JPS6026345A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6026345A JPS6026345A JP13406883A JP13406883A JPS6026345A JP S6026345 A JPS6026345 A JP S6026345A JP 13406883 A JP13406883 A JP 13406883A JP 13406883 A JP13406883 A JP 13406883A JP S6026345 A JPS6026345 A JP S6026345A
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- photoreceptor
- amorphous silicon
- dielectric constant
- electrophotographic photoreceptor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は３５０ ｎｍ 〜９５０ｎｍ の光に光感受性
を有する電子写真感光体に関する。
を有する電子写真感光体に関する。
本発明は光感度が高い電子写真感光体を提供することを
目的としたものである。
目的としたものである。
近年、少なくとも水素を含有する非晶質シリコン（以下
、ａ−８ｉと略す。）、又は少なくとも水素を含有する
非晶質シリコンゲルマニウム（以下、ａ−ＥＩｉＧｅと
略丁。）を少なくとも一方、より成る電子写真感光体（
以下、総称して、ａ−８ｉ。
、ａ−８ｉと略す。）、又は少なくとも水素を含有する
非晶質シリコンゲルマニウム（以下、ａ−ＥＩｉＧｅと
略丁。）を少なくとも一方、より成る電子写真感光体（
以下、総称して、ａ−８ｉ。
ａ−８ｉＧｅ電子写真感光体と略す。）の研究が盛んに
行われている。第１図（ａ）〜（θ）に主なａ−８ｉ。
行われている。第１図（ａ）〜（θ）に主なａ−８ｉ。
ａ−８ｉＧｅｔ子写真感光写真感光を示す。１１゜２１
．３１，４１．５１はボロン（以下Ｂと略す。）を１〜
１００ ｐｐｍ含有し厚さ１μｍ以上のａ−日１層、２
５，５２ｆ’ｌＢを１００ ｐｐｍ 〜５００ ｐｐｍ
含み厚さ０．０５〜ａ５μｍのａ−８ｉ鳩、６３゜４６
．５５はゲルマニウム（以下Ｇθと略す）とシリ：７ン
（Ｓ ：ｔ、 ）の比（Ｇｅ／Ｓｉ ） ７＞ｉ １０
−１１〜９の組成比で厚さα５〜１０μｍ＋ｃＤａ−８
ｉ：Ｇｏノ組３５．５４１ｆＪＢを１〜１１００ｐｐ含
ミ厚すｏ、１〜５ μｍ のａ−８ｉノ曽、１５，２５
，５５，４５゜５５は導電性基板でおる。父はａ−Ｓｉ
層には窒素、酸素、炭素を１０％以下含有する時もめる
。
．３１，４１．５１はボロン（以下Ｂと略す。）を１〜
１００ ｐｐｍ含有し厚さ１μｍ以上のａ−日１層、２
５，５２ｆ’ｌＢを１００ ｐｐｍ 〜５００ ｐｐｍ
含み厚さ０．０５〜ａ５μｍのａ−８ｉ鳩、６３゜４６
．５５はゲルマニウム（以下Ｇθと略す）とシリ：７ン
（Ｓ ：ｔ、 ）の比（Ｇｅ／Ｓｉ ） ７＞ｉ １０
−１１〜９の組成比で厚さα５〜１０μｍ＋ｃＤａ−８
ｉ：Ｇｏノ組３５．５４１ｆＪＢを１〜１１００ｐｐ含
ミ厚すｏ、１〜５ μｍ のａ−８ｉノ曽、１５，２５
，５５，４５゜５５は導電性基板でおる。父はａ−Ｓｉ
層には窒素、酸素、炭素を１０％以下含有する時もめる
。
該各層の特徴は比誘率が１１以上ある事である。
該電子写真感光体はＳｅ系又はＯｄＳ糸号の電子写真感
光体に比して、硬度が太きく耐慄性に潰れている、残留
電位が小さい、無公害寺の優れた点を有している。反面
、たとえば、レーザープリンター、ＬＥＤプリンター等
の篩速プリンターや尚運屋の複写機に用いる光感度の高
い電子写真感光体に利用する場合該ａ−８ｉ、ａ−８ｉ
Ｇθ電子写真感光体では膜厚を大きくしなければならず
、該ａ−８ｉ、該ａ−８ｉＧｅＯ製課速度の遅さく１〜
１５μｍ／ｈｒ ） と相俟って、製造時間を要するた
め低価格化を妨げる最大の要因となっている。
光体に比して、硬度が太きく耐慄性に潰れている、残留
電位が小さい、無公害寺の優れた点を有している。反面
、たとえば、レーザープリンター、ＬＥＤプリンター等
