JPS60263160A

JPS60263160A - 電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JPS60263160A
Application number: JP59119092A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-06-12
Filing date: 1984-06-12
Publication date: 1985-12-26
Also published as: JPH0234385B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要にＪ　応じて転写、定着などの
処理を行ない、画像を記録する方法がよく知られている
。中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザ
ーとしては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材をしては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
１例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

丙午ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｉ暦とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１Ｏ１２Ωｃｍ以−■−の暗抵抗の確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子と
を特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に
可成りの制限がある。

この設計−にの許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低
暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様
にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層したニ一層以上の層構成として、光
受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−
５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５
８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報
に記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及
び光受容層の上部表面に障壁層をευすた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造りの管理の容
易性及び生産性に於いて水曜的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が６１−Ｔ浮性の単色光であるので、光受容層の
レーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及
び支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及
び層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反
射して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる、殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ３、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ厚差で不
均一であると、反射光Ｒ，，Ｒ２が２ｎｄ二ｍλ（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄの条件のどちらに合
うかによって、ある層の吸収光徹および透過光量に変化
を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示すｆ渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材１；に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防１１一層を設ける方法（例えば特
開昭５７−１６５５４号公報）￥ｉ−が提案されている
。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に′照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｔ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−３ｉ
形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化によるそ
の後のＡ−３ｉ系感光層の形成に悪影響を与えること等
の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法の場合には、第３
図に示す様に、例えば入射光ＩＯは、光受容層３０２の
表面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは
、光受容層３０２の内部に進入して透過光■１となる。

透過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋　Ｋ２　ｒ　Ｋ３・◆
・争となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、そ
の一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、
反射光Ｒ，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する
為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない
。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防１ト
する為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、
光受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、ｔＪ
４を層４０２の表面での反射光Ｒ７゜第２層での反射光
Ｒ３，支持体４０１面でのＪ１′反射光Ｒ３の夫々が干
渉して、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が
生じる。従って、多層構成の光受容部材においては、支
持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全
に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理十具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、巾に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿
って、光受容Ｊｉ５５０２が堆積するため、支持体５０
１の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが
平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１ｗｍ入また
は２ｎｄ１＝（ｍ＋埼）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄＩ　
、ｄ２　＋　ｄ３　＋　’４の夫々の差の中の最大が一
以上である様な層厚の不拘ｎノ　−性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又１表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、−・層構成
の光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光
受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面で
の反射光による干渉が加わるため、−・層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より−・層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のも′う１つの目的は、電子写真法を利用するデ
ジタル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデ
ジタル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える
光受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性のほか、更
に耐久性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、機械的耐久性及び光受容特性に優れた光受容部材を
提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と；シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電
性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む
非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成の光受容層と；を有する光受容部材におい
て、前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝導
性を支配する物質が含有されていることを特徴としてい
る。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状
を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿
って多層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図（
Ａ）に拡大して示されるように、第２１Ｗ６０２の層厚
ｄ、からｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３
と界面６０４とは互いに傾向きを有している。従って、
この微小部分（ショートレンジ）又に入射した可干渉性
光は、該微小部公文に於てｆ−渉を起し、微小な丁渉縞
模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■ｏにする反
射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とがモ行な場合（第７図のｒ　（
Ｂ）　Ｊ　）に較べてｌ渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面がｆ行
な関係にある場合（Ｂ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７≠ｄｏ）でも同様に伝える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照ｊ　ゎヶ
ヵ１．２□１１□□カカ、６１．□就いて本発明の効果
を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対して、
反射光Ｒ１，Ｒ７、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在する。その
為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが生ず
る。

その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリットとし
て働き、そこで回折現像を生じる。そのため各層での干
渉は、層厚の差による干渉と層界面の回折による干渉と
の積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えるとＦ渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より　一層干渉効果を防止す
ることが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない、又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を・方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが９ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ交（凹凸形状の−・周
期分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌで
ある。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄｓ　ｄｂ）は、曜射光の波長
を入とすると、であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、モ行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が、以下である様に全領域に於て均一・層厚に形成されるの
が望ましい。

光受容層を構成するシリコン原ｒ−とゲルマニウム原Ｉ
を含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成に
は、本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に
、層厚を光学的レベルでｉＦ確に制御できることからプ
ラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
が採用される。

本発明の目的を達するための支持体の加■二方法として
は、化学エンチング、電気メ・７キなどの化学的方法、
蒸着、スパフタリングなどの物理重力υ１、旋盤加工な
どの機械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を
容易に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好まし
いものである。

たとえば、支持体を旋盤で加Ｔする場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス磐、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を工・め所望
に従って設計されたプログラムに従って回転させながら
規則的に所定方向に移動させること覧こより、支持体表
面を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ
、深さで形成される。この様な切削加工法によって形成
される凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中
心軸を中心にした螺線構造を有する。突起部の螺線構造
は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺線構造とさ
れても差支えない。

或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿ったｖｌ線構造を
導入しても良い。

本発明の支持体の所足断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、−次近似
的に同一・形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが奸ましい、又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を−・層高め、光受容層
と支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有
することが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以Ｆの点を考慮したｌ
−で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定され
る。

即ち、第１には光受容層を構成するＡ−３ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−５ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形Ｉ＆後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレードのい
たみが早くなるという問題がある。

１−記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセスに
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００ルｍ
−０．３ｇｍ、より好ましくは２００ｇｍ　〜Ｉμｍ、
最適には５０μｍ　〜５８Ｌｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくはＯ１１μｍ〜５ルｍ
、より好ましくは０．３＃Ｌｍ−３ｇｍ、最適には０．
６μｍ〜２ルｍとされるのが望ましい、支持体表面の四
部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部（
又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜
２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜
１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体Ｆに堆積される各層の層圧の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１μｍ〜２ｇｍ、より好ましくは０．１ｐｍ−１，５ｇ
ｍ、ｆｉ適には０．２ｇｍ−Ｉｇｍとされるのが望まし
い。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の例を示す。

