JPS60258974A - 光電変換デバイス - Google Patents

光電変換デバイス

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Publication number
JPS60258974A
JPS60258974A JP59117834A JP11783484A JPS60258974A JP S60258974 A JPS60258974 A JP S60258974A JP 59117834 A JP59117834 A JP 59117834A JP 11783484 A JP11783484 A JP 11783484A JP S60258974 A JPS60258974 A JP S60258974A
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JP
Japan
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circuit
hybrid
stem
substrate
circuits
Prior art date
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Pending
Application number
JP59117834A
Other languages
English (en)
Inventor
Takanori Sawai
沢井 孝典
Tetsuo Sugimoto
杉本 哲夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)産業上の利用分野 本発明は、電気信号を光信号に又は光信号を電気信号に
変換して出力する光電変換デバイスに関する。
(2) 従来技術 従来の光電変換デバイスは、回路構成に必要な部品に汎
用のディスクリート部品を使用し、それをプリント基板
に塔載して成る。例えば、第4図に示す標準送信回路の
LED (発光ダイオード)1、電源端子2につながる
抵抗3、LEDIとデータ信号入力端子4との間に挿入
するドライバーIC5(図はその一部)等は個々に製品
化されたものが使用され、それ等の部品のリード端子を
プリント基板の穴に挿入後半田付けして1つのモジュー
ルとしたのが従来の光電変換デバイスである。
(3) 発明が解決しようとする問題点しかしながら、
ディスクリート部品をプリント基板に塔載した従来の光
電変換デバイスは、外形寸法が大きくなることを避けら
れなかった。
また、複数の回路構成部品をプリント基板に実装する作
業は複雑かつ面倒であり、しかも、プリント基板を含め
た構成部品自体が高価につくと云うこともあって装置が
コスト高になる欠点があった。
(4) 問題点を解決するための手段 本発明の目的は、」二連の欠点を解消すること、即ち装
置の小型化、低コスト化、組立の簡素化を可能にするこ
とにある。
この目的達成のため、本発明では、発光素子と光送信回
路又は受光素子と光受信回路の少なくとも一方を基板の
表面に一体に形成したハイブリッドICを、ステムとガ
ラス窓付きキャップから成るパッケージ、もしくは光透
過性のモールド体から成るパッケージで封止し、かっ他
端がパッケージから突出するリード端子をそのハイブリ
ッドICの電気回路に接続しており、このように構成さ
れた本発明の光電変換デバイスは、外形寸法を従来のr
、ED−!PD(フォトダイオード)等とあまり変わら
ない大きさに迄縮小でき、また、小型化による材料費の
削減Oこ加え、構成部品数がパッケージ、端子及びハイ
ブリッドICの3点となることによりコスト及び組立工
数の低減も図わる。
(5)実施例 添付第1図乃至第3図に本発明の光電変換デバイスの一
実施例を示す。
図の符号10は絶縁材から成るステムで、このステムに
はリード端子11が両端を」二下面より突出させて取付
けられている。I2は、ステムの」二面とはゾ同−大き
さで周囲に端子の一端を挿入する孔12aを有する基板
の上面側に光電変換回路を一体に設けたハイブリッドI
Cであり、その基板−Iユの光電変換回路は、光送信用
デバイスの場合、第2図に示すように、孔12a部につ
ながる印刷回路12bとその途中に設けらnるLEDチ
ップ12c1 ドライバーICチップ12d1印刷抵抗
12e等で構成さItl一方、光受信用デバイスの場合
、印刷回路とPDチップ、増幅回路、比較回路等で構成
される。このハイブリッドIC12は、一つの基板上に
複数の送信回路又は受信回路を形成してよく、送信回路
と受信回路を1つの基板上に一体に併設することも可能
である。
また、」1記孔12aに代え、基板の外周に一端の開放
する切欠溝を設けてその溝に端子の一端を係合させても
よく、このように構成さnたハイブリッドIC12を接
着する等して第3図に示すようにステム10」二に固定
した後IC基板の印刷回路とリード端子11とを導電性
樹脂接着剤13によって電気的に接続し、さらに、ガラ
ス窓14aを有するキャップ14をステムに取付けて封
止すると例示の光電変換デバイスが完成する。
なお、ハイブリッドIC12は、光を透過する絶縁性の
透明モールド体で被覆して封止してもよい。また、この
ICの基板に設ける孔又は切欠溝等の四部は、端子の数
及び径に応じてそれに適合するように設ければよく、図
示の数及び形状に限定されない。
(6)効果 以上説明したように、本発明の光電変換デバイスは、L
ED等の発光素子と光送信回路又はPD等の受光素子と
光受信回路の少なくとも一方を、ハイブリッドIC化し
、即ち1個の基板」二に一体に形成し、このハイブリッ
ドICをパンケージで封止したので、その小型化が図れ
る。
また、回路のハイブリッドIC化により、光電変換素子
チップやドライバーICチップ等のワイヤボンドが不要
になり、加えて構成部品点数が3点となることにより装
置の組立工数も低減し、従って生産性が良くなり、なお
かつ、パッケージング後は、電源ライン、グランドライ
ン、データ信号入力ライン等の必要なリード端子のみの
接続で配線が完了するなど、使用時の配線作業も極めて
簡素化される。
さらに、ハイブリッドIC基板の厚みをコントロールす
ることにより発光又は受光素子から信号伝送用光ファイ
バの端面迄の距離を最適に調整できるので光の結合効率
も高めることができるほか、1個のハイブリッドICに
複数の送信又は受信回路を形成したり送・受信回路を併
設したりすることで1個の装置による波長多重通信や送
受信が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の光電変換デバイスの一実施例を示す
分解斜視図、第2図はハイブリッドICの一例を示す平
面図、第3図は第1図のデバイスの組立後の断面図、第
4図は標準光送信デバイスの回路図である。 10・・・ステム、11・・・リードi子、12−・・
ハイブリッドIC,12a・・・孔、12b・−・印刷
回路、12c・・LEDチップ、12 e−印刷抵抗、
12d・・・ドライバーICチップ、13・・・導電性
樹脂接着剤、14・・・キャップ、14a・・・ガラス
窓特許出願人 住p電気工業株式会社 同 代理人 鎌 1) 文 二