の篩速プリンターや尚運屋の複写機に用いる光感度の高
い電子写真感光体に利用する場合該ａ−８ｉ、ａ−８ｉ
Ｇθ電子写真感光体では膜厚を大きくしなければならず
、該ａ−８ｉ、該ａ−８ｉＧｅＯ製課速度の遅さく１〜
１５μｍ／ｈｒ ） と相俟って、製造時間を要するた
め低価格化を妨げる最大の要因となっている。
本発明はかかる欠点を除去したもので、従来のａ−８ｉ
、ａ−ＳｉＧｅ電子写真感光体と同一厚さでより高い
光感度を有する電子写真感光体、甘い換えｈば、ある光
感度を得るのに従来のａ−８ｉ、ａ−ＳｉＧｅ電子写真
感光体の厚さより薄い膜４で同一光感度の得られる電子
写真感光体を提供するものである。
、ａ−ＳｉＧｅ電子写真感光体と同一厚さでより高い
光感度を有する電子写真感光体、甘い換えｈば、ある光
感度を得るのに従来のａ−８ｉ、ａ−ＳｉＧｅ電子写真
感光体の厚さより薄い膜４で同一光感度の得られる電子
写真感光体を提供するものである。
本発明の説明を行う前に、簡単に感光体の機能・厚理に
ついて説明を行なう。
ついて説明を行なう。
第２図のように、感光層表面をコロナ放電器により正帯
電させた状態で感光Ｉ−の禁止帯幅より大きなエネルギ
ー（ｈｖ）のホトンをもつ光を照射する。この光によｐ
感光７ｉｉ１０１の表面近傍、すなわち吸収領域内で電
子・正孔対が生成される。
電させた状態で感光Ｉ−の禁止帯幅より大きなエネルギ
ー（ｈｖ）のホトンをもつ光を照射する。この光によｐ
感光７ｉｉ１０１の表面近傍、すなわち吸収領域内で電
子・正孔対が生成される。
電子は電卓によって感光層表面に達し、正の帯′峨電荷
を打消す。
を打消す。
一方、正孔は感光層１０１を通って、アルミ支持体１０
２に達し、見かけ上窓光層の中を電流が流れ、帯電々荷
が消滅したことになり、光情報、すなわち画像に対応し
た静電替像が感光体上に形成される。また、負に帯電し
た場合も光によって生成された電子と正孔の動きが逆に
なるだけで原理的には上述の説明と同じである。
２に達し、見かけ上窓光層の中を電流が流れ、帯電々荷
が消滅したことになり、光情報、すなわち画像に対応し
た静電替像が感光体上に形成される。また、負に帯電し
た場合も光によって生成された電子と正孔の動きが逆に
なるだけで原理的には上述の説明と同じである。
このとき、光照射前の感光体上の単位面積あたりの帯電
電荷量Ｑは表面電位をＶｓ、単位面積あｆｃりの感光体
容量をＣとすると、 Ｑ−ＯＶｓ ・・・・・・■ となる。父、感光体容量０は感光体の比誘電率をεｒ、
感光体厚さをｄとすると、 ０＝ε０・εｒ／ａ ・・・・・・■ ただし、Ｃ０は真空中の比誘′峨率である。
電荷量Ｑは表面電位をＶｓ、単位面積あｆｃりの感光体
容量をＣとすると、 Ｑ−ＯＶｓ ・・・・・・■ となる。父、感光体容量０は感光体の比誘電率をεｒ、
感光体厚さをｄとすると、 ０＝ε０・εｒ／ａ ・・・・・・■ ただし、Ｃ０は真空中の比誘′峨率である。
となる。■、■より
Ｑ＝εＯ・εｒ−ｖｅ／ｄ ・・・・・・■又、感光体
Ｖζ吸収された光は１ホトンあたり１対の電子・正孔対
を形成するので、わかりやすくするため感光体に十分吸
収される単色光で考えると、単色光のエネルギーをＥと
すると、発生する電子正孔対の数Ｎは、 Ｎ＝Ｂ ・（１−Ｒ）／（ｈ ・ν）・・・・・・■た
だし、Ｒは感光体の反射率で、１−Ｒは吸収率、ｘｈＨ
ブランク定数νは光の周波数です。
Ｖζ吸収された光は１ホトンあたり１対の電子・正孔対
を形成するので、わかりやすくするため感光体に十分吸
収される単色光で考えると、単色光のエネルギーをＥと
すると、発生する電子正孔対の数Ｎは、 Ｎ＝Ｂ ・（１−Ｒ）／（ｈ ・ν）・・・・・・■た
だし、Ｒは感光体の反射率で、１−Ｒは吸収率、ｘｈＨ
ブランク定数νは光の周波数です。
となり、光によって発生した電子・正孔対に二り帯電電
荷が量子効率４で打ち消されるとすると、打ち消された
単位面積あたりの電荷量。’ｕｓＱ ＝ηＮθ ・・・
・・・■ ただし、θは単位電荷量、ηく１ となる。又、照射された光による表向電位の変化分ΔＶ
ｌ＋は光照射後の表面電位及び、単位奄槓あたりの帯電
電荷量をそれぞれ、■θ′、Ｑ″ とすると、 ΔＶ＝Ｖｓ−■ａ／ ■式より＝（Ｑ−Ｑ”）・ｄ／（Ｃ０・ε・）＝Ｑ′