第１０図は、本発明の好適な実施態様例である光受容部
材の層構成を説明するために模式的に示した模式的説明
図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の−にに、光受容層１０００を有
する。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と水素原子及びハロゲン原ｆ−のいずれか一方とを
含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）Ｊ　
とり略記する）で構成された第１の層（Ｇ）１００２と
ａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　で構成され光導電性を有する第
２の層（Ｓ）１００３と、表面層１００５とが順に積層
された層構造を有する（ここで、Ｘはハロゲン原子をあ
られす）。第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲル
マニウム原子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向
及び支持体１００１の表面と平行な面内方向に連続的均
一に分布した状態となる様に前記ｐＪＳｌの層（Ｇ）１
００２中に含有される。

本発明の好ｉな実施態様例の光受容部材１ＯＯ４に於い
ては、少なくとも第１の層（Ｇ）１００２に伝導特性を
支配する物質（Ｃ）が含有されており、第１の層（Ｇ）
１００２に所望の伝導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２ｊ、：含有
される伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ
）１００２の全層領域に５遍なく均一に含有されても良
く、第１の層（Ｇ）１００２の一部の層に偏在する様に
含有されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられるのが望ましい。殊に、第１の層（Ｇ）の支持
体側の端部暦Ｊ　領域として前記層領域（ＰＮ）が設け
られる場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前記
物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜選
択することによって支持体から光受容層中への特定の極
性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の・部を構成する第
１の層（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
５遍なく或いは層厚方向に偏在する様に含有させるのが
好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）１−に
設けられる第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含々さ
せても良い。

第２の層（Ｓ）中１こ前記物質（Ｃ）を含有させる場合
には、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の
種類やその含有量及びその含有のイ＋方に応じて、第２
の層（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類やその含有
量、及びその含有の仕方が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、奸まｌ、　〈は、少なくとも第１の
層（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）
を含有させるのが望ましい。

未発明に於′いては、前記物質（Ｃ）は第２の層（Ｓ）
の全層領域に５遍なく含有させても良いし、或いは、そ
の一部の層領域に均一・に含有させても良い。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質、（Ｃ）が含有されている層領域と、第
２の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている
層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の！ａｃＧ）と第２の層（Ｓ）と
に於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含
有量は各層に於いて、回じでもＷ−っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層に含有される１１ｊ記
物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１
の層（Ｇ）中に含有量を充分多くするか　又は、電気的
特性の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含
有させるのが好ましｌ、％。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び９ＩＩＪ２の層（Ｓ）中に、伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該
物質（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物としては、所謂、半導体
分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に於
いては、形成される光受容層を構成するａ−３ｉ（Ｈ，
Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ　（Ｈ。

Ｘ）に対して、ｐ型Ｏ１導特性を与えるＰ型不純物及び
ｎ型伝導特性をダ−えるｎカ不純物を挙げることが出来
る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第ｍ族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ　（ｉｉＭ素）、Ａ
Ｑ（アルミニウム）、Ｇａ（カリウム）、Ｉｎ（インジ
ウム）、ＴＱ（タリウム）　′ｔｒがあり、殊に好適に
用いられているのは、Ｂ、Ｇａである。

。型不純物としては、周期律表第■族に属する原ｒ（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒り、Ｓｂ（ア
ンチモン）、Ｂｉ（ヒスマス）￥であり、殊に、好適に
用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含イ
１される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領
域（ＰＮ）に要求される伝導ｆ「或いは、該層領域（Ｐ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて　適宜選択することか出来る。

父、前記層領域（ＰＮ）に直ちに接触して設けられる他
の領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて１層領域（Ｐ、Ｎ）中に含有されｊ　る
伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ま
しくは０．０１〜５ＸＩＯ’　ａｔ　ｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、　より好適には０．５〜ｌＸｌ０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ、最Ｊには、１−５１−５Ｘ１０３ａｔｏ　ｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
好ましくは３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以ｌ−１より好
適には５０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以４４、Ｅｌこはｌ
ｏｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以ヒとすることによって、例
えば該含イ（させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場
合１こは、光受容層の自由表面か■極性に帯電処理を受
けた際に支持体側からの光受容層中への電ｒ注入を効果
的覧こ阻１トすることが出来、又、前記含有させる物質
（′Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自
由表面がＯ極性に帯電処理を受けた際に文士）体側から
光受容中への正孔の注入を効果的に阻１１することが出
来る。

」二足の様な場合には、前述した様に、前記層領域（Ｐ
Ｎ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を支配する物？ｊ（Ｃ）の伝導型
極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を
右する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）
に含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有
させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層ψ域
（ＰＮ）に含有されるｉ１１記物質（Ｃ）の極性や含有
量に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、
好ましくは、０．００１−１０００ａｔｍｉｃ　ｐｐｍ
、より好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含イ１させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に−・力の極＋Ｊ［の伝導
型を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と
、他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を
含有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触
領域に所謂空乏層を設けることも出来るや詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する梯に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）ｊ：に設けられる第
２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長
迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受
容部材として得るものである。

又、第１のＭｔ　（Ｇ）中に於けるゲルマニウム涼了の
分布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
しているので、第１の層（Ｇ）と第２のＭ　（Ｓ）との
間における親和性に優れ、半導体レーザ等を使用した場
合の、第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側
の光を第１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収す
ることが出来、支持体面からの反射による干渉を防止す
ることが出来る。又、本発明の光受容部材に於いては、
第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材
料の夫々がシリコン原子という共通の構成要素を有して
いるので積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分
成されている。

本発明において、ｗＩＪｌの層中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜法められるが、＋１（ま
しくはｌ−９，５Ｘ１０５　ａｔ　。

