JPS60262151A - 三層レジスト用中間層材料及びその利用方法 - Google Patents
三層レジスト用中間層材料及びその利用方法Info
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- JPS60262151A JPS60262151A JP59119386A JP11938684A JPS60262151A JP S60262151 A JPS60262151 A JP S60262151A JP 59119386 A JP59119386 A JP 59119386A JP 11938684 A JP11938684 A JP 11938684A JP S60262151 A JPS60262151 A JP S60262151A
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- resist layer
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路をはじめとする各種の固体素子
の製造に際して、基板上に高精度、かつ微細なレジスト
パターンを形成するりソグラフィ技術に関するもので、
特に、多層レジスト用材料及びそのパターン形成におけ
る利用方法に関する。
の製造に際して、基板上に高精度、かつ微細なレジスト
パターンを形成するりソグラフィ技術に関するもので、
特に、多層レジスト用材料及びそのパターン形成におけ
る利用方法に関する。
従来の技術
半導体集積回路等の製造においては、年々高集積化が進
められており、それに伴い高精度・微細加工が要求され
てきている。また、リソグラフィ法についても、近紫外
光を用いた縮小投影露光法、電子線直接描画法、或いは
Ｘ線露光法と、多様な展開を呈している。
められており、それに伴い高精度・微細加工が要求され
てきている。また、リソグラフィ法についても、近紫外
光を用いた縮小投影露光法、電子線直接描画法、或いは
Ｘ線露光法と、多様な展開を呈している。
しかしながら、素子製造過程において生ずる基板段差は
基板上に塗布したレジスト層の膜厚を変動させ、これは
露光方法の如何によらずレジストパターンの寸法精度を
低下させるという問題をおこしていた。また、パターン
寸法が微細化するに従って、光露光の場合には基板から
の反射光による定在波効果が、更に電子線露光の場合に
は反射電子による近接効果が、形成パターン精度の主要
な劣化要因となりつつあり、これに対する対策が急務と
なっている。
基板上に塗布したレジスト層の膜厚を変動させ、これは
露光方法の如何によらずレジストパターンの寸法精度を
低下させるという問題をおこしていた。また、パターン
寸法が微細化するに従って、光露光の場合には基板から
の反射光による定在波効果が、更に電子線露光の場合に
は反射電子による近接効果が、形成パターン精度の主要
な劣化要因となりつつあり、これに対する対策が急務と
なっている。
これらの問題の解決策として三層の膜を積層した、所謂
三層レジストがある。第１図は、この三層レジストの構
造を示す断面図である。第１図から明らかな如く、三層
レジストは加工すべき基板１、有機高分子材料からなる
下層レジスト層２、中間層として用いる薄膜材料３およ
び放射線感応高分子材料から成る上層レジスト層によっ
て構成され、該上層レジスト層としては、例えばＡＺ−
１３５０などの紫外線レジスト、ＰＭＭＡなどの電子線
レジスト又はＸ線レジスト等が適用される。この三層レ
ジストでは、厚く形成された下層レジスト層２が基板段
差を実効的に平坦化し、さらには露光すべき上層レジス
ト層４を基板から隔てているため上記の′問題はすべて
解決できる。
三層レジストがある。第１図は、この三層レジストの構
造を示す断面図である。第１図から明らかな如く、三層
レジストは加工すべき基板１、有機高分子材料からなる
下層レジスト層２、中間層として用いる薄膜材料３およ
び放射線感応高分子材料から成る上層レジスト層によっ
て構成され、該上層レジスト層としては、例えばＡＺ−
１３５０などの紫外線レジスト、ＰＭＭＡなどの電子線
レジスト又はＸ線レジスト等が適用される。この三層レ
ジストでは、厚く形成された下層レジスト層２が基板段
差を実効的に平坦化し、さらには露光すべき上層レジス
ト層４を基板から隔てているため上記の′問題はすべて
解決できる。
三層レジストのパターン形成は、先ず公知の露光法によ
り上層レジスト層４上に所定のパターンを形成した後中
間層３及び下層レジスト層２を順次エツチングすること