・ｄ／（εＱ、εｒ） ００式より ＝ｙｌ−ｅ−ｄ＞−Ｃ１−Ｇ／Ｃｈ−ν・εＯ・εｒ
） …・・・■ となる。
荷が量子効率４で打ち消されるとすると、打ち消された
単位面積あたりの電荷量。’ｕｓＱ ＝ηＮθ ・・・
・・・■ ただし、θは単位電荷量、ηく１ となる。又、照射された光による表向電位の変化分ΔＶ
ｌ＋は光照射後の表面電位及び、単位奄槓あたりの帯電
電荷量をそれぞれ、■θ′、Ｑ″ とすると、 ΔＶ＝Ｖｓ−■ａ／ ■式より＝（Ｑ−Ｑ”）・ｄ／（Ｃ０・ε・）＝Ｑ′
・ｄ／（εＱ、εｒ） ００式より ＝ｙｌ−ｅ−ｄ＞−Ｃ１−Ｇ／Ｃｈ−ν・εＯ・εｒ
） …・・・■ となる。
■式の物理的な意味を整理すると、
１、 光エネルギーＥ５量子効率η、反射率Ｒを一定と
した時は、表面電位の変化分を大きくするすなわち光感
度を大きくするには膜厚を大きくするか、比誘電率を小
さくするか（すなわち感光体容量を小さくする。）のど
ちらかとなる。
した時は、表面電位の変化分を大きくするすなわち光感
度を大きくするには膜厚を大きくするか、比誘電率を小
さくするか（すなわち感光体容量を小さくする。）のど
ちらかとなる。
２、膜厚ａ、掃子効率η、反射率Ｒを一定とした時は、
表面電位の変化分を太きくするには、光エネルギーＥを
太きくするか、感光体容量を小さくするかのどちらかで
ある。
表面電位の変化分を太きくするには、光エネルギーＥを
太きくするか、感光体容量を小さくするかのどちらかで
ある。
本来、■式の膜厚以外は材料、たとえばａ −８ｉ、ａ
−８１Ｇｅが決まれば決まってしまう物性値の丸め、光
感度を大巾に向上させるＫは膜厚を大きくする以外には
望めな゛い。量子効率を１に近づける事はできるが、た
とえばａ−ＥｌｉｌｌＥ子写真感光体の場合η＝０．８
〜１．０であり、大巾な光感度の同上はあり得ない。
−８１Ｇｅが決まれば決まってしまう物性値の丸め、光
感度を大巾に向上させるＫは膜厚を大きくする以外には
望めな゛い。量子効率を１に近づける事はできるが、た
とえばａ−ＥｌｉｌｌＥ子写真感光体の場合η＝０．８
〜１．０であり、大巾な光感度の同上はあり得ない。
本発明はａ−８ｉ、ａ−８ｉＧｅが１〜５μｍ以下でプ
リンター、複写機等で利用する光を十分吸収する事より
感光体表面より１〜５μｍ以下から導電性基体までは光
により注入されたキャリアー（光キヤリア−）が感光体
内を電界により輸送されるだけである事に注目し、該光
吸収部以外の該感光部を比誘電率がａ−８ｉ、ａ−８ｉ
（）θよりも小さく、光キャリアーが十分な輸送能を持
つ電荷輸送層に厘き換える事により感光体′ｇ１の低減
をはかり光感度を同士させたものである、本発明を数値
例で詳しく説明する。簡単化の７こめ従来の電子写真感
光体として第１図（ａ）の単層の感光体、本発明の電子
写真感光体として第３図（ａ）の二層構造の感光体を考
える。１１５はａ−８ｉ層、１１２はボロンをドープし
輸送能を保持させた水素を含有する非晶質炭化シリコン
層である。
リンター、複写機等で利用する光を十分吸収する事より
感光体表面より１〜５μｍ以下から導電性基体までは光
により注入されたキャリアー（光キヤリア−）が感光体
内を電界により輸送されるだけである事に注目し、該光
吸収部以外の該感光部を比誘電率がａ−８ｉ、ａ−８ｉ
（）θよりも小さく、光キャリアーが十分な輸送能を持
つ電荷輸送層に厘き換える事により感光体′ｇ１の低減
をはかり光感度を同士させたものである、本発明を数値
例で詳しく説明する。簡単化の７こめ従来の電子写真感
光体として第１図（ａ）の単層の感光体、本発明の電子
写真感光体として第３図（ａ）の二層構造の感光体を考
える。１１５はａ−８ｉ層、１１２はボロンをドープし
輸送能を保持させた水素を含有する非晶質炭化シリコン
層である。
ａ−Ｓｉ単層の容量をＱａ、本発明の２ノ曽構造の場合
の容量をＱａ、帯電４位をそれぞれｖ８゜’ｙａとし、
各に必要な帯電々荷をＱ−、Ｑａとすると Ｑ ｓ ＝Ｏａ Ｖ−・・・・・・（１）′Ｑ、 ａ＝
＝ｏ ａ Ｖ ａ 、 ＝ｆ２１’帯電々位を同じ、す
なわちｖＩＩ＝ｖｄとしたときの両者の電荷の比は、 Ｑｄ／Ｑ” ”’ ０６１０ｎ 、、、、、１３）／と
なる。
の容量をＱａ、帯電４位をそれぞれｖ８゜’ｙａとし、