ｍｉｃｐｐｍ、より好ましくは１００１００−８Ｘ１０
５ａｔｏ　ｐｐｍ、最適には５００〜７ｘｌＯ’ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが♀ｊ　ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の屑（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは好ましく
は３０Ａ〜５０＃Ｌ、より好ましくは、４０Ａ〜４０終
、最適には、５０Ａ〜３０ルとされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０終、より好ましくは１〜８０ルｌｌｌ１適には２〜５
０終とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２層（Ｓ）の層厚Ｔの和
（ＴＢ十Ｔ）としては、両層に要求される特性と光受容
層全体に要求される特性との相ｑ−間の有機的関連性に
基いて、光受容部材の暦設計の際に所望に従って、適宜
決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００、、より好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０＃Ｌとされるのが♀
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、］記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦ｌな
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

ｉ−記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択
の於いて、より好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９．最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係
が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定される
のが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウムニウム原子の含有量がｌＸｌ０’ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上の場合に（±、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと
しては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０川以下、より好ましくは２５ル以下、最適には２０用
以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体重しこは、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げること力ζ出来る。

本発明ニオイテ、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｇ　ｅ　（Ｈ、Ｘ）で
構成される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る０例えば、グロー放電法によッテ、ａ−３ｉＧｅ　（
Ｈ，Ｘ）で構成される第ｌの層（Ｇ）を形成するには、
基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る１１を積室内に所望
のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生
起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表
面上にａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれ
ば良い。又、スパッタリング法で形成する場合ｔこは、
例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをヘ
ースとした混合カスの雰囲気中でＳｉで構成されたター
ゲット、あるいは該ターゲ・ントとＧｅで構成されたタ
ーゲットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合され
たターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の
希釈ガスで希釈されたＧｅ供給用の原料カスを、必要に
応じて水素原’　−１”−（Ｈ）ッ１よ／’ＥｔＡｌ’
２、。ヶ７ウィ（ゆ）導い□。

ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
プラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをスパッタ
リングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば、多結晶シ
リコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単
結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱居発させ飛翔蒸発物を所
望のカスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出
来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原本１ガスと成
り得る物質としては、５ｉ）１４．Ｓｉ２Ｈ６、Ｓ　ｉ
３　ＨＢ　、　Ｓ　ｌａ　Ｈｌ。等のガス状態の又ガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳ　ｉＨａ　、Ｓ　ｉ７　
Ｈｔ、　、が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原ネ゛Ｉガスと成り得る物質としては、Ｇ
ｅＨｎ　、Ｇｅ、Ｈ，、Ｇｅ３　Ｈ，、Ｇ　ｅ　４　Ｈ
＋　ｏ　、　Ｇ　ｅ　ｓ　Ｈ１７、Ｇ　ｅ　６　Ｈ（４
、Ｇ　ｅ７　Ｈｌ　ｔ、、Ｇ　ｅａ　Ｈｌ　ｏ　、Ｇｅ
９　Ｈ２。

等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作
業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇｅ
Ｈ，、Ｇｅ；＋　Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ８かに了ましいものと
して挙１ヂられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原本）
カスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子−とを構成要
素とするガス状態の又はカス化し得る。ハロゲン原子を
含む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、Ｃｆ１Ｆ。

ＣｌＦ３、ＢｒＦ３．ＢｒＦ３．ＩＦ３、ＩＦ５、ｌＣ
ｆ１、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来
る。

ハロゲン原−ｒを含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
Ｓ　ｉ　Ｆ　４　、　Ｓ　ｉ７　Ｆ　６　、　Ｓ　ｉ　
Ｃす７、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいもの
として挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化ケイ素カスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅ
から成る第１のｉ　（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、／＼ロゲン原子を含む第１の層
（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ供給用の原料
ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ７、Ｈｅ等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の
層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起
してこれ′９のカスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって、所望の支持体−１；に第１の層（Ｇ）を形成し
得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容
易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は
水素原子を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層
形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数混合
して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含むケ
イ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したＪ　シラン類ヌ
は／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリン
グ用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を
形成してやれば良い。

本発明においては、／＼ロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ、ＨＣｕ、ＨＢｒ、ＨＩ等（７）　ハロ
ゲン化合物、５ｉＨ２Ｆ７、ＳｉＨ２Ｉ２　、ＳｉＨ２
Ｃ文、、５ｉＨＣ交、。

５ｉＨ７Ｂｒ７．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化
ケイ素、及びＧｅＨＦ３．ＧｅＨ，Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ、
ＧｅＨ０文、、ＧｅＨ２Ｃ文２、Ｇ　ｅ　Ｈ３Ｃ’ｌ、
ＧｅＨＢ　Ｆ３　、ＧｅＨ７Ｂ　ｒ、、ＧｅＨ３Ｂｒ、
ＧｅＨＩ、、、ＧｅＨ７１７、ＧｅＨ，、Ｉ等の水素化
ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つ
とするハロゲン化物、ＧｅＦａ　、ＧｅＣＱｓ　、Ｇｅ
Ｂ　ｒａ　。

Ｇｅｌ５　、ＧａＦ２　、Ｇｅ０Ｍ２．ＧｅＢｒ２、Ｇ
ｅｌ７等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の
或いはカス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用
の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と内
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
１．記の他にＦ２、或いは５ｊＨ４、Ｓｉ７　ＨＩ、、
Ｓｉ３　ＨＢ、５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素をＧｅを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ（、、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ
４　Ｈｆ　ｏ　、Ｇｅ５Ｈ，、、Ｇｅ　６　Ｈ，４、Ｇ
ｅ、Ｈ，ら　、Ｇｅ　８Ｈ＋　ｓ　、Ｇｅｇ　Ｆ２゜等
の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又
はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生
起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容部材の
第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の１又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（ＨＩＸ）は、好ましくは０．０１〜４０　ａ　
ｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａ　
ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、最適には０．１〜２５ａｔ　ｏ
ｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質（Ｉ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ））を使用し
て、第１の層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条
件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッリング法、或いはイオンブレーティング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば
、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記した
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支
持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させ
れば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスを一＼−スとし
た混合カスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを
スパ・ンタリソグする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）導入用のカスをスパッタリング用の堆
積室に導入しておけば良い。