により実施される。この後、３層レジストパターンをマ
スクとして基板をエツチングし中間層３、下層レジスト
層２を除去して工程を終了する。
り上層レジスト層４上に所定のパターンを形成した後中
間層３及び下層レジスト層２を順次エツチングすること
により実施される。この後、３層レジストパターンをマ
スクとして基板をエツチングし中間層３、下層レジスト
層２を除去して工程を終了する。
エツチング手段としては、主に寸法変換差の少ない反応
性イオンエツチング法（ＲＩＥ）が用いられ、特に下層
レジスト層のエツチングは通常酸素ガスを用いた反応性
イオンエツチング法（０２ＲＩＥ）が用いられている。
性イオンエツチング法（ＲＩＥ）が用いられ、特に下層
レジスト層のエツチングは通常酸素ガスを用いた反応性
イオンエツチング法（０２ＲＩＥ）が用いられている。
また、中間層がこの下層レジスト層をエツチングする際
にマスクとして機能するため、中間層としては０２ＲＩ
Ｅ耐性の高い材料、例えばＳｌ、３１０２、ＡＩ等の無
機材料が適用されている。
にマスクとして機能するため、中間層としては０２ＲＩ
Ｅ耐性の高い材料、例えばＳｌ、３１０２、ＡＩ等の無
機材料が適用されている。
この中間層の形成法としては、一般にＣＶＤ法、スパッ
タ法、蒸着法のいずれかが用いられる。しかしながら最
近では、通常の有機高分子と同様に基板上にスピン塗布
法により膜形成することができ、且つ無機材料同様の化
学的特性を有するオルガノポリシロキサン（通称シリコ
ーン樹脂）が上記薄膜材料として用いられるようになっ
てきた。
タ法、蒸着法のいずれかが用いられる。しかしながら最
近では、通常の有機高分子と同様に基板上にスピン塗布
法により膜形成することができ、且つ無機材料同様の化
学的特性を有するオルガノポリシロキサン（通称シリコ
ーン樹脂）が上記薄膜材料として用いられるようになっ
てきた。
これはスピン塗布法によれば、蒸着法、ＣＶＤ法、スパ
ック法に比べ形成時間が極端に短く、且つ簡単な操作で
該薄膜を形成できるためである。
ック法に比べ形成時間が極端に短く、且つ簡単な操作で
該薄膜を形成できるためである。
しかしながら、従来のオルガノポリシロキサンでは、パ
ターン形成のためのエツチングがスムーズに進行せず、
そのため微細なパターンが形成できず、さらにはスルー
プットが低いという欠点を有していた。
ターン形成のためのエツチングがスムーズに進行せず、
そのため微細なパターンが形成できず、さらにはスルー
プットが低いという欠点を有していた。
発明が解決しようとする問題点
上に述べたように、素子製造過程において生ずる基板段
差に基き、基板上に塗布したレジスト層の膜厚が変動す
る、レジストパターンの寸法精度が低下する等の改善さ
るべき問題が残されていた。
差に基き、基板上に塗布したレジスト層の膜厚が変動す
る、レジストパターンの寸法精度が低下する等の改善さ
るべき問題が残されていた。
この問題の１解決策として、三層の膜を積層した所謂三
層レジストが知られ、利用されてきた。ここで、特に中
間層を最近スピン塗布法で形成するために、オルガノポ
リシロキサンが使用されてきたが、既に述べたようにこ
れについても依然として改良すべきいくつかの問題点が
残されている。
層レジストが知られ、利用されてきた。ここで、特に中
間層を最近スピン塗布法で形成するために、オルガノポ
リシロキサンが使用されてきたが、既に述べたようにこ
れについても依然として改良すべきいくつかの問題点が
残されている。
そこで本発明は、上記欠点を解決するため、エツチング
速度の大きなオルガノポリシロキサンからなる三層レジ
スト用中間層材料を提供することを目的する。また、該
三層レジスト用中間層材料の利用方法を提供することも
、本発明の目的の一つである。
速度の大きなオルガノポリシロキサンからなる三層レジ
スト用中間層材料を提供することを目的する。また、該
三層レジスト用中間層材料の利用方法を提供することも
、本発明の目的の一つである。
問題点を解決するための手段
このような情況の下で、本発明者等は前記従来のオルガ
ノポリシロキサンの有する諸欠点を解消し得る新たな三
層レジスト用中間層材料を開発すべく種々検討、研究し
た結果、以下に詳記する一般式Ｎ）のオルガノポリシロ
キサンが前記目的達成のために極めて有効であることを
見出し、本発明を完成した。
ノポリシロキサンの有する諸欠点を解消し得る新たな三
層レジスト用中間層材料を開発すべく種々検討、研究し
た結果、以下に詳記する一般式Ｎ）のオルガノポリシロ
キサンが前記目的達成のために極めて有効であることを