各に必要な帯電々荷をＱ−、Ｑａとすると Ｑ ｓ ＝Ｏａ Ｖ−・・・・・・（１）′Ｑ、 ａ＝
＝ｏ ａ Ｖ ａ 、 ＝ｆ２１’帯電々位を同じ、す
なわちｖＩＩ＝ｖｄとしたときの両者の電荷の比は、 Ｑｄ／Ｑ” ”’ ０６１０ｎ 、、、、、１３）／と
なる。
第３図（ａ）の感光体でａ−８１感光層１１５の厚さを
ａ、とじ、ＳｉＯ［荷輸送層１１２の厚さをｄ２とする
と、単位面積当りの容量は ε ０ ・・・・・・（４）′ Ｃｄ ＝ Ｃ０・、Ｃ１、Ｃ２はそれぞれ真空の誘電率、ａ−８ｔ
悪感光の誘電率、そしてＳｉＯ電荷輸送層の誘電率であ
る。
ａ、とじ、ＳｉＯ［荷輸送層１１２の厚さをｄ２とする
と、単位面積当りの容量は ε ０ ・・・・・・（４）′ Ｃｄ ＝ Ｃ０・、Ｃ１、Ｃ２はそれぞれ真空の誘電率、ａ−８ｔ
悪感光の誘電率、そしてＳｉＯ電荷輸送層の誘電率であ
る。
一方、ａ−８１層のみの感光体の厚さをａＯとし、２層
構造の感光体と同じ厚さｄｏ ＝（１１＋ｄｔ（３）’
、（４）’ 、Ｃ５）’からε１％１２ 、ε！ニア
であるから、たとえばｄｌ−５μｍ 、 ｌ＠ ＝１５
／ｊｍ とすればＱ １１７ Ｑ ｓ ＃ ０．６５ すなわち、単層に比べ、２）−構造にすると同じ厚さで
、同じ帯電４位を得るのに約６５％の′電荷量で良い。
構造の感光体と同じ厚さｄｏ ＝（１１＋ｄｔ（３）’
、（４）’ 、Ｃ５）’からε１％１２ 、ε！ニア
であるから、たとえばｄｌ−５μｍ 、 ｌ＠ ＝１５
／ｊｍ とすればＱ １１７ Ｑ ｓ ＃ ０．６５ すなわち、単層に比べ、２）−構造にすると同じ厚さで
、同じ帯電４位を得るのに約６５％の′電荷量で良い。
したがって、この電荷を消滅させるためのホトン数も６
５％でよく、感度の良いことがわかる。
５％でよく、感度の良いことがわかる。
本発明による電荷輸送層としては水素又は水素及び弗素
を含有する非晶質炭化シリコン（ａ−８ｉｘ０１−ｘ：
α１≦ｘくα９）、非晶質屋化シリコン（ａ−ｓｔＸＮ
＋−Ｘ ： ０．１≦ｘ＜０．９）、非晶質酸化シリコ
ン（ａ−８ｉｚ０１−２：０．１≦ｚ＜０．５）、非晶
質炭化窒化シリコン（ａ−８ｉｘＯｙＮ１−’ｚ−ｙ：
０．１＜ｘ＜０．９ 、０．１≦ｙく［１７）、非晶
質酸化炭化シリコン（ａ−８ｉｘＯｙＯ１−ｚ−ｙ：α
１≦ｘ ＜０．９０．１≦ｙ≦０，７、非晶質酸化窒化
シリコン（ａ−日１ｘＮｙＯ１−Ｘ−ｙ：α１≦Ｘ≦０
．９，０．１≦ｙ≦Ｌ１．７）、非晶質酸化炭化窒化シ
リコン（ａ−８１ｘｏｙＮｚ０１−Ｘ−ｙ−Ｚ：α１≦
ｘ＜０．８，０．１≦ｙ≦０．５．Ｌ］、１≦２≦０．
５）から成り、電荷輸送能を持たせるため、帯！極性が
正極のときは１〜１０００ ｐｐｍのボロン、アルミニ
ウム、ガリウム、インジウム等の周期律表第ｊｉｂ族、
負極のときは１〜５００ｐｐｍの窒素、リン、ヒ累、ア
ンチモン等の周期律表第■ｂ族を混入させる。又、その
製造方法はプラズマＯＶ ：Ｏ法＋スパッタ法、イオン
ビームスパッタ法。
を含有する非晶質炭化シリコン（ａ−８ｉｘ０１−ｘ：
α１≦ｘくα９）、非晶質屋化シリコン（ａ−ｓｔＸＮ
＋−Ｘ ： ０．１≦ｘ＜０．９）、非晶質酸化シリコ
ン（ａ−８ｉｚ０１−２：０．１≦ｚ＜０．５）、非晶
質炭化窒化シリコン（ａ−８ｉｘＯｙＮ１−’ｚ−ｙ：
０．１＜ｘ＜０．９ 、０．１≦ｙく［１７）、非晶
質酸化炭化シリコン（ａ−８ｉｘＯｙＯ１−ｚ−ｙ：α
１≦ｘ ＜０．９０．１≦ｙ≦０，７、非晶質酸化窒化
シリコン（ａ−日１ｘＮｙＯ１−Ｘ−ｙ：α１≦Ｘ≦０
．９，０．１≦ｙ≦Ｌ１．７）、非晶質酸化炭化窒化シ
リコン（ａ−８１ｘｏｙＮｚ０１−Ｘ−ｙ−Ｚ：α１≦
ｘ＜０．８，０．１≦ｙ≦０．５．Ｌ］、１≦２≦０．
５）から成り、電荷輸送能を持たせるため、帯！極性が
正極のときは１〜１０００ ｐｐｍのボロン、アルミニ
ウム、ガリウム、インジウム等の周期律表第ｊｉｂ族、
負極のときは１〜５００ｐｐｍの窒素、リン、ヒ累、ア
ンチモン等の周期律表第■ｂ族を混入させる。又、その
製造方法はプラズマＯＶ ：Ｏ法＋スパッタ法、イオン
ビームスパッタ法。
ＯＶＤ法等により形成される。第３図（ａ）〜（ｆ）
Ｋ本発明による電子写真感光体の構造を示す。１１１゜
１２１．１３１，１４１，１５１，１６１はアルミニウ