ｊ　本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第
２の層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１−４０ａｔ　ｏｎｅ　
４％、より１ＩＴｉＩＩには５〜３０ａｔ　ｏｍｃ　４
％、最適には５〜２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが
望ましい。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、たとえば第ｍ族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第ｍ族原子導入用の出
発物質あるいは第■族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に光受容層を形成するための他の出発物質と
共に導入してやればよい。この様な第■族原子導入用の
出発物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状態
の又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが好ましい、その様な第■族原子導入
用の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては
、Ｂ２Ｈ，、Ｂ。

Ｈｌｏ・Ｂ５Ｈ９・ＢＳＨＩＩ・Ｂ６ＨＩＯ１ＢもＨ＋
　２　、Ｂｔ、Ｈ＋　４等の水素化硼素。

ＢＦ３　、ＢＣ１３、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が
挙げられる。この他、Ａ　Ｉｃ　＋３　、　ＧａＣ１３
、Ｇ　ａ　（ＣＨ３）　：ｉ、Ｉ　ｎＣ１３，７］Ｃ１
３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ，等の水素化溝、ＰＨ。

１、ＰＦ３　、ＰＦｓ　、ＰＣ＋３　、ＰＣ１１、ＰＢ
　ｒ３　、ＰＢ　ｒ５　、ＰＩ３等ノハロゲン化燐が挙
げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　、Ａ　５Ｃ１
３、ＡｓＢｒ３　、ＡｓＦ５．ＳｂＨ３、ＳｂＦ３．Ｓ
ｂＦ５．５ｂＣＩ３，５ｂＣ１９，５ｔＨ３、Ｓ　ｉＣ
ｌ；４　、Ｂ　１Ｂｒ３等も第■族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

第１０図に示される光受容部材１００４にお０ては、第
２の層１００３．Ｌ−に形成される表面！Ｒ１００５は
自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、機械的耐久性、光受容特性にお
いて本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
ｒａ−（ＳｉＣ１）ｘ　−ｘ　ｙ（Ｈ，Ｘ）＋　Ｊ　と記す、但し、Ｏ＜ｘ、ｙ≦１）で
構成される。

ａ　−（Ｓｉ　ＣＨ）　（Ｈ，Ｘ）　＋　−、ｔ’ｘ　
−ｘｙ構成される表面層１００５の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法、（ＰＣＶＤ法）、あるいは光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビー
ム法等によって成される。

これ等の製造法は、装造条件、設備資本投下の負荷程度
、装造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるか、所望する
特性を有する光受容部材を製造するための作製条件の制
御が比較的容易である、シリコン原トと共に炭素原子及
びハロゲン原ｆを、作製する表面層１００５中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或はスパ
ンターリング法が好適に採用される。更に、本発明に於
いては、グロー放電法とスパッターリング法とを同一装
置系内で併用して表面層１００５を形成してもよい。

グロー放電法によって表面層１０ｏ５を形成するには、ａ−（ＳｉｘＣ＋−Ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　、　ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置しであるＪ　真空堆積室に導
入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させること
でガスプラズマ化して、前記支持体上に形成されである
層ｌ−にａ−（Ｓ　ｉ　Ｃｌ）　（Ｈ、Ｘ　）　＋　−ｙｘ　−
ｘ　ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉＣ１）ｘ　−ｘｙ（Ｈ，Ｘ）＋　形成用の原料ガスとしては、ノ　ｙリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原ｆ−（Ｈ
）、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも・つを構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈ，Ｘｃｙ）中ノーツトシテ、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスを使用する場合は、例えば、Ｓｉを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料カス
と、必要に応じて、Ｈを構成原子とする原料カス又は／
及びＸを構成原子とする原料ガスとを所♀の混合比で混
合して使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガス
と、Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及
びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の
混合比で、混合するか、或いは、Ｓｉを構成原−ｆとす
る原料ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする
原料ガス又は、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原ｆ−とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原本′１カスにＣを構成
原子−とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００５中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ。

ＣＭ、Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、Ｃ１が望ましいもので
ある。

本発明に於いて、表面層１００５を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて１表面層１００５形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
ＳｉＨ，、ｓｉ、）（、、ｓｉ、ＨＢ、５ｉ４Ｈ等フシ
ラン（Ｓｉｉａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨと
を構成原子とする、例えば、炭素数１〜４の飽和炭化水
素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン化水
素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換
水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事ができる。具体的
には、飽和炭化水素としてはメタンＣＣＨ４）、エタン
（Ｃ２Ｈ６）　、プロパン（Ｃ３ＨＬｌ）、ｎ−ブタン
（ｎ−Ｃ４Ｈ）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ）、エチレン炭化
水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈａ　）　、プロピレン
（Ｃ３Ｈｂ　）、ブテン−１（ＣｎＨ＊）、ブテン−２
（Ｃ４Ｈ１１）、インブチレン（Ｃ４ＨＲ）、ペンテン
（Ｃ，、Ｈ）、アセチレン系炭化水素としては、アセチ
レン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（ＣｑＨｎ）、ブ
チン（Ｃ４Ｈも）、ハロゲン単体としては、フッ素。

ｔｈｘ、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素
としては、ＦＨ，Ｈｌ、ＨＣｕ、ＨＢｒ、ハロゲン間化
合物としては、ＢｒＦ、ＣＱＦ、ＣｌＦ３　、ＣＩＦｌ
、ＢｒＦ、、、ＢｒＦ３．ＩＦ７　。

