JPS60226143A - 放熱形金属パツケ−ジの製造方法 - Google Patents

放熱形金属パツケ−ジの製造方法

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JPS60226143A
JPS60226143A JP59083202A JP8320284A JPS60226143A JP S60226143 A JPS60226143 A JP S60226143A JP 59083202 A JP59083202 A JP 59083202A JP 8320284 A JP8320284 A JP 8320284A JP S60226143 A JPS60226143 A JP S60226143A
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JP
Japan
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holes
heat dissipating
thin plate
hole
glass
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JP59083202A
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Yukio Saito
斉藤　幸夫
Akira Isono
磯野　彰
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NEC Corp
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は放熱形金属パッケージの製造方法に関し、特に
・・イブリッドＩＣ（集積回路）であってマイクロ波Ｉ
Ｃ用の高密度性、高精度及び高放熱性を要求される金属
パッケージの製造方法に関するものである。
従来技術 か＼るＩＣ用金属パッケージは、コバーに代表される鉄
ニツケル系金属とガラスとにより構成されているものが
一般的であり、これは生産性に高いこと及び気密性に優
れていることから大量に生産されている。しかし、これ
らはいずれも熱伝導率が小さく、よって高出力チップを
実装してパワートランジスタ等としてデバイス化する場
合は使用できない。
そこで、銅を代表とする金属と前述した鉄ニツケル系合
金とを接合した金属パッケージが多く開発されており、
パッケージにペレット類をろう付後キャップをプールす
る場合の工法として、グロジエクション溶接、シーム溶
接等が一般に用いられているが、溶接性２作業性等から
パッケージの接合部は前述の鉄ニツケル系金属の封着金
属が用いられているのである。
か＼る金属パッケージにおいて、当該封着金属の孔に信
号入出力端子を封着する場合、この孔の内側の形に倣っ
てガラスが充填されて封着されるために、封着ガラスの
形状の任意性に乏しく形状の選定が限定されよってあま
り複雑な形状とすることは困難となっている。これは、
Ｆｅ−Ｎｉ系合金が難削材料であってストレート孔なら
ば容易に加工できるが、段付き等の複雑な形状の孔加工
は困難であることに起因している。こ＼で、特にマイク
ロ波用ＩＣパツクージにあっては、高周波インピーダン
スがこの封着部形状に関係することから、従来パッケー
ジではインピーダンス整合等が自在にできないという欠
点を有している。
発明の目的　゛ 本発明は、放熱性、気密性に優れかつ高周波域のインピ
ーダンス整合も容易に図れる生産性の良好な放熱形金属
パッケージの製造方法を提供することを目的としている
。
発明の構成 本発明による放熱形金属パッケージの製造方法は、電気
信号入出力端子突出用孔及び発熱チップ塔載用の凸部を
有する放熱金属体の当該突部突出用孔が穿設されたＦｅ
−Ｎｉ系合金製薄板を準備し、電気信号入出力端子を、
対応する前記孔を貫通せしめて前記薄板の一主表面上に
突出するように位置させ、ガラス封着部材を当該孔に充
填すると共に前記薄板の地主表面上における当該孔の周
囲にガラス盛りする形状で薄板と入出力端子とを一体封
着し、しかる後に放熱金属体の凸部を対応する前記孔に
嵌合させてこの凸部を前記薄板の一主表面上に突出させ
るようにし、前記薄板の他生表面と放熱金属体の表面と
の接触部を固着してなることを特徴としている。
以下に、本発明を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の実施例の製造工程における一過程のパ
ッケージ平面と側面図（半断面図）である。コバー製薄
板１には複数の貫通しだ丸孔５と複数の貫通した角孔６
とが夫々図示の如く穿設されており、丸孔５には電気信
号入出力端子２の先端が突出して配置され、また角孔６
には、放熱用金属体３に設けられた発熱チップ９（第３
図参照）塔載用凸部７が嵌合せしめられる。
コバー製入出力端子２とコバー薄板１との一体封着はガ
ラス封着部材４にてなされるものであり、第２図を用い
て詳細に述べるに、先ず孔５，６が穿設された薄板１を
準備し、この薄板１の孔に入出力端子２を貫通して薄板
１の一主表面上に突出する如く位置させる。そして、ガ
ラス封着部材をこの孔５に充填すると共に薄板１の他生
表面８上におけるこの孔５の周囲にガラス盛りする形状
にてこの薄板と入出力端子とを一体封着するものである
。
こうすることにより、封着面積が多くなりリークパスを
長くすることができると共に、従来のようにガラス部の
形状の制約は全くなくなり、封着ガラスの形状が任意に
選定できることになる。
こうして、入出力端子２が一体に形成されたコバー薄板
１と放熱金属体３とを一体化するのであるが、第１図に
示しだ様に、端子２を放熱体３の孔部に、また放熱体３
の凸部７を薄板１の孔６に夫々嵌合する。そして、互い
の接触する平面（８）同士をろう付けして一体化するこ
とになる。
とのコバー薄板１は、プレスやエツチング等の工法によ
り安価にかつ迅速に加工が可能であり、放熱金属体３も
簡単な形状であるので、プレスや切削加工等により容易
に製造できる。更に、ろう付けも平面同士の接合である
ので、容易でありパッケージ全体の製造コストも安価と
なる。
第３図は発熱チップ９や他のベレット類１０を塔載した
場合の断面図であり、放熱金属体３の凸部７上に発熱チ
ップ９が直接塔載され、コバー薄板１の一主表面上に他
のベレット類ＩＯが塔載される。
従って、発熱チップ９の放熱性は良好となり、更に他の
ベレット類１０の実装も凸部７を基準とすることができ
るので高精度になされ得る。よって、ペレット間の接続
金属１１のボンディング長を極力短くすることができ、
高周波域に特に有効となる。
第４図はペレット類の実装後においてキャップ１２を取
付けだ場合の側面図であり、キャップ１２の接合部１３
はコバーであるので溶接は容易となって気密性が良好と
なっている。更に、高周波域のインピーダンス整合も、
外周金属とガラスの形状とを適宜選定することによって
任意に行える。
発明の効果 叙上の如く、本発明によれば、気密性、放熱性及び加工
製に優れた金属パッケージのみならず高周波域でのイン
ピーダンス整合も自由に設定自在な金属パッケージが得
られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の製造工程における一過程のパ
ッケージの平面図及び半断面を有する側面図、第２図は
ガラス封着状態を示す断面図、第３図はペレット類搭載
後の断面図、第４図はキャップ接合後の１部断面を含む
側面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・封着金属　２・・・電気信号入出力端子３・・
・放熱金属　４・・・ガラス ５．６・・・孔　７・・・凸部 出願人　日本電気株式会社 代理人　弁理士　柳　川　信