ム等の導電性基体１１２，１２２，１３２゜１４２．１
５２，１６２は本発明による電荷輸送層、１２３，１４
３，１６３は１００〜５００ｐｐｍ ボロンを含む厚さ
０．１〜１μｍのａ−８ｉ層、１３４，１４４，１５４
，１６４はＧｅ／ｓｔ比が１０−３〜９の組成比のａ−
＋３１Ｇθ層、１１５ １２５ １３５ １４５ １５
５１６５は１〜１００ ｐｐ）ｎボロンを含むａ−８ｉ
層である。
Ｋ本発明による電子写真感光体の構造を示す。１１１゜
１２１．１３１，１４１，１５１，１６１はアルミニウ
ム等の導電性基体１１２，１２２，１３２゜１４２．１
５２，１６２は本発明による電荷輸送層、１２３，１４
３，１６３は１００〜５００ｐｐｍ ボロンを含む厚さ
０．１〜１μｍのａ−８ｉ層、１３４，１４４，１５４
，１６４はＧｅ／ｓｔ比が１０−３〜９の組成比のａ−
＋３１Ｇθ層、１１５ １２５ １３５ １４５ １５
５１６５は１〜１００ ｐｐ）ｎボロンを含むａ−８ｉ
層である。
実施例として電荷輸送層に非晶質炭化シリコン（ａ−８
１ｘＯ１−ｘ）を用い、構造として第５図（ａ）〜（０
）の構造の電子写真感光体について述べる。
１ｘＯ１−ｘ）を用い、構造として第５図（ａ）〜（０
）の構造の電子写真感光体について述べる。
最初に、前記の前提となる比誘電率の低減、並びに輸送
能の変化について示す。
能の変化について示す。
第４図にａ−８ｉｘＯ１−ｚ の比誘率の炭素量に対す
る変化を示す。炭素量の増加にともなって比誘電率の低
下が見られる。
る変化を示す。炭素量の増加にともなって比誘電率の低
下が見られる。
第５図にボロン量に対する同一膜厚のａ−８ｉｘＣ１−
ｘの相対的な表面゛は位の変化を示す。ボロン量を加え
る事により、電荷の輸送能が変化し表面電位の減少が確
認できる。
ｘの相対的な表面゛は位の変化を示す。ボロン量を加え
る事により、電荷の輸送能が変化し表面電位の減少が確
認できる。
実施例１、本発明の第６図（ａ）の構造の電子写真感光
体において全膜厚を２０μｍ としａ−８ｉｘＯ１−Ｘ
１１２の膜厚を５〜１７．５μｍに変化させた時の表面
電位の変化分を膜厚２０μｍのａ−Ｅｌｉ単ｊ−の感光
体の表面変化分で除した相対表面変化分とａ −Ｓ ｉ
ｘ Ｏ１−ｘ の膜厚の関係を第６図に示す（光は６
５０ ｎｍの単色光で、エネルギーは一定である。）。
体において全膜厚を２０μｍ としａ−８ｉｘＯ１−Ｘ
１１２の膜厚を５〜１７．５μｍに変化させた時の表面
電位の変化分を膜厚２０μｍのａ−Ｅｌｉ単ｊ−の感光
体の表面変化分で除した相対表面変化分とａ −Ｓ ｉ
ｘ Ｏ１−ｘ の膜厚の関係を第６図に示す（光は６
５０ ｎｍの単色光で、エネルギーは一定である。）。
ａはａ−８ｉ単層の相対表面電位変化分でおる。図より
明らかな様に比誘電率の小さいａ−８ｉｘ（，１−１層
が増加するにつれ、同一光エネルギーで表面電位の変化
は大きくなる。第７図に色温度３０００にのタングステ
ンランプ光１ ｍ ｗ ／−照射した時のａ−８ｉ層が
５μｍ 。
明らかな様に比誘電率の小さいａ−８ｉｘ（，１−１層
が増加するにつれ、同一光エネルギーで表面電位の変化
は大きくなる。第７図に色温度３０００にのタングステ
ンランプ光１ ｍ ｗ ／−照射した時のａ−８ｉ層が
５μｍ 。
ａ Ｓ ｉ ｘ Ｏ＋ −Ｘ １５μｍの感光体のａ−
８ｉｘＯ１−。
８ｉｘＯ１−。
中のボロン量及び残留電位の変化を示した。ボロンを混
入した事によ’） ａ−、Ｂ ｉ ｘ Ｏ１Ｘの電荷輸
送能が同上した事がわかる。
入した事によ’） ａ−、Ｂ ｉ ｘ Ｏ１Ｘの電荷輸
送能が同上した事がわかる。
実殉例２、本発明の第３図（Ｃ）の構造の、全膜厚１０
μｍ、ａ−８ｉ 層（１３５）１μｍ、ａ−ＥｌｉＧｅ
’（１５４） １．５μｍ 、ａ−８ｉｘＯ１ｘ（１３
２）７μｍの電子写真感光体と従来の第１図（ｄ）の構
造の、全膜厚１０μｍ、ａ−日１層（４４）１μｍ１ａ
−８ｉＧｅ層（４３） １．５μｍ、ａ−８ｉ層（４１
）７μｍの電子写真感光体を光波長を８５０μｍ〜６５
０μｍの間に変化させたときの表面電位変化を第８図に
示す。第８図は該従来の電子写真感光体の波長と表面電
位変化（ａ）を１と規格化し示した。
μｍ、ａ−８ｉ 層（１３５）１μｍ、ａ−ＥｌｉＧｅ