ＩＦ３．ＩＣ見、ＩＢｒ、ハロゲン化硅素としては、Ｓ
ｉＦ４　、Ｓｉ２　Ｆ６．５ｉＣｕ３　Ｂｒ、５ｉＣＱ
７　Ｂｒ、、５ｉＣｕＢｒ３　．５ｊＣｕ３１　。

５ｉＢｒ’４．ハロゲン置換水素化硅素としては、５ｉ
Ｈ７Ｆ？　、５ｔＨ２Ｃ１３、ＳｉＨ３Ｃ１゜５ｉＨ３
Ｂｒ、５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ２Ｂｒ２　。

５ｉＨＢｒａ、水素化硅素としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ７
　ＨＨ，５ｉ３Ｈｅ　、５ｉ４Ｈ等ノシラン（Ｓ　ｉ　
ｌ　ａ　ｎ　ｅ）類、等々を挙げることができる。

これ等の他にＣＦ、、ＣＣ１，、ＣＢｒ、。

ＣＨＦ３　、ＣＨ７Ｆ２　、ＣＨ３Ｆ　、ＣＨ３Ｃ１。

ＣＨ３Ｂ　ｒ　、　ＣＨ３Ｉ　、　Ｃ２Ｈ３Ｃ１、等ノ
ハロｊ　ケン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４　、Ｓ
Ｆ６のフッ素化硫黄化合物、Ｓｉ　（ＣＨ３）４　．５
ｉ（Ｃ２Ｈｓ　）　ｎ　１等のケイ化アルキルやＳｉＣ
又（ＣＨ３）３　、ＳｉＣ文２　（ＣＨ３）２　．５ｉ
ＣＱ　３　ＣＨ３等（７）ハロゲン含有ケイ化アルキル
等のシラン誘導体も有効なものとして挙げることができ
る。

これ等の表面層１００５形成物質は形成される表面層１
００５中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有される
様に、表面層１００５の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳｉ
（ＣＨ３）４と、ハロゲン原子を含有されるものとして
のＳ　１ＨｃＪＬ３　、　Ｓ　ｉ　Ｈ７Ｃ交２　、Ｓｉ
Ｃ文。、或いは、５ｉＨ３Ｃ文等を所定の混合比にして
、ガス状態で表面［１００５形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることにとってａ−（Ｓｉ　Ｃ＋
　）（ＣＭ＋ｘ　−ｘＨ）＋　から成る表面Ｒ１００５を形成するこ　ｙとができる。

スパッターリング法によって表面層１００５を形成する
には、単結晶又は、多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェ
ーハー又はＳｉとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行え
ば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｒウェ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｔとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中で、スパッターリングするこ
とによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガス
となる物質としでは、先述したグロー放電の例で示した
表面層１００５形成用の物質がスパッターリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電法又はス
パッターリング法、で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂、希ガス、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等
が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００５は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ　、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（
Ｓ１Ｘｃ　Ｉｘ　）　ｙ　（Ｈｌｘ　）　ｒ　、　層形
成さレル様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密
に成される０例えば、表面層１００５を電気的耐圧性の
向■、を主な［１的として設けるには、ａ　（Ｓ　ｒ　ｘ　Ｃ１ｘ　）　ｙ　（Ｈ、Ｘ　）　＋
　ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶
質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上をＦたる
目的として表面７９１００５が設けられる場合には１−
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−（ＳｉＣＩ、　−Ｘ）、（Ｈ，Ｘ）、−７が作成がされる。

ｆｆ１２の層表面にａ−（Ｓｉ　Ｃｒ　）　（Ｈ，Ｘ）＋　。

Ｘ　−Ｘ　ｙから成る表面層１００５を形成する際、層形成中の支持
体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重要
な因子であって、本発明に於いては、目的とする特性を
有するａ−（Ｓ　ｒ　Ｃ１）　（Ｈ、ｘ）　（ｙｘ　−ｘ　ｙが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が
厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００５の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００５の形成が実行されるが好ましく
は、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃、最
適には１００〜３００℃とされるのが望ましいものであ
る０表面層１００５の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて、比
較的容易である事等のために、グロー放電法やスハンタ
ーリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で
表面層１００５を形成する場合には前記の支持体温度と
同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−（Ｓ　ｉ　Ｃｌ）　（Ｈｌｘ）　＋　ｙｘ　−ｘｙの特性を左右する重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を４１するａ−（Ｓｉ　Ｃ１）　（Ｈｌｘ）１−９ｘ　−ｘｙが生産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件
としては好ましくは１Ｏ−１０００Ｗ、より好適には２
０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室のガス圧は好ましくはｏ、ｏｉ〜ＩＴ。

ｒｒ、より好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、表面層１００５を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の歴作成ファクター
は、独立的に別々に、決められるものではなく、所望特
性のａ−（Ｓｉ　Ｃｒ　）　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ　−ｙｘ　−ｘ
　ｙから成る表面層１００５が形成される様に相〃的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面！１００５に含有され
る炭素原子の量は、表面！１００５の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００５が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層１００５に含有される炭素原子の
量は、表面層１００５を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉＣｒ）ｘ　−ｘｙ（Ｈ，Ｘ）＋　−で示される非晶質材料は、大別すると
、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（
以後、ｒ　ａ　Ｓ　ｒ　ａ　Ｃ＋　ａ　Ｊと記す、　（
ｊｌ　シ、Ｏ＜ａ＜１）、シリコン原子と炭素原ｆと水
素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒａ−（Ｓ　
ｉ　Ｃ＋　−Ｂ）　。Ｈ＋　−ｏＪ　と記す。

イト１し、ｏｒｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と炭素原ｒ
−とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、’　ａ　（Ｓ　ｒ　ｄＣ，、）　
ｅ　（Ｈ，Ｘ）ｌ　］と記す、イｕシ。