見出し、本発明を完成した。
即ぢ、本発明の三層レジスト用中間層材料として有用な
オルガノポリシロキサンは以下の一般式％式％（）： ） （Ｒ３ｉ○３／２）ｐ・（ＳｉＣ２）、 （Ｉ）式但し
、該一般式（Ｉ）において、Ｒは同−又は異っていても
よく、炭化水素基、水素、水酸基、アルコキシ基からな
る群から選ばれる一種であり、ｍ ＋ ｎ ＋ｐ ＋
ｑ ＝ １、ｍ＞Ｑ、ｎＳ ＰＳ ｑ≧０である、 で表わされるオルガノポリシロキサン材料であり、（ｐ
＋ｑ＞／ Ｃｍ＋ｎ）≧０，８であることにより特徴付
けられる。
オルガノポリシロキサンは以下の一般式％式％（）： ） （Ｒ３ｉ○３／２）ｐ・（ＳｉＣ２）、 （Ｉ）式但し
、該一般式（Ｉ）において、Ｒは同−又は異っていても
よく、炭化水素基、水素、水酸基、アルコキシ基からな
る群から選ばれる一種であり、ｍ ＋ ｎ ＋ｐ ＋
ｑ ＝ １、ｍ＞Ｑ、ｎＳ ＰＳ ｑ≧０である、 で表わされるオルガノポリシロキサン材料であり、（ｐ
＋ｑ＞／ Ｃｍ＋ｎ）≧０，８であることにより特徴付
けられる。
一方、本発明の前記三層レジスト用中間層材料の利用方
法は、基板上に、有機高分子材料からなる下層レジスト
層と、中間層と、放射線で架橋もしくは分解する高分子
材料からなる上層レジスト層とを順次形成し、該上層レ
ジスト層を露光・現像することにより所望のパターンを
該上層レジスト層に形成し、少なくともフッ素を含有す
るガスプラズマにより前記中間層をエツチングし、次い
で下層レジスト層をエツチングすることにより三層レジ
ストパターンを形成するに際し、前記中間層材料として
上記一般式（Ｉ）のオルカリポリシクロヘキサンを使用
することを特徴とする。
法は、基板上に、有機高分子材料からなる下層レジスト
層と、中間層と、放射線で架橋もしくは分解する高分子
材料からなる上層レジスト層とを順次形成し、該上層レ
ジスト層を露光・現像することにより所望のパターンを
該上層レジスト層に形成し、少なくともフッ素を含有す
るガスプラズマにより前記中間層をエツチングし、次い
で下層レジスト層をエツチングすることにより三層レジ
ストパターンを形成するに際し、前記中間層材料として
上記一般式（Ｉ）のオルカリポリシクロヘキサンを使用
することを特徴とする。
尚、前記一般式（Ｉ）の置換基Ｒにおいて、炭化水素基
は例えばメチル、エチル、ビニル等の飽和又は不飽和の
低級炭化水素基であることが好ましく、またアルコキシ
基としては例えばメトキシ、エトキン等の低級アルコキ
シ基が好ましい。
は例えばメチル、エチル、ビニル等の飽和又は不飽和の
低級炭化水素基であることが好ましく、またアルコキシ
基としては例えばメトキシ、エトキン等の低級アルコキ
シ基が好ましい。
昨週
本発明のオルガノポリシロキサンは、前記一般式（１）
から明らかな如く、主鎖に８１−Ｃ結合、側鎖に有機基
を有する材料で、通常のＣ−Ｃ結合を骨格とする有機系
ポリマーとは違った性質、例えば高い０□ＲＩＥ耐性を
持つ材料である。化学的性質はどちらかと言えば５１０
２に近く、そのためパターン形成のためのエツチングと
してフッ素含有ガスによるＲＩＥ、一般的にはＣＦ、Ｒ
１１が用いられている。
から明らかな如く、主鎖に８１−Ｃ結合、側鎖に有機基
を有する材料で、通常のＣ−Ｃ結合を骨格とする有機系
ポリマーとは違った性質、例えば高い０□ＲＩＥ耐性を
持つ材料である。化学的性質はどちらかと言えば５１０
２に近く、そのためパターン形成のためのエツチングと
してフッ素含有ガスによるＲＩＥ、一般的にはＣＦ、Ｒ
１１が用いられている。
表１に各種オルガノポリシロキサンのＣＦ、ＲＩＥによ
るエツチング速度を示す。ここで、ｍ１ｎ、ｐ、ｑは（
Ｔ）式で示した各構成単位の割合゛であり、またエツチ
ング条件は、ＣＦ、流量５０ｓｅｃｍ、ガス圧力０．０
１Ｔｏｒｒ、高周波電力１００Ｗである。
るエツチング速度を示す。ここで、ｍ１ｎ、ｐ、ｑは（
Ｔ）式で示した各構成単位の割合゛であり、またエツチ
ング条件は、ＣＦ、流量５０ｓｅｃｍ、ガス圧力０．０
１Ｔｏｒｒ、高周波電力１００Ｗである。
１ ０、Ｑ３ ０．０Ｂ ０．８６ ０．０３ Ｂ、１
８４０２ ０．０３ ０．０９ ０．８８ Ｄ、００
７．３ ７４０３ ０．３９ ０．０１ ０．０．８
０．５２ １．５ ４７０４ ０．２４ ０，０５
０．４１ ０．３０ ２．４ ４３０５ ０．１７ ０
．３３ ０，２１ ０．２９ １．０ ３２３６ ０．
１３ ０．５２ ０．２０ ０．１５ ０．５４ 〜８
７７ ０．１３ ０．７０ ０．０２ ０．１５ ０．
５３ 〜９０８ ０．２０ ０．５０ ０．０４ ０．