’（１５４） １．５μｍ 、ａ−８ｉｘＯ１ｘ（１３
２）７μｍの電子写真感光体と従来の第１図（ｄ）の構
造の、全膜厚１０μｍ、ａ−日１層（４４）１μｍ１ａ
−８ｉＧｅ層（４３） １．５μｍ、ａ−８ｉ層（４１
）７μｍの電子写真感光体を光波長を８５０μｍ〜６５
０μｍの間に変化させたときの表面電位変化を第８図に
示す。第８図は該従来の電子写真感光体の波長と表面電
位変化（ａ）を１と規格化し示した。
明らかに、不発明の電子写真感光体（ｂ）は光感就の・
向上が見られる。
向上が見られる。
以上、実施例によれば比誘電率の小さい電荷輸送能の十
分保持した電荷輸送層を設ける事により光感度を向上す
る事ができ有用である。
分保持した電荷輸送層を設ける事により光感度を向上す
る事ができ有用である。
又、第３図の構造すべてに同様の結果が得られ７’ＣＬ
／、Ｂの代ｐに、アルミニウム、ガリウム、インジウム
、又、負極帯電のときはリン、ヒ素、アンチモン、にお
いても同様の結果が得られる。又、電荷輸送層として水
素又は水素及び弗素を含む非晶質窒化シリコン、非晶質
酸化シリコン、非晶質炭化窒化シリコン、非晶質酸化炭
化シリコン、非晶買酸化鴛化７リコン、非晶質酸化炭化
シリンリコンに用い正極のときは周期律表第ｍｂ族、負
極のときは周期律堀第Ｖｂ族を混入させた時も同様の結
果が得られた。
／、Ｂの代ｐに、アルミニウム、ガリウム、インジウム
、又、負極帯電のときはリン、ヒ素、アンチモン、にお
いても同様の結果が得られる。又、電荷輸送層として水
素又は水素及び弗素を含む非晶質窒化シリコン、非晶質
酸化シリコン、非晶質炭化窒化シリコン、非晶質酸化炭
化シリコン、非晶買酸化鴛化７リコン、非晶質酸化炭化
シリンリコンに用い正極のときは周期律表第ｍｂ族、負
極のときは周期律堀第Ｖｂ族を混入させた時も同様の結
果が得られた。
本発明によればレーザープリンター、ＬｆｆｉＤ・プリ
ンター咎の高中速プリンターや複写機の電子写真感光体
として利用でき有用である。
ンター咎の高中速プリンターや複写機の電子写真感光体
として利用でき有用である。
第１図（ａ）〜（ｅ）は従来の電子写真感光体の慣造図
である。 第２図は電子写真感光体のモデル図である。 第６図（ａ）〜（ｆ）σ本発明の電子写真感光体の構造
図である。 第４図はａ−８ｉ ｘ Ｏ＋ −Ｘ 中の炭素量とルー
電率の関係図である。 第５図にａ Ｓ ｌ ｇｏ ＋ −Ｘ 中のボロン量と
衣面′醒位の関係図である。 Ｍ６図はａ−ＢｉｘＯｌ−Ｘ の厚さと表面電位変化分
の関係図である。 第７図はａ−８ｉｘＯ１ｙ、中のボロン量と残留電位の
関係である。 第８図は光源長と表面電位変化分の関係図である。 １０１・・・感光体１− １０２・・・導電性基体 １１２．１２２，１３２・・・電荷輸送層以上 出願人体式会社 諏訪精工台 （ｉ） （１）） （Ｑ） （ｄ） Ｃｅ） 第１図 第４図 第５図 第６図 第７図
である。 第２図は電子写真感光体のモデル図である。 第６図（ａ）〜（ｆ）σ本発明の電子写真感光体の構造
図である。 第４図はａ−８ｉ ｘ Ｏ＋ −Ｘ 中の炭素量とルー
電率の関係図である。 第５図にａ Ｓ ｌ ｇｏ ＋ −Ｘ 中のボロン量と
衣面′醒位の関係図である。 Ｍ６図はａ−ＢｉｘＯｌ−Ｘ の厚さと表面電位変化分
の関係図である。 第７図はａ−８ｉｘＯ１ｙ、中のボロン量と残留電位の
関係である。 第８図は光源長と表面電位変化分の関係図である。 １０１・・・感光体１− １０２・・・導電性基体 １１２．１２２，１３２・・・電荷輸送層以上 出願人体式会社 諏訪精工台 （ｉ） （１）） （Ｑ） （ｄ） Ｃｅ） 第１図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (3)
- （１）水素が含有されてなる非晶質シリコン又は非晶質
シリコンゲルマニウムを感光体層として用いた電子写真
感光体において、該感光体層下には電荷輸送層が形成さ
れてなシ、該電荷輸送層の比誘電率は、該感光体層の比
誘電率よりも小なることを特徴とする電子写真感光体。 - （２） 前記電荷輸送層は、酸素、窒素、炭素のうちの
少なくともいずれか一つが含まれて形成され、かつ水素