　ｅくｄ、ｅくｌ）、に分類される。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−３ｉａＣ，、で
構成される場合、表面層１００５に含有される炭素原子
の量は好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０−３０−３−９０ａｔ
ｏ％、より好適には１−８０ａｔｏｎｉｃ％、最適には
１０〜７５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましもの
である。即ち、先のａ−３ｒ　ＣＨ−ａのａの表示で行
えば、ａが好ましくはｏ、ｉ〜０．９９９９９、よりり
Ｉ適には０．２〜０．９９、最適には、０．２５〜０９
である。

本発明に於いて、表面層１００５がａ　（Ｓ　ｉｂＣ＋
−ｂ）。Ｈ，−ｏで構成される場合、表面層１００５に
含有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸｌ０　〜９
０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは、１〜９０ａ
ｔｏｍｉｃ％、ＩＩＩ、ａには１０〜８０ａｔＯｍｉｃ
％とされるのが望ましいものである。水素原子の含有量
としては、好ましくはｌ−４１−４０ａｔｏ％、よりＩ
ｆましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、ｆＩ！適には５〜
３０ａｔ。

ｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含
有醗がある場合に形成される光受容部材は、実際面に於
いて債れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ　（Ｓ　ｒ　ｂ　Ｃ１ｂ　）　。ＨＩ−ｃ
の表小で行なえばｂが好ましくは、０．１〜０゜９９９
９９、より好適には、０．１〜０．９９、Ｉ＆適には、
０．１５〜０．９、Ｃが好ましくは、０．６〜０．９９
、より好適には０．６５〜０゜９８、最適には０．７〜
０．９５であるのが望ましい。

表面層１ＯＯ５が、ａ　（Ｓ　ｉ　ｄｃ＋６　）　ｅ（
Ｈ，Ｘ）、−ｅで構成される場合には、表面層１００５
中に含有される炭素原子の含有量としては、好ましくは
、ｌＸｌ０　〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には、１
〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には】Ｏ〜８０ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子の
含有量としては、好ましくは、１〜２０ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含
有量がある場合に作成される光受容部材を実際面に充分
適用させ得るものである。必要に応じて含有される水素
原子の含有量としては、好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％
以Ｆ、より好適には１３ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましいものである。

即ち、先の＠−（Ｓｉｃｋ） −ｄｅ（Ｈ２Ｎ）１−ｅのｄ、ｅの表示で行なえば、ｄが好ま
しくは、０．１−０．９９９９９、より好適には、０．
１−０．９９、最適には０．１５〜０．９、ｅが好まし
くは、０．８〜０．９９、より好適には０４８２〜０．
９９、最適には　０．８５〜０．９８であるのが望まし
い。

本発明に於ける表面層１００５の層厚の数範囲は本発明
の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つであ
る。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所ψに従って決められる。

又、表面層１００５の層厚は、該層中に含有される炭素
原ｆ−の畢や第１の層、第２の層の層厚との関係に於い
ても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な
関連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や最産性を加味した経済に１の
点に於いても考慮されるのがψましい０本発明に於ける
表面層１００５の層厚としては、好ましくは０．００３
〜３０．、好適には０．００４〜２０μ、最適には、０
．ｏｏ５〜ｌｏμとされるのがψましいものである。

表面層１００５には、機械的耐久性に対する保護層とし
ての働き、及び光学的には反射防止層としてのｆ８きを
ｔに荷わせることができる。

表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射防ＩＬ層
としての機能を果すのに適している。

即ち、表面層１００５の屈折率をｎ２層厚をｄ、入射光
の波長を入とすると、ｄ＝　− ｊ　４ｎのとき、又はその奇数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。又、第２の層の屈折率をｎａとした
場合、表面層の屈折率ｎがｎ　＝　ノーに一；− を満し、且つ表面層の層厚ｄが又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止層として
最適である。ａ−３ｉ：Ｈを第２の層として用いる場合
、ａ−３ｉ：Ｈの屈折率は、約３゜３であるので、表面
層としては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ−
３ｉ：ＨはＣの量を調整することにより、このような値
の屈折率とすることができ、かつ機械的耐久性、層間の
密着性及び電気的特性も十分に満足させることができる
ので、表面層の材料としては最適なものである。

また表面層１００５を反射防止層としての役割に重点を
置く場合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２ｇ
ｍとされるのがより望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては例え
ば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ。

ＰＬ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムヌはシー
ト、ガラス、セラミンク、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｌ
１．Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、０３゜５ｎ
０２　、ＩＴＯ（Ｉ　ｎ７０３　＋５ｎ０７　）等から
成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或い
はポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば
、ＮｉＣｒ、Ａ文、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される用
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱いに、機械的強度等の点か
ら、好ましくは１０に以」、とされる。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第ｔｉ図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中、１１０２〜１１０６のガスポンベには。

本発明の光受容部材を形成するための原料ガスが密封さ
れており、その−例として例えば１１０２は、ＳｉＨ，
ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０３はＧｅＨ
，ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０４はＳｉ
Ｆ４ガス（純度　９９．９９％）ボンベ、１１０５はＨ
２で希釈されたＢ２Ｈ，ガス（純度９９．９９９％、以
下Ｂ。

Ｈ＆／Ｈ２と略す）ボンベ、１１０６はＨ２ガス（純度
９９．９９９％）ボンベ、１１４５はＣＨ４ガス（純度
９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスポ
ンベ１１０２〜１１０６．１１４５の八Ｊ　ルブ１１２
２〜１１２６．１１４４、リークバルブ１１３５が閉じ
られていることを確認し、また流入バルブ１１１２〜．
１１１６．１１４３、流出バルブ１１１７〜１１２１．
１１４１、補助ノヘルブ１１３２．１１３３が開かれて
いることを確認して、先ずメインバルブ１１３４を開い
て反応室１ｉｏｔ、及び各ガス配管内を排気する０次に
真空計１１３６＋７）読みが約５Ｘ１０　ｔｏｒｒＬ：
なった時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流出バル
ブ１１１７〜１１２１．１１４１を閉じる。