２６ ０．４２ 〜４７前記の表１から、ｐ及びｑが多
い時、すなわち（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋”ｎ）の値が大き
いときエツチング速度が速いことがわかる。また、この
ようなオルガノポリシロキサンのエツチングは前述の様
に上層レジスト層のパターンをマスクとして行われる。
８４０２ ０．０３ ０．０９ ０．８８ Ｄ、００
７．３ ７４０３ ０．３９ ０．０１ ０．０．８
０．５２ １．５ ４７０４ ０．２４ ０，０５
０．４１ ０．３０ ２．４ ４３０５ ０．１７ ０
．３３ ０，２１ ０．２９ １．０ ３２３６ ０．
１３ ０．５２ ０．２０ ０．１５ ０．５４ 〜８
７７ ０．１３ ０．７０ ０．０２ ０．１５ ０．
５３ 〜９０８ ０．２０ ０．５０ ０．０４ ０．
２６ ０．４２ 〜４７前記の表１から、ｐ及びｑが多
い時、すなわち（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋”ｎ）の値が大き
いときエツチング速度が速いことがわかる。また、この
ようなオルガノポリシロキサンのエツチングは前述の様
に上層レジスト層のパターンをマスクとして行われる。
従って、オルガノポリシロキサンのエツチング速度は上
層レジスト層のエツチング速度と同等もしくはそれ以上
であることが必要となる。通常、最もエツチング耐性が
高いと考えられている紫外線レジス） Ａ Ｚ−１３５
Ｃ１の、同条件下でのエツチング速度を測定すると、２
３０Ａ ／ｍｉｎであり、従ってオルガノポリシロキサ
ンのエツチング速度も少なくとも２３０人／１ｎｉｎ以
上であることが必要となる。
層レジスト層のエツチング速度と同等もしくはそれ以上
であることが必要となる。通常、最もエツチング耐性が
高いと考えられている紫外線レジス） Ａ Ｚ−１３５
Ｃ１の、同条件下でのエツチング速度を測定すると、２
３０Ａ ／ｍｉｎであり、従ってオルガノポリシロキサ
ンのエツチング速度も少なくとも２３０人／１ｎｉｎ以
上であることが必要となる。
第２図に（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋ｎ）とエツチング速度の
関係を示したが、第２図の結果から、前記必要条件を満
足する（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋ｎ）をめると、（ｐ＋ｑ）
／ （ｍ＋ｎ）≧０．８ となり、パターン形成のため
には少なくともこの条件を満足するオルガノポリシロキ
サンを使わなければならないことがわかる。
関係を示したが、第２図の結果から、前記必要条件を満
足する（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋ｎ）をめると、（ｐ＋ｑ）
／ （ｍ＋ｎ）≧０．８ となり、パターン形成のため
には少なくともこの条件を満足するオルガノポリシロキ
サンを使わなければならないことがわかる。
ｉ 以上の様に・ｐ−ｑの値が大きい程”ツチ′グｌ
速度も速くなることがわかる。これは以下のよう→ な理由による。
速度も速くなることがわかる。これは以下のよう→ な理由による。
即ち、結合エネルギーはＳ ｉ−Ｃ（６９，３Ｋｃａｌ
／ｍｏｌ ）の方が８１−〇（８８，２Ｋｃａｌ ／
ｍｏ］ ）より小さく、切断されやすい。従って、反応
種であるＦ原子は先ず以下の遷移状態を経由し、Ｃを解
離する。
／ｍｏｌ ）の方が８１−〇（８８，２Ｋｃａｌ ／
ｍｏ］ ）より小さく、切断されやすい。従って、反応
種であるＦ原子は先ず以下の遷移状態を経由し、Ｃを解
離する。
Ｆ＋−○δ−−３ｉδ十−Ｃ→〔Ｆ ＳＩ Ｃ〕→１
０６− ○
１
一〇−３ｉ −Ｆ ＋ Ｃ
この場合、Ｓｌに隣接している酸素の数が多くなる程３
１６４分極の度合が大きくなるため請求核的なＦの接近
が容易となる。その結果反応が生じることから、分極の
度合は反応速度に仕付すると考えられる。従って、反応
速度はＲ３１Ｏａ／２＞Ｒ２Ｓ ｉ Ｏ＞Ｒ３Ｓ ｉｏ
、７□ となる。一方、５１０２の場合、Ｃは含まれて
いないものの分極の度合は最も大きいことから、ＲＳ
ｉ ０３／２ と同様にエツチング速度は速いものと考
えられる。
１６４分極の度合が大きくなるため請求核的なＦの接近
が容易となる。その結果反応が生じることから、分極の
度合は反応速度に仕付すると考えられる。従って、反応
速度はＲ３１Ｏａ／２＞Ｒ２Ｓ ｉ Ｏ＞Ｒ３Ｓ ｉｏ
、７□ となる。一方、５１０２の場合、Ｃは含まれて
