエーテル、ベンゾフェノン
、ベンジル等からなる少くとも1種を0.1部から10
部、好ましくは1部がら3部、さらに嫌気性付与剤とし
てハイドロパーオキサイド、例エバl、1,3.3−テ
トラメチルブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイ
ドロパーオキサイド、ターシャリ−ブチルハイドロパー
オキサイド等からなる少くとも1種、を0.1部から3
部と、3級アミン、例えばN、N−ジメチルアニリン、
 N、N−ジメチル−P−トルイジン等からなる少くと
も1種。
を0.01部から1部、また貯蔵安定剤としてハイドロ
キノン、メトキノン、ジターシャリ−ブチル−P−クレ
ゾール等のうち少くとも1種を0.01部から0.5部
添加し、さらに本発明の特徴たる密着性向上の添加剤と
して撥水性のあるシランカップリング剤またはチタンカ
ップリング剤のうち少くとも1種を接着剤に対し0.5
部から1部部、好ましくは2部から5部を使用する。シ
ランカップリング剤としてはビニルトリメトキシシラン
、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン。
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等があり
、チタンカップリング剤としてはジインプロポキシビス
(アセチルアセトナト)チタンtジヒドロキシビスラク
タトチタン等がある。
この接着剤の使用により基体との密着性が飛躍的に向上
し、加湿下にて従来問題となった接着部の吸湿、膨潤、
剥離といった問題もなくなり、その結果、光メモリ素子
自体の耐湿性の大幅な向上が可能となる。
〈実施例〉 以下、本発明に係る光メモリ素子の一実施例について、
図面を用いて詳細に説明する。
第1図は、本発明に係わる光メモリ素子の一例たる光デ
ィスクの外観斜視図、第2図はその一部側面断面図であ
る。1はガラス或いは、アクリル樹脂等合成樹脂より成
る支持基体、2は光記録部材薄膜、3は接着剤層、4は
中心孔、5は記録部材を除去した緩衝部である。
支持基体1の表面に記録部材層2を形成し、その記録部
材層2を有する面に接着剤3を全面塗布した後、2枚の
支持基体を記録部材層が相対峙する形で貼り合わせ、一
方の基体側より紫外線を照射して透明緩衝部5を紫外線
硬化接着せしめ、記録部材部は嫌気硬化性にて接着せし
める。
ここで、情報の追加記録及び消去を可能とする磁気光学
記憶素子を例に挙げてその効果を示す。
該磁気光学記憶素子は、ガラス基板上に、非晶質GdT
bFe記憶薄膜、AI!N誘電体膜、SU3反射膜を、
順次、スパッタリングにて、積層構造としたものを、膜
面を相対峙させた形で接着剤にて貼り合わせた構造をと
る。特に、該CdTbFe膜層は酸化腐食に弱く、この
種の記憶素子では確実な封止接着法が望まれる。本例に
ても素子周辺部には既述の緩衝部が設けである。
ここで、接着剤を各種変えた該記憶素子を用意し、耐湿
環境試験を課した。環境試験条件としては、温湿度サイ
クル試験(−20℃と70℃、95%R,H1の間のサ
イクルを1日4サイクルの割合で繰り返す〕、恒温、恒
湿試験(60℃、95%R,H,)及び温水浸漬試験(
80℃温水)をそれぞれ行なった。
従来の嫌気性付与紫外線硬化接着剤としては、エチレン
グリコール、アジピン酸を構成成分とする水酸基価11
0を有するポリエステルポリオールとインホロンジイン
シアネート及びヒドロキ゛ジエチルメタクリレートを前
述の割合で反応せしめたベースとしてのポリエステルウ
レタンメタクリレート55部に、ヒドロキシプロピルメ
タクリレ−)25mと2−エチルへキシルメタクリレー
ト20部をカットモノマーとして添加し、さらにN、N
−ジメチル−P−トルイジン0.1部とクメンハイドロ
パーオキサイド0.4部を嫌気性付与剤として、ベンジ
ルジメチルケタール2部を光増感剤として、それにハイ
ドロキノン0.02部を貯蔵安定剤として添加して調合
したものを使用した。本発明に係る密着性付与剤を添加
した嫌気性付与紫外線硬化接着剤としては、上記の接着
剤組成に密着剤付与剤としてγ−メタクリしキシプロピ
ルトリメトキシシラン4部を調合したものを使用した。
これらの接着剤を使用した記憶素子の環境試験結果を比
較した結果、前者ではサイクル試験及び恒温恒湿試験1
週間前後で接着面部にml潤帰因と思われる皺状の浮き