次に、シリンダー状基体１１３７　ｈに光受容層を形成
する場合の１例をあげると、ガスポンベ１１０２より５
ｉ）１４ガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨ，ガス、
ガスポンベ１１０５よりＢ。

Ｈも／Ｈ２ガス、ガスポンベ１１０６よりＨ２ガスをバ
ルブ１１２２．１１２３．１１２５．１１２６を夫々間
いて出口圧ゲージ１１２７．１１２８．１１３０．１１
３１の圧を１Ｋｇ７ｃｍ２に調整し、流入バルブ１１１
２．１１１３．１１１５．１１１Ｂを徐々に開けて、マ
スフロコントローラ１１０７．１１０８．１１１０．１
１１１内に夫々流入させる。　引続いて流出バルブ１１
１７．１１１８．１１２０．１１２１補助バルブ１１３
２．１１３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室１　ｌ
ｏｔに流入させる。このときのＳｉＨ。

ガス流量とＧｅＨ，ガス流量とＢ、Ｈｂ／Ｉ（ｚ　ガス
流蓋とＨ２ガス流量との比が所望の値になるように流出
バルブ１１１７．１１１８．１１２０．１１２１を調整
し、また、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１
３４の開口を調整する。そして、基体１１３７の温度が
加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の範囲の温
度に設定されていることを確認した後、電源１１４０を
所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を
生起させて基体１１３７ヒに第１の層（Ｇ）を形成する
。所望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階において
、流出バルブ１１１８を完全に閉じること及び必要に応
じて放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従っ
て所望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）
−ヒにゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の
層（Ｓ）を形成することができる。

第２の層（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させるには、第２の層（Ｓ）の形成の際に、たとえば
８７　Ｈ６、Ｐ　Ｈ３等のガスを堆積室１１０１の中に
導入する他のガスに加えてやればよい。

上記の＠２のＮＣ５’）を形成した後、マスフロコント
ローラー１１０７と１１４２を所定の流量比に設定する
以外は、同様な条件と手順に従って、所望時間グロー放
電を維持することで、第２の層（Ｓ）Ｊ二にシリコン原
子と炭素原子から主に構成される表面層を所望層厚に形
成することができる。

この様にして、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）と表面
層とで構成された光受容層が基体１１３７上に形成され
る。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体１１３７はモーター１１３９により　一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ＡＩ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を旋盤で第１２図（Ｂ）に示す様な表面性に加重した
。

次に、第１１図の堆積装置を使用し、第５表に示す条件
で種々の操作ｆ順にしたがって、　Ａ−５ｉの電子写真
用光受容部材を前述のＡ】支持体りに堆積した。

尚、表面層の堆積は次の様にして行なわれた。

第２層の堆積後、第５表に示す様にＣＨ４ガスｆｉＬＪ
ｌがＳｉＨ，ガス流量に対して流量比がＳｉＨ，ｌ　／
ＣＨ，ｌ　＝　１／３０となる様に各ガスに対応するマ
スフロコントａ−ラーを設定し、高周波電力１５０ＷＴ
０．５　ａｍ厚（７）ａ−３ｉＣ（）（）を堆積した。

この様にして作製したＡ−３ｉ：Ｈの電子写真用光受容
部材の表面状態は第１２図（Ｃ）の様であった。

以１−の様な電子写真用の光受容部材について、第１３
図に示す画像露光ＩＩ（レーザー光の波長７８０　ｎ　
ｍ　、スボー７ト径８０ｐｍ）で画像露光を行い、それ
を現像、転写、して画像を得た。得られた画像には干渉
縞模様は観察されず、実用に十分なものであった。

実施例２実施例１と同様にして第２層まで堆積した後、水素（Ｈ
２）ボンベをアルゴン（Ａ　ｒ）ガスボンベに取りかえ
、堆積装置を清掃し、カソード電極上にＳｉからなるス
パッタリング用ターゲットとグラファイトからなるスバ
ッタリ／グ用ターゲントとを面積比が第１表試料Ｎｏ、
１０１に示す如くになる様に一面にはる。前記光受容部
材を設置し、堆積装置内を拡散ポンプで上のに減圧する
。

その後アルゴンガスを０．０１５ｔｏｒｒまで導入し高
周波電力１５０Ｗでグロー放電を起して表面材木１をス
パッタリングして前記支持体）−に第１表試料Ｎｏ、１
０１の表面層を堆積した。

同様にして、Ｓｉとグラファイトのターゲットの面積比
を変えて、表面層を第１表試料Ｎｏ、１０２〜１０７に
示される様に形成する以外は１−記と同様の方法で光受
容部材を作製した。

こうして得′られた電子写真用光受容部材の夫々につき
、実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの
工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ
、第１表の如き結果を得た。

実施例３表面層の形成時、５ｉ）Ｉ４ガスとＣＨ，ｌガスの流量
比を変えて、表面層におけるシリコン原子と炭素原子の
含有量比を変化させる以外は実施例１と全く同様な方法
によって電子写真用光受容部材の人々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの１
−程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ
、１４２表の如き結果を得た。

実施例４表面層の形成時、ＳｉＨ４ガス、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガス、Ｃ
Ｈ，ｌガスの流量比を変えて、表面層におけるシリコン
原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１
と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材の人々
を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第３表の如き結果を得た。

実施例５表面層の層厚を変える以外は実施例１と全く同様な方法
によって電子写真用光受容部材の夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様に、作像、現像、クリーニングの工程を
繰り返し、第４表の如き結果を得た。

実施例６表面層の作製時の放電電力を３００Ｗとし、平均層厚を
２ルｍとする以外は実施例１と全く同様な方法によって
電子写真用光受容部材を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の表面層の平均
層厚差は中央と両端で０．５ｇｍであった。また、微小
部分での層厚差は０．１μｍであった。

