JPS60261022A - 磁気記録体の製造方法 - Google Patents

磁気記録体の製造方法

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JPS60261022A
JPS60261022A JP59116945A JP11694584A JPS60261022A JP S60261022 A JPS60261022 A JP S60261022A JP 59116945 A JP59116945 A JP 59116945A JP 11694584 A JP11694584 A JP 11694584A JP S60261022 A JPS60261022 A JP S60261022A
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昌弘 斉藤
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気ディスク、磁気ドラム等の磁気記録体に関
し、更に詳述すると非磁性被膜とし工銅含有量が２０〜
６５％（重量％、以下同じ）のニッケルー銅−リン無電
解めっき被膜を形成した磁気記録体に関する。
従来、磁気ディスク等の磁気記録体を製造する場合、ア
ルミニウム等々非磁性基体上に非磁性被膜を形成し、更
にそのトＬ：磁性被膜を形成することが行なわれており
、非磁性被膜としては比較的リン含量の高いニッケルー
リン（ＮＬ　Ｐ）無電解めっき被膜が広く用いられてい
る。
このＮＬ　Ｐ無電解めっき被ｌＩ受は、次亜リン酸塩を
還元剤とする無電解ニッケルめっき液から析出されるこ
とにより得られるもので、析出した状態、或いはこれを
室温下に保持したままの状態においては非磁性であるが
、このＮＬ　−Ｐ無電解めっき被膜を２００〜３００℃
以上に加熱すると磁性を帯びる問題がある。従って、磁
気記録体の製造において、無電解ニッケルめっき液から
析出された非磁性のＮＬ　Ｐ被膜がその後室温下にずっ
と保持されるか、或いは加熱されるとして２００℃以下
、でき得れば１００℃以下の温度に加熱されるなら大き
な支障はないが、磁気記録体を製造する場合、磁性被膜
を形成するなどのためにスパッタリング法を採用するこ
とが多く、このため非磁性のＮ１−Ｐ無電解めっき被膜
が２００’Ｃ以上の高温に暉され、磁性を帯びて磁気記
録体の性能を損なう問題が生じる。それ故、Ｎｉ　Ｐ無
電解めっき被膜のすン含有力髪を１０％以上として磁性
化をできるだけ防止する対策も講じられているが、１０
％以上の高リン含有ＭのＮＬ　Ｐ無電解めっき被膜も、
磁化の＆！度が低すン含有最の被膜よりも小さいとして
も上記温度で同様に磁化されることに代わりはなく、し
かも１０％以上の高すン含有邑のＮＬ　Ｐ無電解めっき
被膜を安定して得ることは困難である。
本発明者らは上記事情に鑑み、高温下に曝されても磁化
されることがなく、非磁性状態に安定して保持される非
磁性被膜につき鋭意研究を行なった結果、銅含有量が２
０〜６５％のニッケルー銅−リン（ＮＬ−Ｃｕ−Ｐ）無
電解めっき被膜が４００℃で１時間熱処理されても磁性
を全く帯びることがなく、めっき液から析出されたまま
の被膜と同じ非磁性状態を保持し、このめっき被膜を非
磁性被膜として形成した磁気記録体がその性能を有効に
発揮することを知見し１１本発明をなすに至ったもので
ある。
なお従来、磁気記録体の非磁性被膜として突起物の生成
を少なくする目的でＮＬ　Ｃｕ　Ｐ無電解めつき被膜を
形成することは知られている（特開昭５６−５１０２４
号公報）が、この公報に記載された発明のＮＬ　Ｃａ　
Ｐ被膜の銅含有量は６５％より高く、またこのように銅
含有量が高いのでめっきが実質的に進行しないものであ
る（実施例１）か、又は銅含有量が１％以下のもの（実
施例２）であり、銅含有量が２０〜６５％のＮＬ　Ｃｕ
　Ｐ無電解めっき被膜を磁気記録体の非磁性被膜として
用いること、この被膜が磁気記録体の製造途上において
スパッタリングを行なう場合に２００″Ｃ以上、特に３
００℃以上に加熱されても全く磁化されることがなく、
性能の優れた磁気記録体が得られるということは本発明
者らの新知見である。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の磁気記録体は、非磁性基体上に非磁性被膜を形
成し、更にその上に磁性被膜を形成したものにおいて、
非磁性被膜としてＮＬ　Ｃｕ　Ｐ無電解めっき被膜を形
成してなるものである。
ここで、本発明においてＮＬ−偽−Ｐ被膜は銅含有量が
２０〜６５％、好適には３０〜５５％であることが必要
であり、銅含有量が２０〜６５％のＮ＝−へ−Ｐ被膜を
形成することにより、加熱しても磁化されることのない
非磁性被膜が得られるものである。これに対し、銅含有
量が２０％より低いもの、とりわ番プ１０％より低いも
のは加熱により磁化され易く、本発明の目的が達成され
ない。
また、銅含有量が６５％より多いものは加熱した際に被
膜が酸化し易く、密着性にも問題があり、均質な被膜が
得られないため、磁気記録体には使用し得ない。なお、
リンの含有量は４〜１０％、特に６〜８％とすることが
好ましく、これにより良好な非磁性被膜が得られる。
このようなＮＬ＋ａ−Ｐ無電解めっき被膜を得るための