剥がれかみえてきたのに対し、後者では3週間経過後も
何ら異常は認められなかった。また温水浸漬試験でも、
浮き剥がれが見え始める時間が、前者では5時間以内で
あるのに対し、後者では25時間以上との結果を得た。
さらに、接着剤の引張り接着強さを比較してみても、温
水浸漬テスト(60℃、10時間)を行う前は供に60
KP/cJ以上の接着強度があるが、温水浸漬テスト後
は前者は8に9/aRしかないのに対し、後者は44〜
/dの引張り接着強さを示した。
以上の例からも、確実に、記憶素子の耐湿性の改善がは
かられていることがわかる。
〈効果〉 本発明によれば、光メモリ素子の耐湿性が著しく強化さ
れるため、記憶素子としての信頼性が大きく向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる光メモリ素子の一実施例たるデ
ィスクを示す外観斜視図、第2図はその一部を示す側面
断面図である。 1・・・ガラス或いは合成樹脂より成る支持基体、2・
・・光記録部材薄膜、3・・・接着剤層、4・・・中心
孔、5・・・緩衝部。 特許出願人 シャープ株式会社 はか1名代 理 人 
弁理士 前出葆 外 2名特許庁長官 殿 1事件の表示 お3−y、yi’t7と2発明の名称 光メモリ素子 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号名称(
504) シャープ株式会社 (ほか1名)代表者 佐
 伯 旭 4、代理人 6、補正の対象:明細書の発明の詳細な説明の欄7、補
正の内容 (1)明細書5頁15〜19行目に「ポリエステルウレ
タン・・・・・・メタクリレートは、」とある・を次の
ように補正する。 [ポリエステルウレタン(メタ)アクリレートにこで(
メタ)アクリレートはメタクリレート及びアクリレート
の両方を包含する意味で使用する。以下同じ)、ポリエ
ーテルウレタン(メタ)アクリレート、ポリブタジェン
ウレタン(メタ)アクリレート等が使用される6さらに
詳しく述べればポリエステルウレタン(メタ)アクリレ
ートは、」(2)同6頁12〜14行目に「メタクリレ
ート、・・・・・・メタクリレート」とあるを次のよう
1こ補正する。 「(メタ)アクリレート、例えば2−ヒドロキシエチル
(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ
)アクリレート」 (3)同6頁15〜16行目に[ポリエーテルウレタン
メタクリレート]とあるを「ポリエーテλレウレタン(
メタ)アクリレート」と補正する。 (4)同7頁2行目及び10行目に「メタクリレート」
とあるを「(メタ)アクリレート」と補正する。 (5)同7頁3〜4行目に「ポリブタジェンメタクリレ
ート」とあるを[ポリブタジェン(メタ)アクリレート
」と補正する。 (6)同7頁13〜19行目に[ヒドロキシアルキルメ
タクリレート、・・・・・・トリデシルメタクリレート
」とあるを次のように補正する。 [ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、例えば2
−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレ−F。 2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等からな
る少くとも1種、とアルキル(メタ)アクリレート、例
えば2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリ
ル(メタ)アクリレート、)リゾシル(メタ)アクリレ
−日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光メモリ媒体を基体上に形成した後、媒体部を挾
    んで2枚の基体を接着剤にて貼り合わせた光メモリ素子
    において、前記接着剤として、紫外線硬化性及び嫌気硬
    化性を有する接着剤に、撥水性を有するシランカップリ
    ング剤、又はチタンカップリング剤等の密着性付与剤を
    添加した接着剤を使用したことを特徴とする光メモリ素
    子。
JP58139598A 1983-07-29 1983-07-29 光メモリ素子 Granted JPS6029951A (ja)

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