この様な電子写真用光受容部材では干渉縞は観察されず
、また実施例１と同様な装置で作像、現像、クリーニン
グの工程を繰り返し行ったが、実用に十分なものであっ
た。

実施例７第１４図、ｐｉ４１５図、第１６図に示す表面性のシリ
ンダー状ＡＩ支持体−Ｌに、第６表に示す条件でｔｌう
以外は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形
成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像ｊ　を得た。この様な
画像形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。ヌ、初期の画像とｌ
Ｏ万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例８第１４図、８１５図、＠１６図ニ示ス表面性のシリンダ
ー状ＡＩ支持体上に、第７表に示す条件で行う以外は実
施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像霧光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙−Ｌに可視画像を得た。この様な画
像形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、ト渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例９第１４図、第１５図、ｗ４１６図に示す表面性のシリン
ダー状ＡＩ支持体上に、第８表に示す条件で行う以外は
実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成した
。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙［−に可視画像を得た。この様な画
像形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１Ｏ第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリング
−状ＡＩ支持体上に、第９表に示す条件で行う以外は実
施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙」二に可視画像を得た。この様な画
像形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、ト渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像とｌ
Ｏ万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１１第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状Ａ１支持体Ｈに、第１０表に示す条件で行う以外は
実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成した
。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙にに可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０５回連続して行った。

実施例１２第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状Ａ１支持体上に、第１１表に示す条件で行う以外は
実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成した
。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像とｌ
Ｏ万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１３第１４図、第１５図、ｗＳ１６図に示す表面性のシリン
ダー状Ａ１支持体上に、第１２表に示す条件で行う以外
は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成し
た。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスをｌＯ方四回連続て行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又。

初期の画像と１０万回目の画像の間には何等差異はなく
、高品質の画像であった。

実施例１４第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状ＡＩ支持体Ｆに、ｆｆ１１３表に示す条件で行う以
外は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成
した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像霧光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙−ヒに可視画像を得た。この様な画
像形成プロセスを１０万回連続して行った。

実施例１５　′ 第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状ＡＩ支持体りに、第１４表に示す条件で行う以外は
実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成した
。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像霧光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

実施例１６第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状Ａ１支持体１−に、＃１Ｓ１５表に示す条件で行う
以外は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形
成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙−Ｌに可視画像を得た。この様な画
像形成プロセスをｌＯ方四回連続て行った・この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１７第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状Ａ１支持体上に、Ｗ４１６表に示す条件で行う以外
は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成し
た。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスをｌＯ万四回連続て行った・この場合に得られた画像の全てにおいて、−「渉縞は見
られず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と
′１０万回目の画像の間には同等差異はなく、高品質の
画像であった。

実施例１８第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンタ
ー状ＡＩ支持体Ｉ−に、第１７表に示す条件で行う以外
は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成し
た。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスをｌＯ万四回連続て行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用にト分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には同等差異はなく、高品質の画像
であった。

Ｊ　実施例１９第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状ＡＩ支持体りに、１４１８表に示す条件で行う以外
は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を形成し
た。

この場合に得られた画像の全てにおいて、１渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には同等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例２０実施例１から実施例１９までについて、Ｈ７で３０００
ｖｏｌ　ｐｐｍに冷釈１７たＢ、Ｈ＃、ガスの代りにＨ
７で３０００ｖｏ　ｌ　ｐｐｍに希釈したＰＨ３ガスを
使用して、１！ｆ写真用光受容部材を夫々作製した。

なお、他の作岬条件は、実施例１から実施例１９までと
同様にした。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙トに可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には同等差異はなく、高品質の画像
であった。

［発明の効果］以１１、シエ細に説明した様に、本発明によれば、＋ｉ
７　Ｆ渉慴単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が
容易であり、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反
転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解消するこ
とができ、しかも機械的耐久Ｐ１、特に耐摩耗性、及び
光受容特性に優れた光受容部材を提供することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱χによる干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の敗乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の一ト
渉縞の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の１′渉縞が
現われないことの説明図である。第９図は代表的な支持体の表面状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。第１２図は、実施例で用いたＡｔ支持体の表面状態の説
明図である。第１３図は、実施例で使用した画像露光装置である。第１４図、第１５図、第１６図は、実施例で使用したＡ
文支持体の表面状態の説明図である。１ｏｏｏ・・・・・・・・・光受容層１００１・・・・・・・・・Ａ文支持体１００２・・・
・・・・・・第１の層１００３・・・・・・・・・第２の層１００４・・・・・・・・・光受容部材１００５・・・
・・・・・・表面層１３０１・・・・・・・・・電子写真用光受容部材１３
０２・・・・・・・・・半導体レーザー１３０３・・・
・・・・・・ｆθレンズ１３０４・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー１３０５・・・・・・・・・露光装置の平
面図１３０６・・・・・・・・・露光装置の側面図。笥　３１１！ｌ第　４　図１５　図イｆｌ’ｆ３笥　６　図（Ｄ）イ且　１第　７　閃（Ａ）　ＣＢ）（Ｃ）ＩＦ７イ敦Ｊ【第　８　図笥９図！　１０−一−−−ｃ−−−−−−−−」瀉　１２　調（Ａ）（Ｂ）　（Ｃ）（ＪＪｍン　（ｐｍ）１！　１３　図第　１４　図［ｐｍ第　１６　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
れている支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子と
を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
と、シリコン原ｆ−と炭素原子とを含む非晶質材料から
なる表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成の
光受容層とｔを有する光受容部材において、前記ｗＩｊ
ｌの層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配す
る物質が含有されていることを特徴とする光受容部材。
（２）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（３）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（４）前記凸部の人々は、−次近似的に回−形状を有す
る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記凸部は、副ピークを複数力する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（６）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（７）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
容部材。
（８）前記凸部は、機械的加工によって形成された特許
請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（９）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一方
に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に記
載の光受容部材。
（１０）Ｍｌの層及び第２の層の少なくともいずれか一
方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
項又は第９項に記載の光受容部材。
（１１）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
る原Ｅである特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。
（１２）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。