いないものの分極の度合は最も大きいことから、ＲＳ
ｉ ０３／２ と同様にエツチング速度は速いものと考
えられる。
以上の考察から、Ｓ Ｉ ０２ 、Ｒ３］ ０３／２が
多い程エツチング速度は速くなるものと考えられる。
多い程エツチング速度は速くなるものと考えられる。
実施例
以下、実施例により本発明を更に一層具体的に説明する
が、本発明の範囲はこれら実施例によって何隻制限され
ない。
が、本発明の範囲はこれら実施例によって何隻制限され
ない。
実施例１
０．５μｍ厚のアルミニウム薄膜を堆積した基板上に、
下層レジストとしてシプレー社製ホトレジス）’ Ａ
Ｚ−１３５０を膜厚が１．５ μｍとなるようにスピン
塗布し、窒素雰囲気下１５０℃にて、３０分加熱処理し
た。続いて、（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋ｎ） −８，１であ
るオルガノポリシロキサンを膜厚が０．２ μｍとなる
ようにスピン塗布し、窒素雰囲気下１５０ ℃にて、３
０分加熱処理した。次に、上層レジストとしてΔＺ−１
３５０を膜厚が１μｍとなるようにスピン塗布し、紫外
線露光、現像処理を行い、１μｍ幅のレジストパターン
を形成した。このレジストパターンをマスクとして、高
周波電力１００１’ｌ、 ＣＦ４流量５０ｓｃｃｍ、ガ
ス圧力０．０ＩＴｏｒｒなる条件下でＲ’ＩＥを行うこ
とにより、オルガノポリシロキサンをエツチングした。
下層レジストとしてシプレー社製ホトレジス）’ Ａ
Ｚ−１３５０を膜厚が１．５ μｍとなるようにスピン
塗布し、窒素雰囲気下１５０℃にて、３０分加熱処理し
た。続いて、（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋ｎ） −８，１であ
るオルガノポリシロキサンを膜厚が０．２ μｍとなる
ようにスピン塗布し、窒素雰囲気下１５０ ℃にて、３
０分加熱処理した。次に、上層レジストとしてΔＺ−１
３５０を膜厚が１μｍとなるようにスピン塗布し、紫外
線露光、現像処理を行い、１μｍ幅のレジストパターン
を形成した。このレジストパターンをマスクとして、高
周波電力１００１’ｌ、 ＣＦ４流量５０ｓｃｃｍ、ガ
ス圧力０．０ＩＴｏｒｒなる条件下でＲ’ＩＥを行うこ
とにより、オルガノポリシロキサンをエツチングした。
続いて、ＣＦ、を０２に切換えて下層レジスト層をエツ
チングすることにより、１μｍ幅の３層レジストパター
ンを形成した。
チングすることにより、１μｍ幅の３層レジストパター
ンを形成した。
実施例２
０．５μｍ厚のアルミニウム薄膜を堆積した基板上にΔ
Ｚ−１３５０を、膜厚が１．５ μｍとなるようにスピ
ン塗布し、これを１５０℃にて、３０分加熱処理した後
、（ｐ＋ｑ）／ （ｍ十ｎ） −８，１のオルガノポリ
シロキサンを膜厚が０．２μｍとなるようにスピン塗布
し、１５０℃にて３０分加熱処理した。次に、」二層レ
ジストとして電子線ネガ型レジストであるＣＭＳを０，
４μｍの膜厚にスピン塗布し、電子線露光、現像処理を
行うことにより、０．５μｍ幅のレジストパターンを形
成した。続いて、レジストパターンをマスクとして高周
波電力１００１！１％ＣＦ、流量５０ｓｅｃｍ、ガス圧
力０．０１Ｔｏｒｒなる条件下でＲＩＥを行い、オルガ
ノポリシロキサンをエツチングし、次いでＣＦ、をＱ２
に切換えて下層レジスト層をエツチングすることにより
、０．５ μｍ幅の３層レジストパターンを形成した。
Ｚ−１３５０を、膜厚が１．５ μｍとなるようにスピ
ン塗布し、これを１５０℃にて、３０分加熱処理した後
、（ｐ＋ｑ）／ （ｍ十ｎ） −８，１のオルガノポリ
シロキサンを膜厚が０．２μｍとなるようにスピン塗布
し、１５０℃にて３０分加熱処理した。次に、」二層レ
ジストとして電子線ネガ型レジストであるＣＭＳを０，
４μｍの膜厚にスピン塗布し、電子線露光、現像処理を
行うことにより、０．５μｍ幅のレジストパターンを形
成した。続いて、レジストパターンをマスクとして高周
波電力１００１！１％ＣＦ、流量５０ｓｅｃｍ、ガス圧
力０．０１Ｔｏｒｒなる条件下でＲＩＥを行い、オルガ
ノポリシロキサンをエツチングし、次いでＣＦ、をＱ２
に切換えて下層レジスト層をエツチングすることにより
、０．５ μｍ幅の３層レジストパターンを形成した。
尚、上述した実施例においては下層レジスト層形成材料
としてＡＺ−１３５０を使用したが、基板表面に密着性
良く塗布でき、かつ０２ＲＩＥ法により容易にエツチン
グし得る材料であればすべて本発明において使用できる
。従って、市販のレジスト材料の他、塗布可能な有機高