又は水素及び弗素が含有されたシリコン化合物であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
光体。 - （３）前記′電荷輸送層μ、酸素、音素、炭素のうちの
少なくともいずれか一つが含まれて形成され、かつ水素
又は水素及び弗素が含有されたシリコン化合物でおり、
前記感光体層が正に帯電する際には、該シリコン化合物
に周期律表第ｍｂ族、前記感光体層が負に帯電する際に
は、該シリコン化合物に周期律表第ｖｂ族が混入されて
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
写真感光体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13406883A JPS6026345A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 電子写真感光体 |
| JP5227474A JPH06208234A (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
| JP5227473A JPH06208233A (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
| JP5227475A JPH06208235A (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
| JP5227476A JPH06208236A (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
| JP5227471A JP2580874B2 (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13406883A JPS6026345A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 電子写真感光体 |
Related Child Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5227475A Division JPH06208235A (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
| JP5227476A Division JPH06208236A (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
| JP5227473A Division JPH06208233A (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
| JP5227474A Division JPH06208234A (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
| JP5227471A Division JP2580874B2 (ja) | 1983-07-21 | 1993-09-13 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6026345A true JPS6026345A (ja) | 1985-02-09 |
| JPH0462379B2 JPH0462379B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=15119621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13406883A Granted JPS6026345A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6026345A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6198358A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 |
| JPS62295064A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62295063A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| EP0422238A1 (en) * | 1989-03-17 | 1991-04-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photosensitive member and electrostatic data recording method |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5581348A (en) * | 1978-12-14 | 1980-06-19 | Ricoh Co Ltd | Electrostatic recording body |
| JPS561943A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-10 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS57119357A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS58219560A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS58219564A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS58219559A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS58219565A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS59212842A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS59212843A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP13406883A patent/JPS6026345A/ja active Granted
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5581348A (en) * | 1978-12-14 | 1980-06-19 | Ricoh Co Ltd | Electrostatic recording body |
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| JPS58219564A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
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| JPS6198358A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 |
| JPS62295064A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62295063A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| EP0422238A1 (en) * | 1989-03-17 | 1991-04-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photosensitive member and electrostatic data recording method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462379B2 (ja) | 1992-10-06 |
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