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電気信号入出力端子突出用孔及び発熱チップ塔載用の凸
    部を有する放熱金属体の前記凸部突出用孔が穿設された
    Ｆｅ−Ｎｉ系合金製薄板を準備し、前記電気信号入出力
    端子を、対応する前記孔を貫通せしめて前記薄板の一生
    表面上に突出するように位置させ、ガラス封着部材を当
    該孔に充填すると共に前記薄板の地主表面上における当
    該孔の周囲にガラス盛りする形状で薄板と入出力端子と
    を一体封着し、しかる後に前記放熱金属体の凸部を対応
    する前記孔に嵌合させてこの凸部を前記薄板の一生表面
    上に突出させるようにし、前記薄板の地主表面と前記放
    熱金属体の表面との接触部を固着してなることを特徴と
    する放熱形金属パンケージの製造方法。
JP59083202A 1984-04-25 1984-04-25 放熱形金属パツケ−ジの製造方法 Pending JPS60226143A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0930648A2 (en) * 1998-01-16 1999-07-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Package for semiconductors, and semiconductor module that employs the package

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0930648A2 (en) * 1998-01-16 1999-07-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Package for semiconductors, and semiconductor module that employs the package
EP0930648A3 (en) * 1998-01-16 2000-04-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Package for semiconductors, and semiconductor module that employs the package
US6335863B1 (en) 1998-01-16 2002-01-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Package for semiconductors, and semiconductor module that employs the package

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