分子材料は基本的にはすべて本発明に適用出来る。上層
レジストについても、公知の紫外線レジスト、Ｘ線レジ
スト、、ｆ’ 電子線レジストはすべて適用可能である
。
としてＡＺ−１３５０を使用したが、基板表面に密着性
良く塗布でき、かつ０２ＲＩＥ法により容易にエツチン
グし得る材料であればすべて本発明において使用できる
。従って、市販のレジスト材料の他、塗布可能な有機高
分子材料は基本的にはすべて本発明に適用出来る。上層
レジストについても、公知の紫外線レジスト、Ｘ線レジ
スト、、ｆ’ 電子線レジストはすべて適用可能である
。
また、オルガノポリシロキサンのエツチング用ガスとし
ては、実施例で述べたＣ Ｆ ４をはじめとして、フッ
素を含むガスのすべてが本発明において適用できる。尚
、加工形状やエツチング速度を制御するために酸素、水
素、ヘリウム等のガスを混合することも効果的である。
ては、実施例で述べたＣ Ｆ ４をはじめとして、フッ
素を含むガスのすべてが本発明において適用できる。尚
、加工形状やエツチング速度を制御するために酸素、水
素、ヘリウム等のガスを混合することも効果的である。
更に、上層レジストの露光特性向上のために、オルガノ
ポリシロキサン中に他の物質を含ませることも可能であ
り、例えば定在波効果を抑制する目的で、露光波長領域
の光を吸収する、所謂光吸収材を含ませることは特に有
効である。
ポリシロキサン中に他の物質を含ませることも可能であ
り、例えば定在波効果を抑制する目的で、露光波長領域
の光を吸収する、所謂光吸収材を含ませることは特に有
効である。
発明の効果
か（して、本発明によれば一般式（１）で示されるよう
な三層レジスト用中間層材料としてのオルカリポリシロ
キサンが提供され、このものは従来公知のオルガノポリ
シロキサンについてみられたパターン形成のためのエツ
チングがスムーズに進行しないとか、微細なパターンが
形成し得ない等の欠点を示さず、極めて良好なエツチン
グを可能とするものである。
な三層レジスト用中間層材料としてのオルカリポリシロ
キサンが提供され、このものは従来公知のオルガノポリ
シロキサンについてみられたパターン形成のためのエツ
チングがスムーズに進行しないとか、微細なパターンが
形成し得ない等の欠点を示さず、極めて良好なエツチン
グを可能とするものである。
従って、本発明のオルガノポリシロキサンを多層レジス
ト用中間層材料として使用した場合にはスループットの
大巾な向上を図ることができるばかりでなく、多層レジ
ストを用いた微細・高精度のパターン形成が確実に保証
されることになる。
ト用中間層材料として使用した場合にはスループットの
大巾な向上を図ることができるばかりでなく、多層レジ
ストを用いた微細・高精度のパターン形成が確実に保証
されることになる。
第１図は、３層レジストの構成を示す断面図であり、
第２図は（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋ｎ）とエツチング速度と
の関係を示す図である。 （主な参照番号） ］ 基板 ２ 下層レジスト層 ３ 中間層 ４ 上層レジスト層 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 新居 正彦 第１図 １−一一墓卑反 ２−一一π厘しぴ又ト肩 ３−一一中間眉 ４−一一上眉しプス１眉
の関係を示す図である。 （主な参照番号） ］ 基板 ２ 下層レジスト層 ３ 中間層 ４ 上層レジスト層 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 新居 正彦 第１図 １−一一墓卑反 ２−一一π厘しぴ又ト肩 ３−一一中間眉 ４−一一上眉しプス１眉
Claims (2)
- （１）下記一般式： ％式％） ） 但し、式中Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、炭化
水素基、水素、水酸基、アルコキシ基からなる群から選
ばれる一種であり、 ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝ｌ、ｍ＞Ｑ、ｎ１ｐ１ｑ≧０である、 で表され、（ｐ十ｑ）／ （ｍ＋ｎ）≧０．８であるオ
ルガノポリシロキサン材料からなることを特徴とする三
層レジスト用中間層材料。 - （２）基板上に、有機高分子材料からなる下層レジスト
層と、中間層と、放射線で架橋若しくは分解する高分子
材料からなる上層レジスト層を順次形成し、該上層レジ
スト層を露光・現像することにより所望のパターンを該