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 発光素子と光送信回路又は受光素子と光受信回
    路の少なくとも一方を基板の表面に一体に形成したハイ
    ブリッドICを、ステムとガラス窓付きキャップから成
    るパッケージ、もしくは光透過性のモールド体から成る
    パッケージで封止し、かっ他端がパッケージから突出す
    るリード端子をそのハイブリッドICの電気回路に接続
    して成る光電変換デバイス。
  2. (2) 上記ステムに、一端がそのステムの上面側に突
    出するリード端子を取付け、一方、ハイブリッドICの
    基板にはステム上に突出した端子を適合して受け入れる
    孔又は切欠溝等の四部を設け、この四部に係合したリー
    ド端子の一端とハイブリッドICの印刷電気回路を導電
    性樹脂接着剤を介して電気的に接続したことを特徴とす
    る特許請求の範囲第(1)項記載の光電変換デバイス。
JP59117834A 1984-06-05 1984-06-05 光電変換デバイス Pending JPS60258974A (ja)

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JP59117834A JPS60258974A (ja) 1984-06-05 1984-06-05 光電変換デバイス

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JP59117834A JPS60258974A (ja) 1984-06-05 1984-06-05 光電変換デバイス

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JPS60258974A true JPS60258974A (ja) 1985-12-20

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ID=14721401

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JP59117834A Pending JPS60258974A (ja) 1984-06-05 1984-06-05 光電変換デバイス

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5567972A (en) * 1993-11-05 1996-10-22 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical element mounted on a base having a capacitor imbedded therein

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5567972A (en) * 1993-11-05 1996-10-22 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical element mounted on a base having a capacitor imbedded therein
US5698889A (en) * 1993-11-05 1997-12-16 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical element mounted on a base having a capacitor imbedded therein

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