めつき液としては、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０、ＮＬ　Ｃｊ
　２　・６　Ｈ２０等のニッケルの水溶性塩と、ＣＩＬ
ＳＯ４・５Ｈ２０、ＣｕＣＲ２・２Ｈ２０等の銅の水溶
性ｊＪｌ、Ｎａ　ＨＰ　０２　・）１２０等の次亜リン
酸塩と、錯化剤と、更に必要により州調整剤、安定剤、
その他の添加剤を含有しためっき液が使用され得る。
この場合、ニッケルの水溶性塩の濃度は０．０２〜０．
２モル／ｊ１銅の水溶性塩の濃度は０．００２〜０．０
８モル／ｊ、銅イオンのニッケルイオンに対するモル比
はニッケルイオン１モルに対し銅イオン０．１〜０．４
モル、特に０．２〜０．３５モル、更に次亜リン酸塩の
濃度は０．１〜０．５モル／ｊとすることが好ましく、
これにより銅２０〜６５％、リン４〜１０％のＮＬ−Ｑ
Ｌ−Ｐ被膜が確実に形成される。なお、錯化剤としては
、〇−配位のもの（例えば、酢酸、乳酸、クエン酸等の
各種有機酸、その塩）、ｓ−配位のもの（例えば、チオ
グリコール酸、システィン）、Ｎ−配位のものく例えば
、アンモニア、グリシン、エチレンジアミン）などが適
宜使用され、その濃度は通常全金属塩濃度に対し等モル
以上である。
また、めっき液の−は８〜１２とし、温度４０〜９０℃
においてめっきすることが好ましい。
本発明において、前記Ｎｉ　Ｃｕ　ＰＨ１膜の厚さは適
宜選定されるが、通常０．１〜５０μｍである。
なお、本発明磁気記録体に用いる非磁性基体はアルミニ
ウム板等の公知のものが使用でき、またＮ＆Ｃｕ　Ｐ被
膜（非磁性被膜）上に形成される磁性被膜も公知のもの
でよく、その形成方法も公知の方法が採用できる。更に
、磁性被膜上には保護膜が形成できる。この場合、本発
明においては、非磁性被膜として銅含有量が２０〜６５
％のＮＬ−ヘーＰ被膜が形成されているので、非磁性被
膜形成後、２００℃以上に加熱しても非磁性被膜が全く
磁化せず、したがって磁性被膜の形成にスパッタリング
法を採用するなど、非磁性被膜（前記Ｎ（−Ｃｕ−Ｐ被
Ｉｔ！ｉｔ）の形成以後に２００℃以上、更には３００
℃以上の雰囲気となる工程、＠造法を有効に採用するこ
とができる。
以上説明したように、本発明磁気記録体は、非磁性被膜
として銅含有量が２０〜６５％のＮＬ、Ｃｕ−Ｐ無電解
めっき被膜を形成したので、この被膜が加熱されても全
く磁化されず、良好な非磁性状態を保持し、従って本発
明の磁気記録体はその性能が良好に発揮される。
以下、下記の実験例により本発明非磁性被膜の効果を具
体的に説明する。
［実験例１ 硫酸ニッケル　０．０５モル／Ｊ 硫　酸　銅　０．０２　〃 次亜リン酸ナトリウム　０．３ クエン酸ナトリウム　０．　２ ホ　ウ　砂　０．０５　１！ 安　定　剤　１　ｐｐｍ ｐＨ１０ 浴　渇　７０℃ 上記組成の無電解めっき液に常法により熱処理された銅
板を浸漬し、１０μｍのＮｉ　Ｃｕ　Ｐ無電解めっき被
膜を形成した。なお、この被ｌ！組成はＮＬ４６％、Ｃ
ｔｔ４９％、１５％であった。
次に、この被膜を種々の温度で１時間熱処理し、磁化の
程度を調べた。
また比較のため、リン含有量８％、９％及び１３％のＮ
Ｌ−Ｐ無電解めっき被膜を同様に熱処理した場合の磁化
の程度を調べた。
結果を図面を示す。なお、図面において、Ａは水元ＩＩ
ＮＬ　Ｃｕ−Ｐ被膜、ＢＳＣ，Ｄはそれぞれリン含量８
％、９％、１３％のＮｕ　−Ｐ　？ｌｌ！説を示す。
図面の結果より、本発明のＮＬ　Ｃｕ　Ｐ被膜は４００
℃で１時間熱処理されても全く磁化されていないことが
認められる。　１０’ なお、Ｎｉ　ＣＬＬ　Ｐ？ｌ＋！膜において、銅含有量
が２０％より少ない場合は熱処理温痩３００℃で磁化さ
れ、はぼ１３％リン含有のＮＬ　−Ｐ　＠膜と同程度で
あった。また、銅含有量６５％を越える場合は熱処理に
よる被膜の酸化がひどく、均質な被膜いことがわかった
。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明ＮＬ−ＣＩＬ−Ｐ被膜及び種々リン含量の
ＮＬ　−Ｐ被膜を熱処理した場合における磁化の程度を
示すグラフである。 ０ 出願人　上　村　工　業　株式会社 代理人　弁ＪｒＰ、士　小　島　隆　司ミ １５０　２００　２５０　３００　３５０　４００熱処
理温度（°Ｃ） 手続補正書（自発） 昭和６０年５月２８日 昭和５９年特許願第１１６９４５号 ２、発明の名称 磁気記録体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　大阪府大阪市東区道修町３丁目１８番地氏　名
　上　村　工　業　株式会社 代表者　上村晃史 ４、代理人　〒１０４

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、非磁性基体上に非磁性被膜を形成し、この非磁性被
    膜上に磁性被膜を形成してなる磁気記録体において、前
    記非磁性被膜として銅含有量が２０〜６５重量％のニッ
    ケルー銅−リン無電解めっき被膜を形成してなることを
    特徴とする磁気記録体。
JP59116945A 1984-06-07 1984-06-07 磁気記録体の製造方法 Granted JPS60261022A (ja)

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