上層レジスト層に形成し、少なくともフッ素を含有する
ガスプラズマにより前記中間層をエツチングし、次いで
下層レジスト層をエツチングすることにより三層レジス
トパターンを形成するに際し、前記中間層用材料として
、下記一般式： ％式％） ） 但し、該一般式において、Ｒは同一もしくは異なってい
てもよく、炭化水素基、水素、水酸基、アルコキシ基か
らなる群から選ばれる一種であり、ｍ＋ｎ＋ｐ＋Ｑ＝１
．、ｍ＞Ｑ、ＴＩＳ＋）％ｑ≧０である、 で表され、（ｐ＋ｑ）／ （ｍ＋ｎ）≧０．８であるオ
ルガノポリシロキサン材料を使用することを特徴とする
上記オルガノポリシロキサン材料の利用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119386A JPS60262151A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 三層レジスト用中間層材料及びその利用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119386A JPS60262151A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 三層レジスト用中間層材料及びその利用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262151A true JPS60262151A (ja) | 1985-12-25 |
Family
ID=14760211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119386A Pending JPS60262151A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 三層レジスト用中間層材料及びその利用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262151A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01111324A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| WO1989004507A1 (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Toray Silicone Co., Ltd. | Pattern forming material and method for forming pattern |
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| JP2008003624A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-01-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
| JP2008170984A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-07-24 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
| WO2016159180A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | デクセリアルズ株式会社 | 原盤の製造方法、原盤、及び光学体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254034A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59119386A patent/JPS60262151A/ja active Pending
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| US11524426B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-12-13 | Dexerials Corporation | Master manufacturing method, master, and optical body |
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